驟S2，重復(fù)實施例1的步驟S2得到第一絕緣層；
[0066]步驟S3，重復(fù)實施例2的步驟S3形成具有凹陷弧面?zhèn)缺诘牡诙^緣層，得到實施例4的像素限定結(jié)構(gòu)。
[0067]實施例5
[0068]步驟SI，重復(fù)實施例1的步驟SI;
[0069]步驟S2，重復(fù)實施例2的步驟S2制作第一絕緣層；
[0070]步驟S3，在固化后的第一絕緣層上方用絲印工藝制作具有垂直于第一絕緣層的側(cè)壁的第二絕緣層，得到實施例5的像素限定結(jié)構(gòu)。
[0071 ] 實施例6
[0072]步驟SI，重復(fù)實施例1的步驟SI;
[0073]步驟S2，在親水處理后的ITO基板上用光刻制作圖1所示的第一絕緣層，并通過控制曝光能量為60mj/cm2，顯影時間20秒得到傾斜角為大于30度的第一絕緣層，然后對其進(jìn)行熱固化；
[0074]步驟S3，重復(fù)實施例1的步驟S3形成第二絕緣層，得到實施例6的像素限定結(jié)構(gòu)。
[0075]實施例7
[0076]步驟SI，重復(fù)實施例1的步驟SI;
[0077]步驟S2，在親水處理后的ITO基板上用打印的方法制作圖2所示的第一絕緣層，熱固化后，其中通過紫外光照射15秒調(diào)節(jié)界面親水性達(dá)到接觸角小于10度，控制打印機(jī)噴嘴壓力以及液滴的體積小于60皮升/滴，并控制干燥時間使弧面的切面與第一絕緣層的最大傾斜角為33° ;
[0078]步驟S3，重復(fù)實施例2的步驟S3形成第二絕緣層，得到實施例7的像素限定結(jié)構(gòu)。
[0079]對比例I
[0080]步驟SI，重復(fù)實施例1的步驟SI;
[0081 ]步驟S2，重復(fù)實施例1的步驟S2得到第一絕緣層；
[0082]步驟S3，在固化后的第一絕緣層上方用絲印工藝制作第二絕緣層，該第二絕緣層的開口為倒梯形，且其第二絕緣層開口的側(cè)壁與第一絕緣層開口的側(cè)壁在同一平面上，得到對比例I的像素限定結(jié)構(gòu)。
[0083]利用實施例1至7以及對比例I的像素限定結(jié)構(gòu)制作綠光發(fā)光器件，制作方法為:
[0084]在具有該像素限定結(jié)構(gòu)的ITO電極層上打印PED0T:PSS材料(cas: 155090-83-8)，然后經(jīng)真空低壓熱板干燥形成厚度35nm的空穴注入層，然后在空穴注入層上打印PVK材料(cas: 25067-59-8)并利用真空低壓熱板熱壓后干燥形成5nm的空穴傳輸層，在空穴傳輸層上打印綠色量子點的正辛烷溶液材料并利用真空低壓熱壓板熱壓后干燥形成40nm的發(fā)光層，在發(fā)光層上打印ZnO的乙醇溶液并利用真空低壓熱壓板熱壓后干燥形成10nm的電子傳輸層，最后蒸鍍銀形成10nm的電極層，封裝形成發(fā)光器件。用keithley2400作為電流源表，Pr670作為光譜儀進(jìn)行亮度及光譜采集進(jìn)行檢測，檢測結(jié)果見圖4至6。
[0085]從圖4可以看出，實施例與對比例相同電壓下，產(chǎn)生的電流是相同的，說明器件各層的膜層厚度是相同的，器件結(jié)構(gòu)一致，表明實施例和對比例中功能層的溶劑揮發(fā)完全;在此相同條件下進(jìn)行下述比較，由圖5可以看出顏色純度無影響，都發(fā)出純正的綠光，說明各功能層材料的溶劑完全揮發(fā)；由圖6可以看出相同電流下，發(fā)光亮度存在差異，說明像素限定結(jié)構(gòu)對發(fā)光均勻性起到作用，其中，實施例1至7比對比例I的相同電流密度下亮度要好，說明本申請將第一發(fā)光區(qū)域的側(cè)壁與第二發(fā)光區(qū)域的側(cè)壁設(shè)置在不同一平面上，能夠優(yōu)化液態(tài)功能層材料在發(fā)光區(qū)域的分散性;實施例1比實施例6的相同電流密度下亮度要好，實施例2比實施例7的相同電流密度下亮度要好，說明當(dāng)將第一絕緣層的側(cè)壁傾斜角度控制在30度以下時，能夠優(yōu)化液態(tài)有機(jī)材料的分散均勻性，進(jìn)而實現(xiàn)更好的發(fā)光效果。
[0086]從以上的描述中，可以看出，本發(fā)明上述的實施例實現(xiàn)了如下技術(shù)效果:
[0087]位于上方的第二發(fā)光區(qū)域的最小寬度大于位于下方的第一發(fā)光區(qū)域的最大寬度，從而使具有無機(jī)量子點材料的液態(tài)功能層材料更有利于向第一發(fā)光區(qū)域流動;第一發(fā)光區(qū)域的側(cè)壁與第二發(fā)光區(qū)域的側(cè)壁不在同一平面，使得液態(tài)功能層材料在第一發(fā)光區(qū)域的側(cè)壁處表面張力不能延伸至第二發(fā)光區(qū)域，從而使得液態(tài)功能層材料可以均勻分散在整個發(fā)光區(qū)域，而不會造成液態(tài)功能層材料在干燥后邊緣的厚度大于其他位置的厚度，從而有助于形成均勾的發(fā)光層。
[0088]以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種用于QLED的像素限定結(jié)構(gòu)，設(shè)置在基板上，所述像素限定結(jié)構(gòu)包括多層疊置的絕緣層(I)和設(shè)置在所述絕緣層(I)中的發(fā)光區(qū)域(2)，其特征在于，相鄰所述絕緣層(I)的親水-疏水性能相反， 所述絕緣層(I)中位于所述基板上的絕緣層(I)為第一絕緣層(11)，位于所述第一絕緣層(11)中的所述發(fā)光區(qū)域(2)為第一發(fā)光區(qū)域(21); 與所述第一絕緣層(11)相鄰的絕緣層(I)為第二絕緣層(12)，位于所述第二絕緣層(12)中的所述發(fā)光區(qū)域(2)為第二發(fā)光區(qū)域(22)，所述第一發(fā)光區(qū)域(21)和所述第二發(fā)光區(qū)域(22)的位于同一側(cè)的側(cè)壁不在同一平面上，且所述第一發(fā)光區(qū)域(21)的最大寬度小于或等于所述第二發(fā)光區(qū)域(22)的最小寬度。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素限定結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一發(fā)光區(qū)域(21)的垂直于所述第一絕緣層(11)的截面為倒梯形。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的像素限定結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述倒梯形的底角大于或等于150。。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素限定結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一發(fā)光區(qū)域(21)的側(cè)壁為向所述第一絕緣層(11)凸起的弧面。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的像素限定結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述弧面的切面與所述第一絕緣層(11)的最大夾角小于或等于30°。6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的像素限定結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二發(fā)光區(qū)域(22)的側(cè)壁垂直于所述第一絕緣層(11)。7.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的像素限定結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二發(fā)光區(qū)域(22)的側(cè)壁為向所述第二絕緣層(12)凹陷的弧面。8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項所述的像素限定結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述絕緣層(I)的層數(shù)至少為三層，且相鄰所述絕緣層(I)的同一側(cè)的側(cè)壁不在同一平面內(nèi)。9.一種QLED的像素單元，包括: 基板； 像素限定結(jié)構(gòu)，設(shè)置在所述基板上且具有絕緣層和發(fā)光區(qū)域； 多個陽極，設(shè)置在所述基板對應(yīng)所述發(fā)光區(qū)域的位置； 發(fā)光功能層，設(shè)置在所述陽極上； 陰極，設(shè)置在所述發(fā)光功能層上，其特征在于，所述像素限定結(jié)構(gòu)為權(quán)利要求1至8中任一項所述的像素限定結(jié)構(gòu)，所述陽極與所述像素限定結(jié)構(gòu)的第一絕緣層的親水-疏水性能相同，且所述第一絕緣層與形成所述發(fā)光功能層中靠近所述基板的部分的液態(tài)功能層材料的親水-疏水性能相同。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的像素單元，其特征在于，各所述絕緣層與形成對應(yīng)其的發(fā)光功能層的液態(tài)功能層材料的親水-疏水性能相同。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的像素單元，其特征在于，所述發(fā)光功能層包括依次遠(yuǎn)離所述陽極層疊設(shè)置的可選的第一注入層、可選的第一傳輸層、量子點發(fā)光層、可選的第二傳輸層以及可選的第二注入層，所述第一注入層與所述第二注入層不同且選自電子注入層和空穴注入層中的一種，所述第一傳輸層和所述第二傳輸層不同且選自電子傳輸層和空穴傳輸層中的一種，所述絕緣層與所述發(fā)光功能層的層數(shù)相同且一一對應(yīng)設(shè)置。12.一種QLED顯示面板，具有像素單元，其特征在于，所述像素單元為權(quán)利要求9至11中任一項所述的像素單元。
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種用于QLED的像素限定結(jié)構(gòu)、包括其的QLED的像素單元及QLED顯示面板。該像素限定結(jié)構(gòu)設(shè)置在基板上，包括多層疊置的絕緣層和設(shè)置在絕緣層中的發(fā)光區(qū)域，相鄰絕緣層的親水-疏水性能相反，絕緣層中位于基板上的一個絕緣層為第一絕緣層，位于第一絕緣層中的發(fā)光區(qū)域為第一發(fā)光區(qū)域；與第一絕緣層相鄰的絕緣層為第二絕緣層，位于第二絕緣層中的發(fā)光區(qū)域為第二發(fā)光區(qū)域，第一發(fā)光區(qū)域和第二發(fā)光區(qū)域的位于同一側(cè)的側(cè)壁不在同一平面上，且第一發(fā)光區(qū)域的最大寬度小于或等于第二發(fā)光區(qū)域的最小寬度。第一絕緣層和第二絕緣層對液態(tài)功能層材料的作用力相反，第一發(fā)光區(qū)域和第二發(fā)光區(qū)域的形狀優(yōu)化了液態(tài)功能層材料的分散性。
【IPC分類】H01L33/44, H01L27/15, H01L33/24, H01L33/06
【公開號】CN105655457
【申請?zhí)枴?br>【發(fā)明人】甄常刮
【申請人】納晶科技股份有限公司
【公開日】2016年6月8日
【申請日】2016年1月6日