專利名稱：包括電容器和金屬接觸的半導(dǎo)體裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本公開的實(shí)施例涉及半導(dǎo)體裝置及其制造方法，更具體地，涉及包括電容器和金屬接觸的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取(DRAM)裝置 采用單元電容器(cell capacitor)作為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件。已經(jīng)增加了單元電容器的高度，以便在不使DRAM裝置的集成密度劣化的情況下在有限的單元陣列面積中獲得大的單元電容。已經(jīng)廣泛采用圓柱形的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)來增加單元電容器的高度。存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)可以形成在穿透模層的通孔中。然而，隨著DRAM裝置的設(shè)計(jì)規(guī)則(designrule)減小,通孔的深寬比(aspect ratio)已經(jīng)增大。因此，當(dāng)單元電容器的高度增加時(shí)，可能難以采用蝕刻工藝來形成完全穿過模層的通孔。即，可能存在形成具有高的深寬比的通孔的某些限制。此外，如果單元陣列區(qū)中的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的高度增加，那么在外圍電路區(qū)或核心區(qū)中形成的金屬接觸孔的高度也可能增加。即，金屬接觸孔的深寬比也可能增加。據(jù)此，即使把絕緣層過蝕刻來形成金屬接觸孔，金屬接觸孔也不能露出下面的導(dǎo)電圖案。這是因?yàn)樵谛纬山饘俳佑|孔的蝕刻工藝期間生成的聚合物。更具體地，金屬接觸孔可能由于聚合物的原因而形成為具有斜的側(cè)壁輪廓。最終，即使蝕刻時(shí)間增加，金屬接觸孔也可能不是完全穿透模層。因此，由于金屬接觸孔沒有露出下面的導(dǎo)電圖案，所以在蝕刻工藝期間生成的聚合物可能造成工藝失敗。此工藝失敗在下文中可以稱為“開口失敗”。而且，當(dāng)金屬接觸孔沒有對(duì)準(zhǔn)下面的導(dǎo)電圖案時(shí)，與下面的導(dǎo)電圖案相鄰的絕緣層在形成金屬接觸孔的蝕刻工藝的過蝕刻步驟期間也可能被蝕刻，從而露出不期望的導(dǎo)電圖案。這是因?yàn)槲g刻時(shí)間與金屬接觸孔的高度成比例地增加，因此過蝕刻時(shí)間也與金屬接觸孔的高度成比例地增加。再有，如果金屬接觸孔的深寬比增加，則可能難以用諸如金屬層的導(dǎo)電層來填充金屬接觸孔而其中沒有任何孔洞。

發(fā)明內(nèi)容
實(shí)施例涉及具有電容器和金屬接觸的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。一個(gè)實(shí)施例中，一種制造半導(dǎo)體裝置的方法包括在單元區(qū)和外圍區(qū)中形成第一模層；形成穿透單元區(qū)中的第一模層的第一存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)和穿透外圍區(qū)中的第一模層的第一接觸；在第一模層上形成第二模層；形成穿透第二模層以連接至第一存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的相應(yīng)存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的第二存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)；除去單元區(qū)和外圍區(qū)中的第二模層以及單元區(qū)中的第一模層，以留下外圍區(qū)中的第一模層；以及形成穿透第一層間絕緣層以連接至第一接觸的第二接觸。另一實(shí)施例中，半導(dǎo)體裝置的制造方法包括在具有單元區(qū)和外圍區(qū)的半導(dǎo)體襯底上形成第一模層；形成穿透單元區(qū)中的第一模層的第一存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)、穿透外圍區(qū)中的第一模層的第一接觸以及穿透單元區(qū)和外圍區(qū)之間的第一模層以使單元區(qū)中的第一模層與外圍區(qū)中的第一模層分離的第一阻障壁；在第一模層上形成第二模層；形成穿透第二模層以連接至第一存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的相應(yīng)存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的第二存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)、穿透第二模層以連接至第一接觸的第二接觸以及穿透第一模層以使單元區(qū)中的第二模層與外圍區(qū)中的第二模層分離的第二阻障壁；選擇性除去單元區(qū)中的第一模層和第二模層，以露出第一存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)和第二存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的外側(cè)壁；順序形成介電層和板節(jié)點(diǎn)，以覆蓋第一存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)和第二存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)；形成第一層間絕緣層，以覆蓋外圍區(qū)中保留的第二模層和板節(jié)點(diǎn)；以及形成穿透第一層間絕緣層以連接至第二接觸的第三接觸。該方法還可包括在第一模層和半導(dǎo)體襯底之間形成第二層間絕緣層；在單元區(qū)中的第二層間絕緣層中形成位線；形成穿透第二層間絕緣層以把第一存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)連接至半導(dǎo)體襯底的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸；以及形成穿透外圍區(qū)中的第二層間絕緣層以連接至第一接觸的第四接觸。第一阻障壁、第一存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)和第一接觸可同時(shí)由相同材料形成，以及第二阻障壁、第二存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)和第二接觸可同時(shí)由相同材料形成。 形成第一阻障壁、第一存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)和第一接觸可包括形成穿透單元區(qū)中的第一模層的第一通孔、穿透外圍區(qū)中的第一模層的第一接觸孔以及穿透單元區(qū)和外圍區(qū)之間的第一模層以圍繞單元區(qū)中的第一模層的第一溝槽；形成第一導(dǎo)電層，以填充第一通孔、第一接觸孔和第一溝槽；以及平坦化第一導(dǎo)電層，以露出第一模層。該方法還可包括在形成第二模層之前，形成覆蓋第一阻障壁、外圍區(qū)中的第一接觸和第一模層且露出單元區(qū)中的第一存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)和第一模層的阻障層(blocking layer)。形成阻障層可包括在第一模層上形成氮化硅層；以及采用蝕刻工藝來選擇性除去單元區(qū)中的氮化硅層。形成第二阻障壁、第二存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)和第二接觸可包括形成穿透第二模層以露出第一存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的第二通孔、穿透第二模層以露出第一接觸上的阻障層的第二接觸孔以及穿透第二模層以露出第一阻障壁上的阻障層的第二溝槽；除去露出的阻障層，以露出第一接觸和第一阻障壁；形成第二導(dǎo)電層，以填充露出第一存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的第二通孔、露出第一接觸的第二接觸孔和露出第一阻障壁的第二溝槽；以及平坦化第二導(dǎo)電層，以露出第二模層。該方法還可包括在第二模層上形成浮置支持層，以支持第二存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)。浮置支持層可由氮化硅層形成。該方法還可包括在浮置支持層上形成帽層。帽層可由氧化硅層形成。形成第二存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)可包括形成穿透帽層、浮置支持層和第二模層以露出第一存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的第二通孔，穿透帽層、浮置支持層和第二模層以露出第一接觸的第二接觸孔，以及穿透帽層、浮置支持層和第二模層以露出第一阻障壁的第二溝槽；形成第二導(dǎo)電層，以填充第二通孔、第二接觸孔和第二溝槽；平坦化第二導(dǎo)電層，以露出帽層并形成第二存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)、第二接觸和第二阻障壁；以及構(gòu)圖帽層和浮置支持層，以形成露出單元區(qū)中的第二模層的部分的開口。選擇性除去單元區(qū)中的第一和第二模層可包括經(jīng)由開口供給包括氫氟酸的濕法蝕刻劑至第二模層，且外圍區(qū)中的浮置支持層以及第一和第二阻障壁可防止?jié)穹ㄎg刻劑被供給到外圍區(qū)中的第一模層和第二模層。又一實(shí)施例中，半導(dǎo)體裝置包括具有單元區(qū)和外圍區(qū)的半導(dǎo)體襯底；設(shè)置在單元區(qū)中的半導(dǎo)體襯底上的第一存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)和堆疊在第一存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的相應(yīng)存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)上的第二存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)；順序堆疊以覆蓋第一和第二存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的介電層和板節(jié)點(diǎn)；外圍區(qū)中的半導(dǎo)體襯底上的第一層間絕緣層；穿透第一層間絕緣層以具有與第一存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)相同的高度的第一接觸；設(shè)置在單元區(qū)和外圍區(qū)之間的界面區(qū)中的半導(dǎo)體襯底上以具有與第一存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)相同的高度且把第一層間絕緣層分離的阻障壁；第一層間絕緣層上的阻障層；覆蓋板節(jié)點(diǎn)且延伸至阻障層上的第 二層間絕緣層；以及穿透第二層間絕緣層和阻障層以連接至第一接觸的第~■接觸。再一實(shí)施例中，半導(dǎo)體裝置包括設(shè)置在單元區(qū)中的第一存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)和堆疊在第一存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的相應(yīng)存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)上的第二存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)；穿透第一層間絕緣層以具有與第一存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)相同的高度的第一接觸；設(shè)置在單元區(qū)和外圍區(qū)之間的界面區(qū)中的半導(dǎo)體襯底上以具有與第一存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)相同的高度且使得第一層間絕緣層分離的第一阻障壁；堆疊在第一層間絕緣層上的第二層間絕緣層；穿透第二層間絕緣層以具有與第二存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)相同的高度且連接至第一接觸的第二接觸；堆疊在第一阻障壁上以具有與第二存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)相同的高度且使第二層間絕緣層分離的第二阻障壁；覆蓋第二層間絕緣層的浮置支持層，所述浮置支持層延伸為接觸第二阻障壁的側(cè)壁且接觸第二存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的外側(cè)壁；覆蓋板節(jié)點(diǎn)且延伸到阻障壁和浮置支持層上的第三層間絕緣層；以及穿透第三層間絕緣層以連接至第二接觸的第三接觸。第一和第二阻障壁的每個(gè)可包括鈦(Ti)層、鉭(Ta)層、鎢(W)層、釕(Ru)層或其化合物材料。半導(dǎo)體裝置還可包括設(shè)置在第一層間絕緣層和第二層間絕緣層之間的阻障層。阻障層可延伸為覆蓋第一阻障壁且可使得第一層間絕緣層分離。


通過下面結(jié)合附圖的詳細(xì)說明，將更清楚地理解上述和其它的方面、特征和其它優(yōu)點(diǎn)，附圖中圖I至13是示出根據(jù)第一實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置及其制造方法的圖；圖14至18是示出根據(jù)第二實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置及其制造方法的橫截面圖；以及圖19是示出根據(jù)第三實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置及其制造方法的橫截面圖。
具體實(shí)施例方式實(shí)施例將提供獲得具有大電容的高性能電容器的方法。響應(yīng)于半導(dǎo)體裝置的設(shè)計(jì)規(guī)則的減小，可以通過在襯底的有限平面面積中形成具有增加的高度的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)來實(shí)現(xiàn)所述方法。根據(jù)發(fā)明概念，方法可以包括形成順序堆疊的至少兩個(gè)存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)，每個(gè)堆疊的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)可以如下形成在襯底上沉積模層；形成穿透模層的通孔；以及在通孔中形成存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)。如此，可以增加堆疊的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的總高度。即，如果單個(gè)存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的高度降低且堆疊的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的數(shù)量增加，則堆疊的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的總高度可以增加，而沒有通孔的任何開口失敗。核心區(qū)或外圍電路區(qū)中的金屬接觸也可以形成為堆疊的形式，類似于存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)。即，用金屬接觸填充的每一金屬接觸孔可以形成為具有低的深寬比，而不降低堆疊的金屬接觸的總高度。從而，所有的金屬接觸孔可以成功地形成，而沒有任何開口失敗，并且金屬接觸與下面的導(dǎo)電圖案之間的錯(cuò)位可以防止。另外，由于所有的金屬接觸孔具有低的深寬t匕，所以金屬接觸孔可以用諸如金屬層的導(dǎo)電層填充，而其中沒有任何孔洞。
圖1、2和4至13是示出根據(jù)第一實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置及其制造方法的橫截面圖，以及圖3是示出根據(jù)第一實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置及其制造方法的平面圖。參照?qǐng)D1，場(chǎng)層(field layer) 120可形成在諸如硅晶片的襯底100中，以限定有源區(qū)。形成場(chǎng)層120可包括使用淺溝槽隔離(STI)技術(shù)在襯底100中形成隔離溝槽110，在隔離溝槽110的內(nèi)表面上順序形成襯里111、壁氧化物層、氮化硅層(SiN)和氧化硅層(SiO)，以及形成填充隔離溝槽110的氧化硅層。在DRAM裝置中，構(gòu)成多個(gè)存儲(chǔ)單元的單元晶體管可形成在單元區(qū)的襯底100中和/或上，而構(gòu)成外圍電路的外圍晶體管(例如讀出放大器(sense amplifier)) 和互連可形成在外圍區(qū)的襯底100中和/或上。外圍區(qū)可包括外圍電路區(qū)和核心區(qū)。每一單元晶體管可以形成為具有掩埋的柵極結(jié)構(gòu)。這是為了增加在有限的平面單元面積中形成的單元晶體管的溝道長(zhǎng)度。即，構(gòu)成掩埋的柵極結(jié)構(gòu)的被掩埋柵極可以如下形成蝕刻有源區(qū)的一部分，以形成穿過有源區(qū)的柵極溝槽，以及在柵極溝槽中形成單元柵極。構(gòu)成外圍晶體管的外圍柵極230可以形成在外圍區(qū)中的有源區(qū)上。外圍柵極230可通過柵極介電層210與有源區(qū)絕緣。即，柵極介電層210可以形成為介于外圍柵極230和外圍區(qū)中的有源區(qū)之間。一個(gè)實(shí)施例中，可在形成單元晶體管之后形成外圍晶體管。外圍柵極230可由雙層膜形成，該雙層膜包括順序堆疊的多晶硅層231和鎢層233。或者，外圍柵極230可由金屬層形成，金屬層例如是氮化鈦(TiN)層或鎢(W)層。柵極間隔物250可形成在外圍柵極230的側(cè)壁上，以及柵極帽層270可形成在外圍柵極230的頂表面上。柵極間隔物250和柵極帽層270可由諸如氮化硅層的絕緣層形成。柵極帽層270和柵極間隔物250可被保護(hù)層330覆蓋。保護(hù)層330可以襯墊的形式共形地形成。保護(hù)層330可由諸如氮化硅層的絕緣層形成。連接塞(landing plug) 290可形成在單元區(qū)中的有源區(qū)上。連接塞290可由諸如多晶硅層的導(dǎo)電層形成。一些連接塞290可用作把有源區(qū)的某些部分連接至位線410的互連接觸。此外，一些連接塞290可用作把有源區(qū)的某些部分連接至存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸610的互連接觸。即，位線410可經(jīng)由一些連接塞290電連接至單元晶體管的漏極區(qū)，以及存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸610可經(jīng)由一些連接塞290電連接至單元晶體管的源極區(qū)。第一層間絕緣層350可形成在包括連接塞290和外圍柵極230的襯底上。第一層間絕緣層350可形成為包括諸如氧化硅層的絕緣層。可使用鑲嵌工藝在第一層間絕緣層350中形成前述位線410。位線410可形成為電連接至一些連接塞290。例如，形成位線410可包括構(gòu)圖第一層間絕緣層350以形成露出一些連接塞290的鑲嵌溝槽，在包括鑲嵌溝槽的襯底上形成用作阻擋金屬層的氮化鈦層，在阻擋金屬層上形成鎢層，以及回蝕刻鎢層和鎢層。位線間隔物(未示出)可另外形成在位線410的側(cè)壁上。位線間隔物可形成為用于使得位線410與橫向鄰近位線410的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸610電絕緣。位線帽層430可形成在位線410的相應(yīng)位線上。位線帽層430可由諸如氮化硅層的絕緣層形成?？山又褂米詫?duì)準(zhǔn)接觸工藝在單元區(qū)的第一層間絕緣層350中形成前述存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸610。存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸610可形成為電連接至一些連接塞290。第一金屬接觸510可形成在包括位線410和存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸610的襯底上。形成第一金屬接觸510可包括形成露出外圍柵極230的接觸孔，在包括接觸孔的襯底上順序形成阻擋金屬層和金屬層，以及回蝕刻或構(gòu)圖金屬層和阻擋金屬層以留下接觸孔中的一部分金屬層。當(dāng)形成第一金屬接觸510時(shí)，還可在外圍區(qū)的第一層間絕緣層350上形成互連線(未示出)。互連線可構(gòu)成諸如讀出放大器的外圍電路。參考圖2，蝕刻停止層710可形成在第一層間絕緣層350、第一金屬接觸510、存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸610和位線帽層430上。蝕刻停止層710可由具有相對(duì)于氧化硅層的蝕刻選擇性的絕緣層形成。例如，蝕刻停止層710可由氮化硅層形成。蝕刻停止層710可防止第一層間絕緣層350在形成存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的后續(xù)蝕刻工藝期間受損，且可提供蝕刻工藝的終止點(diǎn)。蝕刻停止層710可形成為約200埃(A )至約1000埃(A )的厚度。第一模層720可形成在蝕刻停止層710上。第一模層720可用于限定存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的形狀。蝕刻停止層710可提供用于構(gòu)圖第一模層720的蝕刻工藝的終止點(diǎn)。第一模層720可被構(gòu)圖，以形成露出存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸610的相應(yīng)存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸的第一通孔721。第一通孔721可形成為限定存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的形狀?？赏ㄟ^順序堆疊具有不同蝕刻速率的多個(gè)絕緣層來形成第一模層720。這是為了即使在第一模層720的厚度增加的情況下也防止第一通孔721不開口。例如，可通過順序堆疊具有較高蝕刻速率的磷硅酸鹽玻璃 (PSG)層和具有較低蝕刻速率的等離子體增強(qiáng)的四乙基原硅酸鹽(PE-TEOS)層來形成第一模層720?；蛘撸谝荒?20可由諸如PSG層或PE-TEOS層的單層膜形成?？煽紤]每一個(gè)第一通孔721的深寬比和尺寸以及在形成第一通孔721中采用的蝕刻工藝來確定第一模層720的厚度。在一個(gè)實(shí)施例中，第一模層720可形成為約10000埃(A)至約14000埃(A )的厚度。每一個(gè)第一通孔721可穿透第一模層720和蝕刻停止層710，以露出存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸610中的一個(gè)。形成第一通孔721可包括使用光刻工藝或蝕刻工藝在第一模層720上形成諸如硬掩模的蝕刻掩模(未示出)或光刻膠圖案，以及干蝕刻由蝕刻掩模露出的第一模層720。在形成第一通孔721的同時(shí)，還可形成穿透第一模層720和蝕刻停止層710的第二接觸孔725，以露出外圍區(qū)中的第一金屬接觸510。此外，如圖2和3所示，在形成第一通孔721的同時(shí)，可形成穿透第一模層720和蝕刻停止層710的第一溝槽723，以使單元區(qū)中的第一模層720與外圍區(qū)中的第一模層720分離。即，當(dāng)從平面圖觀看時(shí)，第一溝槽723可形成為圍繞單元區(qū)中的第一模層720。參考圖4，第一導(dǎo)電層可被沉積，以填充第一通孔721、第二接觸孔725和第一溝槽723。第一導(dǎo)電層可隨后被平坦化，以形成第一通孔721的相應(yīng)通孔中的第一存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)631、第二接觸孔725中的第二金屬接觸635和第一溝槽723中的第一阻障壁633。可采用回蝕刻工藝或化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)工藝來執(zhí)行平坦化工藝。可通過沉積導(dǎo)電層來形成第一導(dǎo)電層，該導(dǎo)電層例如是鈦(Ti)層、鉭(Ta)層、鎢(W)層、釕(Ru)層或者其化合物材料(例如氮化鈦(TiN)層)。參考圖5，阻障層730可形成為覆蓋外圍區(qū)中的第二金屬接觸635和第一模層720。即，阻障層730可形成為露出單元區(qū)中的第一模層720和第一存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)631。阻障層730可由絕緣層形成，該絕緣層具有相對(duì)于氧化硅層的蝕刻選擇性，以保護(hù)外圍區(qū)中的第一模層720。例如，阻障層730可由氮化硅層形成。單元區(qū)中的阻障層730可使用光刻工藝和蝕刻工藝被除去。阻障層730可形成為與第一阻障壁633重疊。阻障層730和第一阻障壁633可使單元區(qū)中的第一模層720與外圍區(qū)中的第一模層720完全分離。
參考圖6，第二模層750可形成為覆蓋單元區(qū)中的第一模層720和外圍區(qū)中的阻障層730。第二模層750可采用與第一模層720基本上類似的方式來形成，即，可通過順序堆疊具有不同蝕刻速率的多個(gè)絕緣層來形成第二模層750。這是為了即使在第二模層750的厚度增加的情況下防止在后續(xù)工藝中形成為穿透第二模層750的第二通孔751 (見圖7)不開口。例如，可通過順序堆疊具有較高蝕刻速率的磷硅酸鹽玻璃(PSG)層和具有較低蝕刻速率的等離子體增強(qiáng)的四乙基原硅酸鹽(PE-TEOS)層來形成第二模層750?；蛘?，第二模層750可由諸如PSG層或PE-TEOS層的單層膜形成?？煽紤]每個(gè)第二通孔的深寬比和尺寸以及在第二通孔的形成中使用的蝕刻工藝來確定第二模層750的厚度。一個(gè)實(shí)施例中，第二模層750可形成為約10000埃(A )至約14000埃(A )的厚度。浮置支持層770可形成在第二模層750上。浮置支持層770可形成用于防止在后續(xù)工藝中形成的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)發(fā)生傾斜。浮置支持層770可形成為包括具有相對(duì)于第二模層750的蝕刻選擇性的絕緣層。例如，浮置支持層770可形成為包括氮化硅(Si3N4)層。帽層 780可形成在浮置支持層770上。帽層780可形成用于在后續(xù)蝕刻工藝期間保護(hù)浮置支持層770。帽層780可形成為包括氧化硅(SiO2)層。參考圖7，帽層780、浮置支持層770和第二模層750可被構(gòu)圖，以形成露出第一存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)631的相應(yīng)存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的第二通孔751?？墒褂眠x擇性蝕刻工藝來形成第二通孔751。參考圖8，可沉積第二導(dǎo)電層以填充第二通孔751，以及可平坦化第二導(dǎo)電層，以在第二通孔751的相應(yīng)通孔中形成第二存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)651。應(yīng)用于第二導(dǎo)電層的平坦化工藝可使第二存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)651彼此分離。可使用回蝕刻工藝或化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)工藝來執(zhí)行平坦化工藝?？赏ㄟ^沉積鈦(Ti)層、鉭(Ta)層、鎢(W)層、釕(Ru)層或其化合物材料(例如，氮化鈦(TiN)層)來形成第二導(dǎo)電層。第二存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)651可堆疊在第一存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)631的相應(yīng)存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)上。第一存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)631和第二存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)651可構(gòu)成多個(gè)存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)600。S卩，每個(gè)存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)600可包括順序堆疊的一個(gè)第一存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)631和一個(gè)第二存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)651。換句話，每個(gè)存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)600可形成為具有柱狀。因此，存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)600可形成為具有等于第一或第二模層720或750的厚度的至少兩倍的高度。每個(gè)存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)600可劃分成第一和第二存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)631和651。即，每個(gè)存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)600可形成為具有疊層結(jié)構(gòu)。因此，如果增加堆疊的模層的數(shù)量，則即使不增加每個(gè)堆疊的模層的厚度，也可增加存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)600的總高度。結(jié)果是，也可在沒有通孔721和751的開口失敗的情況下增加存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)600的高度。圓柱形存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)已廣泛地用于增加在有限的面積中的電容和高度。然而，當(dāng)存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)形成為具有圓柱形時(shí)，可能由于懸置而難以增加圓柱形存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的高度。與之相比較，根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)600可形成為具有柱狀。因此，或許不存在增加存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)600的高度的限制。參考圖9，可構(gòu)圖帽層780和浮置支持層770，以形成露出第二模層750的部分的開口 772。開口 772可形成在單元區(qū)中，以及在形成開口 772的同時(shí)可除去外圍區(qū)中的帽層780和浮置支持層770。開口 772可用作在除去單元區(qū)中的第一和第二模層720和750以露出存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)600的側(cè)壁的后續(xù)蝕刻工藝期間供給的蝕刻劑的入口。參考圖10，可使用濕蝕刻工藝來除去單元區(qū)中的第二模層750和第一模層720。在除去單元區(qū)中的第一和第二模層720和750的同時(shí)還可除去外圍區(qū)中的第二模層750?？墒褂脻穹ㄎg刻劑來執(zhí)行用于除去第二模層750和第一模層720的濕蝕刻工藝，濕法蝕刻劑例如是緩沖氧化物蝕刻劑(BOE)或稀釋的氟化氫(HF)溶液。濕法蝕刻劑可經(jīng)由開口 772導(dǎo)入，以除去單元區(qū)中的第二模層750和第一模層720。S卩，開口 772可用作在除去單元區(qū)中的第一和第二模層720和750的濕蝕刻工藝期間供給的濕法蝕刻劑的入口。此外，開口772可用作在后續(xù)工藝中形成介 電層和板節(jié)點(diǎn)時(shí)供給的原材料的入口。作為除去單元區(qū)中的第一和第二模層720和750的結(jié)果，可露出存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)600的外側(cè)壁。外圍區(qū)中的第一模層720通過阻障層730和第一阻障壁633被圍繞和隔離。于是，即使執(zhí)行用于除去單元區(qū)中的第一和第二模層720和750的濕蝕刻工藝，外圍區(qū)中的第一模層720仍可保留而沒有任何蝕刻損傷。外圍區(qū)中的第一模層720可用作使第二金屬接觸635電絕緣的第二層間絕緣層720a。參考圖11，可經(jīng)由開口 772供給沉積原材料，以形成存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)600的外側(cè)壁上的介電層810和介電層810上的板節(jié)點(diǎn)830。接著可除去外圍區(qū)中形成的板節(jié)點(diǎn)830。這樣，單元電容器可形成為包括柱狀存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)600并具有伴隨高存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)600的增大的電容?？赏ㄟ^沉積諸如氧化錯(cuò)(ZrO2)材料的高k介電材料來形成介電層810,以及板節(jié)點(diǎn)830可由貴金屬層(例如釕層)、摻雜的多晶硅層或其組合來形成。接下來，可在包括板節(jié)點(diǎn)830的襯底上形成第三層間絕緣層790。第三層間絕緣層790可由氧化硅層形成。第三層間絕緣層790可延伸為覆蓋外圍區(qū)中的阻障層730。參考圖12，第三層間絕緣層790和阻障層730可被構(gòu)圖，以形成露出第二金屬接觸635的第二接觸孔791?？墒褂梦g刻工藝形成第二接觸孔791。參考圖13，可形成諸如金屬層(例如鎢層)的導(dǎo)電層，以填充第二接觸孔791，以及可平坦化導(dǎo)電層，以在第二接觸孔791中形成第三金屬接觸639。于是，第三金屬接觸639可堆疊在第二金屬接觸635上。第二和第三金屬接觸635和639可構(gòu)成金屬接觸630。即使存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)600的高度增加，金屬接觸630可形成為具有包括多個(gè)堆疊的接觸的疊層結(jié)構(gòu)。于是，穿透層間絕緣層720a和790的接觸孔725和791的每一個(gè)可形成為具有較低的深寬比。據(jù)此，接觸孔725和791可形成為沒有任何開口失敗。進(jìn)一步，由于穿透層間絕緣層720a和790的接觸孔725和791可形成為具有較低深寬比，因此可改善接觸孔725和791的對(duì)準(zhǔn)裕度。根據(jù)上述的實(shí)施例，可以降低每個(gè)堆疊的接觸孔的高度(或深度)，以解決開口失敗和接觸孔的錯(cuò)位。因此，每個(gè)接觸孔可由導(dǎo)電層完全地填充，或者導(dǎo)電層可以均勻的厚度共形地形成在接觸孔中，以改善導(dǎo)電層的階梯覆蓋。圖14至18是示出根據(jù)第二實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置及其制造方法的橫截面圖。參考圖14，以基本上如同參考圖4所述的方式，可形成第一存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)631、第二金屬接觸635和第一阻障壁633，以分別填充第一通孔721、第二接觸孔725和第一溝槽723。隨后，按照基本上與參考圖7和8所述相同的方式，可形成第二模層750、浮置支持層770、帽層780和第二通孔751。在形成第二通孔751的同時(shí)，還可構(gòu)圖外圍區(qū)中的第二模層750、浮置支持層770和帽層780，以形成露出第二金屬接觸635的第三接觸孔755和露出第一阻障壁633的第二溝槽753。參考圖15，按照基本上與參考圖8所述相同的方式，可形成填充第二通孔751的第二存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)651。在形成第二存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)651的同時(shí)，還可形成第二阻障壁653和第四金屬接觸655，以分別填充第二溝槽753和第三接觸孔755。第一存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)631和第二存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)651 (其中第二存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)651可堆疊在第一存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)631上)可構(gòu)成多個(gè)存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)600。SP，每個(gè)存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)600可包括順序堆疊的一個(gè)第一存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)631和一個(gè)第二存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)651。參考圖16，按照與參考圖9所述的基本相同的方式，可構(gòu)圖浮置支持層770和帽層780，以形成露出第二模層750的部分的開口 772。開口 772可形成在單元區(qū)中，以及在形成開口 772的同時(shí)可保留外圍區(qū)中的帽層780和浮置支持層770。開口 772可用作在除去單元區(qū)中的第一和第二模層720和750以露出存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)600的側(cè)壁的后續(xù)蝕刻工藝期間供給的蝕刻劑的入口。參考圖17，按照與參考圖10所述的基本上相同的方式，可使用濕蝕刻工藝來除去單元區(qū)中的第二模層750和第一模層720。第一和第二阻障壁633和653可使得單元區(qū)中的第一和第二模層720和750與外圍區(qū)中的第一和第二模層720和750隔離。此外，外圍區(qū)中的浮置支持層770可覆蓋外圍區(qū)中的第二模層750和第二阻障壁653。于是，在執(zhí)行濕蝕刻工藝以除去單兀區(qū)中的第二模層750和第一模層720時(shí),外圍區(qū)中的第一和第二模層720和750仍可保留，以分別用作第二和第三層間絕緣層720a和750a。
參考圖18，按照與參考圖11所述的基本上相同的方式，可經(jīng)由開口 772供給沉積原材料，以形成存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)600的外側(cè)壁上的介電層810和介電層810上的板節(jié)點(diǎn)830。接著，可在包括板節(jié)點(diǎn)830的襯底上形成第五層間絕緣層793。第五層間絕緣層793可由氧化硅層形成。第五層間絕緣層793可延伸為覆蓋外圍區(qū)中的第四金屬接觸655和第二阻障壁653并使其絕緣。第五層間絕緣層793可被構(gòu)圖，以形成露出第四金屬接觸655的接觸孔，以及可形成第五金屬接觸656 (見圖19)，以填充接觸孔。第二、第四和第五金屬接觸633、655和656可構(gòu)成金屬接觸。根據(jù)本實(shí)施例，堆疊的金屬接觸的數(shù)量相比于第一實(shí)施例而言被增加。于是，可以降低堆疊的每一金屬接觸的高度，而不增加堆疊的金屬接觸的總高度。結(jié)果是，可防止諸如接觸孔的開口失敗的和/或在堆疊的金屬接觸之間的錯(cuò)位的工藝失敗。圖19是示出根據(jù)第三實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置及其制造方法的橫截面圖。參考圖19，阻障層730可被提供在參考圖14至18描述的第二和第四層間絕緣層720a和750a之間。這種情況下，即使第一和第二阻障壁633和653彼此錯(cuò)位，阻障層730也可防止用于除去單元區(qū)中的第一和第二模層720和750 (對(duì)應(yīng)于第二和第四層間絕緣層720a和750a)的濕法蝕刻劑被供給到外圍區(qū)中的第二和第四層間絕緣層720a和750a。阻障層730可由氮化硅層形成，如參考圖5所述。阻障層730可延伸為覆蓋第一阻障壁633的頂部。于是，由于阻障層730的存在，外圍區(qū)中的第二層間絕緣層720a可更完全地被隔離。此外，阻障層可延伸為與第二阻障壁653的下部重疊。于是，由于阻障層730的存在，外圍區(qū)中的第四層間絕緣層750a可更完全地被隔離。據(jù)此，甚至在除去單元區(qū)中的第一和第二模層720和750以露出存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)600的外側(cè)壁的同時(shí)，外圍區(qū)中的第二和第四層間絕緣層720a和750a仍可保留，以用作外圍區(qū)的層間絕緣層。根據(jù)上述實(shí)施例，可通過重復(fù)地堆疊多個(gè)模層和穿透模層的相應(yīng)模層的多個(gè)存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)來形成電容器的疊層存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)。于是，當(dāng)減小每個(gè)模層的厚度和增加堆疊的模層的數(shù)量時(shí)，即使在不增大穿透每個(gè)模層的通孔的深寬比的情況下，也可增加堆疊的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的總高度。據(jù)此，可增大堆疊的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的總表面面積，以獲得大電容而沒有通孔的任何開口失敗。此外，還可通過重復(fù)地堆疊多個(gè)模層和穿透模層的相應(yīng)模層的多個(gè)金屬接觸來形成與堆疊的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)相鄰的金屬接觸。于是，當(dāng)減小每個(gè)模層的厚度和增加堆疊的模層的數(shù)量時(shí)，即使不增加穿透每個(gè)模層的接觸孔的深寬比，也可增加堆疊的金屬接觸的總高度。據(jù)此，可防止諸如接觸孔的開口失敗和/或在堆疊的金屬接觸之間的錯(cuò)位的工藝失敗。為了說明的目的，以上已經(jīng)公開了發(fā)明概念的實(shí)施例。本領(lǐng)域技術(shù)人員會(huì)理解，可以進(jìn)行各種修改、增加和替換，而不背離如所述權(quán)利要求中公開的發(fā)明概念的范圍和精神。本申請(qǐng)要求于2011年2 月15日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2011-0013457號(hào)韓國(guó)申請(qǐng)的權(quán)益，通過引用將其全文整體并入本文中。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，該方法包括 在單元區(qū)和外圍區(qū)中形成第一模層； 形成穿透所述單元區(qū)中的第一模層的第一存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)和穿透所述外圍區(qū)中的第一模層的第一接觸； 在所述第一模層上形成第二模層； 形成穿透所述第二模層以連接至所述第一存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的相應(yīng)存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的第二存儲(chǔ)節(jié)占. 除去所述單元區(qū)和所述外圍區(qū)中的第二模層以及所述單元區(qū)中的第一模層，以留下所述外圍區(qū)中的第一模層；以及 形成穿透第一層間絕緣層以連接至所述第一接觸的第二接觸。
2.如權(quán)利要求I的方法，還包括 在所述第一模層和半導(dǎo)體襯底之間形成第二層間絕緣層； 在所述單元區(qū)中的所述第二層間絕緣層中形成位線； 形成穿透所述第二層間絕緣層以把所述第一存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)連接至所述半導(dǎo)體襯底的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸；以及 形成穿透所述外圍區(qū)中的第二層間絕緣層以連接至所述第一接觸的第三接觸。
3.如權(quán)利要求2的方法，還包括在所述第一模層和所述第二層間絕緣層之間形成蝕刻停止層。
4.如權(quán)利要求I的方法，還包括形成穿透所述單元區(qū)和所述外圍區(qū)之間的第一模層以使所述單元區(qū)中的第一模層與所述外圍區(qū)中的第一模層分離的阻障壁。
5.如權(quán)利要求4的方法，其中所述阻障壁、所述第一存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)和所述第一接觸同時(shí)地由相同材料形成。
6.如權(quán)利要求4的方法，其中形成所述阻障壁、所述第一存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)和所述第一接觸包括 形成穿透所述單元區(qū)中的第一模層的第一通孔、穿透所述外圍區(qū)中的第一模層的第一接觸孔和穿透在所述單元區(qū)和所述外圍區(qū)之間的第一模層以圍繞所述單元區(qū)中的第一模層的第一溝槽； 形成第一導(dǎo)電層，以填充所述第一通孔、所述第一接觸孔和所述第一溝槽；以及 平坦化所述第一導(dǎo)電層，以露出所述第一模層。
7.如權(quán)利要求6的方法，其中所述第一導(dǎo)電層被形成為包括鈦(Ti)層、鉭(Ta)層、鎢(W)層、釕(Ru)層或其化合物材料。
8.如權(quán)利要求6的方法，其中采用回蝕刻工藝或者化學(xué)機(jī)械拋光工藝來執(zhí)行平坦化所述第一導(dǎo)電層。
9.如權(quán)利要求I的方法，還包括在形成所述第二模層之前，形成覆蓋所述外圍區(qū)中的第一模層和第一接觸且露出所述單元區(qū)中的第一模層和第一存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的阻障層。
10.如權(quán)利要求9的方法，其中形成所述阻障層包括 在所述第一模層上形成氮化硅層；以及 采用蝕刻工藝來選擇性除去所述單元區(qū)中的氮化硅層。
11.如權(quán)利要求I的方法，還包括在所述第二模層上形成浮置支持層以支持所述第二存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)。
12.如權(quán)利要求11的方法，其中所述浮置支持層由氮化硅層形成，該方法還包括在所述浮置支持層上形成帽層， 其中所述帽層由氧化硅層形成。
13.如權(quán)利要求12的方法，其中形成所述第二存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)包括 形成穿透所述帽層、所述浮置支持層和所述第二模層的第二通孔，以露出所述第一存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)； 形成第二導(dǎo)電層，以填充所述第二通孔； 平坦化所述第二導(dǎo)電層，以露出所述帽層并形成所述第二存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)；以及構(gòu)圖所述帽層和所述浮置支持層，以形成露出所述單元區(qū)中的所述第二模層的部分的開口。
14.如權(quán)利要求13的方法，其中除去所述單元區(qū)和所述外圍區(qū)中的第二模層以及所述單元區(qū)中的第一模層包括經(jīng)由所述開口供給包括氫氟酸的濕法蝕刻劑至所述第二模層。
15.如權(quán)利要求I的方法，其中形成所述第二接觸包括 形成穿透所述第二層間絕緣層的第二接觸孔，以露出所述第一接觸；以及 形成第三導(dǎo)電層，以填充所述第二接觸孔。
16.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，該方法包括 在具有單元區(qū)和外圍區(qū)的半導(dǎo)體襯底上形成第一模層； 形成穿透所述單元區(qū)中的第一模層的第一存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)、穿透所述外圍區(qū)中的第一模層的第一接觸以及穿透所述單元區(qū)和所述外圍區(qū)之間的第一模層以使所述單元區(qū)中的第一模層與所述外圍區(qū)中的第一模層分離的第一阻障壁； 在所述第一模層上形成第二模層； 形成穿透所述第二模層以連接至所述第一存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的相應(yīng)存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的第二存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)、穿透所述第二模層以連接至所述第一接觸的第二接觸以及使所述單元區(qū)中的第二模層與所述外圍區(qū)中的第二模層分離的第二阻障壁； 選擇性除去所述單元區(qū)中的第一模層和第二模層，以露出所述第一存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)和所述第二存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的外側(cè)壁； 順序形成介電層和板節(jié)點(diǎn)，以覆蓋所述第一存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)和所述第二存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)； 形成第一層間絕緣層，以覆蓋所述外圍區(qū)中保留的第二模層和所述板節(jié)點(diǎn)；以及 形成穿透所述第一層間絕緣層以連接至所述第二接觸的第三接觸。
17.如權(quán)利要求16的方法，還包括 在所述第一模層和所述半導(dǎo)體襯底之間形成第二層間絕緣層； 在所述單元區(qū)中的第二層間絕緣層中形成位線； 形成穿透所述第二層間絕緣層以把所述第一存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)連接至所述半導(dǎo)體襯底的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸；以及 形成穿透所述外圍區(qū)中的第二層間絕緣層以連接至所述第一接觸的第四接觸。
18.如權(quán)利要求16的方法， 其中所述第一阻障壁、所述第一存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)和所述第一接觸同時(shí)由相同材料形成，以及 其中所述第二阻障壁、所述第二存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)和所述第二接觸同時(shí)由相同材料形成。
19.如權(quán)利要求16的方法，其中形成所述第一阻障壁、所述第一存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)和所述第一接觸包括 形成穿透所述單元區(qū)中的第一模層的第一通孔、穿透所述外圍區(qū)中的第一模層的第一接觸孔以及穿透所述單元區(qū)和所述外圍區(qū)之間的第一模層以圍繞所述單元區(qū)中的第一模層的第一溝槽； 形成第一導(dǎo)電層，以填充所述第一通孔、所述第一接觸孔和所述第一溝槽；以及 平坦化所述第一導(dǎo)電層，以露出所述第一模層。
20.如權(quán)利要求16的方法，還包括在形成所述第二模層之前，形成覆蓋所述第一阻障壁、所述外圍區(qū)中的第一接觸和第一模層且露出所述單元區(qū)中的第一存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)和第一模層的阻障層。
21.如權(quán)利要求20的方法，其中形成所述阻障層包括 在所述第一模層上形成氮化硅層；以及 采用蝕刻工藝來選擇性除去所述單元區(qū)中的氮化硅層。
22.如權(quán)利要求20的方法，其中形成所述第二阻障壁、所述第二存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)和所述第二接觸包括 形成穿透所述第二模層以露出所述第一存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的第二通孔、穿透所述第二模層以露出所述第一接觸上的阻障層的第二接觸孔以及穿透所述第二模層以露出所述第一阻障壁上的阻障層的第二溝槽； 除去露出的阻障層，以露出所述第一接觸和所述第一阻障壁； 形成第二導(dǎo)電層，以填充露出所述第一存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的第二通孔、露出所述第一接觸的第二接觸孔和露出所述第一阻障壁的第二溝槽；以及平坦化所述第二導(dǎo)電層，以露出所述第二模層。
23.如權(quán)利要求16的方法，還包括在所述第二模層上形成浮置支持層，以支持所述第二存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)。
24.如權(quán)利要求23的方法，其中所述浮置支持層由氮化硅層形成，該方法還包括在所述浮置支持層上形成帽層， 其中所述帽層由氧化硅層形成。
25.如權(quán)利要求24的方法，其中形成所述第二存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)包括 形成穿透所述帽層、所述浮置支持層和所述第二模層以露出所述第一存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的第二通孔，穿透所述帽層、所述浮置支持層和所述第二模層以露出所述第一接觸的第二接觸孔，以及穿透所述帽層、所述浮置支持層和所述第二模層以露出所述第一阻障壁的第二溝槽；形成第二導(dǎo)電層，以填充所述第二通孔、所述第二接觸孔和所述第二溝槽； 平坦化所述第二導(dǎo)電層，以露出所述帽層并形成所述第二存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)、所述第二接觸和所述第二阻障壁；以及 構(gòu)圖所述帽層和所述浮置支持層，以形成露出所述單元區(qū)中的第二模層的部分的開□。
26.如權(quán)利要求25的方法， 其中選擇性除去所述單元區(qū)中的第一膜層和第二模層包括經(jīng)由所述開口供給包括氫氟酸的濕法蝕刻劑至所述第二模層，以及其中所述外圍區(qū)中的浮置支持層以及所述第一阻障壁和所述第二阻障壁防止所述濕法蝕刻劑被供給到所述外圍區(qū)中的第一模層和第二模層。
27.—種半導(dǎo)體裝置，包括 設(shè)置在單元區(qū)中的第一存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)和堆疊在所述第一存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的相應(yīng)存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)上的第二存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)； 穿透第一層間絕緣層以具有與所述第一存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)相同的高度的第一接觸； 設(shè)置在所述單元區(qū)和所述外圍區(qū)之間的界面區(qū)中以具有與所述第一存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)相同的高度且使得所述第一層間絕緣層分離的阻障壁； 所述第一層間絕緣層上的阻障層； 覆蓋板節(jié)點(diǎn)且延伸至所述阻障層上的第二層間絕緣層；以及 穿透所述第二層間絕緣層和所述阻障層以連接至所述第一接觸的第二接觸。
28.如權(quán)利要求27的半導(dǎo)體裝置，其中所述阻障壁、所述第一存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)和所述第一接觸包括相同的材料層。
29.如權(quán)利要求27的半導(dǎo)體裝置，其中所述阻障壁包括鈦(Ti)層、鉭(Ta)層、鎢(W)層、釕(Ru)層或其化合物材料。
30.如權(quán)利要求27的半導(dǎo)體裝置，其中所述阻障層包括不同于所述第一層間絕緣層和所述第二層間絕緣層的氮化硅層。
31.如權(quán)利要求27的半導(dǎo)體裝置，其中所述阻障層延伸為覆蓋所述阻障壁的上部。
32.如權(quán)利要求27的半導(dǎo)體裝置，還包括設(shè)置在所述第二存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的外側(cè)壁之間以支持所述第二存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的浮置支持層。
33.一種半導(dǎo)體裝置，包括 具有單元區(qū)和外圍區(qū)的半導(dǎo)體襯底； 設(shè)置在所述單元區(qū)中的半導(dǎo)體襯底上的第一存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)和堆疊在所述第一存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的相應(yīng)存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)上的第二存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)； 順序堆疊以覆蓋所述第一存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)和所述第二存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的介電層和板節(jié)點(diǎn)； 所述外圍區(qū)上的第一層間絕緣層； 穿透所述第一層間絕緣層以具有與所述第一存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)相同的高度的第一接觸； 設(shè)置在所述單元區(qū)和所述外圍區(qū)之間的界面區(qū)中以具有與所述第一存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)相同的高度且使得所述第一層間絕緣層分離的第一阻障壁； 堆疊在所述第一層間絕緣層上的第二層間絕緣層； 穿透所述第二層間絕緣層以具有與所述第二存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)相同的高度且連接至所述第一接觸的第二接觸； 堆疊在所述第一阻障壁上以具有與所述第二存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)相同的高度且使所述第二層間絕緣層分離的第二阻障壁； 覆蓋所述第二層間絕緣層的浮置支持層，所述浮置支持層延伸為接觸所述第二阻障壁的側(cè)壁且接觸所述第二存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的外側(cè)壁； 覆蓋板節(jié)點(diǎn)且延伸到所述阻障壁和所述浮置支持層上的第三層間絕緣層；以及 穿透所述第三層間絕緣層以連接至所述第二接觸的第三接觸。
34.如權(quán)利要求33的半導(dǎo)體裝置，其中所述第一阻障壁包括與所述第一存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)和所述第一接觸相同的材料層。
35.如權(quán)利要求33的半導(dǎo)體裝置，其中所述第二阻障壁包括與所述第二存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)和所述第二接觸相同的材料層。
36.如權(quán)利要求35的半導(dǎo)體裝置，其中所述第二阻障壁包括鈦(Ti)層、鉭(Ta)層、鎢(W)層、釕(Ru)層或其化合物材料。
37.如權(quán)利要求33的半導(dǎo)體裝置，其中所述浮置支持層包括不同于所述第一層間絕緣層、所述第二層間絕緣層和所述第三層間絕緣層的氮化硅層。
38.如權(quán)利要求33的半導(dǎo)體裝置，還包括設(shè)置在所述第一層間絕緣層和所述第二層間絕緣層之間的阻障層， 其中所述阻障層延伸為覆蓋所述第一阻障壁且使得所述第一層間絕緣層分離。
39.如權(quán)利要求38的半導(dǎo)體裝置，其中所述阻障層包括不同于所述第一層間絕緣層和所述第二層間絕緣層的氮化硅層。
全文摘要
本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種包括電容器和金屬接觸的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。該方法包括在單元區(qū)和外圍區(qū)上或中形成第一模層，形成穿透單元區(qū)中的第一模層的第一存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)和穿透外圍區(qū)中的第一模層的第一接觸，在第一模層上形成第二模層，形成穿透第二模層以連接至第一存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的相應(yīng)存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的第二存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)，除去單元區(qū)和外圍區(qū)中的第二模層以及單元區(qū)中的第一模層，以留下外圍區(qū)中的第一模層，以及形成穿透第一層間絕緣層以連接至第一接觸的第二接觸。還提供了相關(guān)的裝置。
文檔編號(hào)H01L23/528GK102646638SQ20121003386
公開日2012年8月22日 申請(qǐng)日期2012年2月15日 優(yōu)先權(quán)日2011年2月15日
發(fā)明者金俊基 申請(qǐng)人:海力士半導(dǎo)體有限公司