專利名稱：芯片及其測試模式保護(hù)電路和方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及微電子領(lǐng)域，尤其涉及一種芯片及其測試模式保護(hù)電路和方法。
背景技術(shù)：
為了在制造過程中檢查芯片不存在制造缺陷，幾乎所有芯片都有一個測試模式。當(dāng)芯片仍在晶圓片上或已經(jīng)被封裝成了模塊時，進(jìn)入測試模式對芯片進(jìn)行內(nèi)部測試。在測試模式下，通?？梢詧?zhí)行某些在芯片日后實際應(yīng)用中嚴(yán)格禁止的對內(nèi)存的訪問，甚至可以導(dǎo)出芯片內(nèi)部存儲器或寄存器所保存的數(shù)據(jù)。如果獲得了芯片的攻擊者成功地進(jìn)入了測試模式，就可能獲得芯片內(nèi)存儲器中的保密數(shù)據(jù)或程序代碼，甚至進(jìn)一步復(fù)制出一模一樣的芯片，例如智能卡芯片，因此，從測試模式向正常工作模式的轉(zhuǎn)換必須是不可逆的。在現(xiàn)有技術(shù)中，使用管腳來控制芯片進(jìn)入測試模式。如圖1所示，為現(xiàn)有技術(shù)中芯片的測試模式實現(xiàn)方案示意圖，該芯片在包括功能電路和功能壓焊塊外，還包括測試壓焊塊111和與測試壓焊塊111相連接的熔絲121，測試壓焊塊111是外部測試模式使能端口，外部測試模式使能信號由該端口直接輸入到芯片內(nèi)部。例如，在測試壓焊塊111上加載邏輯I電平，則外部測試模式使能信號有效，芯片進(jìn)入測試模式，在測試壓焊塊111上加載邏輯O的電平，則外部測試模式使能信號無效，芯片不進(jìn)入測試模式。在芯片測試結(jié)束之后，在測試壓焊塊111上加載一個比工作電壓還要高的電壓，產(chǎn)生的熱量可以將與測試壓焊塊111相連接的熔絲121燒斷。這樣，即使在測試壓焊塊111上加載邏輯I電平，也無法使芯片進(jìn)入測試模式。隨著微電子技術(shù)的發(fā)展，熔絲方案已經(jīng)不再有效。首先，由于熔絲結(jié)構(gòu)所占面積較大，而且熔絲上沒有其他層金屬覆蓋，因此在光學(xué)或電子顯微鏡下，很容易找到熔絲的位置。然后，通過使用聚焦離子束(Focused 1n beam,簡稱:FIB)的技術(shù),很容易重建被燒斷的熔絲結(jié)構(gòu)。一旦燒斷的熔絲被重建，就可以通過控制管腳來使芯片進(jìn)入測試模式。

再參見圖1，如果使用多個熔絲，假設(shè)有η個熔絲121、122...12η，對應(yīng)需要多個測試壓焊塊111、112...11η，η為大于或等于2的自然數(shù)。在熔絲沒有被燒斷之前，從η個測試壓焊塊輸入η位邏輯值，并與預(yù)設(shè)的η位期待值比較，當(dāng)二者相同時，允許芯片進(jìn)入測試模式。測試結(jié)束之后，所有熔絲或部分熔絲被燒斷，加載在η個測試壓焊塊上的邏輯電壓無法到達(dá)芯片內(nèi)部，內(nèi)部控制電路將禁止芯片進(jìn)入測試模式。這種方法增加了編碼數(shù)量，在一定程度上可以提高測試模式的安全性，但是十分有限。首先，F(xiàn)IB重建熔絲的工作量只是線性增加而已。其次，熔絲面積較大，芯片面積開銷加大，而帶來的編碼數(shù)量提高程度有限。假設(shè)有η個熔絲，那么預(yù)設(shè)的期待值只有η位，與熔絲數(shù)量相同，預(yù)設(shè)的η位期待值共有2η種可能取值。如果η不夠大，那么在一定時間內(nèi)通過窮舉的方法即可試出正確的配置值。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種芯片及其測試模式保護(hù)電路和方法，用以實現(xiàn)大大提高進(jìn)入芯片的測試模式的難度，從而提升芯片的安全性。本發(fā)明提供一種芯片的測試模式保護(hù)電路，包括:動態(tài)信號產(chǎn)生器，設(shè)置在所述芯片中，用于生成隨機(jī)的第一動態(tài)信號，根據(jù)所述第一動態(tài)信號，生成第二動態(tài)信號，其中，所述第一動態(tài)信號的位數(shù)為n，所述第二動態(tài)信號的位數(shù)為m，m和η為大于或等于2的自然數(shù)；有效金屬線，設(shè)置在所述芯片的劃片槽中，用于將所述第一動態(tài)信號從所述芯片中延伸至劃片槽，將由所述第一動態(tài)信號驅(qū)動的第三動態(tài)信號從所述劃片槽反饋回所述芯片中，其中，所述第三動態(tài)信號的位數(shù)為m ；動態(tài)信號比較器，設(shè)置在所述芯片中，用于接收所述第二動態(tài)信號和所述第三動態(tài)信號，將所述第二動態(tài)信號與所述第三動態(tài)信號進(jìn)行比較，生成測試模式控制信號；控制電路，設(shè)置在所述芯片中，用于根據(jù)所述測試模式控制信號和外部測試模式使能信號，生成內(nèi)部測試模式使能信號，使得所述芯片根據(jù)所述內(nèi)部測試模式使能信號確定是否進(jìn)入測試模式。本發(fā)明還提供一種芯片的測試模式保護(hù)方法，包括:在所述芯片中，生成隨機(jī)的第一動態(tài)信號，根據(jù)所述第一動態(tài)信號，生成第二動態(tài)信號，其中，所述第一動態(tài)信號的位數(shù)為n，所述第二動態(tài)信號的位數(shù)為m，m和η為大于或等于2的自然數(shù)；通過在所述芯片的劃片槽中設(shè)置有效金屬線，將所述第一動態(tài)信號從所述芯片中延伸至劃片槽，將由所述第一動態(tài)信號驅(qū)動的第三動態(tài)信號從所述劃片槽反饋回所述芯片中，其中，所述第三動態(tài)信號的位數(shù)為m ；

在所述芯片中，將所述第二動態(tài)信號與所述第三動態(tài)信號進(jìn)行比較，生成測試模式控制信號；在所述芯片中，根據(jù)所述測試模式控制信號和外部測試模式使能信號，生成內(nèi)部測試模式使能信號，使得所述芯片根據(jù)所述內(nèi)部測試模式使能信號確定是否進(jìn)入測試模式。本發(fā)明還提供一種芯片，包括功能電路和功能壓焊塊，還包括前述芯片的測試模式保護(hù)電路。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有如下優(yōu)勢:第一，在芯片邊緣的金屬線的數(shù)量較多，同時金屬線之間的間距可以很小，這大大增加了 FIB重建金屬線的難度和復(fù)雜度；第二，本實施例提供的測試模式保護(hù)電路實時對比產(chǎn)生的動態(tài)信號，不依賴于預(yù)存的某個編碼值，只有正確重建多條金屬線之間的連接關(guān)系才可能進(jìn)入測試模式，需要嘗試的金屬線連接的可能性的數(shù)量非常之多，遠(yuǎn)大于現(xiàn)有技術(shù)。綜上所述，本實施例大大提高了攻擊者進(jìn)入芯片的測試模式的難度，從而大大提升了芯片的安全性。此外，本實施例提供的測試模式保護(hù)電路中的處于劃片槽中的金屬線完全是無源的連線，因此不需要靜電釋放(Electro-static discharge,簡稱:ESD)保護(hù)電路,也不需要壓焊塊提供輸入，所以電路所占用的劃片槽面積比較小，導(dǎo)致芯片面積開銷比較小。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)中芯片的測試模式實現(xiàn)方案示意圖2為本發(fā)明芯片的測試模式保護(hù)電路實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明芯片的測試模式保護(hù)電路實施例中金屬線連接的可能性的數(shù)量示意圖；圖4為本發(fā)明芯片的測試模式保護(hù)方法實施例的流程示意圖；圖5為本發(fā)明芯片實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施例方式下面結(jié)合說明書附圖和具體實施方式
對本發(fā)明作進(jìn)一步的描述。如圖2所示，為本發(fā)明芯片的測試模式保護(hù)電路實施例的結(jié)構(gòu)示意圖，該測試模式保護(hù)電路可以包括動態(tài)信號產(chǎn)生器21、有效金屬線22、動態(tài)信號比較器23和控制電路24，動態(tài)信號產(chǎn)生器21、動態(tài)信號比較器23和控制電路24設(shè)置在芯片中，有效金屬線22設(shè)置在芯片的劃片槽中。有效金屬線22與動態(tài)信號產(chǎn)生器21連接，動態(tài)信號比較器23與有效金屬線22和動態(tài)信號產(chǎn)生器21連接，控制電路24與動態(tài)信號比較器23連接。其中，動態(tài)信號產(chǎn)生器21用于生成隨機(jī)的第一動態(tài)信號,根據(jù)第一動態(tài)信號，生成第二動態(tài)信號，其中，第一動態(tài)信號的位數(shù)為n，第二動態(tài)信號的位數(shù)為m，m和η為大于或等于2的自然數(shù)。有效金屬線22用于將第一動態(tài)信號從芯片中延伸至劃片槽，將由第一動態(tài)信號驅(qū)動的第三動態(tài)信號從劃片槽反饋回芯片中，其中，第三動態(tài)信號的位數(shù)為m;具體地，有效金屬線22包括兩部分金屬線:將第一動態(tài)信號從芯片中延伸至劃片槽的金屬線、以及將第三動態(tài)信號從劃片槽反饋回芯片中的金屬線；可選地，有效金屬線22可以將全部或部分第一動態(tài)信號從芯片中延伸至劃片槽。動態(tài)信號比較器23用于接收第二動態(tài)信號和第三動態(tài)信號，將第二動態(tài)信號與第三動態(tài)信號進(jìn)行比較，生成測試模式控制信號；具體地，當(dāng)?shù)诙討B(tài)信號與第三動態(tài)信號相同時，測試模式控制信號有效，當(dāng)?shù)诙討B(tài)信號與第三動態(tài)信號不同時，測試模式控制信號無效?？刂齐娐?4用于根據(jù)測試模式控制信號和外部測試模式使能信號， 生成內(nèi)部測試模式使能信號，使得芯片根據(jù)內(nèi)部測試模式使能信號確定是否進(jìn)入測試模式；具體地，當(dāng)測試模式控制信號和外部測試模式使能信號都有效時，內(nèi)部測試模式使能信號有效，芯片進(jìn)入測試模式；當(dāng)測試模式控制信號和外部測試模式使能信號任一信號無效時，內(nèi)部測試模式使能信號無效，芯片不可以進(jìn)入測試模式。在本實施例中，動態(tài)信號產(chǎn)生器21連續(xù)不斷地產(chǎn)生隨機(jī)的寬度為η位的第一動態(tài)信號，通過芯片內(nèi)部和芯片外部兩個渠道將第一動態(tài)信號發(fā)送給動態(tài)信號比較器23。其中，在第一個渠道中，將k條金屬線布置到劃片槽所在位置，從而將k位第一動態(tài)信號從芯片中延伸至劃片槽，再將m條金屬線從劃片槽的位置反饋回芯片，這m條金屬線對應(yīng)m位的第三動態(tài)信號，第三動態(tài)信號發(fā)送給動態(tài)信號比較器23，其中，k為小于或等于η并且大于或等于I的自然數(shù)，。在第二個渠道中，動態(tài)信號產(chǎn)生器21直接從芯片內(nèi)部將生成的第二動態(tài)信號發(fā)送給動態(tài)信號比較器23。動態(tài)信號比較器23將通過不同渠道從動態(tài)信號產(chǎn)生器21接收的寬度為m位的第二動態(tài)信號和第三動態(tài)信號進(jìn)行對比，如果從芯片外部反饋回來的第三動態(tài)信號與作為預(yù)期值的第二動態(tài)信號相同，則動態(tài)信號比較器23輸出的內(nèi)部測試模式使能信號有效，例如:內(nèi)部測試模式使能信號為邏輯高電平，否則，動態(tài)信號比較器23輸出的內(nèi)部測試模式使能信號無效，例如:內(nèi)部測試模式使能信號為低電平。在芯片沒有從晶圓上分割下來之前，從芯片外部反饋回來的第三動態(tài)信號與作為預(yù)期值的第二動態(tài)信號一直相同，那么內(nèi)部測試模式使能信號一直有效。將芯片從晶圓上分割下來的過程中，劃片槽上的金屬線被破壞掉，導(dǎo)致動態(tài)信號比較器23無法正確接收第三動態(tài)信號，此時，從芯片外部反饋回來的第三動態(tài)信號與作為預(yù)期值的第二動態(tài)信號不再一致，那么內(nèi)部測試模式使能信號無效。綜上所述，該測試模式保護(hù)電路實現(xiàn)了對劃片槽上金屬線的監(jiān)視功能。在芯片沒有從晶圓上分割下來之前，該測試模式保護(hù)電路可以監(jiān)控到金屬線處于連通狀態(tài)，并因此判斷芯片還沒有從晶圓上分割，此時，內(nèi)部測試模式使能信號有效，該測試模式保護(hù)電路允許芯片進(jìn)入測試模式，當(dāng)外部測試模式使能信號也有效時，芯片即進(jìn)入測試模式。芯片從晶圓上分割下來之后，測試模式保護(hù)電路可以監(jiān)控到劃片槽上的金屬線被破壞，并因此判斷芯片已經(jīng)從晶圓上分割，此時，內(nèi)部測試模式使能信號無效，外部測試模式使能信號也會無效，測試模式保護(hù)電路禁止芯片進(jìn)入測試模式，即使采用FIB技術(shù)重新使外部測試模式使能信號有效，也無法驅(qū)動內(nèi)部測試模式使能信號有效，因此，芯片不可以進(jìn)入測試模式進(jìn)行測試?？蛇x地，再參見圖2所示結(jié)構(gòu)示意圖，本實施例還可以包括外部測試使能金屬線25，設(shè)置在芯片的劃片槽中。外部測試使能金屬線25用于將外部測試模式使能信號從芯片中延伸至劃片槽，再從劃片槽反饋回芯片中?？刂齐娐?4用于根據(jù)測試模式控制信號和外部測試使能金屬線25反饋回來的外部測試模式使能信號，生成內(nèi)部測試模式使能信號。外部測試模式使能信號可以通過測試壓焊塊111加載后再通過外部測試使能金屬線25傳輸給控制電路24，其中，測試壓焊塊111位于芯片內(nèi)部?？蛇x地，測試壓焊塊111還可以位于劃片槽中。可選地，測試壓焊塊111可以不要，直接將外部測試使能金屬線25連接至邏輯高電平，當(dāng)芯片沒有從晶圓上分割下來之前，外部測試模式使能信號一直有效，當(dāng)測試模式控制信號也有效時，芯片直接進(jìn)入測試模式；當(dāng)芯片從晶圓上分割下來之后，外部測試使能金屬線25被切斷，外部測試模式使能信號不再有效?？蛇x地，外部測試使能信號的位數(shù)可以為兩位以上，相應(yīng)地，外部測試模式使能金屬線的數(shù)量為兩根以上，測試壓焊塊的數(shù)量也為兩個以上，這樣，每個測試壓焊塊施加I位外部測試模式使能信號，每根金屬線傳輸I位外部測試模式使能信號?？蛇x地，外 部測試模式使能信號還可以采用現(xiàn)有技術(shù)中圖1所示的熔絲方案施加在芯片上?？蛇x地，如果第一動態(tài)信號中的I位信號可以驅(qū)動第三動態(tài)信號中的I位以下信號，并且第三動態(tài)信號可以由第一動態(tài)信號的全部或部分信號驅(qū)動，則η大于或等于m。如果第一動態(tài)信號中的I位信號可以驅(qū)動第三動態(tài)信號中的I位以上信號，并且第三動態(tài)信號可以由第一動態(tài)信號的全部信號或部分信號驅(qū)動，則m和η之間沒有大小限制，即m可以大于、小于或等于η。可選地，動態(tài)信號產(chǎn)生器21可以是任意信號發(fā)生器，例如，但不限于，計數(shù)器、線性反饋移位寄存器(Linear Feedback Shift Register,簡稱:LFSR)、真隨機(jī)數(shù)發(fā)生器、偽隨機(jī)數(shù)發(fā)生器或其他類型的信號發(fā)生器。可選地，動態(tài)信號產(chǎn)生器21可以是計數(shù)器、LFSR、真隨機(jī)數(shù)發(fā)生器、偽隨機(jī)數(shù)發(fā)生器或其他類型信號發(fā)生器的任意組合；例如，由I個計數(shù)器產(chǎn)生η位第一動態(tài)信號中的nl位，由一個LFSR產(chǎn)生其他n_nl位信號?？蛇x地，再參見圖2，本實施例還可以包括報警電路26，設(shè)置在芯片中，用于根據(jù)測試模式控制信號和外部測試模式使能信號，生成報警信號。具體地，當(dāng)測試模式控制信號無效并且外部測試模式使能信號有效時，報警信號有效，此時認(rèn)為芯片受到了攻擊者的測試模式攻擊?？蛇x地，再參見圖2，有效金屬線22可以設(shè)置在同一金屬層或不同的金屬層。具體地，將第一動態(tài)信號延伸至劃片槽的金屬線可以位于同一金屬層或不同金屬層，將第三動態(tài)信號從劃片槽反饋回芯片中的金屬線可以位于同一金屬層或不同金屬層。再參見圖2，采用不同圖案填充表示的金屬線表示設(shè)置在不同的金屬層的金屬線?？蛇x地，再參見圖2，除了有效金屬線22外，本實施例還可以包括無效金屬線27，設(shè)置在芯片的劃片槽中，無效金屬線上未施加第一動態(tài)信號或第三動態(tài)信號，無效金屬線27起干擾作用，從而進(jìn)一步增加攻擊難度。對于本實施例，如果想使從晶圓上分割下來的芯片重新進(jìn)入測試模式，攻擊者必須重建這些劃片槽上被破壞的金屬線之間的連接關(guān)系，這樣做的主要困難有:第一，這些金屬線很細(xì)，可以是滿足工藝要求的最小尺寸，相比熔絲要小得多，致使FIB很難做；第二，這些金屬線可以處于不同金屬層，彼此可以相鄰很近，致使FIB難度加大；第三，金屬線互連的可能性非常之多，使得窮舉嘗試方法的時間代價很高，而且，對于每一種可能，進(jìn)行嘗試時，都要重新進(jìn)行FIB重建的工作，進(jìn)一步增加了攻擊難度。對于n+m條被切斷的金屬線,要重新確定n+m條金屬線之間的連接關(guān)系是很困難的。假設(shè)η和m已知，且m〈=n，那么要在n+m條金屬線中建立m對連線關(guān)系，再假設(shè)η個源信號中的單個信號只驅(qū)動m個信號中的單個信號，那么，總的可能組合個數(shù)為:

權(quán)利要求
1.一種芯片的測試模式保護(hù)電路，其特征在于，包括: 動態(tài)信號產(chǎn)生器，設(shè)置在所述芯片中，用于生成隨機(jī)的第一動態(tài)信號，根據(jù)所述第一動態(tài)信號，生成第二動態(tài)信號，其中，所述第一動態(tài)信號的位數(shù)為n，所述第二動態(tài)信號的位數(shù)為m，m和η為大于或等于2的自然數(shù)； 有效金屬線，設(shè)置在所述芯片的劃片槽中，用于將所述第一動態(tài)信號從所述芯片中延伸至劃片槽，將由所述第一動態(tài)信號驅(qū)動的第三動態(tài)信號從所述劃片槽反饋回所述芯片中，其中，所述第三動態(tài)信號的位數(shù)為m ； 動態(tài)信號比較器，設(shè)置在所述芯片中，用于接收所述第二動態(tài)信號和所述第三動態(tài)信號，將所述第二動態(tài)信號與所述第三動態(tài)信號進(jìn)行比較，生成測試模式控制信號； 控制電路，設(shè)置在所述芯片中，用于根據(jù)所述測試模式控制信號和外部測試模式使能信號，生成內(nèi)部測試模式使能信號，使得所述芯片根據(jù)所述內(nèi)部測試模式使能信號確定是否進(jìn)入測試模式。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于，還包括: 外部測試使能金屬線，設(shè)置在所述芯片的劃片槽中，用于將外部測試模式使能信號從所述芯片中延伸至劃片槽，再從劃片槽反饋回所述芯片中； 所述控制電路用于根據(jù)所述測試模式控制信號和所述外部測試模式使能金屬線反饋回來的外部測試模式使能信號，生成所述內(nèi)部測試模式使能信號。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于，所述有效金屬線將所述第一動態(tài)信號的部分信號從所述芯片中延伸至所述劃片槽。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一所述的電路,其特征在于,所述第一動態(tài)信號中的I位信號驅(qū)動所述第三動態(tài)信號中的I位以下信號，m小于或等于η。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一所述的電路,其特征在于,所述第一動態(tài)信號中的I位信號驅(qū)動所述第三動態(tài)信號中的I位以上信號，并且所述第三動態(tài)信號由所述第一動態(tài)信號中的全部或部分信號驅(qū)動，m小于、大于或等于η。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電路，其特征在于，所述外部測試模式使能信號的位數(shù)為兩位以上，所述外部測試使能金屬線的數(shù)量為兩根以上。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于，還包括: 報警信號發(fā)生電路，設(shè)置在所述芯片中，用于根據(jù)所述測試模式控制信號和所述外部測試模式使能信號，生成報警信號。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于，所述有效金屬線設(shè)置在不同的金屬層。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于，還包括: 無效金屬線，設(shè)置在所述芯片的劃片槽中，所述無效金屬線上未施加所述第一動態(tài)信號或所述第三動態(tài)信號。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于，所述動態(tài)信號發(fā)生器為計數(shù)器、線性反饋移位寄存器、真隨機(jī)數(shù)發(fā)生器、偽隨機(jī)數(shù)發(fā)生器，或者為計數(shù)器、線性反饋移位寄存器、真隨機(jī)數(shù)發(fā)生器、偽隨機(jī)數(shù)發(fā)生器的任意組合。
11.一種芯片的測試模式保護(hù)方法，其特征在于，包括: 在所述芯片中，生成隨機(jī)的第一動態(tài)信號，根據(jù)所述第一動態(tài)信號，生成第二動態(tài)信號，其中，所述第一動態(tài)信號的位數(shù)為η，所述第二動態(tài)信號的位數(shù)為m，m和η為大于或等于2的自然數(shù)； 通過在所述芯片的劃片槽中設(shè)置有效金屬線，將所述第一動態(tài)信號從所述芯片中延伸至劃片槽，將由所述第一動態(tài)信號驅(qū)動的第三動態(tài)信號從所述劃片槽反饋回所述芯片中，其中，所述第三動態(tài)信號的位數(shù)為m ； 在所述芯片中，將所述第二動態(tài)信號與所述第三動態(tài)信號進(jìn)行比較，生成測試模式控制信號； 在所述芯片中，根據(jù)所述測試模式控制信號和外部測試模式使能信號，生成內(nèi)部測試模式使能信號，使得所述芯片根據(jù)所述內(nèi)部測試模式使能信號確定是否進(jìn)入測試模式。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，還包括: 通過在所述芯片的劃片槽中設(shè)置外部測試使能金屬線，將外部測試模式使能信號從所述芯片中延伸至劃片槽，再從劃片槽反饋回所述芯片中； 所述根據(jù)所述測試模式控制信號和所述外部測試模式使能信號，生成內(nèi)部測試模式使能信號具體為: 根據(jù)所述測試模式控制信號和所述外部測試模式使能金屬線反饋回來的外部測試模式使能信號，生成內(nèi)部測試模式使能信號。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，所述將所述第一動態(tài)信號從所述芯片中延伸至劃片槽具體為:將所述第一動態(tài)信號的部分信號從所述芯片中延伸至劃片槽。
14.根據(jù)權(quán)利要求11-13任一所述的方法,其特征在于,所述第一動態(tài)信號中的I位信號驅(qū)動所述第三動態(tài)信號中的I位以下信號，m小于或等于η。
15.根據(jù)權(quán)利要求 11-13任一所述的方法,其特征在于,所述第一動態(tài)信號中的I位信號驅(qū)動所述第三動態(tài)信號中的I位以上信號，并且所述第三動態(tài)信號由所述第一動態(tài)信號中的全部或部分信號驅(qū)動，m小于、大于或等于η。
16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，所述外部測試模式使能信號的位數(shù)為兩位以上，所述外部測試使能金屬線的數(shù)量為兩根以上。
17.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，還包括: 在所述芯片中，根據(jù)所述測試模式控制信號和所述外部測試模式使能信號，生成報警信號。
18.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，所述有效金屬線設(shè)置在不同的金屬層。
19.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，還包括: 通過在所述芯片的劃片槽中設(shè)置無效金屬線添加干擾，所述無效金屬線上未施加所述第一動態(tài)信號或所述第三動態(tài)信號。
20.一種芯片，包括功能電路和功能壓焊塊，其特征在于，還包括權(quán)利要求1-10任一所述的芯片的測試模式保護(hù)電路。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的芯片，其特征在于，還包括: 測試壓焊塊，與所述測試模式保護(hù)電路連接，用于加載外部測試模式使能信號。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種芯片及其測試模式保護(hù)電路和方法。其中，保護(hù)電路包括動態(tài)信號產(chǎn)生器，設(shè)置在芯片中，用于生成隨機(jī)的第一動態(tài)信號，根據(jù)第一動態(tài)信號，生成第二動態(tài)信號；有效金屬線，設(shè)置在芯片的劃片槽中，用于將第一動態(tài)信號從芯片中延伸至劃片槽，將由第一動態(tài)信號驅(qū)動的第三動態(tài)信號從劃片槽反饋回芯片中；動態(tài)信號比較器，設(shè)置在芯片中，用于接收第二動態(tài)信號和第三動態(tài)信號，將第二動態(tài)信號與第三動態(tài)信號進(jìn)行比較，生成測試模式控制信號；控制電路，設(shè)置在芯片中，用于根據(jù)測試模式控制信號和外部測試模式使能信號，生成內(nèi)部測試模式使能信號。本發(fā)明可以大大提高進(jìn)入芯片的測試模式的難度，從而提升芯片的安全性。
文檔編號H01L23/544GK103227167SQ20131011863
公開日2013年7月31日 申請日期2013年4月8日 優(yōu)先權(quán)日2013年4月8日
發(fā)明者譚洪賀, 劉忠志 申請人:北京昆騰微電子有限公司