發(fā)光器件和用于制造發(fā)光器件的方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種發(fā)光器件和一種用于制造發(fā)光器件的方法。在不同的實施例中提供發(fā)光器件（100），所述發(fā)光器件具有：電有源區(qū)域（106），所述電有源區(qū)域具有：第一電極（108）、第二電極（112）、和第一電極（108）和第二電極（112）之間的有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)（110）；覆蓋件（126），所述覆蓋件設(shè)置在電有源區(qū)域（106）之上；和設(shè)置在覆蓋件（126）和電有源區(qū)域（106）之間的、具有至少一個層的中間層結(jié)構(gòu)（122），其中至少一個層具有比覆蓋件（126）的折射率小的折射率。
【專利說明】發(fā)光器件和用于制造發(fā)光器件的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種發(fā)光器件和一種用于制造發(fā)光器件的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在常規(guī)的透明的有機(jī)發(fā)光二級管(organic light emitting diode,有機(jī)發(fā)光二極管，0LED)中為了層壓覆蓋玻璃通常應(yīng)用粘接劑，所述粘接劑具有大約1.55的折射率。這種透明的有機(jī)發(fā)光二極管的可實現(xiàn)的光學(xué)透明度是受限的。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]在不同的實施例中提供發(fā)光器件，其中以簡單的方式實現(xiàn)由器件所發(fā)射的光的色彩調(diào)整。此外，在不同的實施例中提供發(fā)光器件，其中能夠提高器件的光學(xué)透明度。
[0004]在不同的實施例中提供發(fā)光器件，所述發(fā)光器件具有:電有源區(qū)域，所述電有源區(qū)域具有第一電極、第二電極、和第一電極與第二電極之間的有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)；覆蓋件，所述覆蓋件設(shè)置在電有源區(qū)域之上；和設(shè)置在覆蓋件和電有源區(qū)域之間的、具有至少一個層的層結(jié)構(gòu)，其中至少一個層具有比覆蓋件的折射率小的折射率。
[0005]顯然，層結(jié)構(gòu)能夠在不同的實施例中例如使用在光學(xué)透明的發(fā)光器件中，換言之使用在頂部和底部發(fā)射器中，例如使用在透明的有機(jī)發(fā)光二級管中，其中層結(jié)構(gòu)在不同的實施例中能夠提高發(fā)光器件的透明度。這能夠在不同的實施例中實現(xiàn)，而沒有顯著地提高發(fā)光器件的總厚度。
[0006]在一個設(shè)計方案中，層結(jié)構(gòu)能夠具有粘接劑或由粘接劑形成。
[0007]在又一個設(shè)計方案中，替選地或附加地，發(fā)光器件能夠在覆蓋件(例如玻璃覆蓋件，替選地，薄膜覆蓋件)和層結(jié)構(gòu)的至少一個層之間具有粘接劑以用于固定(例如層壓)覆蓋件；其中層結(jié)構(gòu)的至少一個層具有比粘接劑的折射率小得多的折射率。換言之，在覆蓋件和層結(jié)構(gòu)之間存在附加的粘接劑的情況下，折射率例如不僅小于覆蓋件的折射率、而且小于粘接劑的折射率。需要指出的是，覆蓋件原則上能夠是任意類型的覆蓋件，例如也能夠是任意類型的一個或多個層，例如具有一層或多層漆或任意其他的適合的層。
[0008]在又一個設(shè)計方案中，層結(jié)構(gòu)的至少一個層能夠具有小于1.5的折射率。在不同的實施例中，覆蓋件例如具有大于1.5、例如大于1.55的折射率，使得在層結(jié)構(gòu)的至少一個層的折射率小于1.5的情況下就已經(jīng)實現(xiàn)顯著的效果。
[0009]在又一個設(shè)計方案中，層結(jié)構(gòu)的至少一個層能夠具有至少一種氟化物或包含氟的聚合物。
[0010]在又一個設(shè)計方案中，層結(jié)構(gòu)的至少一個層能夠具有帶有空氣夾雜物或帶有顆粒的基體，所述空氣夾雜物或顆粒降低基體的折射率。
[0011]在又一個設(shè)計方案中，層結(jié)構(gòu)的至少一個層能夠具有氣凝膠或水，所述氣凝膠或水密封在層結(jié)構(gòu)中或發(fā)光器件中。
[0012]在又一個設(shè)計方案中，層結(jié)構(gòu)能夠具有在大約50nm至大約150nm范圍內(nèi)的層厚度，替選地，具有在大約5 μ m至大約50 μ m范圍內(nèi)的層厚度。對于這兩個層厚度范圍，在提高發(fā)光器件的透明度方面已經(jīng)實現(xiàn)最佳的結(jié)果。
[0013]在又一個設(shè)計方案中，發(fā)光器件還能夠具有襯底和封裝件(例如薄層封裝件)，其中封裝件設(shè)置在電有源區(qū)域的背離襯底的一側(cè)上。層結(jié)構(gòu)能夠設(shè)置在封裝件之上。借助于封裝件又更好地保護(hù)發(fā)光器件免受例如濕氣的環(huán)境影響。
[0014]在又一個設(shè)計方案中，覆蓋件能夠具有第一覆蓋件，所述第一覆蓋件設(shè)置在電有源區(qū)域的第一主側(cè)之上；并且具有第二覆蓋件，所述第二覆蓋件設(shè)置在電有源區(qū)域的與第一主側(cè)相對置的第二主側(cè)之下。顯然，在不同的實施例中在發(fā)光器件的每個主側(cè)上分別設(shè)有覆蓋件、例如玻璃覆蓋件以用于保護(hù)發(fā)光器件。
[0015]在又一個設(shè)計方案中，發(fā)光器件能夠設(shè)計成有機(jī)發(fā)光二極管(organic lightemitting diode,有機(jī)發(fā)光二極管，OLED)。
[0016]在不同的實施例中提供用于制造發(fā)光器件的方法。該方法能夠具有:形成電有源區(qū)域，其中形成電有源區(qū)域能夠具有:形成第一電極；形成第二電極；和在第一電極和第二電極之間形成有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)。此外，該方法能夠具有在電有源區(qū)域之上形成具有至少一個層的層結(jié)構(gòu)；和在層結(jié)構(gòu)之上形成覆蓋件；其中層結(jié)構(gòu)的至少一個層具有比覆蓋件的折射率小的折射率。
[0017]在一個設(shè)計方案中，在形成電有源區(qū)域之后并且在形成覆蓋件之前能夠測量具有電有源區(qū)域的結(jié)構(gòu)的光學(xué)透明度；并且能夠根據(jù)所測量的光學(xué)透明度來形成層結(jié)構(gòu)，使得實現(xiàn)層結(jié)構(gòu)和具有電有源區(qū)域的結(jié)構(gòu)的期望的目標(biāo)光學(xué)透明度。
[0018]只要有意義，發(fā)光器件的設(shè)計方案就相應(yīng)地適用于用于制造發(fā)光器件的方法。
[0019]需要指出的是，在本說明書的范圍內(nèi)，折射率的相應(yīng)的數(shù)值分別與所發(fā)射的光的感興趣的波長相關(guān)，因為折射率通常是與波長相關(guān)的。因此，應(yīng)用在特定的波長下的比較值，但是由此保持一個指數(shù)大于或小于另一個指數(shù)的普遍結(jié)論的有效性。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0020]在附圖中示出并且在下面詳細(xì)闡明本發(fā)明的實施例。
[0021]附圖示出:
[0022]圖1示出根據(jù)不同實施例的發(fā)光器件的橫截面圖；
[0023]圖2示出根據(jù)不同實施例的發(fā)光器件的橫截面圖；
[0024]圖3示出根據(jù)不同實施例的發(fā)光器件的橫截面圖；
[0025]圖4示出下述圖表，在所述圖表中關(guān)于所發(fā)射的光的波長示出穿過基準(zhǔn)發(fā)光器件的光的透射率；
[0026]圖5示出下述圖表，在所述圖表中關(guān)于所發(fā)射的光的波長示出穿過具有折射率各不相同的中間層的發(fā)光器件的光的透射率；
[0027]圖6示出下述圖表，在所述圖表中關(guān)于所發(fā)射的光的波長示出穿過具有折射率各不相同的中間層的發(fā)光器件的光的透射率；
[0028]圖7示出下述圖表，在所述圖表中為不同材料關(guān)于光波長示出折射率；和
[0029]圖8示出流程圖，在所述流程圖中示出用于制造根據(jù)不同實施例的發(fā)光器件的方法?！揪唧w實施方式】
[0030]在下面詳細(xì)的描述中參考附圖，所述附圖形成所述描述的一部分，并且在所述附圖中為了圖解說明示出能夠?qū)嵤┍景l(fā)明的具體的實施形式。在此方面，關(guān)于所描述的附圖的定向而應(yīng)用方向術(shù)語例如“上”、“下”、“前”、“后”、“前部”、“后部”等等。因為實施形式的組成部分能夠以多個不同的定向來定位，所以方向術(shù)語用于圖解說明并且不以任何方式受到限制。要理解的是，能夠使用其他的實施形式并且能夠進(jìn)行結(jié)構(gòu)上的或邏輯上的改變，而不偏離本發(fā)明的保護(hù)范圍。要理解的是，除非另作特別說明，在此描述的不同的示例的實施形式的特征能夠互相組合。因此，下面詳細(xì)的描述不應(yīng)解釋為受限制的，并且本發(fā)明的保護(hù)范圍通過所附的權(quán)利要求來限定。
[0031]在本說明書的范圍內(nèi)，術(shù)語“連接”、“聯(lián)接”以及“耦聯(lián)”用于描述直接的和間接的連接、直接的或間接的聯(lián)接以及直接的或間接的耦聯(lián)。在附圖中，只要是適宜的，相同的或類似的元件就設(shè)有相同的附圖標(biāo)記。
[0032]在不同的實施例中，發(fā)光器件能夠構(gòu)成為有機(jī)發(fā)光二級管(organic lightemitting diode，0LED)、或者構(gòu)成為有機(jī)發(fā)光晶體管。在不同的實施例中，發(fā)光器件能夠是集成電路的一部分。此外，能夠設(shè)有多個有機(jī)發(fā)光器件，例如安置在共同的殼體中。
[0033]圖1示出根據(jù)不同實施例的發(fā)光器件100的橫截面圖。
[0034]以有機(jī)發(fā)光二極管100的形式的發(fā)光器件100能夠具有襯底102。襯底102例如能夠用作為用于電子元件或?qū)?、例如用于發(fā)光元件的載體元件。例如，襯底102能夠具有玻璃、石英和/或半導(dǎo)體材料或任意其他適合的材料或由其形成。此外，襯底102能夠具有塑料薄膜或具有帶有一個或多個塑料薄膜的疊層或者由其形成。塑料能夠具有一種或多種聚烯烴(例如具有高密度或低密度的聚乙烯(PE)或聚丙烯(PP))或者由其形成。此外，塑料能夠具有聚氯乙烯(PVC)、聚苯乙烯(PS)、聚酯和/或聚碳酸酯(PC)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚醚砜(PES)和/或聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)或者由其形成。襯底102能夠具有一種或多種上述材料。襯底102能夠構(gòu)成為是半透明的或甚至是透明的。
[0035]術(shù)語“半透明”或“半透明層”在不同的實施例中能夠理解為:層對于光是可穿透的，例如對于由發(fā)光器件所產(chǎn)生的例如一個或多個波長范圍的光是可穿透的，例如對于可見光的波長范圍中的光是可穿透的(例如至少在380nm至780nm的波長范圍的局部范圍中)。例如術(shù)語“半透明層”在不同的實施例中理解為:全部的耦合輸入到結(jié)構(gòu)(例如層)中的光量基本上也從該結(jié)構(gòu)(例如層)中耦合輸出，其中光的一部分在此能夠散射。
[0036]術(shù)語“透明”或“透明層”在不同的實施例中能夠理解為:層對于光是可穿透的(例如至少在380nm至780nm的波長范圍的局部范圍中)，其中耦合輸入到結(jié)構(gòu)(例如層)中的光基本上在沒有散射或光轉(zhuǎn)換的情況下也從該結(jié)構(gòu)(例如層)中耦合輸出。因此，“透明”在不同的實施例中能夠視作為“半透明”的特殊情況。
[0037]對于例如應(yīng)當(dāng)提供單色發(fā)光的或發(fā)射光譜受限的電子器件的情況而言足夠的是:光學(xué)半透明的層結(jié)構(gòu)至少在期望的單色光的波長范圍的局部范圍中或者對于受限的發(fā)射光譜是半透明的。
[0038]在不同的實施例中，有機(jī)發(fā)光二極管100 (或還有根據(jù)在上文中或還要在下文中描述的實施例的發(fā)光器件)能夠設(shè)計成所謂的頂部和底部發(fā)射器。頂部和底部發(fā)射器也能夠稱作為光學(xué)透明器件，例如透明有機(jī)發(fā)光二級管。
[0039]在不同的實施例中，能夠可選地在襯底102上或上方設(shè)置有阻擋層104。阻擋層104能夠具有下述材料中的一種或多種或者由其制成:氧化鋁、氧化鋅、氧化鋯、氧化鈦、氧化鉿、氧化鉭、氧化鑭、氧化娃、氮化娃、氮氧化娃、氧化銦錫、氧化銦鋅、招摻雜的氧化鋅、以及它們的混合物和合金。此外，阻擋層104在不同的實施例中能夠具有在大約0.1nm(原子層)至大約5000nm的范圍中的層厚度，例如在大約IOnm至大約200nm的范圍中的層厚度，例如為大約40nm的層厚度。
[0040]在阻擋層104上或上方能夠設(shè)置有發(fā)光器件100的電有源區(qū)域106。電有源區(qū)域106能夠理解為發(fā)光器件100的其中有用于發(fā)光器件100的運行的電流流動的區(qū)域。在不同的實施例中，電有源區(qū)域106能夠具有第一電極108、第二電極112和有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)110，如其在下面更詳細(xì)闡明。
[0041]因此，在不同的實施例中，能夠在阻擋層104上或上方(或者，當(dāng)不存在阻擋層104時，在襯底102上或上方)施加(例如以第一電極層108的形式的)第一電極108。第一電極108 (下面也稱為底部電極108)能夠由導(dǎo)電材料形成或者是導(dǎo)電材料，例如由金屬或透明導(dǎo)電氧化物(transparent conductive oxide, TC0)形成或由相同金屬的或不同金屬的和/或相同TCO的或不同TCO的多個層的層堆來形成。透明導(dǎo)電氧化物是透明的、導(dǎo)電的材料，例如金屬氧化物，例如氧化鋅、氧化錫、氧化鎘、氧化鈦、氧化銦或銦錫氧化物(ΙΤ0)。除了二元的金屬氧化物例如ZnO、SnO2或In2O3以外，三元的金屬氧化物例如AlZnO、Zn2SnO4,CdSn03、ZnSn03、Mgln204、Galn03、Zn2In2O5或In4Sn3O12或不同的透明導(dǎo)電氧化物的混合物也屬于TCO族并且能夠在不同的實施例中使用。此外，TCO不強(qiáng)制符合化學(xué)計量的組分并且還能夠是P型摻雜的或η型摻雜的。
[0042]在不同的實施例中，第一電極108能夠具有金屬；例如Ag、Pt、Au、Mg、Al、Ba、In、Ag、Au、Mg、Ca、Sm或L1、以及這些材料的化合物、組合或合金。
[0043]在不同的實施例中，能夠由在TCO層上的金屬層的組合的層堆形成第一電極108，或者反之。一個示例是施加在銦錫氧化物層(ITO)上的銀層(ΙΤ0上的Ag)或ITO-Ag-1TO復(fù)層。
[0044]在不同的實施例中，替選于或附加于上述材料，第一電極108能夠設(shè)有下述材料中的一種或多種:由例如由Ag制成的金屬的納米線和納米微粒構(gòu)成的網(wǎng)絡(luò)；由碳納米管構(gòu)成的網(wǎng)絡(luò)；石墨微粒和石墨層；由半導(dǎo)體納米線構(gòu)成的網(wǎng)絡(luò)。
[0045]此外，第一電極108能夠具有導(dǎo)電聚合物或過渡金屬氧化物或?qū)щ娡该餮趸铩?br> [0046]在不同的實施例中，第一電極108和襯底102能夠構(gòu)成為是半透明的或透明的。在第一電極108由金屬形成的情況下，第一電極108例如能夠具有小于或等于大約25nm的層厚度、例如小于或等于大約20nm的層厚度、例如小于或等于大約18nm的層厚度。此外，第一電極108例如能夠具有大于或等于大約IOnm的層厚度、例如大于或等于大約15nm的層厚度。在不同的實施例中，第一電極108能夠具有在大約IOnm至大約25nm范圍內(nèi)的層厚度、例如在大約IOnm至大約18nm范圍內(nèi)的層厚度、例如在大約15nm至大約18nm范圍內(nèi)的層厚度。
[0047]此外，對于第一電極108由透明導(dǎo)電氧化物(TCO)形成的情況而言，第一電極108例如具有在大約50nm至大約500nm范圍內(nèi)的層厚度、例如在大約75nm至大約250nm范圍內(nèi)的層厚度、例如在大約IOOnm至大約150nm范圍內(nèi)的層厚度。
[0048]此外，對于第一電極108由例如由如Ag構(gòu)成的能夠與導(dǎo)電聚合物組合的金屬的納米線構(gòu)成的網(wǎng)絡(luò)形成、由能夠與導(dǎo)電聚合物組合的碳納米管構(gòu)成的網(wǎng)絡(luò)或者由石墨層和復(fù)合材料形成的情況而言，第一電極108例如能夠具有在大約Inm至大約500nm范圍內(nèi)的層厚度、例如在大約IOnm至大約400nm范圍內(nèi)的層厚度、例如在大約40nm至大約250nm范圍內(nèi)的層厚度。
[0049]第一電極108能夠構(gòu)成為陽極、即構(gòu)成為空穴注入的電極，或者構(gòu)成為陰極、即構(gòu)成為電子注入的電極。
[0050]第一電極108能夠具有第一電端子,第一電勢(由能量源(未不出)、例如電流源或電壓源提供)能夠施加到所述第一電端子上。替選地，第一電勢能夠已施加到或施加到襯底102上并且然后經(jīng)由此間接地已輸送給或輸送給第一電極108。第一電勢例如能夠是接地電勢或者不同地預(yù)設(shè)的參考電勢。
[0051]此外，發(fā)光器件100的電有源區(qū)域106能夠具有有機(jī)電致發(fā)光層結(jié)構(gòu)110，所述有機(jī)電致發(fā)光層結(jié)構(gòu)施加在或已施加在第一電極108上或上方。
[0052]有機(jī)電致發(fā)光層結(jié)構(gòu)110能夠包含一個或多個發(fā)射層114、例如具有發(fā)熒光的和/或發(fā)磷光的發(fā)射體的發(fā)射層，以及一個或多個空穴傳導(dǎo)層116 (也稱作空穴傳輸層116)。在不同的實施例中，替選地或附加地，能夠設(shè)有一個或多個電子傳導(dǎo)層118 (也稱作電子傳輸層118)。
[0053]能夠在根據(jù)不同實施例的發(fā)光器件100中用于發(fā)射層114的發(fā)射材料的實例包括:有機(jī)的或有機(jī)金屬的化合物，如聚芴、聚噻吩和聚亞苯基的衍生物(例如2-或2，5-取代的聚-對-亞苯基乙烯撐)；以及金屬絡(luò)合物，例如銥絡(luò)合物，如發(fā)藍(lán)色磷光的FIrPic (雙(3，5-二氟-2- (2-吡啶基)苯基-(2-羧基吡啶基)-銥III)、發(fā)綠色磷光的Ir (ppy) 3(三(2-苯基吡啶)銥III)、發(fā)紅色磷光的Ru (dtb-bpy)3*2 (PF6))(三[4，4’_ 二-叔-丁基-(2，2’)-聯(lián)吡啶]釕(III)絡(luò)合物)、以及發(fā)藍(lán)色熒光的DPAVBi(4，4-雙[4_(二-對-甲苯基氨基)苯乙烯基]聯(lián)苯)、發(fā)綠色熒光的TTPA (9，10-雙[N，N- 二-(對-甲苯基)-氨基]蒽)和發(fā)紅色熒光的DCM2(4- 二氰基亞甲基)-2-甲基-6-久洛尼定基-9-烯基-4H-吡喃)作為非聚合物發(fā)射體。這種非聚合物發(fā)射體例如能夠借助于熱蒸鍍沉積。此外，能夠使用聚合物發(fā)射體，所述聚合物發(fā)射體尤其能夠借助于濕法化學(xué)法、例如旋涂法(也稱作SpinCoating)來沉積。
[0054]發(fā)射材料能夠以適合的方式嵌在基體材料中。
[0055]需要指出的是，在其他的實施例中同樣設(shè)有其他適合的發(fā)射材料。
[0056]發(fā)光器件100的發(fā)射層114的發(fā)射材料例如能夠選擇為，使得發(fā)光器件100發(fā)射白光。一個或多個發(fā)射層114能夠具有多種發(fā)射不同顏色(例如藍(lán)色和黃色或者藍(lán)色、綠色和紅色)的發(fā)射材料，替選地，發(fā)射層114也能夠由多個子層構(gòu)成，如發(fā)藍(lán)色熒光的發(fā)射層114或發(fā)藍(lán)色磷光的發(fā)射層114、發(fā)綠色磷光的發(fā)射層114和發(fā)紅色磷光的發(fā)射層114。通過不同顏色的混合，能夠得到具有白色的色彩印象的光的發(fā)射。替選地，也能夠提出，在通過這些層產(chǎn)生的初級發(fā)射的光路中設(shè)置有轉(zhuǎn)換材料，所述轉(zhuǎn)換材料至少部分地吸收初級輻射并且發(fā)射其他波長的次級輻射，使得從(還不是白色的)初級輻射通過將初級輻射和次級輻射組合得到白色的色彩印象。[0057]有機(jī)電致發(fā)光層結(jié)構(gòu)110通常能夠具有一個或多個電致發(fā)光層。一個或多個電致發(fā)光層能夠具有有機(jī)聚合物、有機(jī)低聚物、有機(jī)單體、有機(jī)的小的、非聚合物的分子(“小分子(small molecules) 〃)或這些材料的組合。例如,有機(jī)電致發(fā)光層結(jié)構(gòu)110能夠具有構(gòu)成為空穴傳輸層116的一個或多個電致發(fā)光層，使得例如在OLED的情況下能夠?qū)崿F(xiàn)將空穴有效地注入到進(jìn)行電致發(fā)光的層或進(jìn)行電致發(fā)光的區(qū)域中。替選地，在不同的實施例中，有機(jī)電致發(fā)光層結(jié)構(gòu)Iio能夠具有構(gòu)成為電子傳輸層118的一個或多個功能層,使得例如在OLED中能夠?qū)崿F(xiàn)將電子有效地注入到進(jìn)行電致發(fā)光的層或進(jìn)行電致發(fā)光的區(qū)域中。例如能夠使用叔胺、咔唑衍生物、導(dǎo)電的聚苯胺或聚乙烯二氧噻吩作為用于空穴傳輸層116的材料。在不同的實施例中，一個或多個電致發(fā)光層能夠構(gòu)成為進(jìn)行電致發(fā)光的層。
[0058]在不同的實施例中，空穴傳輸層116能夠施加、例如沉積在第一電極108上或上方，并且發(fā)射層114能夠施加、例如沉積在空穴傳輸層116上或上方。在不同的實施例中，電子傳輸層118能夠施加、例如沉積在發(fā)射層114上或上方。
[0059]在不同的實施例中，有機(jī)電致發(fā)光層結(jié)構(gòu)110 (即例如空穴傳輸層116和發(fā)射層114和電子傳輸層118的厚度的總和)具有最大為大約1.5 μ m的層厚度、例如最大為大約1.2 μ m的層厚度、例如最大為大約I μ m的層厚度、例如最大為大約800nm的層厚度、例如最大為大約500nm的層厚度、例如最大為大約400nm的層厚度、例如最大為大約300nm的層厚度。在不同的實施例中，有機(jī)電致發(fā)光層結(jié)構(gòu)110例如能夠具有多個直接彼此相疊設(shè)置的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)的堆，其中每個OLED例如能夠具有最大為大約1.5μπι的層厚度、例如最大為大約1.2 μ m的層厚度、例如最大為大約Iym的層厚度、例如最大為大約800nm的層厚度、例如最大為大約500nm的層厚度、例如最大為大約400nm的層厚度、例如最大為大約300nm的層厚度。在不同的實施例中，有機(jī)電致發(fā)光層結(jié)構(gòu)110例如能夠具有兩個、三個或四個直接彼此相疊設(shè)置的OLED的堆，在此情況下，有機(jī)電致發(fā)光層結(jié)構(gòu)110例如能夠具有最大為大約3 μ m的層厚度。
[0060]發(fā)光器件100可選地通常能夠具有另外的有機(jī)功能層，所述另外的有機(jī)功能層例如設(shè)置在一個或多個發(fā)射層114上或其上方或設(shè)置在一個或多個電子傳輸層118上或其上方，用于進(jìn)一步改進(jìn)發(fā)光器件100的功能性進(jìn)而效率。
[0061]在有機(jī)電致發(fā)光層結(jié)構(gòu)110上或上方或者必要時在一個或多個另外的有機(jī)功能層上或上方能夠施加第二電極112 (例如以第二電極層112的形式)。
[0062]在不同的實施例中，第二電極112能夠具有與第一電極108相同的材料或者由其形成，其中在不同的實施例中金屬是尤其適合的。
[0063]在不同的實施例中，第二電極112 (例如對于金屬的第二電極112的情況而言)例如能夠具有小于或等于大約50nm的層厚度、例如小于或等于大約45nm的層厚度、例如小于或等于大約40nm的層厚度、例如小于或等于大約35nm的層厚度、例如小于或等于大約30nm的層厚度、例如小于或等于大約25nm的層厚度、例如小于或等于大約20nm的層厚度、例如小于或等于大約15nm的層厚度、例如小于或等于大約IOnm的層厚度。
[0064]第二電極112通常能夠以與第一電極108類似的或不同的方式構(gòu)成或已構(gòu)成。第二電極112在不同的實施例中能夠由一種或多種材料并且以相應(yīng)的層厚度構(gòu)成或已構(gòu)成，如這在上面結(jié)合第一電極108所描述的那樣。在不同的實施例中，第一電極108和第二電極112這兩者都透明地或半透明地構(gòu)成。因此，在圖1中示出的發(fā)光器件100能夠設(shè)計成頂部和底部發(fā)射器(換言之作為透明的發(fā)光器件100)。
[0065]第二電極112能夠構(gòu)成為陽極、即構(gòu)成為空穴注入的電極，或者構(gòu)成為陰極、即構(gòu)成為電子注入的電極。
[0066]第二電極112能夠具有第二電端子，由能量源提供的第二電勢(所述第二電勢與第一電勢不同)能夠施加到所述第二電端子上。第二電勢例如能夠具有一定數(shù)值，使得相對于第一電勢的差具有在大約1.5V至大約20V范圍內(nèi)的數(shù)值、例如在大約2.5V至大約15V范圍內(nèi)的數(shù)值、例如在大約3V至大約12V范圍內(nèi)的數(shù)值。
[0067]在第二電極112上或上方進(jìn)而在電有源區(qū)域106上或上方可選地還能夠形成或已形成封裝件120，例如以阻擋薄層/薄層封裝件120的形式的封裝件。
[0068]“阻擋薄層”或“阻擋薄膜”120在本申請的范圍中例如能夠理解為下述層或?qū)咏Y(jié)構(gòu)，所述層或?qū)咏Y(jié)構(gòu)適合于形成相對于化學(xué)雜質(zhì)或大氣物質(zhì)、尤其相對于水(濕氣)和氧氣的阻擋。換言之，阻擋薄層120構(gòu)成為，使得其不能夠或至多極其少部分由損壞OLED的物質(zhì)例如水、氧氣或溶劑穿過。
[0069]根據(jù)一個設(shè)計方案，阻擋薄層120能夠構(gòu)成單獨的層(換言之，構(gòu)成為單層)。根據(jù)一個替選的設(shè)計方案，阻擋薄層120能夠具有多個彼此相繼構(gòu)成的子層。換言之，根據(jù)一個設(shè)計方案，阻擋薄層120能夠構(gòu)成為層堆(Stack)。阻擋薄層120或阻擋薄層120的一個或多個子層例如能夠借助于適合的沉積方法來形成，例如根據(jù)一個設(shè)計方案借助于原子層沉積方法(Atomic Layer Deposition (ALD))來形成,例如為等離子增強(qiáng)的原子層沉積方法(Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition (PEALD))或無等離子的原子層沉積方法(Plasma-less Atomic Layer Deposition (PLALD)),或根據(jù)另一個設(shè)計方案借助于化學(xué)氣相沉積方法(Chemical Vapor Deposition (CVD))來形成,例如為等離子增強(qiáng)的化學(xué)氣相沉積方法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD))或無等離子的化學(xué)氣相沉積方法(Plasma-less Chemical Vapor Deposition(PLCVD)),或者替選地借助于另外適合的沉積方法來形成。
[0070]通過應(yīng)用原子層沉積(ALD)能夠沉積極其薄的層。特別地，能夠沉積層厚度位于原子層范圍內(nèi)的層。
[0071]根據(jù)一個設(shè)計方案，在具有多個子層的阻擋薄層120中，能夠借助于原子層沉積方法形成全部子層。僅具有ALD層的層序列也能夠稱作“納米疊層(Nanolaminat)”。
[0072]根據(jù)一個替選的設(shè)計方案，在具有多個子層的阻擋薄層120中，能夠借助于不同于原子層沉積方法的沉積方法來沉積阻擋薄層120的一個或多個子層，例如借助于氣相沉積方法來沉積。
[0073]阻擋薄層120能夠根據(jù)一個設(shè)計方案具有大約0.1nm(—個原子層)至大約IOOOnm的層厚度，例如根據(jù)一個設(shè)計方案為大約IOnm至大約IOOnm的層厚度、例如根據(jù)一個設(shè)計方案為大約40nm的層厚度。
[0074]根據(jù)一個設(shè)計方案，其中阻擋薄層120具有多個子層，全部子層能夠具有相同的層厚度。根據(jù)另一個設(shè)計方案，阻擋薄層120的各個子層能夠具有不同的層厚度。換言之，至少一個子層能夠具有不同于一個或多個其他子層的層厚度。
[0075]根據(jù)一個設(shè)計方案，阻擋薄層120或阻擋薄層120的各個子層能夠構(gòu)成為是半透明的或透明的層。換言之，阻擋薄層120 (或阻擋薄層120的各個子層)能夠由半透明的或透明的材料(或半透明的或透明的材料組合)制成。
[0076]根據(jù)一個設(shè)計方案，阻擋薄層120或(在具有多個子層的層堆的情況下)阻擋薄層120的一個或多個子層具有下述材料中的一種或由下述材料中的一種制成:氧化鋁、氧化鋅、氧化錯、氧化鈦、氧化鉿、氧化鉭、氧化鑭、氧化娃、氮化娃、氮氧化娃、銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁摻雜的氧化鋅、以及它們的混合物和合金。在不同的實施例中，阻擋薄層120或(在具有多個子層的層堆的情況下)阻擋薄層120的一個或多個子層具有一種或多種高折射率的材料，換言之具有一種或多種具有高折射率的材料，例如具有至少為2的折射率的材料。
[0077]在不同的實施例中，能夠在封裝件120上或上方設(shè)置有低折射率的中間層或低折射率的中間層結(jié)構(gòu)122 (例如具有一個或多個由相同的或不同的材料構(gòu)成的層)，所述中間層或中間層結(jié)構(gòu)用于在透明的發(fā)光器件100的情況下提高總透明度。
[0078]中間層122或中間層結(jié)構(gòu)122能夠具有至少一個層，所述至少一個層(在預(yù)設(shè)波長的情況下(例如在380nm至780nm的波長范圍中的預(yù)設(shè)波長的情況下))具有比發(fā)光器件100的覆蓋件(在預(yù)設(shè)波長的情況下)的折射率小的折射率，如這在下面更詳細(xì)闡明。在不同的實施例中，中間層或中間層結(jié)構(gòu)122的至少一個層或整個中間層結(jié)構(gòu)122具有比發(fā)光器件100的覆蓋件的折射率小的折射率，如這在下面更詳細(xì)闡明。在不同的實施例中，中間層或中間層結(jié)構(gòu)122的至少一個層或整個中間層結(jié)構(gòu)122能夠具有小于1.5的折射率，例如小于1.49的折射率，例如小于1.48的折射率，例如小于1.47的折射率，例如小于1.46的折射率，例如小于1.45的折射率，例如小于1.44的折射率，例如小于1.43的折射率，例如小于1.42的折射率，例如小于1.41的折射率，例如小于1.40的折射率，例如小于1.39的折射率，例如小于1.38的折射率，例如小于1.37的折射率，例如小于1.36的折射率，例如小于1.35的折射率，例如小于1.34的折射率，例如小于1.33的折射率，例如小于1.32的折射率，例如小于1.31的折射率，例如小于1.30的折射率，例如小于1.25的折射率，例如小于1.20的折射率，例如小于1.15的折射率。
[0079]在不同的實施例中，中間層或中間層結(jié)構(gòu)122的至少一個層或整個中間層結(jié)構(gòu)122能夠具有至少一種氟化物或包含氟的聚合物。氟化物是尤其適合的，因為所述氟化物通常具有相對低的折射率。因此，在不同的實施例中能夠使用一種或多種下述氟化物:
[0080].氟化鉀(KF)(在光波長為633nm的情況下折射率為大約1.36);
[0081].氟化鋰(LiF)(在光波長為633nm的情況下折射率為大約1.39);
[0082].氟化鎂(MgF2)(在光波長為633nm的情況下折射率為大約1.38);
[0083].氟化鈉(NaF)(在光波長為633nm的情況下折射率為大約1.32);
[0084].氟化鈉鋁(Na3AlF6)(在光波長為633nm的情況下折射率為大約1.35);
[0085].氟化鋇(BaF2)(在光波長為633nm的情況下折射率為大約1.47);
[0086].氟化鈣(CaF2)(在光波長為633nm的情況下折射率為大約1.43);
[0087].氟化鋰鈣鋁(LiCaAlF6)(在光波長為633nm的情況下折射率為大約1.39);
[0088].氟化鋰釔(LiYF4)(在光波長為633nm的情況下折射率為大約1.45);
[0089].氟化鍶(SrF2)(在光波長為633nm的情況下折射率為大約1.44)。
[0090]在不同的實施例中，例如能夠?qū)⑾率霾牧戏N類設(shè)為含氟的聚合物:無定形的含氟聚合物的族，例如基于2，2-雙三氟甲基-4，5-二氟-1，3-間二氧雜環(huán)戊烯(PDD)的共聚物。其一個實例為杜邦公司的材料特氟龍AF (聚四氟乙烯,英文為:fluorinated ethyleniccyclo oxyaliphatic substituted ethylenic copolymer,乙烯-環(huán)氧化月旨肪取代乙烯的氟化共聚物)。特氟龍AF是市售的并且在不同的實施例的范圍中例如能夠以不同的溶劑進(jìn)行旋涂(換言之，旋轉(zhuǎn)涂布)。所述材料種類的優(yōu)點能夠在于高的(機(jī)械的)耐抗能力。
[0091]在不同的實施例中，中間層或中間層結(jié)構(gòu)122的至少一個層或整個中間層結(jié)構(gòu)122能夠具有帶有空氣夾雜物(例如具有小于大約40nm (例如大約Inm至大約40nm)的孔大小，例如具有小于大約30nm (例如大約Inm至大約30nm)的孔大小,例如具有小于大約20nm (例如大約Inm至大約20nm)的孔大小,例如具有小于大約IOnm (例如大約Inm至大約130nm)的孔大小)的基體。
[0092]在不同的實施例中，中間層或中間層結(jié)構(gòu)122的至少一個層或整個中間層結(jié)構(gòu)122能夠具有帶有顆粒的基體，所述顆粒降低基體的折射率。例如，顆粒能夠具有下述材料中的一種或多種或由其形成:由空氣構(gòu)成的小的夾雜物(也稱作孔)；氣凝膠；和SiO。由空氣構(gòu)成的夾雜物的結(jié)構(gòu)大小在此在不同的實施例中小于50nm。
[0093]在不同的實施例中，中間層或中間層結(jié)構(gòu)122的至少一個層或整個中間層結(jié)構(gòu)122能夠具有氣凝膠或水，所述氣凝膠或水密封在層結(jié)構(gòu)中或發(fā)光器件中。
[0094]低折射率的中間層或中間層結(jié)構(gòu)的全部所述材料在由發(fā)光器件100所發(fā)射的光的感興趣的波長下具有比覆蓋件(并且必要時，當(dāng)存在粘接劑(也稱作層壓粘接劑)時，比所述粘接劑)在由發(fā)光器件100所發(fā)射的光的一個或多個相應(yīng)的波長下的折射率小的折射率。
[0095]在不同的實施例中，中間層122或中間層結(jié)構(gòu)122的至少一個層或整個中間層結(jié)構(gòu)122能夠具有大約50nm至大約150nm范圍內(nèi)的層厚度、例如大約70nm至大約130nm范圍內(nèi)的層厚度，例如大約90nm至大約IlOnm范圍內(nèi)的層厚度。在這些層厚度范圍內(nèi)，透明度提聞的效果是尤其聞的。
[0096]替選地，已經(jīng)確定:透明度提高的效果在層厚度在大約5 μ m至大約50 μ m的范圍中時、例如在層厚度在大約10 μ m至大約40 μ m的范圍中時、例如在層厚度在大約20 μ m至大約30 μ m的范圍中時同樣是尤其高的。
[0097]在不同的實施例中，中間層結(jié)構(gòu)122能夠具有折射率不同的多個低折射率的層的層序列。
[0098]在中間層122或中間層結(jié)構(gòu)122上或上方能夠設(shè)有粘接劑和/或保護(hù)漆124，借助于所述粘接劑和/或保護(hù)漆例如將覆蓋件126 (例如玻璃覆蓋件126)固定、例如粘貼在中間層122或中間層結(jié)構(gòu)122上。在不同的實施例中，由粘接劑和/或保護(hù)漆124構(gòu)成的光學(xué)半透明層能夠具有大于Iym的層厚度，例如幾ym的層厚度。在不同的實施例中，粘接劑能夠具有層壓粘接劑或是層壓粘接劑。
[0099]在不同的實施例中，還能夠?qū)⑸⑸涔獾念w粒嵌入到粘接劑的層(也稱作粘接層)中，所述散射光的顆粒能夠引起進(jìn)一步改進(jìn)色角畸變和耦合輸出效率。在不同的實施例中，例如能夠?qū)⒔殡姷纳⑸漕w粒設(shè)為散射光的顆粒，例如金屬氧化物，如氧化硅(Si02)、氧化鋅(ZnO)、氧化鋯(ZrO2)、銦錫氧化物(IT0)或銦鋅氧化物(IZO)、氧化鎵(Ga20a)、氧化鋁或氧化鈦。其他顆粒也是適合的，只要其具有與半透明的層結(jié)構(gòu)的基體的有效折射率不同的折射率，例如氣泡、丙烯酸鹽或玻璃空心球。此外，例如能夠?qū)⒔饘俚募{米顆粒，金屬、如金、銀，鐵納米顆粒等設(shè)為散射光的顆粒。[0100]在不同的實施例中，在第二電極112和由粘接劑和/或保護(hù)漆構(gòu)成的層124之間還能夠已施加有或施加有電絕緣層(未示出)，例如為SiN,例如具有在大約300nm至大約
1.5 μ m范圍中的層厚度，例如具有在大約500nm至大約I μ m范圍中的層厚度，以便例如在濕法化學(xué)工藝期間保護(hù)電學(xué)不穩(wěn)定的材料。
[0101]在不同的實施例中，粘接劑能夠設(shè)計成，使得其本身具有比覆蓋件126的折射率小的折射率。在該情況下，粘接劑本身明顯形成中間層122或中間層結(jié)構(gòu)122或其一部分。這種粘接劑例如能夠是如丙烯酸鹽的低折射率的粘接劑，所述丙烯酸鹽具有大約1.3的折射率。此外,能夠設(shè)有形成粘接劑層序列的多種不同的粘接劑。
[0102]還需要指出的是，在不同的實施例中也能夠完全地棄用粘接劑124，例如在將由玻璃制成的覆蓋件126借助于等離子噴射來施加到中間層122或中間層結(jié)構(gòu)122上的實施例中。
[0103]在設(shè)有中間層122或中間層結(jié)構(gòu)122和粘接劑124的實施例中，層結(jié)構(gòu)的至少一個層能夠具有也比粘接劑124的折射率小的折射率。
[0104]在不同的實施例中，覆蓋件126和/或粘接劑124 (例如在633nm波長的情況下)能夠具有1.55的折射率。
[0105]此外，在不同的實施例中，附加地，能夠在發(fā)光器件100中設(shè)有一個或多個抗反射層(例如與覆蓋件120、如薄層覆蓋件120組合)。
[0106]圖2示出根據(jù)不同實施例的發(fā)光器件200的橫截面圖，同樣示例地實施為有機(jī)發(fā)光二極管200。
[0107]根據(jù)圖2的有機(jī)發(fā)光二極管200在多個方面中與根據(jù)圖1的有機(jī)發(fā)光二極管100相同，因此下面僅更詳細(xì)闡明根據(jù)圖2的有機(jī)發(fā)光二極管200與根據(jù)圖1的有機(jī)發(fā)光二級管100的區(qū)別；關(guān)于根據(jù)圖2的有機(jī)發(fā)光二極管200的其余元件參考根據(jù)圖1的有機(jī)發(fā)光二級管100的上述實施方案。
[0108]與根據(jù)圖1的有機(jī)發(fā)光二級管100不同，在根據(jù)圖2的有機(jī)發(fā)光二極管200中，在襯底102之下還設(shè)有例如同樣由玻璃204制成的附加的覆蓋件202，所述覆蓋件類似于覆蓋件126可選地能夠借助粘接劑204固定，例如能夠粘貼。
[0109]在不同的實施例中，發(fā)光器件200能夠設(shè)計成頂部和底部發(fā)射器。
[0110]在不同的實施例中，在襯底102的空出的下側(cè)和附加的覆蓋件202和必要時如果存在就還有粘接劑204之間設(shè)置有第二中間層206或中間層結(jié)構(gòu)206。
[0111]第二中間層206或中間層結(jié)構(gòu)206能夠以與中間層122或中間層結(jié)構(gòu)122相同的方式構(gòu)造，如其結(jié)合圖1中的發(fā)光器件100所闡明的那樣。粘接劑204也能夠以與粘接劑124相同的方式構(gòu)造，如其結(jié)合圖1中的發(fā)光器件100所闡明的那樣。
[0112]在圖2中示出的實施例中，略去中間層122或中間層結(jié)構(gòu)122。
[0113]圖3示出根據(jù)不同實施例的發(fā)光器件300的橫截面圖，同樣示例地實施為有機(jī)發(fā)光二極管300。
[0114]顯然，根據(jù)圖3的有機(jī)發(fā)光二級管300是根據(jù)圖1的有機(jī)發(fā)光二極管100和根據(jù)圖2的有機(jī)發(fā)光二極管200的組合。
[0115]根據(jù)圖3的有機(jī)發(fā)光二極管300在不同的實施例中設(shè)計成透明的有機(jī)發(fā)光二極管300。[0116]顯然，在不同的實施例中，至少一個低折射率的中間層或中間層結(jié)構(gòu)設(shè)置在電有源區(qū)域106之外，但是設(shè)置在電有源區(qū)域106和覆蓋件126和/或第二覆蓋件202之間。
[0117]在能夠與上述實施例任意組合的不同的實施例中，低折射率的中間層或中間層結(jié)構(gòu)也能夠設(shè)置在襯底102和第一電極108之間(當(dāng)不存在阻擋層104時)(沒有示出)。對于設(shè)有阻擋層104的情況而言，低折射率的中間層或中間層結(jié)構(gòu)也能夠設(shè)置在襯底102和阻擋層104之間或者設(shè)置在阻擋層104和第一電極108之間(未示出)。此外，中間層或中間層結(jié)構(gòu)也能夠設(shè)置在封裝件之內(nèi)，也就是說例如設(shè)置在無機(jī)封裝層(例如封裝件的最上方的氧化硅層)之內(nèi)(未示出)。
[0118]圖4示出圖表400，在所述圖表中，關(guān)于所發(fā)射的光的波長示出穿過基準(zhǔn)發(fā)光器件的光的透射率?；鶞?zhǔn)發(fā)光器件在結(jié)構(gòu)上對應(yīng)于如在圖1中示出的發(fā)光器件100，但是沒有中間層122或中間層結(jié)構(gòu)122。基于所執(zhí)行的模擬，在圖4中示出的特征曲線402具有平均透射率值(也稱作透明度值)T=46.5%。
[0119]圖5不出圖表500,在所述圖表中關(guān)于所發(fā)射的光的波長不出穿過具有折射率各不相同的中間層的發(fā)光器件的光的透射率。
[0120]詳細(xì)地，在圖表500中示出:
[0121]-第一特征曲線502，所述第一特征曲線示出具有中間層122的發(fā)光器件的透射率，所述中間層具有1.5的折射率以及85nm的層厚度(對于450nm至650nm的波長范圍得出T=48.44%的平均透射率值)；
[0122]-第二特征曲線504，所述第二特征曲線示出具有中間層122的發(fā)光器件的透射率，所述中間層具有1.4的折射率(例如由MgF2制成)以及90nm的層厚度(對于450nm至650nm的波長范圍得出T=51.44%的平均透射率值)；
[0123]-第三特征曲線506，所述第三特征曲線示出具有中間層122的發(fā)光器件的透射率，所述中間層具有1.3的折射率(例如由杜邦公司的特氟龍AF制成)以及IOOnm的層厚度(對于450nm至650nm的波長范圍得出Τ=54.44%的平均透射率值)；
[0124]-第四特征曲線508，所述第四特征曲線示出具有中間層122的發(fā)光器件的透射率，所述中間層具有1.2的折射率以及IlOnm的層厚度(對于450nm至650nm的波長范圍得出T=57.27%的平均透射率值)；
[0125]-第五特征曲線510，所述第五特征曲線示出具有中間層122的發(fā)光器件的透射率，所述中間層具有1.1的折射率以及125nm的層厚度(對于450nm至650nm的波長范圍得出T=59.75%的平均透射率值)；以及
[0126]-第六特征曲線512，所述第六特征曲線示出具有中間層122的發(fā)光器件的透射率，所述中間層具有1.0的折射率以及140nm的層厚度(對于450nm至650nm的波長范圍得出T=61.6%的平均透射率值)。
[0127]已經(jīng)證實:中間層122或中間層結(jié)構(gòu)122的折射率越低，就越提高發(fā)光器件100的透射率進(jìn)而透明度。
[0128]下面的表格針對一些所選擇的用于中間層122的材料再次示出材料在波長為633nm的情況下的折射率和中間層122的“最佳層厚度”。術(shù)語“最佳層厚度”在此涉及為了在450nm至650nm波長范圍中實現(xiàn)最高可能的透射率的相關(guān)于基準(zhǔn)器件的最佳層厚度。
【權(quán)利要求】
1.一種發(fā)光器件(100)，所述發(fā)光器件具有: 電有源區(qū)域(106)，所述電有源區(qū)域具有: ?第一電極(108)； ?第二電極(112)； ?在所述第一電極(108 )和所述第二電極(112 )之間的有機(jī)功 能層結(jié)構(gòu)(110);和 覆蓋件(126)，所述覆蓋件設(shè)置在所述電有源區(qū)域(106)之上； 和 設(shè)置在所述覆蓋件(126)和所述電有源區(qū)域(106)之間的、具有至少一個層(122)的層結(jié)構(gòu)(122)，其中所述至少一個層(122)具有比所述覆蓋件(126)的折射率小的折射率。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件(100)， 其中所述層結(jié)構(gòu)(122)具有粘接劑或由粘接劑形成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光器件(100)，所述發(fā)光器件還具有: ?在所述層結(jié)構(gòu)(122)的所述至少一個層(122)和所述覆蓋件(126)之間的粘接劑(124)，以用于固定所述覆蓋件(126)； ?其中所述層結(jié)構(gòu)(122)的所述至少一個層(122)具有比所述粘接劑(124)的折射率更小的折射率。`
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中的任一項所述的發(fā)光器件(100)， 其中所述層結(jié)構(gòu)(122)的所述至少一個層(122)具有小于1.5的折射率。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中的任一項所述的發(fā)光器件(100)， 其中所述層結(jié)構(gòu)(122)的所述至少一個層(122)具有至少一種氟化物或包含氟的聚合物。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中的任一項所述的發(fā)光器件(100)， 其中所述層結(jié)構(gòu)(122)的所述至少一個層(122)具有帶有空氣夾雜物或帶有顆粒的基體，所述空氣夾雜物或所述顆粒降低所述基體的折射率。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中的任一項所述的發(fā)光器件(100)， 其中所述層結(jié)構(gòu)(122)的所述至少一個層(122)具有氣凝膠或水，所述氣凝膠或水密封在所述層結(jié)構(gòu)(122)中或密封在所述發(fā)光器件(100)中。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中的任一項所述的發(fā)光器件(100)， ?其中所述層結(jié)構(gòu)(122)具有在大約50nm至大約150nm范圍內(nèi)的層厚度； ?其中所述層結(jié)構(gòu)(122)具有在大約5 μ m至大約50 μ m范圍內(nèi)的層厚度。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中的任一項所述的發(fā)光器件(100)， ?所述發(fā)光器件還具有襯底(102)和封裝件(120)，其中所述封裝件(120)設(shè)置在所述電有源區(qū)域(106)的背離所述襯底(102)的一側(cè)上； ?其中所述層結(jié)構(gòu)(122)設(shè)置在所述封裝件(120)之上。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中的任一項所述的發(fā)光器件(100)， 其中所述覆蓋件(126)具有第一覆蓋件(126)，所述第一覆蓋件設(shè)置在所述電有源區(qū)域(106)的第一主側(cè)之上；并且具有第二覆蓋件(202)，所述第二覆蓋件設(shè)置在所述電有源區(qū)域(106)的與所述第一主側(cè)相對置的第二主側(cè)之下。
11.根據(jù)權(quán)利要求1至10中的任一項所述的發(fā)光器件(100)， 所述發(fā)光器件設(shè)計成有機(jī)發(fā)光二極管。
12.一種用于制造發(fā)光器件(100)的方法，其中所述方法具有: 形成(802)電有源區(qū)域(106)， 其中形成所述電有源區(qū)域(106)具有: ?形成第一電極(108)； ?形成第二電極(112)； ?在所述第一電極(108)和所述第二電極(112)之間形成有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)(110)； 在所述電有源區(qū)域(106)之上形成(804)具有至少一個層(122)的層結(jié)構(gòu)(122);和 在所述層結(jié)構(gòu)(122)之上形成(806)覆蓋件(126)； 其中所述層結(jié)構(gòu)(122)的所述至少一個層(122)具有比所述覆蓋件(126)的折射率小的折射率。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法， ?其中在形成所述電有源區(qū)域(106)之后并且在形成所述覆蓋件(126)之前，測量具有所述電有源區(qū)域(106)的結(jié)構(gòu)的光學(xué)透明度；和 ?其中根據(jù)所測量的光學(xué)透明度來形成所述層結(jié)構(gòu)(122)，使得實現(xiàn)所述層結(jié)構(gòu)(122)的和具有所述電 有源區(qū)域(106)的結(jié)構(gòu)的期望的目標(biāo)光學(xué)透明度。
【文檔編號】H01L51/52GK103875091SQ201280050530
【公開日】2014年6月18日 申請日期:2012年8月20日 優(yōu)先權(quán)日:2011年10月13日
【發(fā)明者】埃爾溫·蘭, 丹尼爾·斯特芬·塞茨 申請人:歐司朗光電半導(dǎo)體有限公司