專(zhuān)利名稱(chēng)：雙頻射頻識(shí)別標(biāo)簽的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及射頻識(shí)別技術(shù)，特別涉及一種雙頻的射頻識(shí)別標(biāo)簽。
背景技術(shù)：
射頻識(shí)別技術(shù)是一種非接觸的自動(dòng)識(shí)別技術(shù)，它通過(guò)射頻信號(hào)自動(dòng)識(shí)別目標(biāo)對(duì)象并獲取相關(guān)數(shù)據(jù)，識(shí)別工作無(wú)須人工干預(yù)，可工作于各種惡劣環(huán)境。RFID技術(shù)可識(shí)別高速運(yùn)動(dòng)物體并可同時(shí)識(shí)別多個(gè)標(biāo)簽，操作快捷方便。最基本的RFID系統(tǒng)由三部分組成標(biāo)簽、閱讀器和天線，其中天線在標(biāo)簽和閱讀器之間傳遞射頻信號(hào)。天線作為一種接收和發(fā)射電磁波的設(shè)備，是無(wú)線通訊系統(tǒng)中的一個(gè)關(guān)鍵部分，它是自由空間和傳輸線的接口。隨著射頻識(shí)別技術(shù)的發(fā)展，一種適用于雙頻的射頻識(shí)別標(biāo)簽的需求變得越來(lái)越迫切。將兩種頻率的標(biāo)簽天線做在同一個(gè)基材上，例如PET基材，面臨兩種天線互相干擾的問(wèn)題，如何避免兩種天線之間形成有效電容而影響RFID標(biāo)簽的性能是需要解決的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是將兩種頻率的標(biāo)簽天線無(wú)干擾的設(shè)置在同一基材上。 為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種雙頻射頻識(shí)別標(biāo)簽，
包括天線線圈和射頻識(shí)別芯片，其特征在于，所述天線線圈包括第一輻射體、第二輻射體和第三輻射體，所述第一輻射體位于所述基板的一側(cè)，所述第二輻射體和所述第三輻射體位于所述基板的另一側(cè)，
所述第一輻射體和所述第二輻射體在基板兩側(cè)的位置對(duì)應(yīng)，通過(guò)第一過(guò)橋和第二過(guò)橋聯(lián)通，形成第一頻率天線；
所述第三輻射體形成第二頻率天線。進(jìn)一步，所述第一輻射體包括至少螺旋繞制一圈的第一天線部和第一金屬部，所述第一金屬部位于所述第一天線部?jī)?nèi)部，所述第一天線部的每一圈在靠近第一天線部的頭端處向圓圈內(nèi)部方向凹入，所述第一金屬部包括未封閉的環(huán)形部以及位于環(huán)形部?jī)?nèi)部的點(diǎn)狀部，所述第一天線部的尾端與所述環(huán)形部相連；
所述第二輻射體包括至少螺旋繞制一圈的第二天線部和第二金屬部，所述第二金屬部為類(lèi)環(huán)形U形，所述第二天線部的尾端與所述第二金屬部連接，所述第二輻射體在所述第三輻射體內(nèi)部；
所述第三輻射體包括第三天線部、第四天線部、第一導(dǎo)引段和第二導(dǎo)引段，所述第三天線部為外邊中點(diǎn)有開(kāi)口的中空環(huán)形C形，所述第四天線部為外邊中點(diǎn)有開(kāi)口的中空環(huán)形弧形，所述第三天線部的開(kāi)口處與所述第四天線部的開(kāi)口處對(duì)應(yīng)，所述第一導(dǎo)引段連接所述第三天線部和所述第四天線部的一側(cè)開(kāi)口并向外延伸，所述第二導(dǎo)引段連接所述第三天線部和所述第四天線部的另一側(cè)開(kāi)口并向外延伸。優(yōu)選的，所述第一過(guò)橋的兩端分別位于所述第一天線部的頭端和第二天線部的頭端，所述第二過(guò)橋的兩端分別位于第一金屬部的點(diǎn)狀部和第二金屬部。
優(yōu)選的，所述射頻識(shí)別芯片分別為第一頻率射頻識(shí)別芯片和第二頻率射頻識(shí)別芯片，第一頻率射頻識(shí)別芯片焊點(diǎn)位于所述基板上第一輻射體所在一側(cè)，第二頻率射頻識(shí)別芯片焊點(diǎn)位于所述基板上第三輻射體所在一側(cè)。優(yōu)選的，所述第一頻率射頻識(shí)別芯片焊點(diǎn)位于第一金屬部，所述第二頻率射頻識(shí)別芯片焊點(diǎn)位于第一導(dǎo)引段和第二導(dǎo)引段向外延伸處。進(jìn)一步，所述第一輻射體包括至少螺旋繞制一圈的第一天線部和第一金屬部，所述第一金屬部位于所述第一天線部?jī)?nèi)部，所述第一金屬部為類(lèi)環(huán)形U形，所述第一天線部的尾端與所述第一金屬部相連；
所述第二輻射體包括至少螺旋繞制一圈的第二天線部、第二金屬部和第三導(dǎo)引段，所述第二金屬部為類(lèi)環(huán)形U形，所述第二天線部的尾端與所述第二金屬部連接，所述第三天線部和所述第二金屬部位于所述第三輻射體內(nèi)部，所述第三導(dǎo)引段為繞制方向與所述第二天線部相同的近似半圓弧，位于所述第三輻射體外部，所述第二天線部的頭端與所述第三導(dǎo)引段尾端連接并將所述第三輻射體的半部分包圍；
所述第三輻射體包括第三天線部、第四天線部、第一導(dǎo)引段和第二導(dǎo)引段，所述第三天線部為外邊中點(diǎn)有開(kāi)口的中空環(huán)形C形，所述第四天線部為外邊中點(diǎn)有開(kāi)口的中空環(huán)形弧形，所述第三天線部的開(kāi)口處與所述第四天線部的開(kāi)口處對(duì)應(yīng)，所述第一導(dǎo)引段連接所述第三天線部和所述第四天線部的一側(cè)開(kāi)口并向外延伸，所述第二導(dǎo)引段連接所述第三天線部和所述第四天線部的另一側(cè)開(kāi)口并向外延伸。優(yōu)選的，所述第一過(guò)橋的兩端分別位于所述第一天線部的頭端和第三導(dǎo)引段的頭端附近，所述第二過(guò)橋的兩端分別位于第一金屬部的類(lèi)環(huán)形U形中空處和第二金屬部。優(yōu)選的，所述射頻識(shí)別芯片為雙頻芯片，所述雙頻芯片中第一頻率的焊點(diǎn)位于所述第三導(dǎo)引段的頭端，所述雙頻芯片中的第二頻率的焊點(diǎn)位于所述第一導(dǎo)引段和所述第二導(dǎo)引段向外延伸處。優(yōu)選的，所述射頻識(shí)別芯片分別為第一頻率射頻識(shí)別芯片和第二頻率射頻識(shí)別芯片，所述第一頻率射頻識(shí)別芯片的焊點(diǎn)位于所述第一金屬部附近，所述第二頻率射頻識(shí)別芯片的焊點(diǎn)位于所述第一導(dǎo)引段和所述第二導(dǎo)引段向外延伸處。進(jìn)一步，所述第一頻率為低頻或者高頻，所述第二頻率為超高頻。本發(fā)明一種雙頻射頻識(shí)別標(biāo)簽的優(yōu)點(diǎn)在于大大降低多頻標(biāo)簽的生產(chǎn)成本，有效降低兩種頻率標(biāo)簽的相互干擾。


圖1為本發(fā)明雙頻射頻識(shí)別標(biāo)簽第一個(gè)實(shí)施例中基板一側(cè)的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖2為本發(fā)明雙頻射頻識(shí)別標(biāo)簽第一個(gè)實(shí)施例中基板另一側(cè)的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖3為本發(fā)明雙頻射頻識(shí)別標(biāo)簽第二個(gè)實(shí)施例中基板一側(cè)的結(jié)構(gòu)示意圖4為本發(fā)明雙頻射頻識(shí)別標(biāo)簽第二個(gè)實(shí)施例中基板另一側(cè)的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的具體實(shí)施例。實(shí)施例1參照?qǐng)D1和圖2所示，圖1和圖2分別為本發(fā)明雙頻射頻識(shí)別標(biāo)簽在基板上相對(duì)的兩個(gè)面，其中該標(biāo)簽包括兩個(gè)射頻識(shí)別芯片(RFIC)以及對(duì)應(yīng)的天線，兩個(gè)RFIC可以是高頻芯片和超高頻芯片，也可以是其他頻率的芯片。圖1所示為天線的輻射體11，輻射體11包括至少螺旋繞制一圈的天線部21和第一金屬部，第一金屬部位于天線部21內(nèi)部，天線部21 的每一圈在靠近天線部的頭端3處向圓圈內(nèi)部(圓心)方向凹入，第一金屬部包括未封閉的環(huán)形部31以及位于環(huán)形部31內(nèi)部的點(diǎn)狀部32，天線部21的尾端與環(huán)形部31相連。參見(jiàn)圖2所示，輻射體12包括至少螺旋繞制一圈的天線部22和第二金屬部33，所述第二金屬部為類(lèi)環(huán)形U形，天線部22的尾端與第二金屬部33連接，輻射體12在輻射體 13內(nèi)部。輻射體13包括天線部23、天線部24、導(dǎo)引段25和導(dǎo)引段沈，天線部23為中空環(huán)形C形，在外邊上中點(diǎn)位置處有開(kāi)口，天線部M為中空環(huán)形弧形，在外邊中點(diǎn)處有開(kāi)口，天線部23的開(kāi)口處與天線部M的開(kāi)口處對(duì)應(yīng)，導(dǎo)引段25為連接天線部23和天線部M的一側(cè)開(kāi)口并向外延伸，導(dǎo)引段26連接天線部23和天線部M的另一側(cè)開(kāi)口并向外延伸。所述基板可以是PET基材，天線線圈材料可以為鋁或者銅，第一金屬部為與天線線圈同質(zhì)的金屬平面體。圖1中位于天線部21的頭端3處的過(guò)橋點(diǎn)1和圖2中位于天線部23的頭端的過(guò)橋點(diǎn)1聯(lián)通形成第一過(guò)橋，圖1中位于點(diǎn)狀部32的過(guò)橋點(diǎn)1和圖2中位于第二金屬部33 的過(guò)橋點(diǎn)1聯(lián)通形成第二過(guò)橋，第一過(guò)橋和第二過(guò)橋使輻射體11和輻射體12形成第一頻率的天線，可以是高頻天線。輻射體13形成第三頻率的天線，可以是超高頻天線。本實(shí)施例中過(guò)橋點(diǎn)的位置選擇僅是一種具體實(shí)施方式
，過(guò)橋點(diǎn)的位置可以根據(jù)標(biāo)簽的工作頻率不同而不同。兩種頻率的射頻識(shí)別芯片的焊點(diǎn)分別在標(biāo)簽的兩個(gè)面上，其位置可以是任意的， 本實(shí)施例中具體選擇為第一頻率射頻識(shí)別芯片焊點(diǎn)位于第一金屬部，第二頻率射頻識(shí)別芯片焊點(diǎn)位于導(dǎo)引段25和導(dǎo)引段沈向外延伸處上。第一頻率可以具體為高頻，第二頻率可以具體為超高頻。第二頻率射頻識(shí)別芯片焊點(diǎn)盡量遠(yuǎn)離輻射體12的天線部22，以避免感應(yīng)電流的影響。輻射體13C形部分的直徑大于輻射體12的直徑，以使輻射體12能完全置于輻射體13中并且保持一定距離，這樣可以控制兩個(gè)輻射體形成電容。第一頻率和第二頻率可以更廣泛的在低頻、中頻、高頻中選擇兩個(gè)頻率，也同樣可以實(shí)現(xiàn)本發(fā)明。實(shí)施例2
參考圖3所示，輻射體14包括至少螺旋繞制一圈的天線部27和金屬部34，金屬部34 位于天線部27內(nèi)部，金屬部34為類(lèi)環(huán)形U形，天線部27的尾端與金屬部34相連。參考圖4所示，輻射體15包括至少螺旋繞制一圈的天線部觀、金屬部35和導(dǎo)引段41，所述金屬部35為類(lèi)環(huán)形U形，天線部28的尾端與金屬部35連接，天線部28和金屬部35位于輻射體16內(nèi)部，導(dǎo)引段41為繞制方向與所述第二天線部相同的近似半圓弧，位于輻射體16外部，天線部15的頭端與導(dǎo)引段41尾端連接并將輻射體16的半部分包圍。輻射體16包括天線部42、天線部43、導(dǎo)引段44和導(dǎo)引段45，天線部42為中空環(huán)形C形，在外邊上中點(diǎn)位置處有開(kāi)口，天線部43為中空環(huán)形弧形，在外邊中點(diǎn)處有開(kāi)口，天線部42的開(kāi)口處與天線部43的開(kāi)口處對(duì)應(yīng)，導(dǎo)引段44為連接天線部42和天線部43的一側(cè)開(kāi)口并向外延伸，導(dǎo)引段45為連接天線部42和天線部43的另一側(cè)開(kāi)口并向外延伸。
所述基板可以是PET基材，天線線圈材料可以為鋁或者銅，第一金屬部為與天線線圈同質(zhì)的金屬平面體。圖3中天線部14的頭端處的過(guò)橋點(diǎn)1和圖4中導(dǎo)引段41的頭端附近的過(guò)橋點(diǎn)1 聯(lián)通形成第一過(guò)橋，圖3中金屬部34的類(lèi)環(huán)形U形中空處過(guò)橋點(diǎn)1和圖4中金屬部35的過(guò)橋點(diǎn)1聯(lián)通形成第二過(guò)橋。第一過(guò)橋和第二過(guò)橋使輻射體14和輻射體15形成第一頻率的天線，可以是高頻天線。輻射體16形成第三頻率的天線，可以是超高頻天線。本實(shí)施例中過(guò)橋點(diǎn)的位置選擇僅是一種具體實(shí)施方式
，過(guò)橋點(diǎn)的位置可以根據(jù)標(biāo)簽的工作頻率不同而不同。本實(shí)施例中的射頻識(shí)別芯片可以為雙頻芯片，雙頻芯片中第一頻率的焊點(diǎn)和第二頻率的焊點(diǎn)均位于圖4中輻射體15和輻射體16所在平面，其位置可以是任意的，本實(shí)施例中具體選擇為第一頻率的焊點(diǎn)可以位于導(dǎo)引段41的頭端，第二頻率的焊點(diǎn)可以位于導(dǎo)引段44和所述導(dǎo)引段45向外延伸處。本實(shí)施例中的射頻識(shí)別芯片為多芯片時(shí)，即分別為第一頻率射頻識(shí)別芯片和第二頻率射頻識(shí)別芯片，其位置可以是任意的，本實(shí)施例中具體選擇為所述第一頻率射頻識(shí)別芯片的焊點(diǎn)位于金屬部34附近，第二頻率射頻識(shí)別芯片的焊點(diǎn)位于導(dǎo)引段44和導(dǎo)引段45 向外延伸處。本實(shí)施例中第一頻率可以為高頻，第二頻率可以為超高頻。其中，第一頻率也可以為低頻，此時(shí)只需調(diào)整天線的電長(zhǎng)度以使諧振頻率滿足低頻的工作頻率。本說(shuō)明書(shū)中所述的只是本發(fā)明的較佳具體實(shí)施例，以上實(shí)施例僅用以說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案而非對(duì)本發(fā)明的限制。凡本領(lǐng)域技術(shù)人員依本發(fā)明的構(gòu)思通過(guò)邏輯分析、推理或者有限的實(shí)驗(yàn)可以得到的技術(shù)方案，皆應(yīng)在本發(fā)明的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種雙頻射頻識(shí)別標(biāo)簽，包括天線線圈和射頻識(shí)別芯片，其特征在于，所述天線線圈包括第一輻射體、第二輻射體和第三輻射體，所述第一輻射體位于所述基板的一側(cè)，所述第二輻射體和所述第三輻射體位于所述基板的另一側(cè)，所述第一輻射體和所述第二輻射體在基板兩側(cè)的位置對(duì)應(yīng)，通過(guò)第一過(guò)橋和第二過(guò)橋聯(lián)通，形成第一頻率天線；所述第三輻射體形成第二頻率天線。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙頻射頻識(shí)別標(biāo)簽，其特征在于，所述第一輻射體包括至少螺旋繞制一圈的第一天線部和第一金屬部，所述第一金屬部位于所述第一天線部?jī)?nèi)部，所述第一天線部的每一圈在靠近第一天線部的頭端處向圓圈內(nèi)部方向凹入，所述第一金屬部包括未封閉的環(huán)形部以及位于環(huán)形部?jī)?nèi)部的點(diǎn)狀部，所述第一天線部的尾端與所述環(huán)形部相連；所述第二輻射體包括至少螺旋繞制一圈的第二天線部和第二金屬部，所述第二金屬部為類(lèi)環(huán)形U形，所述第二天線部的尾端與所述第二金屬部連接，所述第二輻射體在所述第三輻射體內(nèi)部；所述第三輻射體包括第三天線部、第四天線部、第一導(dǎo)引段和第二導(dǎo)引段，所述第三天線部為外邊中點(diǎn)有開(kāi)口的中空環(huán)形C形，所述第四天線部為外邊中點(diǎn)有開(kāi)口的中空環(huán)形弧形，所述第三天線部的開(kāi)口處與所述第四天線部的開(kāi)口處對(duì)應(yīng)，所述第一導(dǎo)引段連接所述第三天線部和所述第四天線部的一側(cè)開(kāi)口并向外延伸，所述第二導(dǎo)引段連接所述第三天線部和所述第四天線部的另一側(cè)開(kāi)口并向外延伸。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的雙頻射頻識(shí)別標(biāo)簽，其特征在于，所述第一過(guò)橋的兩端分別位于所述第一天線部的頭端和第二天線部的頭端，所述第二過(guò)橋的兩端分別位于第一金屬部的點(diǎn)狀部和第二金屬部。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的雙頻射頻識(shí)別標(biāo)簽，其特征在于，所述射頻識(shí)別芯片分別為第一頻率射頻識(shí)別芯片和第二頻率射頻識(shí)別芯片，第一頻率射頻識(shí)別芯片焊點(diǎn)位于所述基板上第一輻射體所在一側(cè)，第二頻率射頻識(shí)別芯片焊點(diǎn)位于所述基板上第三輻射體所在一側(cè)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的雙頻射頻識(shí)別標(biāo)簽，其特征在于，所述第一頻率射頻識(shí)別芯片焊點(diǎn)位于第一金屬部，所述第二頻率射頻識(shí)別芯片焊點(diǎn)位于第一導(dǎo)引段和第二導(dǎo)引段向外延伸處。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙頻射頻識(shí)別標(biāo)簽，其特征在于，所述第一輻射體包括至少螺旋繞制一圈的第一天線部和第一金屬部，所述第一金屬部位于所述第一天線部?jī)?nèi)部，所述第一金屬部為類(lèi)環(huán)形U形，所述第一天線部的尾端與所述第一金屬部相連；所述第二輻射體包括至少螺旋繞制一圈的第二天線部、第二金屬部和第三導(dǎo)引段，所述第二金屬部為類(lèi)環(huán)形U形，所述第二天線部的尾端與所述第二金屬部連接，所述第三天線部和所述第二金屬部位于所述第三輻射體內(nèi)部，所述第三導(dǎo)引段為繞制方向與所述第二天線部相同的近似半圓弧，位于所述第三輻射體外部，所述第二天線部的頭端與所述第三導(dǎo)引段尾端連接并將所述第三輻射體的半部分包圍；所述第三輻射體包括第三天線部、第四天線部、第一導(dǎo)引段和第二導(dǎo)引段，所述第三天線部為外邊中點(diǎn)有開(kāi)口的中空環(huán)形C形，所述第四天線部為外邊中點(diǎn)有開(kāi)口的中空環(huán)形弧形，所述第三天線部的開(kāi)口處與所述第四天線部的開(kāi)口處對(duì)應(yīng)，所述第一導(dǎo)引段連接所述第三天線部和所述第四天線部的一側(cè)開(kāi)口并向外延伸，所述第二導(dǎo)引段連接所述第三天線部和所述第四天線部的另一側(cè)開(kāi)口并向外延伸。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的雙頻率射頻識(shí)別標(biāo)簽，其特征在于，所述第一過(guò)橋的兩端分別位于所述第一天線部的頭端和第三導(dǎo)引段的頭端附近，所述第二過(guò)橋的兩端分別位于第一金屬部的類(lèi)環(huán)形U形中空處和第二金屬部。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的雙頻射頻識(shí)別標(biāo)簽，其特征在于，所述射頻識(shí)別芯片為雙頻芯片，所述雙頻芯片中第一頻率的焊點(diǎn)位于所述第三導(dǎo)引段的頭端，所述雙頻芯片中的第二頻率的焊點(diǎn)位于所述第一導(dǎo)引段和所述第二導(dǎo)引段向外延伸處。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的雙頻射頻識(shí)別標(biāo)簽，其特征在于，所述射頻識(shí)別芯片分別為第一頻率射頻識(shí)別芯片和第二頻率射頻識(shí)別芯片，所述第一頻率射頻識(shí)別芯片的焊點(diǎn)位于所述第一金屬部附近，所述第二頻率射頻識(shí)別芯片的焊點(diǎn)位于所述第一導(dǎo)引段和所述第二導(dǎo)引段向外延伸處。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙頻射頻識(shí)別標(biāo)簽，其特征在于，所述第一頻率為低頻或者高頻，所述第二頻率為超高頻。
全文摘要
一種雙頻射頻識(shí)別標(biāo)簽，包括天線線圈和射頻識(shí)別芯片，其特征在于，所述天線線圈包括第一輻射體、第二輻射體和第三輻射體，所述第一輻射體位于所述基板的一側(cè)，所述第二輻射體和所述第三輻射體位于所述基板的另一側(cè)，所述第一輻射體和所述第二輻射體在基板兩側(cè)的位置對(duì)應(yīng)，通過(guò)第一過(guò)橋和第二過(guò)橋聯(lián)通，形成第一頻率天線，所述第三輻射體形成第二頻率天線。本發(fā)明可以大大降低多頻標(biāo)簽的生產(chǎn)成本，有效降低兩種頻率標(biāo)簽的相互干擾。
文檔編號(hào)H01Q1/22GK102254213SQ20111019662
公開(kāi)日2011年11月23日 申請(qǐng)日期2011年7月14日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月14日
發(fā)明者劉春艷, 周立雄, 徐良衡 申請(qǐng)人:上海復(fù)旦天臣新技術(shù)有限公司, 上海天臣射頻技術(shù)有限公司