專利名稱：改進型半導體焊腳結構的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及半導體領域技術，尤其是指半導體中改進型半導體焊腳結構。
背景技術：
眾所周知，二極管、三極管、晶體管、電容、電阻、集成模塊等器件均含有兩個、三個或多個金屬焊腳，通過將焊腳插入電路板預先布設的插孔中，再用焊錫將焊腳與電路板焊牢，從而組成電子線路。請參照圖1和圖2所示，現有的絕緣柵雙極型晶體管(IGBT) 100之焊腳10 —般具有兩層結構，其內層11為銅材料，在銅的表面還有一鍍銀層13，然而由于銀的價格昂貴，大量鍍銀不利于節(jié)約生產成本，因此，需研究出一種新的技術方案來解決上述問題。

實用新型內容有鑒于此，本實用新型針對現有技術存在之缺失，其主要目的是提供一種改進型半導體焊腳結構，其內層采用純銅材料并于外層直接鍍錫而成，有利于節(jié)約材料成本。為實現上述目的，本實用新型采用如下之技術方案一種改進型半導體焊腳結構，所述焊腳自半導體之本體向下延伸而成，該焊腳具有兩層結構，其中內層為較厚純銅材料，其外層鍍錫形成一厚度較薄的鍍錫層。優(yōu)選地，所述半導體為二極管、三極管、晶體管或集成模塊。優(yōu)選地，所述焊腳為長方柱狀、圓柱狀或薄片狀。本實用新型采用上述技術方案后，其有益效果在于半導體的焊腳系直接采用純銅材料并于表面鍍錫而成，由于鍍錫比傳統(tǒng)之鍍銀價格低，從而有利于節(jié)約材料成本，為企業(yè)創(chuàng)造較大利益。為更清楚地闡述本實用新型的結構特征和功效，
以下結合附圖與具體實施例來對本實用新型進行詳細說明。

圖1是現有技術中常見IGBT晶體管之正視圖；圖2是圖1中A-A處的截面圖；圖3是本實用新型之實施例的正視圖；圖4圖3中B-B處的截面圖。附圖標識說明100、晶體管10、焊腳11、內層12、鍍錫層13、鍍銀層20、本體 。
具體實施方式
[0019]首先本方案以IGBT晶體管為例作詳細說明，請參見圖3至圖4所示，其顯示出了本實用新型之實施例的具體結構，包括自IGBT晶體管100本體20向下延伸形成的焊腳10， 具其而言，所述焊腳10有三個，用于焊接在電路板預先布設的插孔中組成電子電路。所述的三個焊腳10均為小四方柱狀，其上部較粗，下部較細，并于下部的底端形成一尖針狀，從而更容易地將晶體管100插入到電路板的插孔，并擋止在焊腳10的上部。所述焊腳10之截面分為內外兩層，其中內層11系純銅材料，于純銅表面直接鍍錫形成一厚度較薄的鍍錫層12，該鍍錫層12可以提高焊接的質量和速度，避免虛焊等缺陷。錫焊的過程中，通過加熱約到120度，配合封裝樹脂，讓錫焊料在焊腳10與電路板之間的焊接面上熔化、流動、浸潤，使錫原子滲透到焊腳10內層的純銅表面中，同時也滲透到電路板的插孔中，并在兩者的接觸面上形成合金結合層，由這個結合層將電路板與焊腳牢固連接起來，同時于結合層的表面形成樹脂保護膜。然而，所述的焊腳10不限于上述的IGBT晶體管的焊腳，亦可以系二極管、電容、電阻、三極管、集成塊等半導體所含有的焊腳。并且，所述的焊腳10形狀不限于上述的晶體管的形狀，其亦可以系圓柱狀，薄片狀或帶有拆彎。本實用新型的設計重點在于半導體的焊腳系直接采用純銅材料并于表面鍍錫而成，由于鍍錫比傳統(tǒng)之鍍銀價格低，從而有利于節(jié)約材料成本，為企業(yè)創(chuàng)造較大利益。以上所述，僅是本實用新型的較佳實施例而已，并非對本實用新型的技術范圍作任何限制，故凡是依據本實用新型的技術實質對以上實施例所作的任何細微修改、等同變化與修飾，均仍屬于本實用新型技術方案的范圍內。
權利要求1.一種改進型半導體焊腳結構，所述焊腳自半導體之本體向下延伸而成，其特征在于 該焊腳具有兩層結構，其中內層為較厚純銅材料，其外層鍍錫形成一厚度較薄的鍍錫層。
2.根據權利要求1所述的改進型半導體焊腳結構，其特征在于所述半導體為二極管、 三極管、晶體管或集成模塊。
3.根據權利要求1所述的改進型半導體焊腳結構，其特征在于所述焊腳為長方柱狀、 圓柱狀或薄片狀。
專利摘要本實用新型公開一種改進型半導體焊腳結構，所述焊腳自半導體之本體向下延伸而成，該焊腳具有兩層結構，其中內層為較厚純銅材料，外層直接鍍錫形成一厚度較薄的鍍錫層；所述半導體為二極管、三極管、電容、電阻、晶體管或集成模塊,所述焊腳為長方柱狀、圓柱狀或薄片狀。籍此，半導體的焊腳系直接采用純銅材料并于表面鍍錫而成，由于鍍錫比傳統(tǒng)之鍍銀價格低，從而有利于節(jié)約材料成本，為企業(yè)創(chuàng)造較大利益。
文檔編號H01L23/488GK202142523SQ20112019809
公開日2012年2月8日 申請日期2011年6月14日 優(yōu)先權日2011年6月14日
發(fā)明者馮子剛 申請人:廣州友益電子科技有限公司