專利名稱：一種用于半導體介質刻蝕機的氣體分配加熱器的制作方法
技術領域：
本發(fā)明是用于電介質刻蝕機內對等離子工作氣體進行加熱并可通過改變線路中的電流和電壓進行加熱溫度控制的設備，特備涉及一種用于半導體介質刻蝕機的氣體分配加熱器。
背景技術：
電介質刻蝕機是半導體芯片加工的關鍵設備，對于特定的射頻耦合反應離子刻蝕的等離子體源使用SiO、SiN等不同介質材料。等離子工作氣體對加熱器件不但要求在通過加熱器后被均勻地控制在特定的溫度，同時要求加熱器具有低粉塵，耐腐蝕性，工作性能穩(wěn)定可靠等特點。而現(xiàn)有技術中加熱器的防塵、耐腐蝕性都不高，工作穩(wěn)定性差，這給半導體芯片加工帶來極大的不便，降低了生產(chǎn)率，也降低了生產(chǎn)成本。

發(fā)明內容
本發(fā)明的目的是提供通過將加熱元件植入加熱盤體，并在加熱盤體上設計多個均勻分布的等直徑小孔，實現(xiàn)等離子工作氣體均勻通過加熱盤的同時對工作氣體進行加熱到工作溫度的功能的一種一種用于半導體介質刻蝕機的氣體分配加熱器。本發(fā)明的目的是以如下方式實現(xiàn)的:一種用于半導體介質刻蝕機的氣體分配加熱器，包括以下步驟:
A、加工高純度鋁合金制多孔狀加熱盤體:將氣體分配加熱盤靠外圈位置設計兩個用于放置加熱管的溝槽，深度和寬度與加熱管的直徑尺寸相同；在加熱管的出口處設計成斜邊形狀，對加熱管起導向作用并可實現(xiàn)加熱盤與加熱管全程緊密貼合；氣體分配加熱盤上設若干均勻分布的等直徑小孔用于對等離子工作氣體進行分配；氣體分配加熱盤分為底盤和蓋板兩部分，在蓋板上加熱管出口的位置具有腰形開口，并在腰形開口的周邊設有密封區(qū)域；
B、使用具有與氣體分配加熱基體相同的熱漲系數(shù)的鋁制加熱管；
C、加熱管植入氣體分配加熱盤體實現(xiàn)加熱元件與加熱基體融合為:彎制內、外兩根加熱管使其與氣體分配加熱盤上溝槽的形狀相配合；用壓力儀器將內外兩根加熱管嵌入氣體分配加熱盤上的溝槽內；裝配蓋板，并進行焊接操作，使底盤、加熱管和蓋板融合為一體的結構。D、氣體分配加熱器整體采用硬質陽極氧化及特富龍復合處理:對氣體分配加熱器上所有的通氣小孔和工作表面進行特富龍?zhí)幚?；對氣體分配加熱器上所有的通氣小孔和工作表面進行硬質陽極氧化處理。更進一步的說，所述制加熱管內部加熱絲(4-1)的電阻值為10.8Ω-11.2Ω 本發(fā)明的優(yōu)點:本氣體分配加熱器通過加熱管內部的加熱絲產(chǎn)生熱量，并通過熱量的傳導使加熱器整個基體共同發(fā)熱，從面實現(xiàn)對通過的等離子工作氣體加熱的功能；氣體分配加熱器上均勻分布的等直徑小孔實現(xiàn)了對工作氣體的分配功能。具有耐腐蝕性、防塵、提高了工作穩(wěn)定性，降低了生產(chǎn)成本，提高了生產(chǎn)效率。


為了使本發(fā)明的內容更容易被清楚地理解，下面根據(jù)具體實施例并結合附圖，對本發(fā)明作進一步詳細的說明，其中
圖1是本發(fā)明的結構示意 圖2是本發(fā)明的左視圖。
具體實施方式
:
見圖1和圖2，一種用于半導體介質刻蝕機的氣體分配加熱器，包括以下步驟:
A、加工高純度鋁合金制多孔狀加熱盤體:將氣體分配加熱盤靠外圈位置設計兩個用于放置加熱管的溝槽，深度和寬度與加熱管的直徑尺寸相同；在加熱管的出口處設計成斜邊形狀，對加熱管起導向作用并可實現(xiàn)加熱盤與加熱管全程緊密貼合；氣體分配加熱盤上設若干均勻分布的等直徑小孔1-3用于對等離子工作氣體進行分配；氣體分配加熱盤分為底盤I和蓋板2兩部分，在蓋板2上加熱管4出口的位置具有腰形開口，并在腰形開口的周邊設有密封區(qū)域；
B、使用具有與氣體分配加熱基體相同的熱漲系數(shù)的鋁制加熱管4，所述制加熱管內部加熱絲(4-1)的電阻值為10.8Ω-11.2Ω。C、加熱管4植入氣體分配加熱盤體實現(xiàn)加熱元件與加熱基體融合為:彎制內、夕卜兩根加熱管使其與氣體分配加熱盤上溝槽的形狀相配合；用壓力儀器將內外兩根加熱管嵌入氣體分配加熱盤上的溝槽內；裝配蓋板2，并進行焊接操作，使底盤1、加熱管4和蓋板I融合為一體的結構。D、氣體分配加熱器整體采用硬質陽極氧化及特富龍復合處理:對氣體分配加熱器上所有的通氣小孔1-3和工作表面進行特富龍?zhí)幚?；對氣體分配加熱器上所有的通氣小孔和工作表面進行硬質陽極氧化處理。以上所述的具體實施例，對本發(fā)明的目的、技術方案和有益效果進行了進一步詳細說明，所應理解的是，以上所述僅為本發(fā)明的具體實施例而已，并不用于限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內，所做的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內。
權利要求
1.一種用于半導體介質刻蝕機的氣體分配加熱器，包括以下步驟: A、加工高純度鋁合金制多孔狀加熱盤體:將氣體分配加熱盤靠外圈位置設計兩個用于放置加熱管的溝槽，深度和寬度與加熱管的直徑尺寸相同；在加熱管的出口處設計成斜邊形狀，對加熱管起導向作用并可實現(xiàn)加熱盤與加熱管全程緊密貼合；氣體分配加熱盤上設若干均勻分布的等直徑小孔(1-3)用于對等離子工作氣體進行分配；氣體分配加熱盤分為底盤(I)和蓋板(2)兩部分，在蓋板(2)上加熱管(4)出口的位置具有腰形開口，并在腰形開口的周邊設有密封區(qū)域； B、使用具有與氣體分配加熱基體相同的熱漲系數(shù)的鋁制加熱管(4); C、加熱管(4)植入氣體分配加熱盤體實現(xiàn)加熱元件與加熱基體融合為:彎制內、外兩根加熱管使其與氣體分配加熱盤上溝槽的形狀相配合；用壓力儀器將內外兩根加熱管嵌入氣體分配加熱盤上的溝槽內；裝配蓋板(2)，并進行焊接操作，使底盤(I)、加熱管(4)和蓋板(I)融合為一體的結構。
2.氣體分配加熱器整體采用硬質陽極氧化及特富龍復合處理:對氣體分配加熱器上所有的通氣小孔(1-3)和工作表面進行特富龍?zhí)幚?；對氣體分配加熱器上所有的通氣小孔和工作表面進行硬質陽極氧化處理。
3.根據(jù)權利要求1所述一種用于半導體介質刻蝕機的氣體分配加熱器，其特征在于:所述制加熱管內部加熱絲(4-1)的電阻值為10.8Ω-11.2Ω。
全文摘要
一種用于半導體介質刻蝕機的氣體分配加熱器，包括以下步驟，加工高純度鋁合金制多孔狀加熱盤體將氣體分配加熱盤靠外圈位置設計兩個用于放置加熱管的溝槽，深度和寬度與加熱管的直徑尺寸相同；在加熱管的出口處設計成斜邊形狀，對加熱管起導向作用并可實現(xiàn)加熱盤與加熱管全程緊密貼合；氣體分配加熱盤上設若干均勻分布的等直徑小孔(1-3)用于對等離子工作氣體進行分配；氣體分配加熱盤分為底盤(1)和蓋板(2)兩部分，在蓋板(2)上加熱管(4)出口的位置具有腰形開口，并在腰形開口的周邊設有密封區(qū)域，本氣體分配加熱器通過加熱管內部的加熱絲產(chǎn)生熱量，并通過熱量的傳導使加熱器整個基體共同發(fā)熱，從面實現(xiàn)對通過的等離子工作氣體加熱的功能；氣體分配加熱器上均勻分布的等直徑小孔實現(xiàn)了對工作氣體的分配功能。具有耐腐蝕性、防塵、提高了工作穩(wěn)定性，降低了生產(chǎn)成本，提高了生產(chǎn)效率。
文檔編號H01L21/67GK103208439SQ201210013008
公開日2013年7月17日 申請日期2012年1月17日 優(yōu)先權日2012年1月17日
發(fā)明者游利 申請人:游利