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檢測真空斷路裝置中的真空損失的設(shè)備及其真空斷路裝置的制作方法

文檔序號:7167488閱讀:109來源:國知局
專利名稱:檢測真空斷路裝置中的真空損失的設(shè)備及其真空斷路裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及用于檢測真空斷路裝置中的真空損失的設(shè)備,所述裝置位于電力供應(yīng)主電力系統(tǒng)中并且包括外殼,該外殼包括至少部分由諸如陶瓷的絕緣材料制成的基本為圓柱形的第一部分,所述第一部分通過兩個端面板在其兩個相對端閉合,所述外殼容納安全地附著于上述端面板中的一個并且支持穩(wěn)定觸頭的固定電極,以及容納支持可移動觸頭的移動電極,所述移動電極以滑動的方式穿過在該裝置的閉合位置(其中可移動觸頭與固定觸頭接觸)和該裝置的打開位置(其中可移動觸頭與固定觸頭分離)之間的兩個端面板的另一個安裝,以及涉及包括一個此類設(shè)備的真空斷路裝置。
背景技術(shù)
文獻US 4 103 291是熟知的,其描述應(yīng)用于包括浮動屏蔽層(shielding)的套管 (cartridge)的上述類型的設(shè)備。在該設(shè)備中,電容被安置在套管內(nèi)的反射屏蔽層和電極之一之間并被用于測量在套管中真空的狀態(tài)。
如果真空的狀態(tài)正確,則在套管中的電介質(zhì)強度是使得幾乎全部電壓位于電極和屏蔽層之間。
如果真空的質(zhì)量不好,則已經(jīng)進入套管的氣體減少在套管內(nèi)的電介質(zhì)強度并且在電極和屏蔽層之間發(fā)生電弧擊穿。然后測量在將電極串聯(lián)連接到浮動屏蔽層的電路中流動的電流,測量的電流作為在套管內(nèi)部的真空的狀態(tài)的反映。
設(shè)備的該應(yīng)用限制于在套管內(nèi)具有浮動屏蔽層的套管。對于其他套管,諸如不具有浮動屏蔽層的被稱為不對稱的套管,該類型的檢測器無法使用。發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明克服該缺點并且提出一種用于檢測在諸如具有簡單設(shè)計的套管之類的真空斷路裝置中的真空損失的設(shè)備,并且能夠應(yīng)用于具有浮動屏蔽層的套管和例如不對稱的套管兩者。
為此,本發(fā)明的一個目的是提供一種用于檢測上述類型的真空損失的設(shè)備,該設(shè)備其特征在于所述外殼包括由絕緣材料制成的并且至少部分位于上述的第一部分周圍的第二部分,該第二部分包括在其外表面的至少一部分上形成屏蔽層的電接地的導(dǎo)電材料的層,其特征在于被稱為此導(dǎo)電材料的層的第一帶的帶與所述層的其余部分絕緣,被稱為第一帶的該帶位于面向第一絕緣部分和固定電極或移動電極,被稱為第一帶的該帶形成由兩個串聯(lián)的電容組成的電容,分別是被稱為真空電容的電容,位于移動電極或固定電極和第一絕緣部分的內(nèi)表面之間,以及被稱為固態(tài)電容的電容,安裝在上述第一絕緣部分的內(nèi)表面和被稱為第一帶的該帶之間,以及連接到指示部件的、用于測量流經(jīng)被稱為第一帶的帶的電流的部件,電流值的值的特定變化說明真空電容的值的變化,該變化說明在真空斷路裝置內(nèi)的真空損失。
根據(jù)另一特征,所述真空斷路裝置包括屏蔽層,電連接到移動電極或固定電極以及部分環(huán)繞移動電極或固定電極,該裝置的特征在于,在上述導(dǎo)電材料的層的內(nèi)部,導(dǎo)電材料的第二帶與上述導(dǎo)電層的其余部分以及與上述第一帶絕緣,第二帶位于面向所述屏蔽層并且形成在第二帶和所述屏蔽層之間的被稱為第三電容的電容,被稱為第三電容的電容的尺寸被規(guī)定為使得其值等于串聯(lián)的被稱為第一和第二電容的上述兩個電容的值,以及包括用于測量在兩個帶之間的電壓的部件,由該裝置內(nèi)真空的損失引起的真空電容的值的變化引起在第一帶中流動的電流的值的變化,在兩個電流值之間的差引起在兩個帶之間的差分電壓,以及包括用于指示特定差分電壓值的部件。
根據(jù)該實施例的特定特征,被稱為第一帶的帶的寬度是最大20mm,以使得對于 IOdB的信噪比,在泄露的情況下在第一帶的端子處測量的電流的值大約是10μ A。
根據(jù)另一實施例,所述裝置包括電連接到移動電極或固定電極的第一屏蔽層,以及電連接固定電極或移動電極的第二屏蔽層,所述屏蔽層至少部分環(huán)繞移動電極或固定電極,所述裝置的特征在于,在上述導(dǎo)電材料的層的內(nèi)部,導(dǎo)電材料的第二帶和第三帶與上述導(dǎo)電層的其余部分以及與上述第一帶絕緣,該第二帶和第三帶分別位于面向第一屏蔽層和第二屏蔽層并且形成被稱為第三電容的電容和被稱為第四電容的電容,第三電容和第四電容分別在被稱為第二帶的帶和所述第一屏蔽層之間和在被稱為第三帶的帶和所述第二屏蔽層之間,被稱為第三電容和第四電容的所述電容的尺寸被規(guī)定為使得它們的值等于串聯(lián)的被稱為第一和第二電容的兩個電容的值,其特征在于,被稱為第二和第三帶的帶電連接到同一個點,在該點處,流過這兩個帶的被稱為第二和第三電流的電流被彼此相加以提供被稱為第四電流的電流,以及用于測量由分別是被稱為上述第四電流的電流和流經(jīng)第一帶的被稱為第一電流的電流的兩個電流值之間的差產(chǎn)生的差分電壓的部件。
根據(jù)特定特征,被稱為第一帶的帶的寬度被調(diào)整為使得對于20dB的信噪比,在第一帶的端子處測量的電流的值大于16 μ A。
根據(jù)另一特征,該裝置包括由上述差分電壓控制的電子電路和用于指示特定差分電壓值的控制部件,所述差分電壓值代表在真空斷路裝置內(nèi)的真空損失。
根據(jù)另一特征,這兩個帶的每個通過阻抗電接地,阻抗電路包括連接到這些阻抗的端子的差動開關(guān)。
根據(jù)特定特征,上述用于指示的部件包括差動開關(guān)和/或保險絲和/或引信 (detonator)和/或用于將磁體去磁的部件和/或用于將由有機材料制成的導(dǎo)電帶褪色的部件。
根據(jù)另一特征,該電子電路包括電荷電路,其累積足夠緩慢從而對主電力系統(tǒng)的瞬間電壓電涌起反應(yīng),但是其足夠快而在真空損失的幾個小時或當天中起作用。
本發(fā)明的另一目的是提供一種真空開關(guān),包括單獨或組合地選用的上述特征的真空損失檢測設(shè)備。
根據(jù)特定特征,所述真空開關(guān)是真空套管。
根據(jù)特定特征,所述套管容納在外殼中,在外殼上絕緣材料被二次成型,外殼的二次成型的部分的外表面被金屬化,所述金屬化層被接地并形成屏蔽層。
本發(fā)明的再一目的是提供一種真空套管,還包括在電極和觸頭周圍安裝的浮動屏蔽層,所述套管包括包含單個帶的類型的、單獨或組合地選用的上述特征的真空損失檢測設(shè)備。


通過下面參考以示例目的給出的附圖的具體描述,本發(fā)明的其他優(yōu)點和特征將變得更透徹明顯,其中
圖1是說明根據(jù)本發(fā)明的特定實施例的真空套管的軸向截面圖2是說明根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的真空套管的軸向截面圖3是說明分別表示在兩個帶中流動的電流的兩個信號的圖形;
圖4說明根據(jù)本發(fā)明的第三實施例的真空套管;
圖5是表示就關(guān)注的本發(fā)明的第二實施例而言,對于套管的四個不同位置的兩個帶的電流之間的差分電壓的圖;以及
圖6是表示根據(jù)第一帶的寬度在第一帶的端子處的信號的圖。
具體實施方式
在圖1,根據(jù)本發(fā)明的真空套管A的第一實施例表示為按公知的方式包括,由兩個端面板2、3封閉的基本為圓柱形的外殼1。外殼包括相對于所述外殼固定的固定電極4,和相對于所述外殼可移動的移動電極5,兩個電極4、5每個分別在它們的自由端處支撐固定觸頭6和移動觸頭7,所述移動電極5在兩個觸頭6、7的接觸位置和兩個觸頭的分離位置之間移動。
外殼1包括通過兩個端封面9、10 (其中上述兩個電極4、5分別從中通過)封閉的由陶瓷制成的圓柱部分,所述電極分別由兩個延伸部分11、12支撐。套管1也包括兩個導(dǎo)電屏蔽層13、14,其中一個屏蔽層13電連接到移動電極5以及另一屏蔽層14連接到固定電極4,這些屏蔽層位于在端封面9、10和外殼的陶瓷絕緣部分8之間的結(jié)合的層面。
由陶瓷部分8、端封面9、10和至少部分的界面2、3形成的組件由環(huán)氧材料沈進行二次成型(over-moulded)以提供所述外殼的增強絕緣性。二次成型的環(huán)氧部分的外面部分被金屬化并且該金屬化接地從而形成屏蔽層。在右邊和在左邊的界面2、3是非金屬化的界面并且作為與這里不可見的該裝置的其他部分的界面。在環(huán)氧金屬層15中,圓柱形狀的第一帶16與金屬化表面15的其余部分絕緣。該第一帶16形成由串聯(lián)的兩個電容17、 18組成的電容。首先,第一電容被稱為真空電容17,位于移動電極5和陶瓷部分8的內(nèi)表面19之間,而電容18被稱為固態(tài)電容,位于陶瓷部分8的內(nèi)表面19和被稱為第一帶16的絕緣金屬化帶之間。
當在套管內(nèi)部發(fā)生真空損失時,在移動電極5和陶瓷部分8之間的電介質(zhì)強度減少并且飛弧短路真空電容17。當套管位于電力供應(yīng)的主電力系統(tǒng)中時,真空電容的值的此變化引起在被稱為第一帶16的絕緣帶中流動的電流的值的變化。
因此能夠通過測量該電流的值監(jiān)視套管中真空的狀態(tài)。
但是,在該設(shè)備中,電流的值隨壓力變化很小。因此該測量不會使得在真空損失和在主電力系統(tǒng)中的接地故障之間造成差。
根據(jù)如圖2所示的本發(fā)明的第二實施例的套管使得能夠克服該問題。
在第二實施例中,套管A包括和在先前實施例中已經(jīng)描述的元件相同的元件,但是金屬層15的第二帶20與金屬化表面的其余部分絕緣。第二帶20位于上述的導(dǎo)電屏蔽層13、14的13的周圍,其位于固定電極4的相對側(cè)上并且其因此電連接到移動電極5。第二帶20在所述第二帶20和電連接到移動電極5的所述屏蔽層13之間產(chǎn)生被稱為第三電容的電容25。
電容25的尺寸被規(guī)定為使得其值等于由串聯(lián)的兩個電容17、18形成的電容的值。 這兩個帶16、20的每個通過這里由電容表示的阻抗四、30電連接到地T(在各圖中被指示)。包括差動開關(guān)22的阻抗電路21連接到這兩個阻抗四、30的端子。因此,在套管內(nèi)存在泄露時,在這些阻抗四、30的端子處在兩個帶16、20之間產(chǎn)生差分電壓。在套管內(nèi)的真空的良好狀態(tài)的情況下該電壓為零或接近于零,因為在兩個帶16、20中流動的電流幾乎是相等的。另一方面在套管A內(nèi)的真空損失存在的情況下,在移動電極5和陶瓷部分8之間的電介質(zhì)強度減少并且發(fā)生短路真空電容17的飛弧。在真空電容17的值的變化引起在第一帶16中流動的電流的值的變化。分別在兩個帶16、20中流動的電流之間的差產(chǎn)生兩個帶之間的電壓,該差分電壓使得能夠命令電子電路21,以控制上述差動開關(guān)22的打開。
電子電路21包含電荷電路,其累積足夠緩慢從而不對主電力系統(tǒng)的瞬間電壓電涌起反應(yīng),但是其足夠快而在真空損失的幾個小時或當天中起作用。
該時間段短于取決于泄露的大小的在套筒內(nèi)飛弧的持續(xù)時間,如圖3所示,說明了壓力32對時間的變化,其持續(xù)時間是大約2到20天。
半導(dǎo)體閘流管出于引起狀態(tài)的變化的目的將能量放電到差動開關(guān),這將在存儲器中保持套管的真空損失,即使存儲器不再由主電力系統(tǒng)供電。
該差分測量由此使得與電力系統(tǒng)電壓相關(guān)的信息和與套管中真空的狀態(tài)相關(guān)的信息分離,從而僅測量與套管中真空損失有關(guān)的信號。
在電極的電壓電平由此通過差分測量而繞開。
在圖3中,第一信號23表示由于在低電介質(zhì)強度區(qū)域(其中內(nèi)部飛弧已經(jīng)發(fā)生了 2到20天)中套管的臨時通過引起在阻抗四、30的端子處的差分電壓。
第二信號M表示差動開關(guān)的狀態(tài)的變化,或0狀態(tài)表示閉合位置而1狀態(tài)表示打開位置,在之后的任何時間其狀態(tài)的變化將是可見的。
當對該裝置執(zhí)行操作時,該檢測給出套管的狀態(tài)的可見性,即使無電壓從套管的主電源系統(tǒng)或從變電站的輔助電源系統(tǒng)中呈現(xiàn)。
應(yīng)注意第一帶16應(yīng)面向陶瓷部分8以及面向移動電極5或固定電極4來安置。第二帶20應(yīng)自身位于面向?qū)щ娖帘螌?3、14中的一個,以及因此面向移動電極5或固定電極 4。
優(yōu)選地,當有兩個帶時,第二帶20必須位于面向連接到移動電極的屏蔽層。
第二帶20在觸頭的閉合位置中在泄露不存在時執(zhí)行信號的補償,即在該情況中在兩個帶流動的電流基本相等,如在圖5中位置2所示的。另一方面,在沒有對固定觸頭進行電力供應(yīng)而對應(yīng)于移動觸頭的打開位置的情況下(圖5的位置幻,以及在沒有對移動觸頭進行電力供應(yīng)而對應(yīng)于移動觸頭的打開位置的情況下(圖5的位置4),觀察到差分電壓, 這導(dǎo)致當觸頭閉合(位置1)時在存在泄露時很難在這兩個情況之間進行區(qū)分。
的確,在圖5的對應(yīng)于在沒有來自固定觸頭的電力供應(yīng)的情況下移動觸頭的打開位置的情況3中,第二帶20過補償?shù)谝粠?6中的電容電流,而對于對應(yīng)于在沒有對移動觸頭進行電力供應(yīng)的情況下移動觸頭的打開位置的情況4,第二帶不再接收任何電流,因為不存在與固定觸頭的電容耦合。
為了克服該問題,第一帶的寬度可以調(diào)整為不超過20mn以便對于IOdB的信噪比, 獲得大約10 μ A的電流值信號。這使得能夠改進對于信號的損害的選擇性。在20mm之下, 對于接近10 μ A的信號,噪擾將小于-10dB,如圖6所示。
在該圖中,曲線圖a表示按μΑ的信號對按mm的第一帶的寬度,而曲線圖b和c 分別表示根據(jù)第一帶的寬度的在打開的移動觸頭僅具有移動觸頭或固定觸頭的電力供應(yīng)的情況下的信噪比。
根據(jù)圖4所示的實施例,套管包括基本位于中心、面向陶瓷部分8和移動電極5的第一測量帶16、電連接到移動電極的環(huán)繞第一屏蔽層13的導(dǎo)電材料的分離的第二帶20,以及電連接到固定觸頭4的環(huán)繞第二屏蔽層14的、位于固定觸頭4的相同側(cè)的導(dǎo)電材料的第三帶27。
通過第三帶27,第四電容觀形成在所述第三帶27和第二屏蔽層14之間。該帶使得能夠補償由第一帶16和屏蔽層14之間的小電容33引起的寄生信號。被稱為第三電容 25和第四電容觀的電容的尺寸被規(guī)定為使得它們并聯(lián)連接形成的總電容的值等于由串聯(lián)連接的兩個電容17、18形成的組件的電容的值,這兩個電容17、18與電容33并聯(lián)連接。
在該實施例中,上述第二和第三帶電連接到相同的點,在該點處,分別流過這兩個帶的被稱為第二和第三電流的電流被彼此相加以提供被稱為第四電流的電流。該設(shè)備則包括用于測量流經(jīng)第一帶的被稱為第一電流的電流和上述被稱為第四電流的電流之間的差分電壓的部件。該差分電壓然后將能夠如之前實施例所述的為電子電路供電,該電路將致動指示部件。
第三帶的優(yōu)點是在觸頭6和7打開并且主電壓施加于固定觸頭6所處的一側(cè)的情況下提高測量的敏感度。
根據(jù)后一實施例,各個帶的寬度應(yīng)被優(yōu)選地選擇使得對于20dB的信噪比,信號的電流值大于16 μ A。由此即使在套管中移動觸頭打開或固定觸頭打開的情況下也能夠獲得信號的補償。
因此,根據(jù)該實施例,特定值的差分電壓的檢測將代表套管內(nèi)的泄露。
該設(shè)備適用于包括外殼的任何類型的套管,該外殼包括由陶瓷或由呈現(xiàn)類似電介質(zhì)特征的任何材料制成的部分。
該設(shè)備例如適用于諸如浮動屏蔽層類型的套管之類的套管,第一帶必須面向陶瓷和面向移動或固定電極安置。
也應(yīng)注意該差動開關(guān)能夠由使得狀態(tài)的變化可見的其他設(shè)備替換,諸如保險絲或引信,諸如Mi-top之類的磁體的去磁化部件,用于將有機材料的導(dǎo)電帶褪色的部件等。
本發(fā)明自然無意限制于描述和示出的實施例,它們僅作為示例目的給出。
相反,本發(fā)明擴展為涵蓋描述的部件的技術(shù)等價物以及其組合,只要后者根據(jù)本發(fā)明的精神實現(xiàn)。
權(quán)利要求
1.一種用于檢測真空斷路裝置中的真空損失的設(shè)備,所述裝置位于電力供應(yīng)的主電力系統(tǒng)中并且包括外殼,該外殼包括至少部分由諸如陶瓷的絕緣材料制成的基本為圓柱形的第一部分,所述第一部分在其兩個相對端處由兩個端面板封閉,所述外殼容納安全地附著于上述端面板中的一個并且支撐固定觸頭的固定電極,以及容納支撐移動觸頭的移動電極,所述移動電極以滑動的方式穿過該兩個端面板的另一個安裝在其中移動觸頭與固定觸頭接觸的該裝置的閉合位置和其中移動觸頭與固定觸頭分離的該裝置的打開位置之間,其特征在于,所述外殼(1)包括由絕緣材料制成的并且至少部分位于上述第一部分 (8)周圍的第二部分( ),該第二部分06)包括在其外部表面的至少一部分上形成屏蔽層的電接地的導(dǎo)電材料的層(15),其特征在于,此導(dǎo)電材料的層的被稱為第一帶(16)的帶與所述層的其余部分絕緣,被稱為第一帶的該帶位于面向第一絕緣部分(8)和固定電極(4) 或移動電極(5),被稱為第一帶(16)的該帶形成由串聯(lián)的兩個電容組成的電容,分別是被稱為真空電容(17)的電容,位于移動電極(5)或固定電極⑷和第一絕緣部分⑶的內(nèi)表面(19)之間,以及被稱為固態(tài)電容(18)的電容,安裝在上述第一絕緣部分(8)的內(nèi)表面 (19)和被稱為第一帶(16)的該帶之間,以及包括連接到指示部件的用于測量流經(jīng)被稱為第一帶的帶的電流的部件,該電流值的值的特定變化說明真空電容(17)的值的變化,該變化說明在真空斷路裝置A內(nèi)的真空損失。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于檢測真空損失的設(shè)備,所述裝置包括屏蔽層(13),電連接到移動電極( 或固定電極以及部分環(huán)繞移動電極( 或固定電極G),其特征在于,在上述導(dǎo)電材料的層(15)的內(nèi)部,導(dǎo)電材料的第二帶OO)與上述導(dǎo)電層(15)的其余部分以及與上述第一帶(16)絕緣,第二帶OO)位于面向所述屏蔽層(13)并且在被稱為第二帶OO)的帶和所述屏蔽層(1 之間形成被稱為第三電容0 的電容,被稱為第三電容 (25)的電容的尺寸被規(guī)定為使得其值等于串聯(lián)連接的被稱為第一和第二電容(17、18)的上述兩個電容的值,以及包括用于測量在兩個帶(16、20)之間的電壓的部件,由該裝置內(nèi)真空的損失引起的真空電容(17)的值的變化引起在第一帶(16)中流動的電流的值的變化,在兩個電流值之間的差引起在兩個帶(16、20)之間的差分電壓,以及包括用于指示特定差分電壓值的部件。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于檢測真空損失的設(shè)備,其特征在于,被稱為第一帶(16) 的帶的寬度最大是20mm,以使得在泄露的情況下在第一帶(16)的端子處測量的電流的值對于IOdB的信噪比大約是10 μ A。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于檢測真空損失的設(shè)備,所述裝置包括電連接到移動電極 (5)或固定電極⑷的第一屏蔽層(13),以及電連接到固定電極(4)或移動電極(5)的第二屏蔽層(14),所述屏蔽層至少部分環(huán)繞移動電極(5)或固定電極G),其特征在于,在上述導(dǎo)電材料的層(15)的內(nèi)部,導(dǎo)電材料的第二帶OO)和第三帶(XT)與上述導(dǎo)電層(15) 的其余部分以及與上述第一帶(16)絕緣,這些第二帶和第三帶(20,27)分別位于面向第一屏蔽層(13)和第二屏蔽層(14)并且形成被稱為第三電容05)的電容和被稱為第四電容 (28)的電容,第三電容和第四電容分別在被稱為第二帶OO)的帶和所述第一屏蔽層(13) 之間以及在被稱為第三帶(XT)的帶和所述第二屏蔽層(14)之間,被稱為第三電容05)和第四電容08)的所述電容的尺寸被規(guī)定為使得它們的值等于串聯(lián)連接的被稱為第一和第二電容(17、18)的上述兩個電容的值,其特征在于,被稱為第二和第三帶的帶電連接到同一個點,在該點處,流過這兩個帶的被稱為第二和第三電流的電流被彼此相加以提供被稱為第四電流的電流,以及包括用于測量由在分別是被稱為上述第四電流的電流和流經(jīng)第一帶的被稱為第一電流的電流的兩個電流值之間的差產(chǎn)生的差分電壓的部件。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的用于檢測真空損失的設(shè)備,其特征在于,第一帶(16)的帶的寬度被調(diào)整,以使得對于20dB的信噪比,在第一帶的端子處測量的電流的值大于16 μ A。
6.根據(jù)權(quán)利要求2到5中任何一個所述的用于檢測真空損失的設(shè)備,其特征在于,其包括由上述差分電壓控制的電子電路和用于指示特定差分電壓值的控制部件,所述差分電壓值代表在真空斷路裝置內(nèi)的真空損失。
7.根據(jù)權(quán)利要求2和6所述的用于檢測真空損失的設(shè)備,其特征在于,這兩個帶(16, 20)的每個由阻抗(29,30)電接地,阻抗電路包括連接到這些阻抗09,30)的端子的差動開關(guān)02)。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的用于檢測真空損失的設(shè)備,其特征在于,上述用于指示的部件02)包括差動開關(guān)和/或保險絲和/或引信和/或用于將磁體去磁化的部件和/或用于將由有機材料制成的導(dǎo)電帶褪色的部件。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的用于檢測真空損失的設(shè)備,其特征在于,上述電子電路包括電荷電路,其累積足夠緩慢以便不對主電力系統(tǒng)的瞬間電壓電涌起反應(yīng),但是其足夠快以在真空損失的幾個小時或當天中起作用。
10.一種真空開關(guān),包括根據(jù)前述權(quán)利要求中任何一個所述的用于檢測真空損失的設(shè)備。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的真空開關(guān),其特征在于,它是真空套管。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的真空開關(guān),其特征在于,所述套管容納在外殼(1)中,在該外殼上絕緣材料被二次成型,該外殼的二次成型的部分的外表面被金屬化,所述金屬化層 (15)被接地并形成屏蔽層。
13.一種真空套管,還包括在電極和觸頭周圍安裝的浮動屏蔽層,所述套管包括根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于檢測真空損失的設(shè)備。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種用于檢測真空斷路裝置中的真空損失的設(shè)備,包括外殼,該外殼包括第一部分并容納固定電極和移動電極。該外殼包括至少部分位于第一部分周圍的第二部分,第二部分包括在其外部表面的至少一部分上形成屏蔽層的電接地的導(dǎo)電材料的層。該層的第一帶與層的其余部分絕緣,第一帶位于面向第一絕緣部分和固定電極或移動電極,第一帶形成由兩個串聯(lián)的電容組成的電容,即真空電容和固態(tài)電容,以及包括用于測量流經(jīng)被稱為第一帶的帶的電流的部件,在電流值的值的變化的特定值說明在真空斷路裝置內(nèi)的真空損失。
文檔編號H01H33/668GK102543564SQ201110409218
公開日2012年7月4日 申請日期2011年12月9日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月9日
發(fā)明者H.施樂肯斯, J-P.高西爾, S.奧利弗 申請人:施耐德電器工業(yè)公司
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