專(zhuān)利名稱(chēng)：半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備的上部電極的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備的上部電極。
技術(shù)背景在半導(dǎo)體干刻設(shè)備中，多種設(shè)備要用到上部電極，材料一般是硅、碳、 石英等，它的主要作用是控制等離子體范圍和均勻度，使硅片的中間和邊 緣刻蝕速率相同。如圖l所示,是干刻設(shè)備的工藝腔示意圖，上部電極內(nèi) 部具有多個(gè)通氣孔，通氣孔均勻分布在以上部電極中心為圓心的多個(gè)圓周 上，在上部電極的一個(gè)直徑上，通氣孔均勻分布，氣體從進(jìn)氣管進(jìn)入，通 過(guò)上部電極通氣孔進(jìn)行再分配導(dǎo)入，氣體在高真空工藝腔中通過(guò)加射頻電 源形成等離子，等離子體去刻蝕吸附在下部電極的硅片，形成需要的圖形。 同時(shí)等離子體也刻蝕上部電極，使它變薄，通氣孔尺寸也發(fā)生變化，到一 定程度會(huì)影響刻蝕均一性，容易放電等問(wèn)題，所以它也有壽命，需要定期 更換。發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備的上部 電極，能夠延長(zhǎng)使用壽命，改善刻蝕的均一性。為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型的半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備的上部電極，內(nèi) 部具有多個(gè)通氣孔，通氣孔均勻分布在以上部電極中心為圓心的多個(gè)圓周 上，在上部電極的一個(gè)直徑上，通氣孔隨著與上部電極中心距離的增大， 其孔徑增大或與相鄰?fù)饪组g距減小。
本實(shí)用新型的另一種半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備的上部電極，內(nèi)部具有多個(gè)通氣 孔，通氣孔均勻分布在以上部電極中心為圓心的多個(gè)圓周上，在上部電極 的一個(gè)直徑上，通氣孔隨著與上部電極中心距離的增大，其孔徑增大且與 相鄰?fù)饪组g距減小。
本實(shí)用新型通過(guò)改變通氣孔的結(jié)構(gòu)和位置，使工藝氣體進(jìn)入工藝腔 更加均勻，形成等密度均勻的等離子體，達(dá)到改善刻蝕均一性,使上部電極 消耗量均勻，延長(zhǎng)使用壽命的目的。
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。


圖1是現(xiàn)有的干刻設(shè)備的工藝腔示意圖2是本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例；
圖3是本實(shí)用新型的另一個(gè)實(shí)施例。
具體實(shí)施方式
如圖2所示是本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例，本實(shí)用新型的上部電極，用 于半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備中，其內(nèi)部具有多個(gè)通氣孔，通氣孔均勻分布在以上部 電極中心為圓心的多個(gè)圓周上，在上部電極的一個(gè)直徑上，通氣孔隨著與 上部電極中心距離的增大其孔徑增大。
圖中所示，上部電極通氣孔在一個(gè)直徑的截面上有N個(gè)，通氣孔直徑 隨其到電極中心的距離變大而變大，即滿(mǎn)足下列函數(shù)
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其中Rr是中心距離為r的通氣孔半徑，RO是電極中心點(diǎn)通氣孔半 徑,為設(shè)定值，可通過(guò)實(shí)驗(yàn)選取，F(xiàn)(r)是以r為變量的函數(shù)，可以選取簡(jiǎn)單 的一次遞增函數(shù)。根據(jù)上述公式，另有圓心距為n和rb的兩個(gè)通氣孔，則當(dāng)ra〉rb，有F(ra)> F(rb)，可以實(shí)現(xiàn)通氣孔隨著與上部電極中心距離的增大其孔徑增大。如圖3所示是本實(shí)用新型的另一個(gè)實(shí)施例，本實(shí)用新型的上部電極， 用于半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備中，其內(nèi)部具有多個(gè)通氣孔，通氣孔均勻分布在以上 部電極中心為圓心的多個(gè)圓周上，在上部電極的一個(gè)直徑上，通氣孔隨著 與上部電極中心距離的增大其與相鄰?fù)饪组g距減小。圖中所示，上部電極通氣孔在一個(gè)直徑的截面上有N個(gè)，通氣孔間距 隨其到電極中心的距離變大而變小，即滿(mǎn)足下列函數(shù)Dr=F (r)*D0，其中Dr是中心距離為r的兩相鄰?fù)饪椎木嚯x，F(xiàn)(r)是以r為變量 的函數(shù)，可以選取簡(jiǎn)單的一次遞減函數(shù)，DO是電極中心相鄰兩孔之間的距 離，為設(shè)定值，可通過(guò)實(shí)驗(yàn)選取。根據(jù)上述公式，另有圓心距為n和rb的兩個(gè)通氣孔，則當(dāng)ra〉rb,有 F(iO〈F(rJ,可以實(shí)現(xiàn)通氣孔隨著與上部電極中心距離的增大其與相鄰 孔的間距減小。本實(shí)施例也可將圖2和圖3所示的實(shí)施例結(jié)合實(shí)施，則在上部電極的 一個(gè)直徑上，通氣孔隨著與上部電極中心距離的增大其孔徑增大且其與相 鄰?fù)饪组g距減小，如此可以取得更好的實(shí)施效果。另外本實(shí)用新型的通氣孔結(jié)構(gòu)可以是如圖2和圖3所示的圓柱孔形通 道，也可以是兩個(gè)同心圓柱孔的組合形通道，其中上圓柱孔直徑大于下圓
柱孔直徑。綜上所述，本實(shí)用新型通過(guò)改變通氣孔的結(jié)構(gòu)和位置，使工藝氣體進(jìn) 入工藝腔更加均勻，形成等密度均勻的等離子體，達(dá)到改善刻蝕均一性，使 上部電極消耗量均勻，延長(zhǎng)使用壽命的目的。
權(quán)利要求1、一種半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備的上部電極，內(nèi)部具有多個(gè)通氣孔，所述的通氣孔均勻分布在以所述上部電極中心為圓心的多個(gè)圓周上，其特征在于，在所述上部電極的一個(gè)直徑上，所述通氣孔隨著與所述上部電極中心距離的增大，其半徑增大或與相鄰?fù)饪组g距減小。
2、 根據(jù)權(quán)利要求l所述半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備的上部電極，其特征在于， 所述的通氣孔為圓柱孔形通道。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備的上部電極，其特征在于， 所述的通氣孔為兩個(gè)同心圓柱孔的組合形通道，其中上圓柱孔直徑大于下 圓柱孔直徑。
4、 一種半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備的上部電極，內(nèi)部具有多個(gè)通氣 L，所述的 通氣孔均勻分布在以所述上部電極中心為圓心的多個(gè)圓周上，其特征在 于，在所述上部電極的一個(gè)直徑上，所述通氣孔隨著與所述上部電極中心 距離的增大，其半徑增大且與相鄰?fù)饪组g距減小。
5、 根據(jù)權(quán)利要求4所述半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備的上部電極，其特征在于， 所述的通氣孔為圓柱孔形通道。
6、 根據(jù)權(quán)利要求5所述半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備的上部電極，其特征在于， 所述的通氣孔為兩個(gè)同心圓柱孔的組合形通道，其中上圓柱孔直徑大于下 圓柱孔直徑。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備的上部電極，內(nèi)部具有多個(gè)通氣孔，通氣孔均勻分布在以上部電極中心為圓心的多個(gè)圓周上，在上部電極的一個(gè)直徑上，通氣孔隨著與上部電極中心距離的增大，其孔徑增大和或與相鄰?fù)饪组g距減小。本實(shí)用新型通過(guò)改變通氣孔的結(jié)構(gòu)和位置，使工藝氣體進(jìn)入工藝腔更加均勻，形成等密度均勻的等離子體，達(dá)到改善刻蝕均一性，使上部電極消耗量均勻，延長(zhǎng)使用壽命的目的。
文檔編號(hào)H05H1/24GK201215800SQ20082006050
公開(kāi)日2009年4月1日 申請(qǐng)日期2008年4月15日 優(yōu)先權(quán)日2008年4月15日
發(fā)明者劉東升 申請(qǐng)人:上海華虹Nec電子有限公司