用于qled的像素限定結(jié)構(gòu)、像素單元及顯示面板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種用于QLED的像素限定結(jié)構(gòu)、包括其的QLED的像素單元及QLED顯示面板。
【背景技術(shù)】
[0002]量子點(diǎn)(QuantumDots)又稱半導(dǎo)體納米晶體，受到光或電的刺激，能發(fā)出有色光線，光線的顏色由量子點(diǎn)的組成和大小形狀決定。另外由于它的發(fā)光波長(zhǎng)范圍極窄，顏色非常純粹，現(xiàn)在已經(jīng)被用于量子點(diǎn)電視的背光光源。
[0003]量子點(diǎn)發(fā)光器件(QLED，Quantum Dot light Emitting Device)是近些年顯示領(lǐng)域的重要突破，它和OLED—樣都是采用電致發(fā)光原理進(jìn)行發(fā)光。傳統(tǒng)的OLED制備方法中有機(jī)發(fā)光層采用蒸鍍法制備，成本昂貴。目前OLED也有溶液制備法的研究，但是目前仍處于研究階段，離應(yīng)用還有一段距離?！禢ature》上題目為“Solut1n-processed, hi gh-performance light-emitting d1des based on quantum dots，，的文章公開了一種QLED的溶液制備法。QLED的功能層一般包括電子注入層，電子傳輸層，發(fā)光層，空穴傳輸層，空穴注入層，要實(shí)現(xiàn)QLED的發(fā)光還需要陽極和陰極。陰極通常用銀材料，陽極通常用ΙΤ0。溶液制備法的優(yōu)勢(shì)在于不需要成本高昂的設(shè)備，且為QLED顯示面板的噴墨打印工藝提供了很好的基礎(chǔ)。
[0004]各個(gè)QLED器件制作在每一像素單元中由像素界定層(PDL)界定的發(fā)光區(qū)域內(nèi)。在利用噴墨打印技術(shù)制備QLED器件時(shí)，各功能層材料由于包括溶劑因此均呈液態(tài)，各液態(tài)功能層材料分別包括作為電子注入/傳輸層的氧化鋅材料、作為發(fā)光層的量子點(diǎn)材料、作為空穴注入層的聚乙烯二氧噻吩:聚苯乙烯磺酸鹽(PED0T:PSS)以及作為空穴傳輸層的聚乙烯咔唑(PVK)材料，PDL有利于將噴墨打印噴出的液態(tài)功能層材料限定在發(fā)光區(qū)域中，打印后液態(tài)功能層材料中的溶劑揮發(fā)后成為干燥的各個(gè)功能層。
[0005]公開號(hào)為CN104393192A和CN103413819A的專利申請(qǐng)披露了一種應(yīng)用于OLED的I3DL結(jié)構(gòu)，包括親水絕緣層和疏水絕緣層疊加，利用疏水絕緣層與親水的液態(tài)有機(jī)發(fā)光材料之間的排斥性，使滴落在疏水絕緣層上的液態(tài)有機(jī)發(fā)光材料流入發(fā)光區(qū)域內(nèi)，并且進(jìn)一步利用親水絕緣層與親水的液態(tài)有機(jī)發(fā)光材料之間的親和性使液態(tài)材料在發(fā)光區(qū)域內(nèi)均勻分散，形成平整的發(fā)光層。但是現(xiàn)有技術(shù)中揭露的絕緣層形狀并非適用于QLED，因?yàn)镼LED中的發(fā)光材料是量子點(diǎn)，是無機(jī)材料，而OLED是有機(jī)材料，兩者的溶劑都是有機(jī)溶劑，但溶質(zhì)和溶劑的結(jié)合力是不同的，即有機(jī)溶劑揮發(fā)對(duì)于量子點(diǎn)溶質(zhì)和有機(jī)發(fā)光物質(zhì)溶質(zhì)成膜的影響是不同的。而有機(jī)溶劑的揮發(fā)會(huì)影響各功能材料的分散性，各功能材料分散均勻才能使像素發(fā)光均勻，且能夠避免像素內(nèi)陽極與陰極因液滴不均勻?qū)е逻吘壆a(chǎn)生易短路情形。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的主要目的在于提供一種用于QLED的像素限定結(jié)構(gòu)、包括其的QLED像素單元及QLED顯示面板，以解決現(xiàn)有技術(shù)中的像素限定結(jié)構(gòu)不能使各液態(tài)功能層材料在發(fā)光區(qū)域的均勻分散的問題。
[0007]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種用于QLED的像素限定結(jié)構(gòu)，設(shè)置在基板上，該像素限定結(jié)構(gòu)包括多層疊置的絕緣層和設(shè)置在絕緣層中的發(fā)光區(qū)域，相鄰絕緣層的親水-疏水性能相反，絕緣層中位于基板上的絕緣層為第一絕緣層，位于第一絕緣層中的發(fā)光區(qū)域?yàn)榈谝话l(fā)光區(qū)域;與第一絕緣層相鄰的絕緣層為第二絕緣層，位于第二絕緣層中的發(fā)光區(qū)域?yàn)榈诙l(fā)光區(qū)域，第一發(fā)光區(qū)域和第二發(fā)光區(qū)域的位于同一側(cè)的側(cè)壁不在同一平面上，且第一發(fā)光區(qū)域的最大寬度小于或等于第二發(fā)光區(qū)域的最小寬度。
[0008]進(jìn)一步地，上述第一發(fā)光區(qū)域的垂直于第一絕緣層的截面為倒梯形。
[0009]進(jìn)一步地，上述倒梯形的底角大于或等于150°。
[0010]進(jìn)一步地，上述第一發(fā)光區(qū)域的側(cè)壁為向第一絕緣層凸起的弧面。
[0011]進(jìn)一步地，上述弧面的切面與第一絕緣層的最大夾角小于或等于30°。
[0012]進(jìn)一步地，上述第二發(fā)光區(qū)域的側(cè)壁垂直于第一絕緣層。
[0013]進(jìn)一步地，上述第二發(fā)光區(qū)域的側(cè)壁為向第二絕緣層凹陷的弧面。
[0014]進(jìn)一步地，上述絕緣層的層數(shù)至少為三層，且相鄰絕緣層的同一側(cè)的側(cè)壁不在同一平面內(nèi)。
[0015]根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種量子點(diǎn)發(fā)光器件的像素單元，包括:基板;像素限定結(jié)構(gòu)，設(shè)置在基板上且具有絕緣層和發(fā)光區(qū)域;多個(gè)陽極，設(shè)置在基板對(duì)應(yīng)發(fā)光區(qū)域的位置;發(fā)光功能層，設(shè)置在陽極上；陰極，設(shè)置在發(fā)光功能層上，像素限定結(jié)構(gòu)為上述的像素限定結(jié)構(gòu)，陽極與像素限定結(jié)構(gòu)的第一絕緣層的親水-疏水性能相同。
[0016]進(jìn)一步地，上述發(fā)光功能層包括依次遠(yuǎn)離陽極層疊設(shè)置的可選的第一注入層、可選的第一傳輸層、量子點(diǎn)發(fā)光層、可選的第二傳輸層以及可選的第二注入層，第一注入層與第二注入層不同且選自電子注入層和空穴注入層中的一種，第一傳輸層和第二傳輸層不同且選自電子傳輸層和空穴傳輸層中的一種，上述各絕緣層與形成對(duì)應(yīng)其的發(fā)光功能層的液態(tài)功能層材料的親水-疏水性能相同，且第一絕緣層與形成發(fā)光功能層中靠近基板的部分的液態(tài)功能層材料的親水-疏水性能相同。
[0017]進(jìn)一步地，上述絕緣層與發(fā)光功能層的層數(shù)相同且一一對(duì)應(yīng)設(shè)置。
[0018]根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種QLED顯示面板，具有像素單元，該像素單元為上述的像素單元。
[0019]應(yīng)用本發(fā)明的技術(shù)方案，利用第一絕緣層和第二絕緣層對(duì)液態(tài)功能層材料的相反作用力的基礎(chǔ)上，利用第一發(fā)光區(qū)域和第二發(fā)光區(qū)域的形狀進(jìn)一步優(yōu)化了液態(tài)功能層材料在發(fā)光區(qū)域的分散性，具體為:位于上方的第二發(fā)光區(qū)域的最小寬度大于位于下方的第一發(fā)光區(qū)域的最大寬度，從而使具有無機(jī)量子點(diǎn)材料的液態(tài)功能層材料更有利于向第一發(fā)光區(qū)域流動(dòng);第一發(fā)光區(qū)域的側(cè)壁與第二發(fā)光區(qū)域的側(cè)壁不在同一平面，使得液態(tài)功能層材料在第一發(fā)光區(qū)域的側(cè)壁處表面張力不能延伸至第二發(fā)光區(qū)域，從而使得液態(tài)功能層材料可以均勻分散在發(fā)光區(qū)域的整個(gè)平面，而不會(huì)造成液態(tài)功能層材料在干燥后邊緣的厚度大于其他位置的厚度，從而有助于形成均勻的發(fā)光層。
【附圖說明】
[0020]構(gòu)成本申請(qǐng)的一部分的說明書附圖用來提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，本發(fā)明的示意性實(shí)施例及其說明用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的不當(dāng)限定。在附圖中:
[0021]圖1示出了根據(jù)本發(fā)明一種優(yōu)選實(shí)施例的像素限定結(jié)構(gòu)的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖2示出了根據(jù)本發(fā)明另一種優(yōu)選實(shí)施例的像素限定結(jié)構(gòu)的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖3示出了根據(jù)本發(fā)明又一種優(yōu)選實(shí)施例的像素限定結(jié)構(gòu)的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024]圖4示出了測(cè)量得到的實(shí)施例1至7以及對(duì)比例I的電壓和電流密度關(guān)系曲線；
[0025]圖5示出了測(cè)量得到的實(shí)施例1至7以及對(duì)比例I的光譜圖；以及
[0026]圖6示出了測(cè)量得到的實(shí)施例1至7以及對(duì)比例I的電流密度和亮度關(guān)系曲線。
[0027]其中，上述附圖包括以下附圖標(biāo)記:
[0028]1、絕緣層；11、第一絕緣層;12、第二絕緣層;2、發(fā)光區(qū)域;21、第一發(fā)光區(qū)域;22、第二發(fā)光區(qū)域。
【具體實(shí)施方式】
[0029]需要說明的是，在不沖突的情況下，本申請(qǐng)中的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合。下面將參考附圖并結(jié)合實(shí)施例來詳細(xì)說明本發(fā)明。
[0030]本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該清楚的是，物質(zhì)對(duì)按照水的親和力的不同分為親水性物質(zhì)和疏水性物質(zhì)，因此，本申請(qǐng)的以下所記載的親水-疏水性能相反是指，兩個(gè)結(jié)構(gòu)中，其中一個(gè)結(jié)構(gòu)為親水性結(jié)構(gòu)，另一個(gè)結(jié)構(gòu)為疏水性結(jié)構(gòu)。
[0031]如【背景技術(shù)】所描述的，現(xiàn)有技術(shù)的像素限定結(jié)構(gòu)仍然存在不能使各液態(tài)功能層材料在發(fā)光區(qū)域2均勻分散的問題，為了解決該問題，在本發(fā)明一種典型的實(shí)施方式中提供了一種用于QLED的像素限定結(jié)構(gòu)，如圖1至3所示，該像素限定結(jié)構(gòu)設(shè)置在基板上，且包括多層疊置的絕緣層I和設(shè)置在絕緣層I中的發(fā)光區(qū)域2，相鄰絕緣層I的親水-疏水性能相反，絕緣層I中位于基板上的絕緣層I為第一絕緣層11，位于第一絕緣層11中的發(fā)光區(qū)域2為第一發(fā)光區(qū)域21;與第一絕緣層11相鄰的絕緣層I為第二絕緣層12，位于第二絕緣層12中的發(fā)光區(qū)域2為第二發(fā)光區(qū)域22，第一發(fā)光區(qū)域21和第二發(fā)光區(qū)域22的位于同一側(cè)的側(cè)壁不在同一平面上，且第一發(fā)光區(qū)域21的最大寬度小于或等于第二發(fā)光區(qū)域22的最小寬度。
[0032]由于像