倒置有機電致發(fā)光裝置、顯示屏及其終端的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種倒置有機電致發(fā)光裝置、顯示屏及其終端。該倒置有機電致發(fā)光裝置包括依次層疊結合的基板、陰極層、有機功能層和作為出光面的陽極層，所述有機功能層包括在外加電源的驅動下發(fā)光的發(fā)光層，其特征在于：所述陰極層包括依次層疊結合的半透金屬層、具有對光透過性的干涉層、金屬反射層，其中，所述半透金屬層與有機功能層層疊結合，金屬反射層與基板層疊結合；所述干涉層材料為干涉層材料為折射率大于或等于2.0的金屬氧化物。本發(fā)明倒置有機電致發(fā)光裝置的陰極有效降低了該倒置有機電致發(fā)光裝置的陰極對光的反射率，提高了其的對比度。含有該倒置有機電致發(fā)光裝置的顯示屏及其終端具有高對比度，其顯示畫面清晰。
【專利說明】倒置有機電致發(fā)光裝置、顯示屏及其終端

【技術領域】
[0001]本發(fā)明屬于電光源【技術領域】，具體的說是涉及一種倒置有機電致發(fā)光裝置、顯示屏及其終端。

【背景技術】
[0002]有機電致發(fā)光器件(Organic Light Emiss1n D1de,以下簡稱0LED)是基于有機材料的一種電流型半導體發(fā)光器件。其典型結構是在ITO玻璃上制作一層幾十納米厚的有機發(fā)光材料作發(fā)光層，發(fā)光層上方有一層低功函數的金屬電極。
[0003]OLED的發(fā)光原理是基于在外加電場的作用下，電子從陰極注入到有機物的最低未占有分子軌道(LUM0)，而空穴從陽極注入到有機物的最高占有軌道(HOMO)。電子和空穴在發(fā)光層相遇、復合、形成激子，激子在電場作用下遷移，將能量傳遞給發(fā)光材料，并激發(fā)電子從基態(tài)躍遷到激發(fā)態(tài)，激發(fā)態(tài)能量通過輻射失活，產生光子，釋放光能。
[0004]OLED具有發(fā)光效率高、材料選擇范圍寬、驅動電壓低、全固化主動發(fā)光、輕、薄等優(yōu)點，同時擁有高清晰、廣視角、響應速度快、低成本以及色彩鮮艷等優(yōu)勢，是一種極具潛力的顯示技術和光源，符合信息時代移動通信和信息顯示的發(fā)展趨勢，以及綠色照明技術的要求，因此，被業(yè)內人士認為是最有可能在未來的照明和顯示器件市場上占據霸主地位的新一代器件。作為一項嶄新的照明和顯示技術，OLED技術在過去的十多年里發(fā)展迅猛，取得了巨大的成就。由于全球越來越多的照明和顯示廠家紛紛投入研發(fā)，大大的推動了 OLED的產業(yè)化進程，使得OLED產業(yè)的成長速度驚人，目前已經到達了大規(guī)模量產的前夜。
[0005]但現(xiàn)有的OLED器件的陰極一般是使用高反射率的金屬陰極材料，具體地，該高反射率的金屬陰極材料制備成的高反射率的金屬陰極在可見光段具有超過90%的反射率，因此該如此高反射率陰極卻給OLED在顯示器件上的應用帶來阻礙。這是因為，作為顯示器件，高對比度是人們長期的追求，對屏幕對比度的要求更高，如果將現(xiàn)有高反射率陰極的OLED器件在顯示器件上的應用時，在太陽光照射下，由于其高反射率陰極的高反射率作用，使得顯示器件的對比度低，顯示的內容無法看清。因此，將OLED器件在顯示器中應用時，如何降低OLED器件的反射率是待解決的技術難題。


【發(fā)明內容】

[0006]本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術的上述不足，提供一種陰極具有低反射率的倒置有機電致發(fā)光裝置。
[0007]本發(fā)明的另一目的在于提供一種對比度高的顯示屏。
[0008]本發(fā)明的又一目的在于提供一種含有上述顯示屏的終端。
[0009]為了實現(xiàn)上述發(fā)明目的，本發(fā)明的技術方案如下:
[0010]一種倒置有機電致發(fā)光裝置，包括依次層疊結合的基板、陰極層、有機功能層和作為出光面的陽極層，所述有機功能層包括在外加電源的驅動下發(fā)光的發(fā)光層，所述陰極層包括依次層疊結合的半透金屬層、具有對光透過性的干涉層、金屬反射層，其中，所述半透金屬層與有機功能層層疊結合，所述金屬反射層與基板層疊結合；所述干涉層材料為折射率大于或等于2.0的金屬氧化物。
[0011]以及，一種顯示屏，包括顯示模塊和用于控制顯示模塊的控制模塊，其中所述顯示模塊含有如上述的倒置有機電致發(fā)光裝置。
[0012]以及，一種設有顯示屏的終端，所述終端的顯示屏為上述含有倒置有機電致發(fā)光裝置的顯示器。
[0013]上述倒置有機電致發(fā)光裝置通過將陰極設置成依次層疊結合的半透金屬層、具有對光透過性的干涉層、金屬反射層結構，有效降低了該倒置有機電致發(fā)光裝置的陰極對光的反射率，提高了其的對比度。其中，該半透金屬層能對由從陽極端入射光起了半透半反射的作用；干涉層能將半透金屬層反射光與金屬反射層反射光的相位相反，達到干涉相消的效果，有效減少了光總的反射，實現(xiàn)低的反射率。
[0014]上述顯示屏由于含有上述倒置有機電致發(fā)光裝置，因此其具有高對比度，其顯示畫面清晰。由于設有顯示屏的終端含有該高對比度的顯示屏，因此該終端的顯示屏畫面清晰。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0015]圖1為本發(fā)明實施例倒置有機電致發(fā)光裝置結構示意圖；
[0016]圖2為本發(fā)明實施例倒置有機電致發(fā)光裝置另一優(yōu)選結構示意圖；
[0017]圖3為本發(fā)明實施例倒置有機電致發(fā)光裝置制備方法的流程示意圖。

【具體實施方式】
[0018]為了使本發(fā)明要解決的技術問題、技術方案及有益效果更加清楚明白，以下結合實施例與附圖，對本發(fā)明進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。
[0019]有機電致發(fā)光像素對比度=(器件發(fā)光亮度(開)+器件反射的環(huán)境光亮度)/ (器件發(fā)光亮度(關)+器件反射的環(huán)境光亮度)，根據這個計算方法，在透明陽極的OLED器件中，提高對比度的方法之一就是降低器件對環(huán)境的光反射，也就是降低反射電極的反射率。
[0020]基于上述理論，本發(fā)明實施例采用降低陰極反射率的途徑來提高有機電致發(fā)光像素對比度。因此，本發(fā)明實施例提供了一種陰極具有低反射率的倒置有機電致發(fā)光裝置，其結構如圖1至圖2所示。該倒置有機電致發(fā)光裝置包括依次層疊結合的基板1、陰極層2、有機功能層3和陽極層4。
[0021]具體地，上述基板I的材料為玻璃、聚合物薄膜材料等，如普通玻璃、聚合物薄膜材料基底等。當然，基板I的材料還可采用本領域其他材料進行替代?；錓的厚度也可以采用本領域常用的厚度或者根據應用的要求進行靈活選用。
[0022]上述陰極層2包括依次層疊結合的金屬反射層21、具有對光透過性的干涉層22和半透金屬層23，其中，該金屬反射層21與基板I層疊結合，半透金屬層23與有機功能層3層疊結合。該結構的陰極層2中的半透金屬層23能對從陽極層4端入射光起了半透半反射的作用，干涉層22能對入射其界面的光起到折射的干涉作用，使半透金屬層23反射光與金屬反射層21反射光的相位相反，達到干涉相消的效果，有效減少了光總的反射，實現(xiàn)低的反射率。因此，當將該有機電致發(fā)光裝置接通外加電源時，外加電源的負極是接在半透金屬層23上的，而其正極是接在陽極層4上的。具體地，從有機功能層3中射向該結構的陰極層2的光線反射和折射如圖1、2中所示，環(huán)境光線a從外部入射時，在半透金屬層23表面發(fā)生反射和折射，形成反射光線b，折射光線c透過干涉層22到達金屬反射層21表面，發(fā)生反射，形成反射光線d。在干涉層22的作用下，反射光線b和反射光線d形成光線的干涉相消，削弱陰極層2產生的反射光，從而有效降低陰極層2的反射率。
[0023]其中，該半透金屬層23與有機功能層3層疊結合，該半透金屬層23能使陽極層4端射來的光在其界面發(fā)生部分透過部分反射。為了更好的調節(jié)光線的反射和透過率，作為優(yōu)選實施例，該半透金屬層23的厚度為5?10nm，其厚度還可以根據材料的不同而靈活調整。作為另一優(yōu)選實施例，上述半透金屬層23金屬材料為Mg、Ag、Al、Ca中的任一種或兩者以上合金，該優(yōu)選的材料不僅具有良好的半透性，還具有優(yōu)異的電子注入性能。應該理解，只要能實現(xiàn)該半透金屬層23部分透過部分反射的其他厚度和其他能做陰極金屬材料也屬于本發(fā)明限定的范圍。
[0024]該干涉層22層疊在半透金屬層23和金屬反射層21之間，能將兩層反射的光的相位相反，達到干涉相消的效果，有效減少了光總的反射。為了實現(xiàn)對入射其界面的光起到有效的干涉作用，干涉層22材料為折射率大于或等于2.0的金屬氧化物。在優(yōu)選實施例中，該金屬氧化物Ti02、CeO2, Ta2O5, ZrO2中的至少一種。Ti02、CeO2, Ta2O5, ZrO2這些材料具有大于2.0的折射率，并且在可見光區(qū)均可透過，因此將其制備干涉層22能夠獲得非常好的干涉相消，以實現(xiàn)減反射的作用，具體的是使得從半透金屬層23透過的光傳遞至其界面后使得光線發(fā)生折射，該折射光入射至金屬反射層21發(fā)生反射后，以實現(xiàn)半透金屬層23與金屬反射層21反射光相抵消的效果。因此，采用Ti02、CeO2, Ta2O5, ZrO2制備干涉層22賦予本發(fā)明實施例倒置有機電致發(fā)光裝置優(yōu)異的高對比度。
[0025]通過調節(jié)干涉層22的厚度，能有效提高提高半透金屬層23與金屬反射層21反射光相抵消的效果。因此，作為優(yōu)選實施例，材料為折射率大于或等于2.0的金屬氧化物的該干涉層22厚度為60nm?80nm,在具體實施例中，其厚度可以是60nm、65nm、70nm、75nm、80nm 等。
[0026]該金屬反射層21設置的目的是將從干涉層22傳輸來的光在其界面發(fā)生反射，并將該反射光通過干涉層22的傳輸后與半透金屬層23界面發(fā)生反射的光互相抵消，以降低陰極層2的反射率。作為優(yōu)選實施例，該金屬反射層21的厚度為70?200nm。作為另一優(yōu)選實施例，上述金屬反射層21金屬材料為Al, Au, Ag中的任一種或兩者以上合金。應該理解，只要能實現(xiàn)該金屬反射層21的反光作用的其他厚度和其他能金屬材料也屬于本發(fā)明限定的范圍，如不計成本，該金屬反射層21的厚度還可以是200nm以上。
[0027]作為上述倒置有機電致發(fā)光裝置的另一優(yōu)選實施例，上述半透金屬層23的厚度為5?10nm，干涉層22的厚度為60?80nm，金屬反射層21的厚度為70?200nm。該優(yōu)選實施例中各層厚度的組合，能使得半透金屬層23和金屬反射層21反射的光干涉相消的效果更好，使得陰極層2更低的反射率。
[0028]作為上述倒置有機電致發(fā)光裝置的再一優(yōu)選實施例，上述半透金屬層23材料為Mg、Ag、Al、Ca中的任一種或兩者以上合金，干涉層22材料為T12、CeO2、Ta2O5、ZrO2中的至少一種，金屬反射層21材料為Al, Au, Ag中的任一種或兩者以上合金。該優(yōu)選實施例中各層所選用材料的組合，賦予陰極層2更低的反射率和電子注入性能。
[0029]作為上述倒置有機電致發(fā)光裝置的又一優(yōu)選實施例，上述半透金屬層23材料為Mg、Ag、Al、Ca中的任一種或兩者以上合金，且其厚度為5?1nm ;干涉層22材料為Ti02、CeO2、Ta2O5、ZrO2中的至少一種，且其厚度為60?80nm ;金屬反射層21材料為Al，Au，Ag中的任一種或兩者以上合金，且其厚度為70?200nm。該優(yōu)選實施例中各層厚度和材料的組合，能使得半透金屬層23和金屬反射層21反射的光干涉相消的效果更好，使得陰極層2有更低的反射率以及優(yōu)異的電子注入性能。
[0030]上述倒置有機電致發(fā)光裝置實施例中的有機功能層3包括依次層疊結合的電子注入層31、電子傳輸層32、發(fā)光層33、空穴傳輸層34、空穴注入層35,且電子注入層31與陰極層2層疊結合，具體地，電子注入層31與陰極層2層中半透金屬層23的與干涉層22結合面相對的表面層疊結合，如圖1所示。
[0031]在具體實施例中，上述電子注入層31材料可以LiF, CsF, NaF, MgF2等至少一種等堿金屬的鹵化物，當然，該電子注入層31材料還可以選用碘化鋰、碘化鉀、碘化鈉、碘化銫、碘化銣中的至少一種等堿金屬的鹵化物。電子注入層31的厚度也可按照本領域常規(guī)的厚度進行設置。該電子注入層31的設置能有效增強其與陰極層2之間的歐姆接觸，加強了導電性能，進一步提高陰極層2端的電子注入能力，以進一步平衡載流子，控制復合區(qū)域，在發(fā)光層中增加激子量，獲得了理想的發(fā)光亮度和發(fā)光效率。正因如此，該電子注入層31也可以根據實際的需要不設置，也就是說，電子傳輸層32可以直接與陰極層2直接層疊結合。
[0032]上述電子傳輸層32材料可以是2_(4_聯(lián)苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1，3，4_ Il惡二唑(PBD)、(8-羥基喹啉)-鋁(Alq3)、4，7_ 二苯基-鄰菲咯啉(Bphen)、1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi )、2，9-二甲基-4，7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲(BCP)中至少一種。當然，電子傳輸層32材料還可以是本領域公知的其他電子傳輸材料，其厚度也可以采用本領域常用的厚度。
[0033]上述發(fā)光層33材料可以是客體材料與主體材料摻雜混合物。其中，客體材料為發(fā)光材料，其包括4- (二腈甲基)-2- 丁基-6- (1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、雙(4，6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥(FIrpic)、雙(4，6-二氟苯基吡啶)_四(1-吡唑基)硼酸合銥(FIr6)、二(2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合銥(Ir(MDQ)2(acac))、三(1-苯基-異喹啉)合銥(Ir (piq) 3)、三(2-苯基吡啶)合銥(Ir(ppy)3)中的至少一種；主體材料包括4，4’- 二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)、8_羥基喹啉鋁(Alq3)、l，3, 5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑 _2_ 基)苯(TPBi)、N, N’-二苯基-N, N，-二 (1-萘基)_1，I’ -聯(lián)苯_4，4’ - 二胺(NPB)中的至少一種。主、客體材料可以根據實際生產和應用的需要進行靈活復合，且客體材料與主體材料的質量比可以為I?10:100。
[0034]另外，該發(fā)光層33材料還可以選用熒光材料4，4’ - 二(2，2- 二苯乙烯基)_1，l’-K*(DPVBi)、4，4’-| [4-( 二對甲苯基氨基)苯乙烯基]聯(lián)苯(DPAVBi)、
5,6,11，12-四苯基萘并萘(Rubrene)、二甲基喹吖啶酮(DMQA)等材料中的至少一種。該發(fā)光層33的厚度也可按照本領域常規(guī)的厚度進行設置。
[0035]上述空穴傳輸層34材料可以是NPB (N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)_1，I’ -聯(lián)苯-4，4’ - 二胺)、TPD (N, N’ - 二苯基-N, N’ - 二 (3-甲基苯基)-1, I，-聯(lián)苯 _4，4’ - 二胺)、MeO-TPD (N, N, N，，N，-四甲氧基苯基)-對二氨基聯(lián)苯),MeO-Spr1-TPD (2，7-雙(N, N- 二(4-甲氧基苯基)氨基)_9，9-螺二芴)中的至少一種。當然，該空穴傳輸層34材料還可以是本領域常用的其他材料，如4，4’，4’ ’ -三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)等。空穴傳輸層34的厚度也可按照本領域常規(guī)的厚度進行設置。
[0036]上述空穴注入層35材料可以是ZnPc (酞菁鋅)、CuPc(酞菁銅)、V0Pc (酞菁氧釩)、T1Pc (酞菁氧鈦)中的至少一種。當然，該空穴注入層35材料還可以是本領域常用的其他材料，如W03、V0x、W0x或MoO3等氧化物，或者無機空穴注入層材料與有機空穴注入層材料的摻雜混合物。空穴注入層35的厚度也可按照本領域常規(guī)的厚度進行設置。該空穴注入層35的設置，能有效增強其與陽極層4間的歐姆接觸，加強了導電性能，提高陽極層4端的空穴注入能力。正因如此，該空穴注入層35也可以根據實際的需要不設置，也就是說，空穴傳輸層34可以直接與陽極層4直接層疊結合。
[0037]在進一步優(yōu)選實施例中，在如圖1所不的有機功能層3的基礎上,上述有機功能層3還可以設置空穴阻擋層36和電子阻擋層37和，如圖2所示。其中，該電子阻擋層37層疊結合在空穴傳輸層34與發(fā)光層33之間，空穴阻擋層36層疊結合在發(fā)光層33與電子傳輸層32之間。該電子阻擋層37的設置能將在發(fā)光層33中未形成激子的電子盡可能的阻擋截留在發(fā)光層33中，空穴阻擋層36的設置能將在發(fā)光層33中未形成激子的空穴盡可能的阻擋截留在發(fā)光層33中，以提高發(fā)光層33中的電子與空穴相遇機率，以提高兩者復合而形成的激子量，并將激子能量傳遞給發(fā)光材料，從而激發(fā)發(fā)光材料的電子從基態(tài)躍遷到激發(fā)態(tài)，激發(fā)態(tài)能量通過輻射失活，產生光子，釋放光能，以達到增強發(fā)光層33的發(fā)光強度的目的。當然，該電子阻擋層37和空穴阻擋層36可以根據實際生產的情況和應用的需要擇一設置，其選用的材料和厚度可以按照本領域常用的材料和常規(guī)的厚度進行設置。
[0038]上述陽極層4作為上述倒置有機電致發(fā)光裝置的出光面，因此，其厚度優(yōu)選為為18?35nm。該陽極層4材料優(yōu)選為Ag、Au、Al中的任一中或兩種以上的合金，該優(yōu)選的陽極材料導電性能優(yōu)異。當然，該陽極層4材料和厚度還可以是本領域常規(guī)的其他材料和厚度。
[0039]由上述可知，上述倒置有機電致發(fā)光裝置通過將陰極設置成依次層疊結合的金屬反射層21、具有對光透過性的干涉層22、半透金屬層23結構，通過陰極層2的光反射抵消作用，從而有效降低了該倒置有機電致發(fā)光裝置的陰極對光的反射率，提高了其的對比度。另外，通過選用金屬反射層21、具有對光透過性的干涉層22、半透金屬層23的材料和厚度，能進一步降低上述倒置有機電致發(fā)光裝置的陰極對光的反射率，提高了其的對比度。
[0040]相應地，上述實施例倒置有機電致發(fā)光裝置制備方法可以按照如圖3所以示。的工藝流程制備，同時參見圖1?2，其制備方法包括如下步驟:
[0041]S01.提供基板I;
[0042]S02.制備陰極層2:在真空鍍膜系統(tǒng)中，將金屬反射層材料濺射在基板I 一外表面成膜，形成金屬反射層21 ;再將干涉層材料濺射在該金屬反射層21外表面，形成干涉層22 ；然后將鍍有反射層21和干涉層22的基板I置于真空熱蒸鍍系統(tǒng)中，將半透金屬層材料蒸鍍在干涉層22外表面，形成半透金屬層23，該金屬反射層21、干涉層22和半透金屬層23形成陰極層2 ；
[0043]S03.制備有機功能層3:在步驟S02制備陰極層2的與基板I相結合面相對的表面依次蒸鍍電子注入層材料、電子傳輸層材料、發(fā)光層材料、空穴傳輸層材料和空穴注入層材料，分別制備電子注入層31、電子傳輸層32、發(fā)光層33、空穴傳輸層34和空穴注入層35,形成有機功能層3 ；
[0044]S04.制備陽極層4:在真空鍍膜系統(tǒng)中，在有機功能層3外表面蒸鍍陽極材料，形成陽極層4。
[0045]具體地，上述SOl步驟中，基板I的結構、材料及規(guī)格如上文所述，為了篇幅，在此不再贅述。另外，在該SOl步驟中，還包括對基板I的前期處理步驟，如清洗去污的步驟，具體清洗去污的步驟如下文實施例1的步驟I。
[0046]上述步驟S02中，濺射金屬反射層21和干涉層22以及蒸鍍半透金屬層23所選用的材料以及厚度均勻如上文所述。其中，濺射金屬反射層21和干涉層22的工藝條件可以是下文實施例1-4中濺射工藝條件，當然，濺射金屬反射層21和干涉層22的工藝條件也可以采用本領域常規(guī)的濺射工藝條件。蒸鍍半透金屬層23的工藝條件優(yōu)選為真空沉積成膜的工作壓強為I X 10_5?I X 10?,有機材料的蒸發(fā)速度為0.01?lnm/s。該優(yōu)選的濺射工藝條件，能獲得致密且均一的金屬反射層21和干涉層22。
[0047]上述步驟S03中，蒸鍍電子注入層31、電子傳輸層32、發(fā)光層33、空穴傳輸層34和空穴注入層35所選用的材料以及厚度均勻如上文所述。蒸鍍各層所涉及到工藝條件優(yōu)選為真空沉積成膜的工作壓強為I X 10_5?I X 10?,有機材料的蒸發(fā)速度為0.01?lnm/s。
[0048]當有機功能層3如上文所述，其包括依次層疊結合的電子注入層31、電子傳輸層32、空穴阻擋層36、發(fā)光層33、電子阻擋層37、空穴傳輸層34和空穴注入層35時，或者其只包括依次層疊結合的電子傳輸層32、空穴阻擋層36、發(fā)光層33、電子阻擋層37和空穴傳輸層34時,或者其包括依次層疊結合的電子傳輸層32、發(fā)光層33和空穴傳輸層34時,制備有機功能層3的方法是在陰極層2外表面依次蒸鍍該各層結構。
[0049]上述步驟S04中，蒸鍍陽極層4所用的陽極材料和制備得到的陽極層4的厚度均如上文所述，在此不再贅述。其蒸鍍條件采用本領域常規(guī)的工藝條件即可，如金屬的蒸鍍速度優(yōu)選為0.2?2nm/s，真空沉積成膜的工作壓強為I X 10_5?I X 10_3Pa。
[0050]當然，還應當理解，關于本發(fā)明實施例倒置有機電致發(fā)光裝置的制備方法還應該包括該倒置有機電致發(fā)光裝置后續(xù)的封裝方法。
[0051]相應地，本發(fā)明實施例還提供了一種顯示屏，其包括顯示模塊和用于控制顯示模塊的控制模塊，當然還包括應用與顯示屏的其他必要模塊。其中，該顯示模塊中包括如上述的倒置有機電致發(fā)光裝置，具體地，在顯示模塊中，上文所述的倒置有機電致發(fā)光裝置按照矩陣排布。由于該顯示屏含有上述倒置有機電致發(fā)光裝置，因此其具有高對比度，其顯示畫面清晰。
[0052]相應地，本發(fā)明實施例進一步提供了一種設有顯示屏的終端，該終端的顯示屏為上述含有倒置有機電致發(fā)光裝置的顯示器。當然，應該理解，根據該終端的類型不同，該終端除了含有上文所述的顯示屏之外，還含有其他必要模塊或/和器件。因此，該終端可以是非便攜式終端和便攜式終端。非便攜式終端可以是大型家電(如電視機、臺式電腦顯示器、設有顯示屏的空調、洗衣機等)、工廠設有顯示屏的機床等；便攜式終端可以是手機、平板電腦、筆記本計算機、個人數字助理、游戲機和電子書等。這樣，由于該終端的顯示屏為上述含有倒置有機電致發(fā)光裝置的顯示屏，因此電子器件的顯示屏對比度高，畫面清晰。
[0053]當然，上文所述的倒置有機電致發(fā)光裝置還可以在特性照明領域中應用，如在要求反射率低的照明領域中應用。具體地如將本發(fā)明實施例還可應用于照明面板，在特定的照明條件不需要照明面板有鏡面反射，本發(fā)明提供的低反射的有機電致裝置就可以滿足此需求。
[0054]以下通過多個實施例來舉例說明上述倒置有機電致發(fā)光裝置等方面。
[0055]實施例1
[0056]一種陰極具有低反射率的且陽極作為出光面的倒置有機電致發(fā)光裝置，其結構為:玻璃基板/Ag(70nm)/Ti02(60nm)/Mg(1nm)/電子注入層(LiF，0.5nm)/電子傳輸層(TPBi, 30nm)/ 發(fā)光層(DPVBi，1nm)/ 空穴傳輸層(NPB，30nm)/ 空穴注入層(CuPc，1nm)/Ag(20nm)。其中，Ag (70nm)/T12 (60nm)/Mg (1nm)構成陰極。
[0057]其制備方法如下:
[0058](I)將玻璃基板用清洗劑清洗，然后用蒸餾水，丙酮依次超聲清洗；
[0059](2)在真空度為10_4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在基板上制備陰極，其制備工藝參數中，基靶間距為60mm，工作氣體為氬氣流量為25SCCm ;具體地，首先濺射制備反射金屬層，革巴材為Ag,厚度為70nm,#i射速度為0.5nm/s,然后是干涉層,革巴材為T12,厚度為60nm,派射速度為0.2nm/s,最后將基板轉移至真空熱蒸鍍系統(tǒng)中，在基板表面制備半透半反射層，材質為Mg,厚度為1nm,形成陰極；
[0060](3)在陰極表面制備有機功能層依次為電子注入層、電子傳輸層、發(fā)光層、空穴傳輸層和空穴注入層，形成有機功能層，材質依次為LiF，TPBi, DPVBi, NPB, CuPc，厚度依次為
0.5nm，30nm，10nm，30nm，1nm ；
[0061](4)在有機功能層外表面制備陽極，材質為金屬Ag，厚度為20nm ;
[0062](5)制備完畢后，采用玻璃蓋板進行封裝。
[0063]實施例2
[0064]一種陰極具有低反射率的倒置有機電致發(fā)光裝置，其結構為:玻璃基板/Ag(70nm)/CeO2(75nm)/Al (5nm)/ 電子注入層(CsF, lnm)/ 電子傳輸層(Bphen, 30nm)/ 發(fā)光層(Ir (ppy)3:TPBi (10%)，1nm)/空穴傳輸層(TPD，40nm)/空穴注入層(ZnPc, 15nm)/Au(35nm)。其中，Ag (70nm)/CeO2 (75nm)/Al (5nm)構成陰極。
[0065]該倒置有機電致發(fā)光裝置制備方法參照實施例1的倒置有機電致發(fā)光裝置制備方法。其中，制備陰極步驟中，是首先濺射制備反射金屬層，靶材為Ag，厚度為70nm，濺射速度為0.5nm/s,然后是干涉層,革巴材為CeO2,厚度為75nm,#i射速度為0.lnm/s,最后將基板轉移至真空熱蒸鍍系統(tǒng)中，在基板表面制備半透半反射層，材質為Al,厚度為5nm,形成陰極。
[0066]實施例3
[0067]一種陰極具有低反射率的倒置有機電致發(fā)光裝置，其結構為:玻璃基板/Ag(200nm)/ZrO2(80nm)/Ag(7nm)/ 電子注入層(NaF，0.8nm)/ 電子傳輸層(PBD，50nm)/發(fā)光層(DCJTB:Alq3(l%),20nm)/ 空穴傳輸層(MeO-Spr1-TPD, 40nm)/ 空穴注入層(T1Pc, 15nm)/Al (18nm)。其中，Ag (200nm)/ZrO2 (80nm)/Ag (7nm)構成陰極。
[0068]該倒置有機電致發(fā)光裝置制備方法參照實施例1的倒置有機電致發(fā)光裝置制備方法。其中，制備陰極步驟中，是首先濺射制備反射金屬層，靶材為Ag，厚度為200nm，濺射速度為0.5nm/s,然后是干涉層,祀材為ZrO2,厚度為80nm,#i射速度為0.2nm/s,最后將基板轉移至真空熱蒸鍍系統(tǒng)中，在基板表面制備半透半反射層，材質為Ag,厚度為7nm,形成陰極。
[0069]實施例4
[0070]一種陰極具有低反射率的倒置有機電致發(fā)光裝置，其結構為:玻璃基板/Ag (200nm) /Ta2O5 (65nm) /Ca (1nm) / 電子注入層(MgF2, 0.5nm) / 電子傳輸層(PBD, 40nm) / 發(fā)光層(Ir (piq)3: NPB (10%)，12nm)/空穴傳輸層(MeO-TH)，15nm)/空穴注入層(VOPc，35nm) /Au(30nm)。其中，Ag(200nm)/Ta2O5(65nm)/Ca(1nm)構成陰極。
[0071]該倒置有機電致發(fā)光裝置制備方法參照實施例1的倒置有機電致發(fā)光裝置制備方法。其中，制備陰極步驟中，是首先濺射制備反射金屬層，靶材為Ag，厚度為200nm，濺射速度為0.5nm/s,然后是干涉層,祀材為Ta2O5,厚度為65nm,#i射速度為0.2nm/s,最后將基板轉移至真空熱蒸鍍系統(tǒng)中，在基板表面制備半透半反射層，材質為Ca,厚度為1nm,形成陰極。
[0072]對比實例I
[0073]—種陽極作為出光面的倒置有機電致發(fā)光裝置，其結構為:玻璃基板/Ag (10nm) /T12 (60nm) /Mg (1nm) / 電子注入層(LiF, 0.5nm) / 電子傳輸層(TPBi, 30nm)/ 發(fā)光層(DPVBi，1nm)/ 空穴傳輸層(NPB，30nm)/ 空穴注入層(CuPc，1nm)/Ag(20nm)。其中，Ag(10nm)構成陰極。
[0074]倒置有機電致發(fā)光裝置進行相關性能測試
[0075]將上述實施例1至實施例4制備的倒置有機電致發(fā)光裝置和對比實例I中現(xiàn)有陰極結構的倒置有機電致發(fā)光裝置不點亮時進行反射率測試，測試結果如下述表I。
[0076]表I
[0077]
實施例實施例丨實施例2 實施例3 實施例4 對比實例I~反射率 23.1% 25.3% 21.5% 20.2% 80.5%^
[0078]由上述表I可知，上述實施例1-4中制備的倒置有機電致發(fā)光裝置由于采用半透金屬層/具有對光透過性的干涉層/金屬反射層的結構構成黑陰極，通過三層的協(xié)同作用，使得半透金屬層反射光與金屬反射層反射光的相位相反，達到干涉相消的效果，有效減少了光總的反射，實現(xiàn)低的反射率。將實施例1-4制備的倒置有機電致發(fā)光裝置的反射率與對比實例I中倒置有機電致發(fā)光裝置相比，實施例1-4制備的倒置有機電致發(fā)光裝置的反射率降低至20.2%，遠遠低于對比實例I中倒置有機電致發(fā)光裝置的反射率80.5%。由此可知，實施例1-4制備的倒置有機電致發(fā)光裝置作為顯示屏時，其對比度遠遠高于對比實例I中倒置有機電致發(fā)光裝置作為顯示屏時的對比度。
[0079]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內所作的任何修改、等同替換和改進等，均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內。
【權利要求】
1.一種倒置有機電致發(fā)光裝置，包括依次層疊結合的基板、陰極層、有機功能層和作為出光面的陽極層，所述有機功能層包括在外加電源的驅動下發(fā)光的發(fā)光層，其特征在于:所述陰極層包括依次層疊結合的半透金屬層、具有對光透過性的干涉層、金屬反射層，其中，所述半透金屬層與有機功能層層疊結合，所述金屬反射層與基板層疊結合；所述干涉層材料為折射率大于或等于2.0的金屬氧化物。
2.如權利要求1所述的倒置有機電致發(fā)光裝置，其特征在于:所述金屬氧化物為Ti02、CeO2> Ta2O5' ZrO2 中的至少一種。
3.如權利要求1或2所述的倒置有機電致發(fā)光裝置，其特征在于:所述干涉層的厚度為 60nm ?80nm。
4.如權利要求1所述的倒置有機電致發(fā)光裝置，其特征在于:所述半透金屬層的厚度為 5nm ?1nm0
5.如權利要求1或4所述的倒置有機電致發(fā)光裝置，其特征在于:所述半透金屬層為Mg、Ag、Al、Ca中的任一種或兩者以上合金。
6.如權利要求1所述的倒置有機電致發(fā)光裝置，其特征在于:所述金屬反射層的厚度為 70 ?200nm。
7.如權利要求1或6所述的倒置有機電致發(fā)光裝置，其特征在于:所述金屬反射層為Al，Au，Ag中的任一種或兩者以上合金。
8.如權利要求1所述的倒置有機電致發(fā)光裝置，其特征在于: 所述半透金屬層的厚度為5?1nm ； 所述干涉層的厚度為60?80nm ； 所述金屬反射層的厚度為70?200nm。
9.一種顯示屏，包括顯示模塊和用于控制顯示模塊的控制模塊，其特征在于:所述顯示模塊含有如權利要求1?8任一項所述的倒置有機電致發(fā)光裝置。
10.一種設有顯示屏的終端，所述終端的顯示屏為如權利要求9所述的顯示屏。
【文檔編號】H01L51/52GK104183710SQ201310192343
【公開日】2014年12月3日 申請日期:2013年5月22日 優(yōu)先權日:2013年5月22日
【發(fā)明者】周明杰, 馮小明, 黃輝, 王平 申請人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司