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技術(shù)編號(hào)：7054887

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本公開的實(shí)施例涉及半導(dǎo)體裝置及其制造方法，更具體地，涉及。背景技術(shù)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取(DRAM)裝置 采用單元電容器(cell capacitor)作為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件。已經(jīng)增加了單元電容器的高度，以便在不使DRAM裝置的集成密度劣化的情況下在有限的單元陣列面積中獲得大的單元電容。已經(jīng)廣泛采用圓柱形的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)來(lái)增加單元電容器的高度。存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)可以形成在穿透模層的通孔中。然而，隨著DRAM裝置的設(shè)計(jì)規(guī)則(designrule)減小,通孔的深寬比(aspect ratio...
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