專利名稱：有機發(fā)光顯示裝置及其制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及有機發(fā)光顯示裝置及其制造方法，尤其涉及簡化制造工序、提高開口率的有機發(fā)光顯示裝置及其制造方法。
背景技術：
如有機發(fā)光顯示裝置、液晶顯示裝置等平板顯示裝置制作于形成有圖案的基板上，所述圖案包括薄膜晶體管(Thin Film Transistor，簡稱為TFT)、電容器、以及對它們進行連接的排線等。通常，為了在將被制作成平板顯示裝置的基板形成包括TFT等微細結構的圖案， 利用形成有如上所述的微細圖案的掩模板，將圖案轉印至陣列基板。利用掩模板轉印圖案的工序通常會使用光刻(photo-lithograpy)工序。根據(jù)光刻工序，在將會形成圖案的基板上均勻地涂布光刻膠(photoresist)，以如步進式對準機 (stepper)等曝光設備曝光光刻膠之后，(如果為正性(positive)光刻膠時)經過對感光的光刻膠進行顯影(developing)的過程。并且，顯影光刻膠之后經過一系列的過程，如將殘留的光刻膠當作掩模板蝕刻(etching)圖案、去除多余的光刻膠。如上所述，由于在利用掩模板轉印圖案的工序中首先需要準備具有所需圖案的掩模板，因此利用掩模板的工序越多，用于準備掩模板的制造成本越高。并且，由于需經過所述復雜的步驟，因此產生制造工序復雜、制造時間增加以及由此引起的制造成本上升的問題。

發(fā)明內容
本發(fā)明的目的在于提供簡化制造工序、提高開口率的有機發(fā)光顯示裝置及其制造方法。本發(fā)明提供有機發(fā)光顯示裝置，包括基板；輔助電極，形成于所述基板上；薄膜晶體管，形成于所述輔助電極上，包括活性層、柵電極、源電極和漏電極；有機發(fā)光器件，與所述薄膜晶體管電連接，并且依次層疊有像素電極、中間層和相對電極，其中，所述像素電極以與所述源電極和所述漏電極的至少一部分相同的物質形成于相同的層，所述中間層包括發(fā)光層，所述相對電極設置成與所述像素電極相對；以及接觸電極，間隔一定距離以與所述源電極和所述漏電極相同的物質形成于相同的層，從而電連接所述輔助電極和所述相對電極。在本發(fā)明中，所述輔助電極和所述活性層之間具有第一絕緣層，所述活性層和所述柵電極之間具有第二絕緣層，所述柵電極和所述接觸電極之間具有層間絕緣膜，所述接觸電極和所述輔助電極可以通過接觸孔接觸，其中所述接觸孔貫通所述第一絕緣層、所述第二絕緣層和所述層間絕緣膜。在本發(fā)明中，所述接觸電極和所述相對電極之間具有像素限定膜，所述接觸電極和所述相對電極可以通過接觸孔接觸，其中所述接觸孔貫通所述像素限定膜。
在本發(fā)明中，所述接觸電極的一端部與所述相對電極直接接觸，所述接觸電極的另一端部可以與所述輔助電極直接接觸。在本發(fā)明中，所述源電極和所述漏電極中的任一電極向一方向延伸，從而可以形成所述像素電極。在本發(fā)明中，所述源電極和所述漏電極中的任一電極和所述像素電極可以形成為一體。在本發(fā)明中，所述有機發(fā)光顯示裝置可以為向所述相對電極側呈現(xiàn)圖像的正面發(fā)光型。其中，所述相對電極可以包括選自ΙΤΟ、ΙΖ0, ZnO以及In2O3的一種以上的物質。其中，所述輔助電極可以包括選自Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、 Mo、Ti、W、MoW、鋁銅合金的一種以上的物質。根據(jù)本發(fā)明另一方面，提供有機發(fā)光顯示裝置，包括輔助電極，形成于基板上； 第一絕緣層，形成于所述輔助電極上；活性層，形成于所述第一絕緣層上；第二絕緣層，形成為覆蓋所述活性層；柵電極，在所述第二絕緣層上與所述活性層重疊地形成；層間絕緣膜，形成為覆蓋所述柵電極；源電極和漏電極，形成于所述層間絕緣膜的上部以與所述活性層電連接；接觸電極，以與所述源電極和所述漏電極相同的物質形成于相同的層，并與所述輔助電極的至少一部分接觸；像素限定膜，形成為覆蓋所述接觸電極、所述源電極和所述漏電極；以及相對電極，形成于所述像素限定膜的上部，其至少一部分與所述接觸電極接觸。在本發(fā)明中，所述源電極以及所述漏電極中的某一電極可以和所述像素電極形成為一體。在本發(fā)明中，所述有機發(fā)光顯示裝置可以為向所述相對電極側呈現(xiàn)圖像的正面發(fā)光型。其中，所述相對電極可以包括選自ΙΤΟ、ΙΖ0, ZnO以及In2O3的一種以上的物質。其中，所述輔助電極可以包括選自Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、 Mo、Ti、W、MoW、鋁銅合金的一種以上的物質。本發(fā)明另一方面，提供有機發(fā)光顯示裝置的制造方法，包括在基板上形成輔助電極的步驟；第一掩模工序步驟，在所述輔助電極上形成活性層；第二掩模工序步驟，在所述活性層的上部形成柵電極；第三掩模工序步驟，形成具有開口的層間絕緣膜，所述開口露出所述活性層的兩側和所述輔助電極的一部分；第四掩模工序步驟，分別形成源電極、漏電極、像素電極和接觸電極，其中，所述源電極和所述漏電極分別與在所述活性層上露出的兩側接觸，所述像素電極從所述源電極以及所述漏電極向一方向延伸，所述接觸電極與在所述輔助電極上露出的部分接觸；第五掩模工序步驟，形成像素限定膜，所述像素限定膜露出所述像素電極的至少一部分和所述接觸電極的至少一部分；以及在所述像素限定膜的上部形成相對電極的步驟，所述相對電極與在所述接觸電極上露出的部分接觸。在本發(fā)明中，所述第三掩模工序可以包括在所述柵電極的上部沉積第三絕緣層的步驟；以及圖案化所述第三絕緣層以形成開口的步驟，所述開口露出所述活性層的源區(qū)域以及漏區(qū)域的一部分和所述輔助電極的一部分。在本發(fā)明中，所述第四掩模工序可以包括在所述層間絕緣膜的上部沉積第四導電層和/或第五導電層的步驟；以及圖案化所述第四導電層和/或所述第五導電層，從而形成所述源電極、所述漏電極、所述像素電極以及所述接觸電極的步驟。在本發(fā)明中，所述第五掩模工序可以包括在所述基板的正面層疊第四絕緣層的步驟；以及圖案化所述第四絕緣層以形成開口的步驟，所述開口露出所述接觸電極以及所述像素電極的一部分。在本發(fā)明中，所述有機發(fā)光顯示裝置可以是向所述相對電極側呈現(xiàn)圖像的正面發(fā)光型。其中，所述相對電極可以包括選自ΙΤΟ、ΙΖ0, ZnO以及In2O3的一種以上的物質。其中，所述輔助電極可以包括選自Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、 Mo、Ti、W、MoW、鋁銅合金的一種以上的物質。根據(jù)如上所述的本發(fā)明，可以得到簡化有機發(fā)光顯示裝置的制造工序、提高開口率的效果。


圖1是根據(jù)本發(fā)明一實施例的有機發(fā)光顯示裝置的簡要截面圖；圖2至圖11是圖1的有機發(fā)光顯示裝置的制造步驟的簡要截面圖。附圖標記說明
10:基板；11:輔助電極；
12:第一絕緣層；21g:柵電極；
21s:源電極；21d:漏電極；
21c:接觸電極；217:層間絕緣膜；
420:像素限定膜；41p:像素電極；
422:中間層；423:相對電極。
具體實施例方式下面，參考附圖詳細說明本發(fā)明的實施例，以使得所屬技術領域的技術人員能夠簡單地實施。本發(fā)明可以以多種不同的形態(tài)實施，并不局限于在本說明書中說明的實施例。圖1是根據(jù)本發(fā)明一實施例的有機發(fā)光顯示裝置的簡要截面圖。如圖1所示，根據(jù)本發(fā)明一實施例的有機發(fā)光顯示裝置包括基板10、薄膜晶體管 TFT (thin film transistor)、儲能電容器Cst以及有機發(fā)光器件EL。具體地，基板10上形成有輔助電極11，輔助電極11的上部形成有如緩沖層等第一絕緣層12。并且，在第一絕緣層12上部的相同的層上，以相同的物質并且以預定的間隔，形成有活性層213和電容器下部電極313。其中，所述活性層213為通過對半導體層進行圖案化而成的、薄膜晶體管TFT的活性層213，以及所述電容器下部電極313為儲能電容器Cst 的電容器下部電極313。在活性層213和電容器下部電極313的上部形成有第二絕緣層14 ；在第二絕緣層 14的上部，以相同的物質并且以預定的間隔，形成有柵電極21g和電容器上部電極315，其中所述柵電極21g為通過第二導電層和第三導電層圖案化而成的、薄膜晶體管TFT的柵電極21g，以及所述電容器上部電極315為儲能電容器Cst的電容器上部電極315。其中，柵電極21g可以包括柵下部電極215和柵上部電極216。其中，在與柵電極21g的兩側對應的活性層213的邊緣，形成有源區(qū)域213a和漏區(qū)域21 ；在它們之間可以形成有溝道區(qū)域。
在柵電極21g和電容器上部電極315的上部，形成有層間絕緣膜217 ；在層間絕緣膜217的上部，以相同的物質并且以預定的間隔，形成有源電極21s、漏電極21d和接觸電極 21c，其中所述源電極21s、所述漏電極21d和所述接觸電極21c為通過對第四導電層以及第五導電層圖案化而成的源電極21s、漏電極21d以及接觸電極21c。其中，源電極21s可以包括源下部電極218s和源上部電極219s，漏電極2Id可以包括漏下部電極218d和漏上部電極219d，接觸電極21c可以包括接觸下部電極218c和接觸上部電極219c。并且，源電極 21s的一個端部可以向像素區(qū)域側延伸而成，這種延伸而成的部分可以形成像素電極41p。 此時，像素電極41p可以包括像素下部電極418和像素上部電極419。
其中，源電極21s和漏電極21d可以通過接觸孔與活性層213邊緣的源區(qū)域213a 和漏區(qū)域21 電連接。并且，接觸電極21c可以通過接觸孔與輔助電極11電連接。
源電極21s、漏電極21d、接觸電極21c以及像素電極41p的上部形成有像素限定膜420以限定像素區(qū)域。并且，在像素電極41p的上部形成包括有機發(fā)光層的中間層422 之后，在其上形成相對電極423。此時，相對電極423可以通過接觸孔與接觸電極21c電連接。
結果，輔助電極11和相對電極423通過接觸電極21c電連接。根據(jù)如上所述的本發(fā)明一實施例，可以解決在開口率優(yōu)異的正面發(fā)光結構中由相對電極423的高電阻引起的電阻壓降(IR drop)問題。對此作進一步的詳細說明如下。
根據(jù)呈現(xiàn)圖像的方向，有機發(fā)光顯示裝置可分為正面發(fā)光型(top emission type)，向基板10的反方向，即從基板10向相對電極423的方向呈現(xiàn)圖像；以及背面發(fā)光型(bottom emission type)，向基板10側呈現(xiàn)圖像。其中，向正面呈現(xiàn)圖像的正面發(fā)光型具有如下優(yōu)點相比背面發(fā)光型具有更高的開口率。相反，為了向正面呈現(xiàn)圖像，相對電極 423應為ITO等透明電極，然而大部分上述的透明電極電阻大，因此產生了由這種電阻引起的電阻壓降(IR drop)現(xiàn)象等問題。
從而，為了實現(xiàn)開口率更高的正面發(fā)光的同時降低相對電極423的高電阻，根據(jù)本發(fā)明一實施例的有機發(fā)光顯示裝置的一特征在于就在基板10的上部設置輔助電極11， 使相對電極423和輔助電極11通過接觸電極21c電連接。如上所述，將以電阻高的ITO等透明電極形成的相對電極423電連接至由金屬形成的輔助電極11，從而可以大幅度降低相對電極423的電阻壓降。根據(jù)如上所述的本發(fā)明，可以得到如下的效果既實現(xiàn)了開口率高的正面發(fā)光型有機發(fā)光顯示裝置，也降低了相對電極423的電阻壓降。
下面，對圖1所示的有機發(fā)光顯示裝置的制造方法進行詳細說明。圖2至圖11是圖1的有機發(fā)光顯示裝置的制造步驟的簡要截面圖。
如圖2所示，在基板10上依次形成第一導電層11、第一絕緣層12以及半導體層 13。
基板10可以由以SW2為主成分的透明材質的玻璃材質形成。然而，基板10并不限于此，其還可以利用透明的塑料材質或金屬材質等多種材質的基板。
基板10的上面沉積有第一導電層11，第一導電層11起到輔助陰電極的作用。第一導電層 11 可以包括選自 Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W、MoW、鋁銅合金的一種以上物質。如上所述，根據(jù)本發(fā)明一實施例的有機發(fā)光顯示裝置的一特征在于就在基板10的上部形成起到輔助電極的作用的第一導電層11，通過接觸電極(參考圖 1的21c)電連接相對電極(參考圖1的42 和第一導電層11，從而大幅度降低相對電極 (參考圖1的423)的電阻。下面，將第一導電層稱為輔助電極。
另外，第一導電層11的上面可以形成有如阻擋層和/或緩沖層等第一絕緣層12， 所述第一絕緣層12用于防止雜質離子擴散、防止水分或外部氣體滲透、平坦化表面。對于所述第一絕緣層12，可以使用S^2和/或SiNx等，并且通過等離子體增強化學氣相沉積(plasma enhanced chemical vapor exposition，簡稱為 PECVD)法、常壓化學氣相沉積 (atmospheric pressure CVD，簡稱為 APCVD)法、低壓化學氣相沉積(low pressure CVD，簡稱為LPCVD)法等多種沉積方法，進行沉積。
另外，在第一絕緣層12的上面形成有半導體層13。具體地，首先在第一絕緣層 12的上部沉積非晶硅之后，將其結晶化，從而形成包括多晶硅層的半導體層13。其中，非晶硅可以通過快速熱退火(rapid thermal annealing，簡稱為RTA)法、固相晶化(solid phase crystallization, ^ SPC)(excimer laser annealing, M 稱為ELA)法、金屬誘導晶化(metal induced crystallization，簡稱為MIC)法、金屬誘導橫向晶化(metal induced lateral crystallization，簡稱為MILC)法、連續(xù)橫向結晶 (sequential lateral solidification，簡稱為SLS)法等多種方法，進行結晶化。如上所述，半導體層13被圖案化為將在后面敘述的薄膜晶體管TFT的活性層213以及儲能電容器 Cst的電容器下部電極313。
然后，如圖3所示，圖案化半導體層13，從而在第一絕緣層12的上部形成薄膜晶體管TFT的活性層213和儲能電容器Cst的電容器下部電極313。具體地，通過使用第一掩模板(未圖示)的掩模工序，將半導體層13圖案化為薄膜晶體管TFT的活性層213和儲能電容器Cst的電容器下部電極313。在本實施例中，將活性層213和電容器下部電極313分開形成，然而還可以將活性層213和電容器下部電極313形成為一體。如上所述，薄膜晶體管 TFT的活性層213和儲能電容器Cst的電容器下部電極313可以以相同的物質形成于相同的層。
然后，如圖4所示，在已形成有活性層213和電容器下部電極313的基板10的正面依次沉積第二絕緣層14、第二導電層15以及第三導電層16。
對于第二絕緣層14，可以使用如SiNx或SiOx等無機絕緣膜，并且通過PECVD法、 APCVD法、LPCVD法等方法，進行沉積。所述第二絕緣層14，介于薄膜晶體管TFT的活性層 213和柵電極(參考圖1的21g)之間，起到了薄膜晶體管TFT的柵絕緣膜的作用；并且，介于電容器上部電極(參考圖1的315)和下部電極313之間，起到了儲能電容器Cst的介電層的作用。
第二導電層15 可以包括選自 Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、 W、MoW、鋁銅合金的一種以上的物質?；蛘?，第二導電層15還可以包括選自如IT0、IZ0、ai0 或^I2O3等透明物質的一種以上的物質。隨后，可以將所述第二導電層15圖案化為柵下部電極215和電容器上部電極315。
另外，第三導電層16 也可以包括選自 Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、 Mo、Ti、W、MoW、鋁銅合金的一種以上的物質?；蛘?，第三導電層16還可以包括選自如ΙΤ0、 IZO、ZnO或In2O3等透明物質的一種以上的物質。隨后，可以將所述第三導電層16圖案化為柵上部電極216。
然后，如圖5所示，在第二絕緣層14上分別形成柵電極21g和電容器上部電極 315。具體地，通過使用第二掩模板(未圖示)的掩模工序，對依次層疊于基板10的正面的所述第二導電層15和所述第三導電層16，進行圖案化。
此時，在活性層213上部形成有柵電極21g，所述柵電極21g包括柵下部電極 215，由部分第二導電層15形成；柵上部電極216，由部分第三導電層16形成。
其中，與活性層213的中間對應地形成柵電極21g，將柵電極21g作為掩模板，向活性層213摻雜η型或ρ型雜質，從而在活性層213的邊緣形成源區(qū)域213a和漏區(qū)域213b， 并且在它們之間形成溝道區(qū)域，其中所述源區(qū)域213a和所述漏區(qū)域21 分別與柵電極21g 的兩側對應。
并且，在電容器下部電極313的上部，圖案化有電容器上部電極315。其中，如圖5 所示，電容器上部電極315可以形成為以第二導電層15構成的單層；或者，雖未圖示，然而還可以形成為以第二導電層15和第三導電層16構成的兩層結構。
然后，如圖6所示，在已形成有柵電極21g和電容器上部電極315的基板10的正面沉積第三絕緣層17。
對于所述第三絕緣層17，可以由選自聚酰亞胺、聚酰胺、丙烯酸樹脂、苯甲酸環(huán)丁烯以及酚樹脂的一種以上有機絕緣物質，并且通過旋涂等方法形成。第三絕緣層17形成為具有足夠的厚度，例如形成為相比前述的第二絕緣層14更厚，從而起到了柵電極21g和源/ 漏電極(參考圖1的21s/21d)之間的層間絕緣膜的作用。并且，第三絕緣層17不僅可以由所述有機絕緣物質形成，而且可以由與前述的第二絕緣層14相同的無機絕緣物質形成， 還可以將有機絕緣物質和無機絕緣物質交替而形成。
然后，如圖7所示，圖案化第三絕緣層17，從而形成層間絕緣膜217，所述層間絕緣膜217具有開口 17a、開口 17b、開口 17c，所述開口 17a、開口 17b、開口 17c分別露出部分所述輔助電極11和源區(qū)域213a和漏區(qū)域21北。
具體地，通過使用第三掩模板(未圖示)的掩模工序，圖案化所述第三絕緣層17， 從而形成所述開口 17a、開口 17b、開口 17c。其中，所述開口 17b、開口 17c分別露出所述源區(qū)域213a和漏區(qū)域21 的一部分，所述開口 17c露出輔助電極11的一部分。
然后，如圖8所示，在基板10的正面沉積第四導電層18以及第五導電層19，以覆蓋所述層間絕緣膜217。所述第四導電層18和第五導電層19可以由選自與前述的第二導電層15或第三導電層16相同的導電物質形成，然而并不限于此，其還可以由多種導電物質形成。并且，所述導電物質沉積為具有足夠的厚度，以填充前述的開口 17a、開口 17b、開口 17c。即，第四導電層18和第五導電層19可以通過開口 17a與輔助電極11接觸。
然后，如圖9所示，圖案化第四導電層18和第五導電層19，從而分別形成源電極 21s、漏電極21d、接觸電極21c以及像素電極41p。
具體地，通過使用第四掩模板(未圖示)的掩模工序，圖案化所述第四導電層18 和第五導電層19，從而分別形成源電極21 s、漏電極21 d和接觸電極21 c。從而，源電極21 s、漏電極21d以及接觸電極21c以相同的物質形成于相同的層。如上所述，所形成的接觸電極21c的一個端部與輔助電極11接觸。
其中，所述源電極21s和漏電極21d中的一個電極(本實施例中，相當于源電極 21s)的一個端部可以形成為向形成有有機發(fā)光器件(參考圖1的EL)的區(qū)域延伸，這種延伸而形成的部分可以形成像素電極41p。此時，像素電極41p可以包括像素下部電極418和像素上部電極419。
然后，如圖10以及圖11所示，在基板10上形成像素限定膜(pixel define layer, 簡稱為PDL)420。
具體地，如圖10所示，在已形成有所述源電極21s、漏電極21d、接觸電極21c以及像素電極41p的基板10的正面沉積第四絕緣層20。此時，所述第四絕緣層20可以使用選自聚酰亞胺、聚酰胺、丙烯酸樹脂、苯甲酸環(huán)丁烯以及酚樹脂的一種以上有機絕緣物質，并且通過旋涂等方法形成。并且，所述第四絕緣層20不僅可以由如上所述的有機絕緣物質形成，而且還可以由選自Si02、SiNx, A1203、CuOx, Tb4O7, Y2O3> Nb2O5, Pr2O3等的無機絕緣物質形成。并且，所述第四絕緣層20還可以由多層結構形成，所述多層結構是將有機絕緣物質和無機絕緣物質交替的結構。
然后，如圖11所示，圖案化第四絕緣層20，從而形成像素限定膜420。其中，所述像素限定膜420具有開口 20a、開口 20b ；所述開口 20a、開口 20b分別露出所述接觸電極21c 和像素電極41p的一部分。
具體地，通過使用第五掩模板(未圖示)的掩模工序，圖案化所述第四絕緣層20， 從而形成開口 20b以露出像素電極41p的中央部，由此形成用于限定像素的像素限定膜 420。與此同時，還形成開口 20a，所述開口 20a露出接觸電極21c的中央部。
如上所述的像素限定膜420具有預定的厚度，從而增加了像素電極41p的邊緣和相對電極(參考圖1的423)之間的間隔，以防止電場集中于像素電極41p邊緣的現(xiàn)象，由此防止在像素電極41p和相對電極(參考圖1的42 之間發(fā)生短路。
然后，在露出所述像素電極41p的開口 20b形成中間層422(參考圖1的422)之后，在露出所述像素電極41p的開口 20b以及露出接觸電極21c的開口 20a形成相對電極 423，從而完成如圖1所示的本發(fā)明有機發(fā)光顯示裝置的制造，其中，所述中間層422包括有機發(fā)光層。
具體地，所述中間層422可以由有機發(fā)光層(emissive layer，簡稱為EML)和選自空穴傳輸層(hole transport layer，簡稱為 HTL)、空穴注入層(hole injection layer, 簡稱為HIL)、電子傳輸層(electron transport layer，簡稱為ETL)以及電子注入層 (electron injection layer，簡稱為EIL)等功能層中的一個以上的層，以單一結構或復合結構層疊而成。
所述中間層422可以由低分子或者高分子有機物形成。
當中間層422由低分子有機物形成時，則以有機發(fā)光層為中心，可以向像素電極 41p的方向層疊有空穴傳輸層以及空穴注入層等，并且可以向相對電極423方向層疊有電子傳輸層以及電子注入層等。除此之外，根據(jù)需求還可層疊多種層。此時，可使用的有機材料包括但不限于酞菁銅(copper phthalocyanine，簡稱為CuPc)、N，N，_二(萘基)-N， N' - 二苯基-聯(lián)苯胺(N，N，-Di (naphthalene-1-yl) -N, N' -diphenyl-benzidine,簡稱為 NPB)、三-8-羥基喹啉鋁(tris-8-hydroxyquinoline aluminum) (Alq3)等。
另外，當中間層422由高分子有機物形成時，則以有機發(fā)光層為中心，可以向像素電極41p的方向只包括空穴傳輸層。空穴傳輸層，可以使用聚_(2，4)_乙烯-二羥基噻吩 (poly-(2,4)-ethylene-dihydroxy thiophene,簡稱為 PED0T)或聚苯胺(polyaniline, 簡稱為PANI)，并且通過噴墨印刷或旋涂等方法，形成于像素電極41p的上部。此時，可使用的有機材料有聚亞苯基乙烯(Poly-Phenylenevinylene，簡稱為PPV)類以及聚芴 (Polyfluorene)類等高分子有機物，可以通過噴墨印刷、旋涂或者利用激光的熱轉印方式等通常的方法形成色彩圖案。
所述相對電極423可以沉積于基板10正面以形成為公共電極。根據(jù)本實施例的有機發(fā)光顯示裝置中，像素電極41p用作陽電極，相對電極423用作陰電極。當然，也可以將電極的極性相互倒換。
當有機發(fā)光顯示裝置為在基板10的反方向呈現(xiàn)圖像的正面發(fā)光型(top emission type)時、即從基板10向相對電極423側呈現(xiàn)圖像的正面發(fā)光型時，則相對電極423為透明電極，像素電極41p為反射電極。此時，反射電極可以通過將功函數(shù)低的金屬、例如Ag、Mg、 Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al 或者其化合物薄薄地沉積而形成。
在用于形成前述的有機發(fā)光顯示裝置的各個掩模工序中，可以通過干法蝕刻或者濕法蝕刻去除層疊膜。
如上所述，將由電阻高的ITO等透明電極形成的相對電極423電連接至由金屬形成的輔助電極11，從而可以大幅度降低相對電極423的電阻壓降。從而可以得到如下效果 既實現(xiàn)了開口率高的正面發(fā)光型有機發(fā)光顯示裝置，也降低了相對電極423的電阻壓降。
另外，在前述的實施例中以有機發(fā)光顯示裝置為例進行了說明，然而本發(fā)明并不限于此，當然還可以適用于包括液晶顯示裝置在內的多種顯示器件。
并且，在用于說明本發(fā)明實施例的附圖中只圖示了一個TFT和一個電容器，然而這僅僅是為了便于說明，本發(fā)明并不限于此，當然在不增加根據(jù)本發(fā)明的掩模工序的前提下還可以包括多個TFT和多個電容器。
本說明書中，以限定的實施例為中心說明本發(fā)明，然而在本發(fā)明的保護范圍內可以有多種實施例。并且，雖未說明，但是等同的手段亦可結合于本發(fā)明。從而，本發(fā)明真正所要保護的范圍應由權利要求所決定。
權利要求
1.一種有機發(fā)光顯示裝置，包括 基板；輔助電極，形成于所述基板上；薄膜晶體管，形成于所述輔助電極上，包括活性層、柵電極、源電極和漏電極； 有機發(fā)光器件，與所述薄膜晶體管電連接，并且依次層疊有像素電極、中間層和相對電極，其中，所述像素電極以與所述源電極和所述漏電極的至少一部分相同的物質形成于相同的層，所述中間層包括發(fā)光層，所述相對電極設置成與所述像素電極相對；以及接觸電極，間隔預定距離以與所述源電極和所述漏電極相同的物質形成于相同的層， 從而電連接所述輔助電極和所述相對電極。
2.根據(jù)權利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，其特征在于，所述輔助電極和所述活性層之間具有第一絕緣層，所述活性層和所述柵電極之間具有第二絕緣層，所述柵電極和所述接觸電極之間具有層間絕緣膜，所述接觸電極和所述輔助電極通過接觸孔接觸，其中所述接觸孔貫通所述第一絕緣層、所述第二絕緣層和所述層間絕緣膜。
3.根據(jù)權利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，其特征在于， 所述接觸電極和所述相對電極之間具有像素限定膜，所述接觸電極和所述相對電極通過接觸孔接觸，其中所述接觸孔貫通所述像素限定膜。
4.根據(jù)權利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，其特征在于， 所述接觸電極的一端部與所述相對電極直接接觸，所述接觸電極的另一端部與所述輔助電極直接接觸。
5.根據(jù)權利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，其特征在于，所述源電極和所述漏電極中的任一電極向一方向延伸，從而形成所述像素電極。
6.根據(jù)權利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，其特征在于， 所述源電極和所述漏電極中的任一電極和所述像素電極形成為一體。
7.根據(jù)權利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，其特征在于， 所述有機發(fā)光顯示裝置為向所述相對電極側呈現(xiàn)圖像的正面發(fā)光型。
8.根據(jù)權利要求7所述的有機發(fā)光顯示裝置，其特征在于，所述相對電極包括選自ΙΤΟ、ΙΖ0, ZnO以及In2O3的一種以上的物質。
9.根據(jù)權利要求7所述的有機發(fā)光顯示裝置，其特征在于，所述輔助電極包括選自 Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W、MoW、鋁銅合金的一種以上的物質。
10.一種有機發(fā)光顯示裝置，包括 輔助電極，形成于基板上；第一絕緣層，形成于所述輔助電極上；活性層，形成于所述第一絕緣層上；第二絕緣層，形成為覆蓋所述活性層；柵電極，在所述第二絕緣層上與所述活性層重疊地形成；層間絕緣膜，形成為覆蓋所述柵電極；源電極和漏電極，形成于所述層間絕緣膜的上部以與所述活性層電連接； 接觸電極，以與所述源電極和所述漏電極相同的物質形成于相同的層，并與所述輔助電極的至少一部分接觸；像素限定膜，形成為覆蓋所述接觸電極、所述源電極和所述漏電極；以及相對電極，形成于所述像素限定膜的上部，其至少一部分與所述接觸電極接觸。
11.根據(jù)權利要求10所述的有機發(fā)光顯示裝置，其特征在于， 所述有機發(fā)光顯示裝置為向所述相對電極側呈現(xiàn)圖像的正面發(fā)光型。
12.根據(jù)權利要求11所述的有機發(fā)光顯示裝置，其特征在于，所述相對電極包括選自ITO、ΙΖ0, ZnO以及In2O3的一種以上的物質。
13.根據(jù)權利要求11所述的有機發(fā)光顯示裝置，其特征在于，所述輔助電極包括選自 Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W、MoW、鋁銅合金的一種以上的物質。
14.一種有機發(fā)光顯示裝置的制造方法，包括 在基板上形成輔助電極；第一掩模工序，在所述輔助電極上形成活性層； 第二掩模工序，在所述活性層的上部形成柵電極；第三掩模工序，形成具有多個開口的層間絕緣膜，所述多個開口分別露出所述活性層的兩側和所述輔助電極的一部分；第四掩模工序，分別形成源電極、漏電極、像素電極和接觸電極，其中，所述源電極和所述漏電極分別與在所述活性層上露出的兩側接觸，所述像素電極從所述源電極以及所述漏電極中的任一個向一方向延伸，所述接觸電極與在所述輔助電極上露出的部分接觸；第五掩模工序，形成像素限定膜，所述像素限定膜露出所述像素電極的至少一部分和所述接觸電極的至少一部分；以及在所述像素限定膜的上部形成相對電極，所述相對電極與在所述接觸電極上露出的部分接觸。
15.根據(jù)權利要求14所述的有機發(fā)光顯示裝置的制造方法，其特征在于，所述第三掩模工序包括在所述柵電極的上部沉積第三絕緣層；以及圖案化所述第三絕緣層以形成多個開口，所述多個開口分別露出所述活性層的源區(qū)域和漏區(qū)域的一部分以及所述輔助電極的一部分。
16.根據(jù)權利要求14所述的有機發(fā)光顯示裝置的制造方法，其特征在于，所述第四掩模工序包括在所述層間絕緣膜的上部沉積第四導電層和/或第五導電層；以及圖案化所述第四導電層和/或所述第五導電層，從而形成所述源電極、所述漏電極、所述像素電極以及所述接觸電極。
17.根據(jù)權利要求14所述的有機發(fā)光顯示裝置的制造方法，其特征在于，所述第五掩模工序包括在所述基板的正面層疊第四絕緣層；以及圖案化所述第四絕緣層以形成開口，所述開口露出所述接觸電極和所述像素電極的一部分。
18.根據(jù)權利要求14所述的有機發(fā)光顯示裝置的制造方法，其特征在于， 所述相對電極包括選自ΙΤΟ、ΙΖ0, ZnO以及In2O3的一種以上的物質。
19.根據(jù)權利要求14所述的有機發(fā)光顯示裝置的制造方法，其特征在于，所述輔助電極包括選自 Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W、MoW、鋁銅合金的一種以上的物質。
全文摘要
為了提供簡化制造工序且提高開口率的有機發(fā)光顯示裝置及其制造方法，本發(fā)明提供一種有機發(fā)光顯示裝置，包括基板；輔助電極，形成于所述基板上；薄膜晶體管，形成于所述輔助電極上，包括活性層、柵電極、源電極和漏電極；有機發(fā)光器件，與所述薄膜晶體管電連接，并依次層疊有像素電極、中間層和相對電極，其中，所述像素電極以與所述源電極和所述漏電極的至少一部分相同的物質形成于相同的層，所述中間層包括發(fā)光層，所述相對電極設置成與所述像素電極相對；以及接觸電極，間隔一定距離以與所述源電極和所述漏電極相同的物質形成于相同的層，從而電連接所述輔助電極和所述相對電極。
文檔編號H01L27/32GK102544054SQ20111022979
公開日2012年7月4日 申請日期2011年8月8日 優(yōu)先權日2010年12月14日
發(fā)明者崔埈厚, 柳春其 申請人:三星移動顯示器株式會社