專利名稱：電子元件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電子元件及其制造方法，更具體而言，涉及安裝在電路基板上的電子元件及其制造方法。
背景技術(shù)：
作為現(xiàn)有的電子元件，例如公知有專利文獻(xiàn)I所記載的層疊線圈元件。在該層疊線圈元件中，在陶瓷層疊體的同一面(以下，稱為安裝面)上設(shè)有兩個(gè)外部電極。外部電極沒有折回到陶瓷層疊體的安裝面以外的面來形成。根據(jù)以上那樣的電子元件，外部電極僅設(shè)置在安裝面，因此在將電子元件通過焊接安裝在電路基板上時(shí)，焊料不會(huì)附著在陶瓷層疊體的安裝面以外的面。因此，焊料不會(huì)從陶瓷層疊體凸出而向側(cè)方擴(kuò)散。作為其結(jié)果，能夠?qū)㈦娮釉惭b在狹小的區(qū)域內(nèi)。
然而，專利文獻(xiàn)I所記載的電子元件如以下所說明的那樣，有可能以傾斜的狀態(tài)安裝在電路基板上。更詳細(xì)來說，在該電子元件中，將電子元件安裝在電路基板上，通過加熱使焊料液化后，通過使焊料固化，從而將電子元件安裝在電路基板上。此時(shí)，外部電極僅設(shè)置在安裝面上，所以焊料僅附著在安裝面上，不會(huì)附著在安裝面以外的面上。因此，焊料的表面積會(huì)變得比較小。由此，在焊料液化時(shí)，焊料所產(chǎn)生的表面張力也會(huì)變小，焊料將電子元件吸引到電路基板上的力的大小變小。其結(jié)果，在焊料被液化時(shí)，只要有輕微的沖擊， 電子元件也有可能會(huì)在電路基板上傾斜。即，有可能電子元件以傾斜的狀態(tài)安裝在電路基板上。
專利文獻(xiàn)I:日本特開2005-322743號(hào)公報(bào)發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的在于提供一種電子元件及其制造方法，能夠抑制以傾斜的狀態(tài)被安裝在電路基板上。
本發(fā)明的第一方式的電子元件，被安裝在具有第一連接盤以及第二連接盤的電路基板上，其特征在于，該電子元件具有主體；以及第一外部電極和第二外部電極，它們被設(shè)置成在所述主體的安裝面上沿規(guī)定方向排列，并且，與所述第一連接盤以及所述第二連接盤分別連接，所述第一外部電極以及所述第二外部電極的相對(duì)于所述第一連接盤以及所述第二連接盤的第一接觸面以及第二接觸面分別呈相對(duì)于與所述規(guī)定方向平行的直線線對(duì)稱的構(gòu)造，并被分為多個(gè)。
所述電子元件的第一方式的制造方法，其特征在于，具備第一工序，將設(shè)置有內(nèi)部導(dǎo)體的多個(gè)絕緣體層進(jìn)行層疊，得到該內(nèi)部導(dǎo)體從所述安裝面露出的所述主體；以及第二工序，通過電鍍法形成所述第一外部電極以及所述第二外部電極，以便覆蓋從所述安裝面露出的所述內(nèi)部導(dǎo)體，在所述第一工序中，在被分為多個(gè)的所述第一接觸面以及所述第二接觸面各自所夾持的部分中所述內(nèi)部導(dǎo)體所占的面積的比例，小于在該第一接觸面以及該第二接觸面中該內(nèi)部導(dǎo)體所占的面積的比例。
所述電子元件的第二方式的制造方法，其特征在于，具備第一工序，準(zhǔn)備多個(gè)絕 緣體層；第二工序，在所述絕緣體層上形成所述第一外部電極以及所述第二外部電極；以 及第三工序，通過層疊所述多個(gè)絕緣體層而形成所述主體，在所述第二工序中，以使所述第 一外部電極以及所述第二外部電極的一部分的厚度薄于該第一外部電極以及該第二外部 電極的其它部分的厚度的方式，來形成該第一外部電極以及該第二外部電極。所述電子元件的第三方式的制造方法，其特征在于，具備第一工序，準(zhǔn)備多個(gè)絕 緣體層；第二工序，在所述絕緣體層上形成所述第一外部電極以及所述第二外部電極；以 及第三工序，通過層疊所述多個(gè)絕緣體層而形成所述主體，在所述第二工序中，以所述第一 外部電極以及所述第二外部電極分別被分為多個(gè)的方式，形成該第一外部電極以及該第二 外部電極。根據(jù)本發(fā)明，能夠抑制以傾斜的狀態(tài)被安裝電路基板上。


圖1是第一實(shí)施方式的電子元件的外觀立體圖。圖2是從層疊方向俯視第一實(shí)施方式的電子元件的圖。圖3是第一實(shí)施方式的電子元件的層疊體的分解立體圖。圖4是從z軸方向透視電子元件以及電路基板的圖。圖5是第一變形例的電子元件的外觀立體圖。圖6是從z軸方向俯視第一變形例的電子元件時(shí)的圖。圖7是第一變形例的電子元件的層疊體的分解立體圖。圖8是從z軸方向透視電子元件以及電路基板的圖。圖9是第二變形例的電子元件的外觀立體圖。圖10是從z軸方向俯視第二變形例的電子元件的圖。圖11是第二變形例的電子元件的層疊體的分解立體圖。圖12是第二實(shí)施方式的電子元件的外觀立體圖。圖13是第二實(shí)施方式的電子元件的層疊體的分解立體圖。
具體實(shí)施例方式以下，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式的電子元件及其制造方法進(jìn)行說明。(第一實(shí)施方式)(電子元件的構(gòu)成)以下，參照附圖來說明本發(fā)明的第一實(shí)施方式的電子元件。圖1是第一實(shí)施方式 的電子元件10a的外觀立體圖。圖2是從層疊方向俯視第一實(shí)施方式的電子元件10a的圖。 圖3是第一實(shí)施方式的電子元件10a的層疊體12的分解立體圖。以下，將電子元件10a的 層疊方向定義為x軸方向，在從x軸方向俯視時(shí)，將沿著電子元件10a的短邊的方向定義為 z軸方向，將沿著電子元件10的長(zhǎng)邊的方向定義為1軸方向。x軸、y軸以及z軸相互正交。如圖f圖3所示，電子元件10a具有層疊體(主體)12、外部電極14 (14a、14b)、 連接導(dǎo)體(內(nèi)部導(dǎo)體)20 (20a 20g、20m 20s)、22 (22a 22g、22m 22s)以及線圈L。層疊體12呈長(zhǎng)方體狀，內(nèi)置有連接導(dǎo)體20、22以及線圈L。下面，將層疊體12的z軸方向的負(fù)方向側(cè)的面定義為下表面S10。
如圖3所示，層疊體12是通過將絕緣體層16 (16a 16t)從X軸方向的負(fù)方向側(cè)向正方向側(cè)以按該順序排列的方式層疊而構(gòu)成的。絕緣體層16各自呈長(zhǎng)方形，并由磁性體材料制成。以下，將絕緣體層16的X軸方向的正方向側(cè)的面稱為表面，將絕緣體層16的 X軸方向的負(fù)方向側(cè)的面稱為背面。
如圖3所示，線圈L由線圈導(dǎo)體(內(nèi)部導(dǎo)體)18 (18a 18s)以及通孔導(dǎo)體vl VlS構(gòu)成。S卩，線圈L是通過將線圈導(dǎo)體18a 18s利用通孔導(dǎo)體vl vl8進(jìn)行連接而構(gòu)成的。線圈L具有沿X軸方向延伸的線圈軸，該線圈L呈沿順時(shí)針方向旋轉(zhuǎn)并且從X軸方向的負(fù)方向側(cè)向正方向側(cè)行進(jìn)的螺旋狀。
如圖3所示，線圈導(dǎo)體18a 18s分別設(shè)置在絕緣體層16a 16s的表面上。線圈導(dǎo)體18a 18s分別由導(dǎo)電性材料構(gòu)成，并具有3/4匝的匝數(shù)，且是線狀導(dǎo)體折彎而形成的。即，線圈導(dǎo)體18a 18s呈環(huán)狀軌道的一部分(1/4)被切開的形狀。以下，在線圈導(dǎo)體 18a 18s中，將順時(shí)針方向的上游側(cè)的端部稱為上游端，將順時(shí)針方向的下游側(cè)的端部稱為下游端。
通孔導(dǎo)體vl vl8分別在X軸方向上貫通絕緣體層16b 16s,并連接著線圈導(dǎo)體18a 18s。更詳細(xì)來說，通孔導(dǎo)體vl連接著線圈導(dǎo)體18a的下游端和線圈導(dǎo)體18b的上游端。通孔導(dǎo)體v2連接著線圈導(dǎo)體18b的下游端和線圈導(dǎo)體18c的上游端。通孔導(dǎo)體 v3連接著線圈導(dǎo)體18c的下游端和線圈導(dǎo)體18d的上游端。通孔導(dǎo)體v4連接著線圈導(dǎo)體 18d的下游端和線圈導(dǎo)體18e的上游端。通孔導(dǎo)體v5連接著線圈導(dǎo)體18e的下游端和線圈導(dǎo)體18f的上游端。通孔導(dǎo)體v6連接著線圈導(dǎo)體18f的下游端和線圈導(dǎo)體18g的上游端。通孔導(dǎo)體v7連接著線圈導(dǎo)體18g的下游端和線圈導(dǎo)體18h的上游端。通孔導(dǎo)體v8連接著線圈導(dǎo)體18h的下游端和線圈導(dǎo)體18i的上游端。通孔導(dǎo)體v9連接著線圈導(dǎo)體18i 的下游端和線圈導(dǎo)體18j的上游端。通孔導(dǎo)體VlO連接著線圈導(dǎo)體18j的下游端和線圈導(dǎo)體18k的上游端。通孔導(dǎo)體vll連接著線圈導(dǎo)體18k的下游端和線圈導(dǎo)體181的上游端。 通孔導(dǎo)體vl2連接著線圈導(dǎo)體181的下游端和線圈導(dǎo)體18m的上游端。通孔導(dǎo)體vl3連接著線圈導(dǎo)體18m的下游端和線圈導(dǎo)體18η的上游端。通孔導(dǎo)體ν14連接著線圈導(dǎo)體18η的下游端和線圈導(dǎo)體18ο的上游端。通孔導(dǎo)體ν15連接著線圈導(dǎo)體18ο的下游端和線圈導(dǎo)體 18ρ的上游端。通孔導(dǎo)體ν16連接著線圈導(dǎo)體18ρ的下游端和線圈導(dǎo)體18q的上游端。通孔導(dǎo)體vl7連接著線圈導(dǎo)體18q的下游端和線圈導(dǎo)體18r的上游端。通孔導(dǎo)體vl8連接著線圈導(dǎo)體18r的下游端和線圈導(dǎo)體18s的上游端。
連接導(dǎo)體20a 20g是分別以與z軸方向的負(fù)方向側(cè)的長(zhǎng)邊抵接的方式設(shè)置在絕緣體層16a 16g的表面上的長(zhǎng)方形的導(dǎo)體層。連接導(dǎo)體20a 20g在從X軸方向俯視時(shí)， 以相互一致的狀態(tài)重疊。由此，在絕緣體層16被層疊時(shí)，連接導(dǎo)體20a 20g會(huì)從下表面 SlO向長(zhǎng)方形的區(qū)域內(nèi)露出。而且，如圖3所示，連接導(dǎo)體20a與線圈導(dǎo)體18a的上游端連接。
連接導(dǎo)體20m 20s是分別以與z軸方向的負(fù)方向側(cè)的長(zhǎng)邊抵接的方式設(shè)置在絕緣體層16m 16s的表面上的長(zhǎng)方形導(dǎo)體層。連接導(dǎo)體20m 20s在從z軸方向俯視時(shí)， 以相互一致的狀態(tài)重疊。由此,在絕緣體層16被層疊時(shí)，連接導(dǎo)體20m 20s會(huì)從下表面 SlO向長(zhǎng)方形的區(qū)域內(nèi)露出。
在此，連接導(dǎo)體20a 20g與連接導(dǎo)體20m 20s在從z軸方向俯視時(shí)，以一致的狀態(tài)重疊。另外，連接導(dǎo)體20a 20g被設(shè)置有7層，連接導(dǎo)體20m 20s也被設(shè)置有7層。 因此，連接導(dǎo)體20a 20h和連接導(dǎo)體20m 20s呈相對(duì)于絕緣體層16j面對(duì)稱的構(gòu)造。
連接導(dǎo)體22a 22g是分別以與z軸方向的負(fù)方向側(cè)的長(zhǎng)邊抵接的方式設(shè)置在絕緣體層16a 16g的表面上的長(zhǎng)方形的導(dǎo)體層。連接導(dǎo)體22a 22g分別位于比連接導(dǎo)體 20a 20g更靠y軸方向的負(fù)方向側(cè)。而且，連接導(dǎo)體22a 22g在從z軸方向俯視時(shí)，以相互一致的狀態(tài)重疊。由此，在絕緣體層16被層疊時(shí)，連接導(dǎo)體22a 22g會(huì)從下表面SlO 向長(zhǎng)方形的區(qū)域內(nèi)露出。
連接導(dǎo)體22m 22s是分別以與z軸方向的負(fù)方向側(cè)的長(zhǎng)邊抵接的方式設(shè)置在絕緣體層16m 16s的表面上的長(zhǎng)方形的導(dǎo)體層。連接導(dǎo)體22m 22s分別位于比連接導(dǎo)體 20m 20s更靠y軸方向的負(fù)方向側(cè)。而且，連接導(dǎo)體22m 22s在從z軸方向俯視時(shí)，以相互一致的狀態(tài)重疊。由此,在絕緣體層16被層疊時(shí)，連接導(dǎo)體22m 22s會(huì)從下表面SlO 向長(zhǎng)方形的區(qū)域內(nèi)露出。而且，如圖3所示，連接導(dǎo)體22s與線圈導(dǎo)體18s的下游端連接。
在此，連接導(dǎo)體22a 22g和連接導(dǎo)體22m 22s在從z軸方向俯視時(shí)，以一致的狀態(tài)重疊。另外，連接導(dǎo)體22a 22g被設(shè)置有7層，連接導(dǎo)體22m 22s也被設(shè)置7層。 因此，連接導(dǎo)體22a 22g和連接導(dǎo)體22m 22s呈相對(duì)于絕緣體層16 j面對(duì)稱的構(gòu)造。
此外，絕緣體層16h 161上未設(shè)置連接導(dǎo)體20、22。
如圖I以及圖2所示，外部電極14a、14b以沿y軸方向排列的方式設(shè)置在層疊體12 的下表面SlO上。外部電極14a通過與y軸方向平行的槽Gl被分為外部電極部15a、15b。 外部電極部15a是通過電鍍法來形成的覆蓋圖3的連接導(dǎo)體20a 20g從下表面SlO露出的部分的長(zhǎng)方形導(dǎo)體。外部電極部15b是通過電鍍法形成的覆蓋圖3的連接導(dǎo)體20m 20s從下表面SlO露出的部分的長(zhǎng)方形導(dǎo)體。如上所述，連接導(dǎo)體20a 20g和連接導(dǎo)體 20m 20s呈相對(duì)于絕緣體層16j面對(duì)稱的構(gòu)造。因此，外部電極部15a、15b呈相對(duì)于與z 軸方向平行的直線A線對(duì)稱的構(gòu)造。直線A從z軸方向俯視時(shí)，與絕緣體層16 j —致。
外部電極14b被設(shè)置在比外部電極14a更靠y軸方向的負(fù)方向側(cè)。外部電極14b 通過與y軸方向平行的槽G2而被分為外部電極部15c、15d。外部電極部15c是通過電鍍法形成的覆蓋圖3的連接導(dǎo)體22a 22h從下表面SlO露出的部分的長(zhǎng)方形導(dǎo)體。外部電極部15d是通過電鍍法形成的覆蓋圖3的連接導(dǎo)體22m 22s從下表面SlO露出的部分的長(zhǎng)方形導(dǎo)體。如上所述，連接導(dǎo)體22a 22g和連接導(dǎo)體22m 22s呈相對(duì)于絕緣體層16 j 面對(duì)稱的構(gòu)造。因此，外部電極部15c、15d呈相對(duì)于與z軸方向平行的直線A線對(duì)稱的構(gòu)造。
以如上所述的方式構(gòu)成的電子元件IOa被安裝在電路基板上。下面，參照附圖來說明電子元件IOa向電路基板的安裝。圖4是從z軸方向透視電子元件IOa以及電路基板 100的圖。
如圖4所示，電路基板100具有基板主體101以及連接盤102( 102a、102b)?；逯黧w101例如是多層布線基板。連接盤102是設(shè)置在基板主體101的主面上的外部連接用的電極。
電子元件IOa被安裝在電路基板100上時(shí)，下表面SlO成為安裝面。即，下表面SlO 與電路基板100對(duì)置。而且，外部電極14a (外部電極部15a、15b)與連接盤102a連接。外部電極14b(外部電極部15c、15d)與連接盤102b連接。外部電極14a、14b與連接盤102a、 102b通過焊接被固定。此時(shí)，將外部電極14a的相對(duì)于連接盤102a的接觸面設(shè)為接觸面 S1、S2。另外，將外部電極14b的相對(duì)于連接盤102b的接觸面設(shè)為接觸面S3、S4。
在此，由于外部電極14a通過槽Gl被分為外部電極部15a、15b,所以外部電極14a 的相對(duì)于連接盤102a的接觸面也通過槽Gl被分為接觸面SI、S2。而且，由于外部電極部 15a、15b具有相對(duì)于直線A線對(duì)稱的構(gòu)造，所以接觸面SI、S2也呈相對(duì)于直線A線對(duì)稱的構(gòu)造。
另夕卜，由于外部電極14b通過槽G2被分為外部電極部15c、15d,所以外部電極14b 的相對(duì)于連接盤102b的接觸面也被槽G2分為接觸面S3、S4。而且，由于外部電極部15c、 15d具有相對(duì)于直線A線對(duì)稱的構(gòu)造,所以接觸面S3、S4也呈相對(duì)于直線A線對(duì)稱的構(gòu)造。
(電子元件的制造方法)
下面，參照附圖來說明電子元件IOa的制造方法。此外，下面，對(duì)同時(shí)制作多個(gè)電子元件IOa時(shí)的電子元件IOa的制造方法進(jìn)行說明。
首先，準(zhǔn)備要成為圖3的絕緣體層16的陶瓷生片。具體地說，以將三氧化二鐵 (Fe203)、氧化鋅(ZnO)、氧化銅(CuO)以及氧化鎳(NiO)以規(guī)定的比率稱量而得的各個(gè)材料作為原材料投入球磨機(jī)，進(jìn)行濕法制備。將所得到的混合物進(jìn)行干燥后進(jìn)行粉碎，并將所得到的粉末以800°C下進(jìn)行I小時(shí)的煅燒。將得到的煅燒粉末用球磨機(jī)進(jìn)行濕法粉碎后，進(jìn)行干燥之后進(jìn)行粉碎，得到鐵素體陶瓷粉末。
向該鐵素體陶瓷粉末添加結(jié)合劑(醋酸乙烯，水溶性丙烯酸等)和可塑劑、潤(rùn)濕劑、分散劑，并用球磨機(jī)進(jìn)行混合，然后，通過減壓進(jìn)行消泡。通過刮板法(doctor blade method)將所得到的陶瓷漿料在載體片材上形成為片狀并使之干燥，從而制成要成為絕緣體層16的陶瓷生片。
接下來，如圖3所示，在要成為絕緣體層16b 16s的陶瓷生片上分別形成通孔導(dǎo)體vl vl8。具體地說，對(duì)要成為絕緣體層16b 16s的陶瓷生片照射激光束來形成通孔。 接下來，對(duì)該通孔通過印刷涂敷等方法填充Ag、Pd、Cu、Au或它們的合金等導(dǎo)電性膏。
接下來，如圖3所示，在要成為絕緣體層16a 16s的陶瓷生片的表面上形成線圈導(dǎo)體18a 18s以及連接導(dǎo)體20a 20g、20m 20s、22a 22g、22m 22s。具體地說， 在要成為絕緣體層16a 16s的陶瓷生片的表面上通過絲網(wǎng)印刷法、光刻法等方法涂敷以 Ag、Pd、Cu、Au或它們的合金等為主成分的導(dǎo)電性膏,從而形成線圈導(dǎo)體18a 18s以及連接導(dǎo)體20a 20g、20m 20s、22a 22g、22m 22s。此外，形成線圈導(dǎo)體18a 18s以及連接導(dǎo)體20a 20g、20m 20s、22a 22g、22m 22s的工序和對(duì)通孔填充導(dǎo)電性膏的工序也可以在同一工序中進(jìn)行。
接下來，如圖3所示，將要成為絕緣體層16a 16t的陶瓷生片以按此順序排列的方式進(jìn)行層疊、壓接，而得到未燒結(jié)的母層疊體。對(duì)于要成為絕緣體層16a 16t的陶瓷生片的層疊、壓接而言，一張張進(jìn)行層疊并進(jìn)行臨時(shí)壓焊得到母層疊體后，將未燒結(jié)的母層疊體通過等靜壓等進(jìn)行加壓而進(jìn)行完全壓接。
接下來，將母層疊體通過切割刀切成規(guī)定尺寸的層疊體12。由此，得到連接導(dǎo)體 20,22從下表面SlO露出的層疊體12。此時(shí)，在形成外部電極部15a的部分(即，與接觸面 SI相當(dāng)?shù)牟糠?和形成外部電極部15b的部分(即，與接觸面S2相當(dāng)?shù)牟糠?所夾持的部分中連接部20未露出。在形成外部電極部15c的部分(即，與接觸面S3相當(dāng)?shù)牟糠?和形成外部電極部15d的部分(即，與接觸面S4相當(dāng)?shù)牟糠?所夾持的部分中連接部22未露出。
接下來，對(duì)未燒結(jié)的層疊體12實(shí)施脫脂處理以及燒結(jié)。脫脂處理例如，在低氧環(huán)境中在500°C下以2小時(shí)的條件進(jìn)行。燒結(jié)例如在800°C 900°C以2. 5小時(shí)的條件進(jìn)行。
接下來，通過電鍍法實(shí)施Ni/Sn鍍敷而形成外部電極14以便覆蓋從下表面SlO露出的連接導(dǎo)體20、22。如上所述，在形成外部電極部15a的部分和形成外部電極部15b的部分所夾持的部分中連接部20未露出。在形成外部電極部15c的部分和形成外部電極部 15d的部分所夾持的部分中連接部22未露出。因此，在外部電極15a、15b間以及外部電極 15c、15d間形成槽G1、G2。根據(jù)以上的工序，完成圖I所示那樣的電子元件10a。
(效果)
根據(jù)如上所述電子元件10，能夠抑制以傾斜的狀態(tài)被安裝到電路基板100上。更詳細(xì)地說，外部電極14a的相對(duì)于連接盤102a的接觸面通過槽Gl被分為接觸面S1、S2。由此，在槽Gl中形成焊料的表面。因此，電子元件10與接觸面未被分為接觸面S1、S2的電子元件相比，焊料的表面積變大。其結(jié)果，焊料所產(chǎn)生的表面張力變大，焊料液化時(shí)，吸引外部電極14a、14b和連接盤102a、102b的力變大。
進(jìn)一步,外部電極14a、14b沿y軸方向排列,接觸面S1、S2呈相對(duì)于與y軸方向平行的直線A線對(duì)稱的構(gòu)造，并且接觸面S3、S4呈相對(duì)于與y軸方向平行的直線A線對(duì)稱的構(gòu)造。由此，能夠使在接觸面SI上作用于外部電極部15a與連接盤102a之間的力的大小、 與在接觸面S2上作用于外部電極部15b與連接盤102a之間的力的大小接近。同樣，在接觸面S3上作用于外部電極部15c與連接盤102b之間的力的大小、與在接觸面S4上作用于外部電極部15d與連接盤102b之間的力的大小接近。因此，電子元件10以直線A為中心進(jìn)行旋轉(zhuǎn)的力矩被抵消而接近O。如上所述，根據(jù)電子元件10，將電子元件10吸引到電路基板10的力變大，并且抑制電子元件10以直線A為中心旋轉(zhuǎn)，因此能夠抑制以傾斜的狀態(tài)被安裝到電路基板100上。
(變形例)
下面，參照附圖來說明第一變形例的電子元件10b。圖5是第一變形例的電子元件 IOb的外觀立體圖。圖6是從z軸方向俯視第一變形例的電子元件IOb的圖。圖7是第一變形例的電子元件IOb的層疊體12的分解立體圖。
電子兀件IOa和電子兀件IOb的不同點(diǎn)在于外部電極14a、14b的構(gòu)成。其它方面由于在電子元件IOa和電子元件IOb中沒有不同，所以省略說明。
在電子元件IOb中，外部電極14a、14b如圖5以及圖6所示，沒有被分害I]。外部電極14a、14b的一部分的厚度變得比外部電極14a、14b中的其它部分的厚度薄。外部電極 14a由外部電極部17a 17c構(gòu)成。外部電極部17a、17c、17b呈長(zhǎng)方形，如圖6所示，從x 軸方向的負(fù)方向側(cè)向正方向側(cè)以按該順序排成一列的方式設(shè)置。外部電極部17c的厚度D2 比外部電極部17a的厚度Dl以及外部電極部17b的厚度Dl薄。而且，外部電極部17a 17c具有相對(duì)于直線A線對(duì)稱的構(gòu)造。
外部電極14b由外部電極部17d 17f構(gòu)成。外部電極部17d、17f、17e呈長(zhǎng)方形， 如圖6所75,從X軸方向的負(fù)方向側(cè)向正方向側(cè)以按該順序排成一列的方式設(shè)置。外部電極部17f的厚度D2比外部電極部17d的厚度Dl以及外部電極部17e的厚度Dl薄。而且，外部電極部17d 17f具有相對(duì)于直線A線對(duì)稱的構(gòu)造。
在電子元件IOa中，為了形成所述那樣的外部電極14a、14b，如圖7所示，將連接導(dǎo)體20i、22i、20k、22k設(shè)置在絕緣體層16i、16k的表面。更詳細(xì)地說，在電子元件IOa中，在絕緣體層16i 161沒有設(shè)置連接導(dǎo)體20、22，以便外部電極部15a、15b間以及外部電極部 15c、15d間不形成外部電極部。
另一方面，在電子元件IOb中，在外部電極部17a、17b間以及外部電極部17d、17e 間設(shè)置有比外部電極部17a、17b、17d、17e薄的外部電極部17c、17f。于是，在位于外部電極部17a、17b間以及外部電極部17d、17e間的絕緣體層16i 161的一部分設(shè)置有連接導(dǎo)體 20i、20k、22i、22k。由此，在形成外部電極部17a的部分(即，接觸面SI)和形成外部電極部 17b的部分(即，接觸面S2)所夾持的形成外部電極部17c的部分中連接導(dǎo)體20所占的面積的比例，小于在形成外部電極部17a、17b的部分中連接導(dǎo)體20所占的比例。在形成外部電極部17d的部分(即，接觸面S3)和形成外部電極部17e的部分(即，接觸面S4)所夾持的形成外部電極部17f的部分中連接導(dǎo)體22所占的面積的比例，小于在形成外部電極部17d、 17e的部分中連接導(dǎo)體22所占的比例。然后，若通過電鍍法形成外部電極14a、14b，則在外部電極部17a、17b間以及外部電極部17d、17e間會(huì)形成比外部電極部17a、17b、17d、17e薄的外部電極部17c、17f。
如上所述地構(gòu)成的電子元件IOb被安裝在電路基板上。下面，參照附圖來說明電子元件IOb向電路基板的安裝。圖8是從Z軸方向透視電子元件IOb以及電路基板100的圖。
電子元件IOb被安裝在電路基板100上時(shí)，下表面SlO成為安裝面。即，下表面SlO 與電路基板100對(duì)置。而且，外部電極14a (外部電極部17a、17b)與連接盤102a連接。外部電極14b(外部電極部17d、17e)與連接盤102b連接。外部電極14a、14b與連接盤102a、 102b通過焊接而固定。此時(shí)，將外部電極14a的相對(duì)于連接盤102a的接觸面設(shè)為接觸面 S1、S2。而且，將外部電極14b的相對(duì)于連接盤102b的接觸面設(shè)為接觸面S3、S4。
在此，外部電極14a是相對(duì)較薄的外部電極部17c被相對(duì)較厚的外部電極部17a、 17b夾持而構(gòu)成的。外部電極部17c未與連接盤102a接觸，所以外部電極14a的相對(duì)于連接盤102a的接觸面被由外部電極部17c形成的槽Gl分為接觸面SI、S2。而且，由于外部電極部17a、17b具有相對(duì)于直線A線對(duì)稱的構(gòu)造，所以接觸面SI、S2也呈相對(duì)于直線A線對(duì)稱的構(gòu)造。
另外，外部電極14b是相對(duì)較薄的外部電極部17f被相對(duì)較厚的外部電極部17d、 17e夾持而構(gòu)成的。外部電極部17f由于未與連接盤102b接觸，所以外部電極14b的相對(duì)于連接盤102b的接觸面被由外部電極部17f形成的槽G2分為接觸面S3、S4。而且，由于外部電極部17d、17e具有相對(duì)于直線A線對(duì)稱的構(gòu)造，所以接觸面S3、S4也呈相對(duì)于直線 A線對(duì)稱的構(gòu)造。
如上所述地構(gòu)成的電子元件IOb也與電子元件IOa同樣地，能夠抑制以傾斜的狀態(tài)被安裝到電路基板100上。
下面，參照附圖來說明第二變形例的電子元件10c。圖9是第二變形例的電子元件 IOc的外觀立體圖。圖10是從z軸方向俯視第二變形例的電子元件IOc的圖。圖11是第二變形例的電子元件IOc的層疊體12的分解立體圖。
電子元件IOa與電子元件IOc的不同點(diǎn)在于外部電極14a、14b的構(gòu)成。其它方面由于在電子元件IOa和電子元件IOc中沒有不同所以省略說明。
在電子元件IOc中，外部電極14a除了設(shè)置在下表面SlO之外，還被設(shè)置在層疊體 12的y軸方向的正方向側(cè)的端面上。同樣，外部電極14b除了設(shè)置在下表面SlO之外，還被設(shè)置在層疊體12的y軸方向的負(fù)方向側(cè)的端面上。即，構(gòu)成外部電極14a、14b的外部電極部15a 15d呈L字型。
在電子元件IOc中，為了形成上述那樣的外部電極14a、14b，連接導(dǎo)體20a 20g、 20m 20s分別與絕緣體層16a 16g、16m 16s的y軸方向的正方向側(cè)的短邊抵接。另外，連接導(dǎo)體22a 22g、22m 22s分別與絕緣體層16a 16g、16m 16s的y軸方向的負(fù)方向側(cè)的短邊抵接。由此，連接導(dǎo)體20a 20g、20m 20s、22a 22g、22m 22s會(huì)從層疊體12的y軸方向的正方向側(cè)以及負(fù)方向側(cè)的端面露出。由此，外部電極14a、14b通過電鍍法形成為呈L字型。
如上所述地構(gòu)成的電子元件IOc也與電子元件IOa同樣，能夠抑制以傾斜的狀態(tài)被安裝到電路基板100上。
(第二實(shí)施方式)
(電子元件的構(gòu)成)
下面，參照附圖來說明本發(fā)明的第二實(shí)施方式的電子元件。圖12是第二實(shí)施方式的電子元件IOd的外觀立體圖。圖13是第二實(shí)施方式的電子元件IOd的層疊體12的分解立體圖。下面，將電子元件IOd的層疊方向定義為z軸方向，從z軸方向俯視時(shí)，將沿著電子元件IOd的短邊的方向定義為X軸方向，將沿著電子元件IOd的長(zhǎng)邊的方向定義為y軸方向。X軸、y軸以及z軸相互正交。
如圖12以及圖13所示，電子元件IOd具備層疊體(主體)12、外部電極14 (14a、 14b)、線圈L以及連接部VI、V2。
層疊體12呈長(zhǎng)方體狀，內(nèi)置有線圈L以及連接部VI、V2。下面，將層疊體12的z 軸方向的負(fù)方向側(cè)的面定義為下表面S10。
外部電極14a、14b分別被設(shè)置在層疊體12的下表面S10。電子元件IOd中的外部電極14a、14b的構(gòu)成由于與電子元件IOa中的外部電極14a、14b的構(gòu)成相同所以省略說明。
如圖13所示，層疊體12是通過將絕緣體層16 (16a 161)從z軸方向的正方向側(cè)向負(fù)方向側(cè)以按該順序排列的方式層疊而構(gòu)成的。絕緣體層16各自呈長(zhǎng)方形，由磁性體材料制成。以下，將絕緣體層16的z軸方向的正方向側(cè)的面稱為表面，將絕緣體層16的z 軸方向的負(fù)方向側(cè)的面稱為背面。
由線圈導(dǎo)體18 (18a 18j)以及通孔導(dǎo)體vl2 v20構(gòu)成。S卩，線圈L是通過將線圈導(dǎo)體18a 18j利用通孔導(dǎo)體vl2 v20進(jìn)行連接而構(gòu)成的。線圈L具有沿z軸方向延伸的線圈軸，該線圈L呈沿逆時(shí)針方向旋轉(zhuǎn)且從z軸方向的正方向側(cè)向負(fù)方向側(cè)行進(jìn)的螺旋狀。
如圖13所示，線圈導(dǎo)體18a 18j分別被設(shè)置在絕緣體層16b 16k的表面上。 線圈導(dǎo)體18a 18j分別由導(dǎo)電性材料構(gòu)成，并具有7/8匝的匝數(shù)，且是線狀導(dǎo)體折彎而形成的。其中，線圈導(dǎo)體18a具有5/8匝的匝數(shù)。即，線圈導(dǎo)體18a 18j呈環(huán)狀的軌道的一部分(在線圈導(dǎo)體18a中為3/8，線圈導(dǎo)體18b 18 j中為1/8)被切開的形狀。下面，在線圈導(dǎo)體18a 18j中，將逆時(shí)針方向的上游側(cè)的端部稱為上游端，將逆時(shí)針方向的下游側(cè)的端部稱為下游端。
通孔導(dǎo)體vl2 v20分別在z軸方向上貫通絕緣體層16b 16j,并連接著線圈導(dǎo)體18a 18j。更詳細(xì)地說，通孔導(dǎo)體vl2連接著線圈導(dǎo)體18a的下游端和線圈導(dǎo)體18b 的上游端。通孔導(dǎo)體vl3連接著線圈導(dǎo)體18b的下游端和線圈導(dǎo)體18c的上游端。通孔導(dǎo)體vl4連接著線圈導(dǎo)體18c的下游端和線圈導(dǎo)體18d的上游端。通孔導(dǎo)體vl5連接著線圈導(dǎo)體18d的下游端和線圈導(dǎo)體18e的上游端。通孔導(dǎo)體vl6連接著線圈導(dǎo)體18e的下游端和線圈導(dǎo)體18f的上游端。通孔導(dǎo)體vl7連接著線圈導(dǎo)體18f的下游端和線圈導(dǎo)體18g的上游端。通孔導(dǎo)體vl8連接著線圈導(dǎo)體18g的下游端和線圈導(dǎo)體18h的上游端。通孔導(dǎo)體 vl9連接著線圈導(dǎo)體18h的下游端和線圈導(dǎo)體18i的上游端。通孔導(dǎo)體v20連接著線圈導(dǎo)體18i的下游端和線圈導(dǎo)體18j的上游端。
對(duì)連接部Vl來說，如圖13所示，通孔導(dǎo)體vl vll分別在z軸方向上貫通絕緣體層16b 161，通過連成一直線來構(gòu)成I個(gè)連接部VI。連接部Vl被設(shè)置在層疊體12內(nèi)， 并且，連接著線圈L的z軸方向的正方向側(cè)的端部(線圈導(dǎo)體18a的上游端)和外部電極14a 的外部電極部15a。
如圖13所示，通孔導(dǎo)體v21、v22分別在z軸方向上貫通絕緣體層16k、161，而構(gòu)成連接部V2。連接部V2被設(shè)置在層疊體12內(nèi)，并且，連接著線圈L的z軸方向的負(fù)方向側(cè)的端部(線圈導(dǎo)體18j的下游端)和外部電極14b的外部電極部15d。
(電子元件的制造方法)
下面，參照附圖來說明電子元件IOd的制造方法。此外，以下，對(duì)同時(shí)制作多個(gè)電子元件IOd時(shí)的電子元件IOd的制造方法進(jìn)行說明。
首先，準(zhǔn)備要成為圖13的絕緣體層16的陶瓷生片。具體地說，以將三氧化二鐵 (Fe203)、氧化鋅(ZnO)、氧化銅(CuO)以及氧化鎳(NiO)以規(guī)定的比率進(jìn)行稱量而得的各個(gè)材料作為原材料投入球磨機(jī)，進(jìn)行濕法制備。將所得到的混合物進(jìn)行干燥后進(jìn)行粉碎，并將所得到的粉末在800°C下煅燒I小時(shí)。將所得到的煅燒粉末用球磨機(jī)進(jìn)行濕法粉碎后，進(jìn)行干燥后進(jìn)行粉碎，得到鐵素體陶瓷粉末。
向該鐵素體陶瓷粉末添加結(jié)合劑(醋酸乙烯，水溶性丙烯酸等)和可塑劑、潤(rùn)濕劑、 分散劑，并用球磨機(jī)進(jìn)行混合，然后，通過減壓進(jìn)行消泡。將所得到的陶瓷漿料通過刮板法， 在載體片材上形成為片狀并使之干燥，從而制成要成為絕緣體層16的陶瓷生片。
接下來，如圖13所示，在要成為絕緣體層16b 161的陶瓷生片上分別形成通孔導(dǎo)體vl v22。具體來說，對(duì)要成為絕緣體層16b 161的陶瓷生片照射激光束來形成通孔。接下來，通過印刷涂敷等方法對(duì)該通孔填充Ag、Pd、Cu、Au或它們的合金等導(dǎo)電性膏。
接下來，如圖13所示，在要成為絕緣體層16b 16k的陶瓷生片的表面上形成線圈導(dǎo)體18a 18j。具體地說，通過絲網(wǎng)印刷法、光刻法等方法在要成為絕緣體層16b 16k 的陶瓷生片的表面上涂敷以Ag、Pd、Cu、Au或它們的合金等為主成分的導(dǎo)電性膏，從而形成線圈導(dǎo)體18a 18j。此外，形成線圈導(dǎo)體18a 18j的工序和對(duì)通孔填充導(dǎo)電性膏的工序可以在同一工序中進(jìn)行。
接下來，如圖13所示，在要成為絕緣體層161的陶瓷生片的背面上形成要成為外12部電極14a、14b的銀電極。具體的來說，在要成為絕緣體層161的陶瓷生片的背面上通過絲網(wǎng)印刷法、光刻法等方法涂敷以Ag、Pd、Cu、Au或它們的合金等為主成分的導(dǎo)電性膏，由此形成被分為多個(gè)外部電極部15a 15d的外部電極14a、14b。此外，形成要成為外部電極 14a、14b的銀電極的工序和對(duì)通孔填充導(dǎo)電性膏的工序可以在同一工序中進(jìn)行。
接下來，如圖13所示，將要成為絕緣體層16a 161的陶瓷生片以按該順序排列的方式進(jìn)行層疊、壓接，得到未燒結(jié)的母層疊體。對(duì)于要成為絕緣體層16a 161的陶瓷生片的層疊、壓焊來說，一張張進(jìn)行層疊并進(jìn)行臨時(shí)壓接得到母層疊體后，將未燒結(jié)的母層疊體通過等靜壓等進(jìn)行加壓而進(jìn)行完全壓接。
接下來，將母層疊體通過切割刀而切為規(guī)定尺寸的層疊體12。由此得到未燒結(jié)的層疊體12。
接下來，對(duì)未燒結(jié)的層疊體12施以脫脂處理以及燒結(jié)。脫脂處理例如在低氧環(huán)境中在500°C下以2小時(shí)的條件進(jìn)行。燒結(jié)例如在800°C 900°C下以2. 5小時(shí)的條件進(jìn)行。
接下來，對(duì)要成為外部電極14a、14b的銀電極施以Ni/Sn鍍敷，而形成外部電極 14a、14b。通過以上的工序，完成圖12所示那樣的電子元件IOcL
如以上那樣構(gòu)成的電子元件IOd也與電子元件IOa相同，能夠抑制以傾斜的狀態(tài)被安裝到電路基板100上。
此外，在電子元件IOd中，也可以如電子元件IOb那樣，將外部電極14a、14b的一部分的厚度變得薄于外部電極14a、14b的其它部分的厚度。在該情況下，以要成為外部電極14a、14b的銀電極的一部分的厚度變得薄于要成為外部電極14a、14b的銀電極的其它部分的厚度的方式通過絲網(wǎng)印刷法等形成要成為外部電極14a、14b的銀電極。
此外，電子元件10、IOa IOd內(nèi)置線圈L作為電路元件。然而，電路元件并不局限于線圈L，也可以是電容器、電阻等其它元件。工業(yè)上的可利用性
如上所述，本發(fā)明用于電子元件及其制造方法，特別是在能夠抑制被以傾斜的狀態(tài)安裝到電路基板的方面很出色。
附圖標(biāo)記說明
Gl, G2槽；L線圈；S1 S4接觸面；S10下表面；10a IOd電子元件；12層疊體； 14a、14b外部電極；15a 15d、17a 17f外部電極部；16a 16t絕緣體層；18a 18s線圈導(dǎo)體。
權(quán)利要求
1.一種電子元件，被安裝在具有第一連接盤以及第二連接盤的電路基板上，其特征在于，該電子元件具有主體；以及第一外部電極和第二外部電極，它們被設(shè)置成在所述主體的安裝面上沿規(guī)定方向排列，并且，與所述第一連接盤以及所述第二連接盤分別連接，所述第一外部電極以及所述第二外部電極的相對(duì)于所述第一連接盤以及所述第二連接盤的第一接觸面以及第二接觸面分別呈相對(duì)于與所述規(guī)定方向平行的直線線對(duì)稱的構(gòu)造，并被分為多個(gè)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電子元件，其特征在于，所述第一接觸面以及所述第二接觸面分別通過與所述規(guī)定方向平行的槽被分為多個(gè)。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或者權(quán)利要求2所述的電子元件，其特征在于，所述第一外部電極以及所述第二外部電極分別被分為多個(gè)。
4.根據(jù)權(quán)利要求I或者權(quán)利要求2所述的電子元件，其特征在于，所述第一接觸面以及所述第二接觸面分別通過使所述第一外部電極以及所述第二外部電極的一部分的厚度薄于該第一外部電極以及該第二外部電極的其它部分的厚度，而被分為多個(gè)。
5.一種如權(quán)利要求I所述的電子元件的制造方法，其特征在于，具備第一工序，將設(shè)置有內(nèi)部導(dǎo)體的多個(gè)絕緣體層進(jìn)行層疊，得到該內(nèi)部導(dǎo)體從所述安裝面露出的所述主體；以及第二工序，通過電鍍法形成所述第一外部電極以及所述第二外部電極，以便覆蓋從所述安裝面露出的所述內(nèi)部導(dǎo)體，在所述第一工序中，在被分為多個(gè)的所述第一接觸面以及所述第二接觸面各自所夾持的部分中所述內(nèi)部導(dǎo)體所占的面積的比例，小于在該第一接觸面以及該第二接觸面中該內(nèi)部導(dǎo)體所占的面積的比例。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電子元件的制造方法，其特征在于，在所述第一工序中，在被分為多個(gè)的所述第一接觸面以及所述第二接觸面各自所夾持的部分中所述內(nèi)部導(dǎo)體未露出。
7.—種如權(quán)利要求I所述的電子元件的制造方法，其特征在于，具備第一工序，準(zhǔn)備多個(gè)絕緣體層；第二工序，在所述絕緣體層上形成所述第一外部電極以及所述第二外部電極；以及第三工序，通過層疊所述多個(gè)絕緣體層而形成所述主體，在所述第二工序中，以使所述第一外部電極以及所述第二外部電極的一部分的厚度薄于該第一外部電極以及該第二外部電極的其它部分的厚度的方式，來形成該第一外部電極以及該第二外部電極。
8.—種如權(quán)利要求I所述的電子元件的制造方法，其特征在于，具備第一工序，準(zhǔn)備多個(gè)絕緣體層；第二工序，在所述絕緣體層上形成所述第一外部電極以及所述第二外部電極；以及第三工序，通過層疊所述多個(gè)絕緣體層而形成所述主體，在所述第二工序中，以所述第一外部電極以及所述第二外部電極分別被分為多個(gè)的方式，形成該第一外部電極以及該第二外部電極。
全文摘要
本發(fā)明提供一種能夠抑制以傾斜的狀態(tài)被安裝在電路基板上的電子元件及其制造方法。一種被安裝在具有第一連接盤以及第二連接盤的電路基板上的電子元件(10a)。外部電極(14a、14b)在層疊體(12)的下表面(S10)上設(shè)置成沿y軸方向排列，并且分別與第一連接盤以及第二連接盤連接。外部電極(14a、14b)的相對(duì)于第一連接盤以及第二連接盤的接觸面分別呈相對(duì)于與y軸方向平行的直線A線對(duì)稱的構(gòu)造，并被分為多個(gè)。
文檔編號(hào)H01F41/10GK102939634SQ201180028189
公開日2013年2月20日 申請(qǐng)日期2011年3月15日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月9日
發(fā)明者小田原充, 松嶋秀明, 大野晃弘 申請(qǐng)人:株式會(huì)社村田制作所