專利名稱:發(fā)光器件及具有該發(fā)光器件的光照單元的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明實(shí)施例涉及一種發(fā)光器件及具有該發(fā)光器件的光照單元。
背景技術(shù):
發(fā)光二極管(LED)是一種將電能轉(zhuǎn)換成光的半導(dǎo)體器件。與諸如熒光燈或輝光燈之類的傳統(tǒng)光源相比較,LED在功耗、使用壽命、響應(yīng)速度、安全性和環(huán)境友好需求方面更為優(yōu)越。就此而言,已經(jīng)進(jìn)行了各種研究來用LED替代傳統(tǒng)的光源。LED正越來越多地被用作光源,以用于諸如室內(nèi)/室外使用的各種燈具等照明裝置、液晶顯示器、電子布告板及路燈。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實(shí)施例提供一種發(fā)光器件,其中阻擋部布置于凹槽(recess)中,以將該凹槽分成多個(gè)區(qū)域。本發(fā)明的實(shí)施例提供一種發(fā)光器件,包括多個(gè)發(fā)光二極管,布置于凹槽的多個(gè)分割區(qū)域中,以發(fā)出具有不同峰值波長(zhǎng)的光。本發(fā)明的實(shí)施例提供一種發(fā)光器件,包括布置于凹槽的多個(gè)分割區(qū)域中的相同熒光粉或不同熒光粉。本發(fā)明的實(shí)施例提供一種發(fā)光器件,包括具有凹部(concave part)的阻擋部,該凹部在凹槽中形成有階梯形部分或傾斜部分。本發(fā)明的實(shí)施例提供一種光照單元(light unit),包括多個(gè)發(fā)光器件。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的一種發(fā)光器件包括主體,具有凹槽;阻擋部,向上突出于該凹槽的底表面之上,并將該凹槽的底表面分成多個(gè)區(qū)域;多個(gè)發(fā)光二極管,包括被布置于該凹槽的底表面的第一區(qū)域中的第一二極管,以及被布置于該凹槽的底表面的第二區(qū)域中的第二二極管;多個(gè)引線電極,在該凹槽中彼此分開,并且被選擇性地連接至所述發(fā)光二極管;導(dǎo)線,將所述引線電極連接至所述發(fā)光二極管;樹脂層,位于該凹槽中;以及該阻擋部中的至少一個(gè)凹部,其中該凹部的高度低于該阻擋部的頂表面而高于該凹槽的底表面, 并且所述導(dǎo)線被設(shè)置在該凹部中,以將所述引線電極連接至彼此相對(duì)布置的所述發(fā)光二極管。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的一種光照單元,包括發(fā)光模塊,包括發(fā)光器件和板,在該板上排列所述發(fā)光器件;以及導(dǎo)光板,被布置于從該發(fā)光模塊發(fā)出的光的路徑中;其中,該發(fā)光器件包括主體,具有凹槽;阻擋部,向上突出于該凹槽的底表面之上,并將該凹槽的底表面分成多個(gè)區(qū)域;多個(gè)發(fā)光二極管,包括被布置于該凹槽的底表面的第一區(qū)域中的第一二極管,以及被布置于該凹槽的底表面的第二區(qū)域中的第二二極管;多個(gè)引線電極,在該凹槽中彼此分開,并且被選擇性地連接至所述發(fā)光二極管;導(dǎo)線,將所述引線電極連接至所述發(fā)光二極管;樹脂層,位于該凹槽中;以及該阻擋部中的至少一個(gè)凹部,其中該凹部的高度低于該阻擋部的頂表面而高于該凹槽的底表面,并且所述導(dǎo)線被設(shè)置在該凹部中,以將所述引線電極連接至彼此相對(duì)布置的所述發(fā)光二極管。本發(fā)明的實(shí)施例能夠提高發(fā)光器件中熒光粉的激勵(lì)(excitation)效率。本發(fā)明的實(shí)施例能夠提高發(fā)光器件中的提取(extraction)效率。本發(fā)明的實(shí)施例能夠提供一種能夠提高色彩再現(xiàn)率的發(fā)光器件。本發(fā)明的實(shí)施例能夠提供發(fā)光器件的可靠性。
圖1為示出根據(jù)第一實(shí)施例的發(fā)光器件的剖視圖2為圖1的局部放大圖3為沿圖1中A-A線的剖視圖4為圖1的平面圖5為根據(jù)另一實(shí)施例的發(fā)光器件的平面圖6為根據(jù)又一實(shí)施例的發(fā)光器件的平面圖7為根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光器件的剖視圖8為根據(jù)第三實(shí)施例的發(fā)光器件的剖視圖9為根據(jù)第四實(shí)施例的發(fā)光器件的剖視圖10為根據(jù)第五實(shí)施例的發(fā)光器件的剖視圖11為根據(jù)第六實(shí)施例的發(fā)光器件的剖視圖12為圖11的側(cè)面剖視圖13為根據(jù)另一實(shí)施例的發(fā)光器件的剖視圖14為根據(jù)又一實(shí)施例的發(fā)光器件的剖視圖15為根據(jù)第七實(shí)施例的發(fā)光器件的剖視圖16為根據(jù)另一實(shí)施例的發(fā)光器件的局部放大圖17為根據(jù)第八實(shí)施例的發(fā)光器件的剖視圖18為根據(jù)第九實(shí)施例的發(fā)光器件的剖視圖19為圖18的平面圖20為根據(jù)第十實(shí)施例的發(fā)光器件的剖視圖21為根據(jù)第十一實(shí)施例的發(fā)光器件的透視圖22為圖21的底部視圖23為圖21的剖視圖24為根據(jù)第十二實(shí)施例的發(fā)光器件的剖視圖25為根據(jù)第十三實(shí)施例的發(fā)光器件的剖視圖26為根據(jù)第十四實(shí)施例的發(fā)光器件的剖視圖27為根據(jù)另一實(shí)施例的發(fā)光器件的剖視圖28為圖27的平面圖29為示出根據(jù)實(shí)施例的顯示裝置實(shí)例的拆分透視圖30為示出根據(jù)實(shí)施例的顯示裝置的另一實(shí)例的剖視圖
圖31為示出根據(jù)實(shí)施例的照明單元的透視圖;以及
圖32為示出圖1所示的發(fā)光器件封裝的輸出波長(zhǎng)的曲線
具體實(shí)施例方式在對(duì)于實(shí)施例的說明中,應(yīng)當(dāng)理解,當(dāng)一個(gè)層(或膜)、區(qū)域、圖案或結(jié)構(gòu)被認(rèn)為位于另一襯底、另一層(或膜)、另一區(qū)域、另一襯墊或另一圖案“上”或“下”時(shí),其可以“直接”或“間接”地位于所述另一襯底、層(或膜)、區(qū)域、襯墊或圖案“上”或“下”,或者也可以存在一個(gè)或多個(gè)中間層。已參照附圖描述了層的這種位置。為了方便或清楚的目的,圖中所示的各個(gè)層的厚度和尺寸可能被夸大、省略或示意性地繪示。此外,元件的尺寸不絕對(duì)反映實(shí)際尺寸。下面,將參照附圖來描述實(shí)施例。圖1為示出根據(jù)第一實(shí)施例的發(fā)光器件的剖視圖,圖2為圖1的局部放大圖,圖3 為沿圖1中A-A線的剖視圖,圖4為圖1的平面圖。參照?qǐng)D1至圖4,發(fā)光器件100可包括本體10、引線電極21和22、發(fā)光二極管32 和33、樹脂層41、42和43、以及阻擋部(barrier section) 510本體10可通過使用絕緣材料形成。例如,本體10可包括至少一種樹脂材料,如 PPA(聚鄰苯二甲酰胺)、LCP(液晶聚合物)或PA9T(聚酰胺9T);金屬材料PSG(感光玻璃);蘭寶石(Al2O3);以及PCB (印刷電路板)。取決于發(fā)光器件100的應(yīng)用和設(shè)計(jì),本體10可具有各種形狀。從頂部觀看時(shí),本體10可具有矩形、多邊形或圓形。陰極標(biāo)記可形成在本體10的上部。陰極標(biāo)記可將發(fā)光器件100的第一引線電極 21和第二引線電極22區(qū)分開,從而防止混淆第一引線電極21和第二引線電極22的極性方向。本體10可包括基底部11和反射部12?;撞?1從反射部12的底部支撐發(fā)光器件100。反射部12可包括凹槽(recess) 13,凹槽13形成在基底部11的頂表面的周邊部的周圍,并具有開口的頂表面;并且反射部12反射從發(fā)光二極管31和32發(fā)出的光。反射部 12可通過使用與基底部11的材料相同的材料形成,并且可與基底部11整體形成。此外,反射部12也可通過使用與基底部11的材料不同的材料形成。在這種情況下,反射部12和基底部11可通過使用絕緣材料形成。凹槽13形成在反射部12中。凹槽13具有凹面形狀,該凹面形狀具有開口的頂部形狀。引線電極21和22設(shè)置在凹槽13的底部,且相互之間電分離。反射部12的內(nèi)壁可以是凹槽13的周邊,其可以是垂直的,或者可以以約10°至約 80°的角度傾斜,但本實(shí)施例不限于此。設(shè)置在兩個(gè)相鄰平面之間的反射部12的內(nèi)壁的邊緣部可以是彎曲的,或者以預(yù)定角度傾斜。從頂部觀看時(shí),凹槽13可具有圓形、橢圓形或多邊形,但本實(shí)施例不限于此。設(shè)置有至少兩個(gè)引線電極21和22,且相互之間電分離。弓丨線電極21和22可以是具有預(yù)定厚度的金屬板。金屬層可以涂覆在金屬板上,但本實(shí)施例不限于此。引線電極21 和22可包括金屬材料。例如,引線電極21和22可包括Ti、Cu、Ni、Au、Cr、Ta、Pt、Sn、Ag 和P中的至少一種。此外,引線電極21和22可包括單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu),但本實(shí)施例不限于此。引線電極21和22設(shè)置在凹槽13的底部,且通過穿過本體10而暴露于外部。具體而言,引線電極21和22通過從本體10的基底部11與反射部12之間穿過而暴露于外部。 此外,引線電極21和22的另一端2IA和22A布置在本體10的底表面或外側(cè),以被用作電極端子。此外,引線電極21和22可以通孔(via)結(jié)構(gòu)設(shè)置在本體10的基底部11中,但本實(shí)施例不限于此。發(fā)光二極管31和32可設(shè)置在凹槽13中。發(fā)光二極管31和32可發(fā)出相同顏色或不同顏色的光。發(fā)光二極管31和32可發(fā)出可見光波段的光,如紅光、綠光、藍(lán)光或白光, 或者可發(fā)出紫外線波段的光,但本實(shí)施例不限于此。發(fā)光二極管31和32可被制備為水平芯片,其中兩個(gè)電極相互平行地排列,和/或制備為垂直芯片,其中兩個(gè)電極彼此相對(duì)地(in opposition to each other)排列。水平芯片可連接到至少兩根導(dǎo)線(wire),垂直芯片可連接到至少一根導(dǎo)線。如圖所示,發(fā)光二極管31和32通過導(dǎo)線接合方式、倒裝芯片方式或者裸片接合方式(die bonding scheme)而電連接到第一和第二引線電極21和22。第一發(fā)光二極管31經(jīng)由多根導(dǎo)線31A和31B連接到第一和第二引線電極21和 22,第二發(fā)光二極管32經(jīng)由多根導(dǎo)線32A和32B連接到第一和第二引線電極21和22。阻擋部51布置在第一發(fā)光二極管31與第二發(fā)光二極管32之間。阻擋部51從本體10的基底部11向上突出,且包括與本體10的材料相同的材料。此外,阻擋部51也可包括與本體10的材料不同的絕緣材料,但本實(shí)施例不限于此。凹槽13的底表面通過阻擋部51可被分為至少兩個(gè)區(qū)域13A和13B。分區(qū)域13A 和13B可具有相同尺寸或不同尺寸,但本實(shí)施例不限于此。如圖2所示,阻擋部51具有下部寬度Wl大于上部寬度的截面形狀。例如,阻擋部 51可具有包括下列至少之一的截面形狀三角形,矩形,梯形,半球形,以及它們的組合。阻擋部51的下部寬度Wl可以大于第一引線電極21與第二引線電極22之間的間隙G1。在這種情況下,能夠減少經(jīng)第一引線電極21與第二引線電極22之間的間隙Gl穿透進(jìn)入本體 10的濕氣(moisture)的量。阻擋部51的高度D2可從凹槽13的底表面或者從第一和第二引線電極21和22 的頂表面起測(cè)量。例如,阻擋部51可具有約20 μ m或以上的高度,優(yōu)選地,約100 μ m至約 150 μ m。此外,阻擋部51的高度D2比發(fā)光二極管31和32的厚度長(zhǎng),而比凹槽13的深度 Dl短。阻擋部51被定位為低于在該阻擋部51上方延伸的導(dǎo)線31B和32A。例如,導(dǎo)線31B 和32A被布置為使得尺寸約為50 μ m的間隙D4可形成在導(dǎo)線31B和32A與阻擋部51的頂表面之間。如圖3所示,阻擋部51的頂表面的長(zhǎng)度Ll比凹槽13的底表面的寬度W2長(zhǎng),但本實(shí)施例不限于此。如圖1所示,透射樹脂層41、42和43可形成在凹槽13中。樹脂層41、42和43可包括樹脂材料,如透明環(huán)氧樹脂或硅樹脂。此外,熒光粉(phosphor)、空氣間隙或擴(kuò)散劑可被選擇性地添加到樹脂層41、42和43中,但本實(shí)施例不限于此。透鏡可形成在樹脂層41、 42和43上。透鏡可包括凹透鏡、凸透鏡或凹凸透鏡。相對(duì)于阻擋部51,第一樹脂層41可形成在凹槽13的第一區(qū)域13A中,第二樹脂層 42可形成在凹槽13的第二區(qū)域1 上。第一和第二樹脂層41和42的高度可低于阻擋部 51的頂端低。在這種情況下,第一樹脂層41通過阻擋部51與第二樹脂層42物理地分離。第三樹脂層43可形成在凹槽13的上部。第三樹脂層43可形成在第一和第二樹脂層41和42上。具有預(yù)定顏色的熒光粉可被添加或不被添加到第三樹脂層43,但本實(shí)施例不限于此。第一和第二樹脂層41和42可具有平坦的頂表面。此外,第一和第二樹脂層41和 42YE可具有凹面形狀或凸面形狀。第三樹脂層43的頂表面可具有平坦形狀、凹面形狀或凸面形狀,但本實(shí)施例不限于此。此外,第一和第二樹脂層41和42可包括比第三樹脂層43 的材料更軟的材料(例如,環(huán)氧樹脂),但本實(shí)施例不限于此。根據(jù)實(shí)施例,第一發(fā)光二極管31可為藍(lán)色LED芯片,第二發(fā)光二極管32可為綠色 LED芯片。在這種情況下,紅色熒光粉可被添加到第一和第二樹脂層41和42。第一樹脂層 41的紅色熒光粉吸收具有藍(lán)光波長(zhǎng)的光,以發(fā)出具有紅光波長(zhǎng)的光;第二樹脂層42的紅色熒光粉吸收具有綠光波長(zhǎng)的光,以發(fā)出具有紅光波長(zhǎng)的光。根據(jù)實(shí)施例,具有藍(lán)光波長(zhǎng)的光和具有紅光波長(zhǎng)的光經(jīng)布置有第一發(fā)光二極管31的區(qū)域發(fā)出,而具有綠光波長(zhǎng)的光和具有紅光波長(zhǎng)的光經(jīng)布置有第二發(fā)光二極管32的區(qū)域發(fā)出。因此,能夠有效地發(fā)出具有紅光、綠光和藍(lán)光波長(zhǎng)的光,從而能夠提高色彩的再現(xiàn)率。具體而言,如圖32所示,可以按照預(yù)定水平的光強(qiáng)來提取藍(lán)光波長(zhǎng)光譜(約430nm至約480nm)、綠光波長(zhǎng)光譜(約500nm至約550nm)和紅光波長(zhǎng)光譜(約600nm至約690nm)。因此,如圖32所示,綠光波長(zhǎng)和紅光波長(zhǎng)的光強(qiáng)可為120或更大。與將藍(lán)色LED芯片和黃色熒光粉設(shè)置在一個(gè)凹槽13中的情況相比,該發(fā)光器件的封裝結(jié)構(gòu)可以提高白色的效率。此外,可以在相同的驅(qū)動(dòng)電壓下驅(qū)動(dòng)藍(lán)色LED芯片和綠色LED芯片,從而能夠簡(jiǎn)單地解決電位差造成的互連問題。同時(shí),如圖4所示,發(fā)光二極管31和32排列在同一軸線Lx上。第一和第二發(fā)光二極管31和32可以相對(duì)于阻擋部51而布置在預(yù)定距離(D/2)內(nèi)。在凹槽13中的發(fā)光二極管31與32之間的距離D與各發(fā)光二極管31或32與凹槽13的周邊之間的距離D相同。如圖5所示,多個(gè)第一發(fā)光二極管31可以布置在凹槽13的第一區(qū)域13A中,且多個(gè)第二發(fā)光二極管32可以布置在凹槽13的第二區(qū)域13B中。第一和第二發(fā)光二極管31 和32可以彼此串聯(lián)或并聯(lián)連接,但本實(shí)施例不限于此。如圖6所示,多個(gè)阻擋部51C可以形成在凹槽13中。兩個(gè)相鄰的阻擋部51C可以在相對(duì)于凹槽13的中心在它們之間形成預(yù)定角度(例如,θ 3 約120° )的同時(shí)延伸至凹槽13的周邊。凹槽13的底表面可以由阻擋部51C分為至少三個(gè)區(qū)域。角度θ 3可以根據(jù)阻擋部51C所分的區(qū)域的數(shù)目而變化,但本實(shí)施例不限于此。至少一個(gè)發(fā)光二極管31、32或 33可布置在各區(qū)域13Α、 ;3Β或13C中,布置在各區(qū)域13Α、1!3Β或13C中的發(fā)光二極管31、 32或33可用樹脂層覆蓋。發(fā)光二極管31、32或33可包括UV LED芯片,并且將紅色熒光粉、綠色熒光粉或藍(lán)色熒光粉添加到各區(qū)域13A、i;3B或13C的樹脂層,以提供白光。此外, 發(fā)光二極管31、32或33可包括紅色LED芯片、綠色LED芯片或藍(lán)色LED芯片。此外,發(fā)光二極管31、32或33也可包括相同的LED芯片,但本實(shí)施例不限于此。樹脂層和阻擋部51C 具有如圖1所示的高度。圖7為示出根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光器件的剖視圖。參照?qǐng)D7,發(fā)光器件101可包括布置在凹槽13中的阻擋部52。第一樹脂層45可形成在由阻擋部52劃分的第一區(qū)域13A中,以覆蓋第一發(fā)光二極管31,而第二樹脂層46可形成在第二區(qū)域13B中,以覆蓋第二發(fā)光二極管32。第一發(fā)光二極管31可為藍(lán)色LED芯片,第二發(fā)光二極管32可為UV LED芯片,紅色熒光粉可被添加到第一樹脂層45中,綠色熒光粉可被添加到第二樹脂層46中。因此,發(fā)光器件101可發(fā)出具有藍(lán)色、紅色和綠色的光。 如果藍(lán)色LED芯片和UV LED芯片之間的驅(qū)動(dòng)電壓存在差別,則可以提供并聯(lián)的電路圖案, 但本實(shí)施例不限于這樣的電路圖案。此外,紅色熒光粉或綠色熒光粉還可以被添加到第三樹脂層43中,但本實(shí)施例不限于此。圖8為示出根據(jù)第三實(shí)施例的發(fā)光器件的剖視圖。參照?qǐng)D8,發(fā)光器件可包括阻擋部51。相對(duì)于阻擋部51,第一發(fā)光二極管31和第一樹脂層41可以形成在凹槽13的第一區(qū)域13A中,而第二發(fā)光二極管32可以形成在凹槽 13的第二區(qū)域13B中。第三樹脂層43A可以形成在第一樹脂層41上以及第二區(qū)域13B中。第一發(fā)光二極管31可為藍(lán)色LED芯片,第二發(fā)光二極管32可為綠色LED芯片,且紅色熒光粉可被添加到第一樹脂層41中。這種封裝結(jié)構(gòu)吸收具有藍(lán)光波長(zhǎng)的一部分光,以將所述光轉(zhuǎn)換成紅光,從而減少綠光的損耗。圖9為示出根據(jù)第四實(shí)施例的發(fā)光器件的剖視圖。參照?qǐng)D9,發(fā)光器件103可包括相對(duì)于阻擋部52彼此相對(duì)的第一和第二發(fā)光二極管31和32,以及在引線電極21和22下方被布置在阻擋部52之下的保護(hù)器件30。保護(hù)器件30可電連接至引線電極21和22的底表面,并被埋置在基底部11中。保護(hù)器件30可包括齊納二極管或TVS(瞬時(shí)電壓抑制)二極管。阻擋部52可具有梯形截面形狀,且阻擋部52的兩側(cè)與凹槽13的兩側(cè)相對(duì)應(yīng)。阻擋部52的側(cè)面傾斜角度θ 2可以與反射部12的側(cè)面傾斜角度θ 1相同或不同。如果阻擋部52的側(cè)面傾斜角度θ 2與反射部12的側(cè)面傾斜角度Θ1不同,則滿足下式Θ1> θ 2。 在上述角度條件下,光可以被引導(dǎo)(induce)以在封裝中的凹槽13的上部混合。形成在凹槽中的第一和第二樹脂層47A和47B可具有凸透鏡形狀,且凸透鏡40可形成在第三樹脂層43上。圖10為示出根據(jù)第五實(shí)施例的發(fā)光器件的剖視圖。參照?qǐng)D10,發(fā)光器件104在凹槽13中可包括多個(gè)阻擋部52A、52B和52C。阻擋部 52A、52B和52C可以預(yù)定間隔沿本體10在長(zhǎng)度方向上排列。引線電極23、24、25和洸可以分別設(shè)置在由阻擋部52A、52B和52C所劃分的多個(gè)區(qū)域13D上,且多個(gè)發(fā)光二極管33可分別設(shè)置在引線電極23、24、25和沈上。多個(gè)發(fā)光二極管33可包括用于發(fā)出具有相同顏色或具有至少兩種顏色的光的多個(gè)LED芯片。例如,發(fā)光二極管33可制備為藍(lán)色LED芯片。 此外,多個(gè)發(fā)光二極管33可包括兩個(gè)藍(lán)色LED芯片和兩個(gè)綠色LED芯片。發(fā)光二極管33可彼此串聯(lián)或并聯(lián)連接,但本實(shí)施例不限于此。樹脂層48A、48B、48C和48D被布置在由阻擋部52A、52B和52C所劃分的多個(gè)區(qū)域 13D上。紅色熒光粉或具有其它顏色的熒光粉可被添加到樹脂層48A、48B、48C和48D中,但本實(shí)施例不限于此。圖11為根據(jù)第六實(shí)施例的發(fā)光器件的剖視圖,圖12為沿圖11的線B-B的側(cè)面剖視圖。參照?qǐng)D11,發(fā)光器件105可包括具有階梯形凹部53A的阻擋部53。至少一個(gè)凹部 53A可形成在阻擋部53中。凹部53A的高度D5比阻擋部53的頂表面低。阻擋部53的頂表面可等于或低于反射部12的頂表面,但本實(shí)施例不限于此。凹槽13的第一和第二區(qū)域13A和13B可具有與基于阻擋部53的凹部53A的深度相對(duì)應(yīng)的深度。阻擋部53的凹部53A的深度可大于基于凹槽13底表面的第一和第二發(fā)光二極管31和32的厚度。阻擋部53的凹部53A可用作將第一發(fā)光二極管31連接到第二引線電極22的第一導(dǎo)線31B和將第二發(fā)光二極管32連接到第一引線電極21的第二導(dǎo)線32A的通道。由于凹部53A用作第一和第二導(dǎo)線31B和32A的通道,所以即使阻擋部53的高度增加,導(dǎo)線31B 和32A的高度也可以不增加。如圖12所示,凹部53A的底表面可以是平坦的或凸起的,且凹部53A的兩個(gè)旁側(cè) (lateral side)可以彼此對(duì)應(yīng)地傾斜或垂直于凹槽13的底表面。如圖11和12所示,第一至第三樹脂層41、42和4 形成在凹槽13中。第一和第二樹脂層41和42可以從凹槽13的底表面的兩側(cè)對(duì)應(yīng)于阻擋部53的凹部53A的高度D5而延伸。在這種情況下,第一和第二樹脂層41和42的頂表面可以低于導(dǎo)線31A、31B、32A和 32B的最高點(diǎn)。此外,第一和第二樹脂層41和42可具有與阻擋部53的頂表面的高度相對(duì)應(yīng)的厚度。在這種情況下,第一和第二樹脂層41和42可以高于導(dǎo)線31A、31B、32A和32B的最高
點(diǎn)ο根據(jù)實(shí)施例,阻擋部53的凹部53A可用作導(dǎo)線的通道,從而與其它實(shí)施例相比,阻擋部的高度可以增加。參照?qǐng)D13 (A)和(B),阻擋部53可包括多個(gè)凹部53A和53D。凹部53A和53D可以預(yù)定深度形成在導(dǎo)線31B和32A的路徑中。凹部53A和53D的兩側(cè)壁可以沿著與從導(dǎo)線的一端到另一端繪示的虛擬線的延伸方向相同的方向傾斜。參照?qǐng)D14,凹部53E和53F形成在阻擋部53的頂表面上。凹部53E和53F至少兩次形成階梯。凹部53E和53F具有低于阻擋部53頂表面的二級(jí)階梯結(jié)構(gòu)。在這種情況下, 阻擋部53的中心為最低的凹部53F。圖15為示出根據(jù)第七實(shí)施例的發(fā)光器件的剖視圖。參照?qǐng)D15,發(fā)光器件106在凹槽13中可包括具有階梯形側(cè)壁的阻擋部M。阻擋部M的階梯形結(jié)構(gòu)54A可以以一級(jí)階梯結(jié)構(gòu)和二級(jí)階梯結(jié)構(gòu)的形式形成在阻擋部M的傾斜側(cè)壁處。階梯形側(cè)壁與本體10的兩個(gè)側(cè)壁12A相對(duì)應(yīng)。阻擋部M的階梯形結(jié)構(gòu)54A沿阻擋部M的長(zhǎng)度方向上延伸。阻擋部M的階梯形結(jié)構(gòu)54A可以加強(qiáng)樹脂層43B的粘合強(qiáng)度。阻擋部M可具有條形(bar shape)、彎折形(bending shape)或彎曲形(curved shape),并且可沿直線或斜線形成。阻擋部M的一部分可平行于凹槽13的旁側(cè),但本實(shí)施例不限于此。如圖16所示,阻擋部M的階梯形結(jié)構(gòu)可以傾斜地連接至阻擋部M的頂表面,或者垂直地連接至阻擋部M的頂表面。參照?qǐng)D16,第一引線電極21以預(yù)定間隙Gl與第二引線電極22相分離,且凹凸結(jié)構(gòu)21B和22B可形成在第一和第二引線電極21和22的頂表面上。阻擋部56的下部寬度 W2可大于間隙G1。阻擋部56的底表面具有與第一和第二引線電極21和22的凹凸結(jié)構(gòu) 2IB和22B相對(duì)應(yīng)的結(jié)構(gòu)。處于阻擋部56的兩個(gè)旁側(cè)56B處的階梯形結(jié)構(gòu)56D的高度可以與發(fā)光二極管的厚度相對(duì)應(yīng),但本實(shí)施例不限于此。
圖17為示出根據(jù)第八實(shí)施例的發(fā)光器件的剖視圖。參照?qǐng)D17,發(fā)光器件107在凹槽13中可包括排列在不同平面上的第一和第二引線電極23和M。第一引線電極23在凹槽13中可被排列為比第二電極M高出預(yù)定距離HI。阻擋部55B可被布置在第一引線電極23與第二引線電極M之間,阻擋部55B的一個(gè)旁側(cè)的高度可以與阻擋部55B的另一旁側(cè)的高度不同,從而能夠形成引線電極23和對(duì)的階梯形結(jié)構(gòu)。在阻擋部55B的區(qū)域中,第二引線電極M的一端在垂直方向上可與第一引線電極 23的另一端重疊,但本實(shí)施例不限于此。第二樹脂層42A可以形成在第二引線電極M上,以覆蓋第二發(fā)光二極管32。第二樹脂層42A的厚度可以比第一樹脂層41的厚度厚。在這種情況下,與第一樹脂層41相比, 更大量的熒光粉可被添加到第二樹脂層42A中。由于第一樹脂層41的厚度可以不同于第二樹脂層42A的厚度,所以從第一樹脂層41發(fā)出的光量可以不同于從第二樹脂層42A發(fā)出的光量。因此,基于第一樹脂層41與第二樹脂層42A之間的厚度差,可以提高色彩再現(xiàn)特性。圖18為示出根據(jù)第九實(shí)施例的發(fā)光器件的剖視圖,圖19為圖18的平面圖。參照?qǐng)D18和圖19,發(fā)光器件108可包括阻擋部115,該阻擋部115上布置有第一引線電極21和/或第二引線電極22的端部。第一引線電極21的一端121延伸至阻擋部115的一個(gè)旁側(cè)和其頂表面的一側(cè),第二引線電極22的另一端122延伸至阻擋部115的另一旁側(cè)和/或其頂表面的另一側(cè)。具體而言,第一引線電極21的一端121和第二引線電極22的另一端122可以延伸至阻擋部 115的頂表面,同時(shí)彼此物理地分離。由于阻擋部115的至少約60%的周邊覆蓋有第一和第二引線電極21和22,所以與其它實(shí)施例相比,能夠提高光反射效率。此外,第二導(dǎo)線31B可以接合至形成在阻擋部115的一端上的第一引線電極21的一端121,而第三導(dǎo)線32A可以接合至第二引線電極22的另一端122。因此,導(dǎo)線可以不布置在其它區(qū)域,且導(dǎo)線的長(zhǎng)度可以縮短。由于導(dǎo)線的長(zhǎng)度可以縮短,所以能夠防止導(dǎo)線的開路(open)ο根據(jù)該實(shí)施例,第一引線電極21的端部延伸至阻擋部155的上部。但是,根據(jù)另一實(shí)施例,第一引線電極21和/或第二引線電極22的端部可以延伸至凹槽區(qū)域。在這種情況下,在凹槽13的各區(qū)域中可以進(jìn)行導(dǎo)線接合。圖20為示出根據(jù)第十實(shí)施例的發(fā)光器件的剖視圖。參照?qǐng)D20,發(fā)光器件109可包括散熱框116。散熱框116可插入在第一引線電極 21與第二引線電極22之間,且第一發(fā)光二極管131和第二發(fā)光二極管132可分別設(shè)置在第一引線電極21和第二引線電極22上。散熱框116可包括布置在凹槽13底表面上的接合部116A和116B,劃分凹槽13底表面的阻擋部116D,以及延伸至本體10底表面的散熱部 116C。阻擋部116D可包括導(dǎo)電材料。阻擋部116D用作處于凹槽13底表面的發(fā)光二極管 131和132之間的阻擋件,且反射入射光。散熱部116C將從發(fā)光二極管131和132生成的熱量傳遞至向下的方向,從而提高了散熱效率。散熱部116C可以具有電極功能。散熱部116C也可被設(shè)計(jì)為只具有散熱功能。
接合部116A和116B從阻擋部116D的兩側(cè)向外延伸。發(fā)光二極管131和132分別安裝在接合部116A和116B上。圖21為根據(jù)第十一實(shí)施例的發(fā)光器件的透視圖,圖22為圖21的底部視圖,圖23 為圖21的剖視圖。參照?qǐng)D21至圖23,發(fā)光器件110可包括第一和第二引線電極71和72以及本體 60。第一和第二引線電極71和72的底表面被排列為與本體60的底表面相對(duì)齊(in line with)。陰極標(biāo)記60A可以形成在本體60的一部分上。第一引線電極71的另一端71A可以突出于本體60之外,且第二引線電極72的一側(cè)72A可以突出(protrude)于本體60之外,與第一引線電極71的另一端71A相對(duì)。阻擋部65突出于第一引線電極71與第二引線電極72之間,且該阻擋部65包括與本體60的材料相同的材料。至少阻擋部65的頂表面被布置為高于發(fā)光二極管31和32 的頂表面。阻擋部65可具有條形。阻擋部65可具有恒定的寬度,或者阻擋部65的寬度可以根據(jù)阻擋部65中的位置而變化。第一和第二引線電極71和72可以對(duì)稱地布置。這種對(duì)稱結(jié)構(gòu)能夠散發(fā)從發(fā)光二極管31和32生成的熱量。發(fā)光二極管31和32彼此串聯(lián)連接。安裝在第一引線電極71上的第一發(fā)光二極管31經(jīng)導(dǎo)線31C直接連接到安裝在第二引線電極72上的第二發(fā)光二極管32。參照?qǐng)D23,阻擋部65的上部寬度W3可以大于第一引線電極71與第二引線電極 72之間形成的間隙G2,且底表面65A的寬度W4可大于上部寬度W3。圖M為根據(jù)第十二實(shí)施例的發(fā)光器件的剖視圖。參照?qǐng)DM,發(fā)光器件112可包括在第一引線電極71與第二引線電極72之間具有傾斜結(jié)構(gòu)的阻擋部66。相對(duì)于阻擋部66的中心或者凹槽13的中心,阻擋部66的一側(cè)66A 指向第二引線電極72,而阻擋部66的另一側(cè)66B指向第一引線電極71。由于阻擋部66具有傾斜結(jié)構(gòu),所以第一引線電極71的一側(cè)可以更多地朝向第二引線電極72延伸,而第二引線電極72的另一側(cè)可以更多地朝向第一引線電極71延伸。第一引線電極71的一側(cè)經(jīng)導(dǎo)線32A連接至第二發(fā)光二極管32,而第二引線電極72的另一側(cè)經(jīng)導(dǎo)線31B連接至第一發(fā)光二極管31。因此,連接至第一引線電極71的導(dǎo)線32A與連接至第二引線電極72的導(dǎo)線32B偏移。在阻擋部66中可設(shè)置至少一個(gè)凹部,但本實(shí)施例不限于此。圖25為根據(jù)第十三實(shí)施例的發(fā)光器件的剖視圖。參照?qǐng)D25,發(fā)光器件113可包括形成在第一引線電極71與第二引線電極72之間的分割部62,以及將凹槽63的底表面分為至少兩個(gè)區(qū)域63A和63B的阻擋部67。分割部62排列為與第一和第二引線電極71和72的頂表面對(duì)齊,且可包括與本體10的材料相同的材料。相對(duì)于阻擋部67,分割部62的一側(cè)指向第一引線電極71,而分割部62的另一側(cè)指向第二引線電極72。因此,第二引線電極72的一端在阻擋部67與分割部62的一側(cè)之間朝向第一引線電極71延伸,第一引線電極71的一部分在阻擋部67與分割部62的另一側(cè)之間朝向第二引線電極72延伸。
第一引線電極71和第二引線電極72的一端72B布置在凹槽63的相對(duì)于阻擋部 67的第一區(qū)域63A中。此外,第二引線電極72和第一引線電極71的一端71B布置在凹槽 63的相對(duì)于阻擋部67的第二區(qū)域63B中。因此,第一發(fā)光二極管31安裝在布置于凹槽63 的第一區(qū)域63A中的第一引線電極71上,且經(jīng)導(dǎo)線31B電連接至第二引線電極72的一端 72B。此外,第二發(fā)光二極管32安裝在布置于凹槽63的第二區(qū)域63B中的第二引線電極72 上,且經(jīng)導(dǎo)線32A電連接至第一引線電極71的一端71B。具體而言,即使導(dǎo)線31B可以不越過阻擋部67而延伸以連接至第二引線電極72, 連接至第一發(fā)光二極管31的導(dǎo)線31B也可以連接至第二引線電極72的一端72B。此外,即使導(dǎo)線32A可以不越過阻擋部67而延伸以連接至第一引線電極71,連接至第二發(fā)光二極管 32的導(dǎo)線32A也可以連接至第一引線電極71的一端71B。此外,諸如齊納二極管等保護(hù)器件90可被埋置于阻擋部67的一部分中。在這種情況下,由于保護(hù)器件90而能夠減少光損耗。圖沈?yàn)楦鶕?jù)第十四實(shí)施例的發(fā)光器件的剖視圖。參照?qǐng)D沈,發(fā)光器件114可按照晶片級(jí)封裝的形式制備。發(fā)光器件114可包括具有預(yù)定深度的凹槽13。凹槽13可通過蝕刻本體15而形成。例如,可通過使用硅材料而將本體15制備為晶片級(jí)封裝(WLP)。本體15可使用 Si、Al、AlN、A10x、PSG(感光玻璃)、A1203或BeO而形成。硅(Si)在封裝的制造效率和散熱效率方面具有優(yōu)勢(shì),因此在實(shí)施例中可將硅用于本體15??赏ㄟ^體蝕刻(bulk etching)工藝來蝕刻本體15。蝕刻工藝可包括濕蝕刻工藝、 干蝕刻工藝和激光鉆孔工藝中的至少一種。可以同時(shí)使用上述工藝中的至少兩種。深反應(yīng)離子蝕刻工藝是干蝕刻工藝的典型工藝。本體15可形成有具有開口頂表面的凹槽13。從上方觀看時(shí),本體15可具有浴盆式凹面形、多邊凹面形或圓形凹面形,但本實(shí)施例不限于此。為了形成凹槽13,使用掩模來進(jìn)行圖案化工藝,然后使用各向異性濕蝕刻劑(例如Κ0Η、ΤΜΑΗ或EDP)來進(jìn)行濕蝕刻工藝。本體15的凹槽13的側(cè)壁15A可以相對(duì)于凹槽13的底表面以預(yù)定角度或預(yù)定曲率傾斜,或者垂直于凹槽13的底表面,但本實(shí)施例不限于此。本體15的外側(cè)可以以預(yù)定角度彎折。此外,本體15的外側(cè)還可以垂直地形成。絕緣層16可以形成在本體15上。絕緣層16可以包括從以下材料構(gòu)成的組中選擇的至少一種硅熱氧化物層(SiO2或SixOy)、A10X、硅氮化物層(Si3N4、SixNy或SiOxNy)、A1N 和Al2O3 ;但本實(shí)施例不限于此。本體15的凹槽區(qū)域的厚度可比本體15的其它區(qū)域的厚度薄。這種厚度差可根據(jù)蝕刻程度而變化。至少一個(gè)阱可形成在本體15中。可通過將導(dǎo)電雜質(zhì)注入或擴(kuò)散到本體15的頂表面和/或底表面上而形成阱。阱連接至引線電極121和122中的至少一個(gè),以形成保護(hù)器件(例如齊納二極管)或者恒流器件。經(jīng)由沉積工藝和/或電鍍工藝,引線電極121和122可形成為單層或多層。引線電極 121 和 122 可具有例如 Cr/Au/Cu/Ni/Au、Cr/Cu/Cu/Ni/Au、Ti/Au/Cu/Ni/Au、Ta/Cu/Cu/ Ni/Au、或 Ta/Ti/Cu/Cu/Ni/Au 等堆疊結(jié)構(gòu)。反射金屬和/或接合金屬可形成在引線電極121和122的最上層,但本實(shí)施例不限于此。第一發(fā)光二極管31可以安裝在第一引線電極121上,第二發(fā)光二極管32可以安裝在第二引線電極122上。阻擋部117在凹槽13中突出??稍谖g刻本體時(shí)形成阻擋部117。阻擋部117可包括與絕緣層16的材料相同的材料。第一引線電極121在凹槽13中沿著本體15的一側(cè)延伸至本體15的底表面以形成電極端子121B,而第二引線電極122在凹槽13中沿著本體15的另一側(cè)延伸至本體15的底表面以形成電極端子122B。第一引線電極121與第二引線電極122在凹槽13中彼此分開,并且是電性地和物理地相互分開。第一引線電極121的一部分121A可以延伸至阻擋部117的旁側(cè)和頂表面,且第二引線電極122的一部分122A可以延伸至阻擋部117的旁側(cè)和頂表面。因此,第一引線電極 121和第二引線電極122的端部被布置在阻擋部117上的不同區(qū)域。此外,第一引線電極121和第二引線電極122的端部可以越過阻擋部117而延伸至另一區(qū)域,但本實(shí)施例不限于此。連接至第一發(fā)光二極管31的導(dǎo)線31B可以接合至布置于第二區(qū)域13B中的第二引線電極122,而連接至第二發(fā)光二極管32的導(dǎo)線32A可以接合至布置于第一區(qū)域13A中的第一引線電極121。第一發(fā)光二極管31可以布置于第一區(qū)域13A中,而第二發(fā)光二極管32可以布置于第二區(qū)域13B中。第一樹脂層141可以布置于第一區(qū)域13A中,而第二樹脂層142可以布置于第二區(qū)域13B中。熒光粉可以被添加到第一樹脂層141和第二樹脂層142中。例如, 紅色熒光粉可以被添加到第一樹脂層141和第二樹脂層142中。第一發(fā)光二極管31可包括藍(lán)色發(fā)光二極管,而第二發(fā)光二極管32可包括綠色發(fā)光二極管。因此,可以發(fā)出具有藍(lán)色、綠色和紅色的光,從而能夠提供白光。紅光可以經(jīng)由凹槽13的第一區(qū)域13A和第二區(qū)域1 來發(fā)出,大部分的藍(lán)光可以經(jīng)由凹槽13的第一區(qū)域13A來發(fā)出,而大部分的綠光可以經(jīng)由凹槽13的第二區(qū)域1 來發(fā)出。第二發(fā)光二極管32的數(shù)目可以大于第一發(fā)光二極管31的數(shù)目,但本實(shí)施例不限于此。此外,單樹脂層可以形成在凹槽13中,但本實(shí)施例不限于此。圖27為根據(jù)另一實(shí)施例的發(fā)光器件的剖視圖,圖觀為圖27的平面圖。為了避免重復(fù),參照?qǐng)D26描述過的元件和結(jié)構(gòu)的說明可以省略。參照?qǐng)D27和圖28,導(dǎo)線31B和32A被接合至布置于阻擋部117上的第一引線電極 121的一端121C和第二引線電極122的一端122C,以減小導(dǎo)線的長(zhǎng)度。極性彼此不同的多個(gè)導(dǎo)線31B和32A可以被接合至阻擋部117上,但本實(shí)施例不限于此。雖然本實(shí)施例已經(jīng)描述了發(fā)光器件封裝是頂視型,但發(fā)光器件封裝也可以是側(cè)視型。在側(cè)視型的情況下,能夠提高散熱特性、導(dǎo)電性和反射特性。在這種頂視型或側(cè)視型發(fā)光器件可被樹脂層封裝之后,透鏡可以形成在樹脂層上,或者透鏡可以與樹脂接合,但本實(shí)施例不限于此。根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件能夠應(yīng)用于光照單元(light unit)。該光照單元可以包括多個(gè)發(fā)光器件。光照單元可包括如圖四和圖30所示的顯示裝置以及如圖31所示的照明裝置。此外,具有根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件的光照單元可包括照明燈、信號(hào)燈、車頭燈以及電子布告板。圖四為示出根據(jù)實(shí)施例的顯示裝置的拆分透視圖。參照?qǐng)D四,顯示裝置1000可包括導(dǎo)光板1041 ;發(fā)光模塊1031,用于將光提供到導(dǎo)光板1041 ;反射部件1022,設(shè)置在導(dǎo)光板1041下方;光學(xué)片(optical sheet) 1051,設(shè)置在導(dǎo)光板1041上;顯示面板1061,設(shè)置在光學(xué)片1051上;以及底蓋1011,用于容納導(dǎo)光板 1041、發(fā)光模塊1031及反射部件1022。但是,本實(shí)施例不限于上述結(jié)構(gòu)。底蓋1011、反射部件1022、導(dǎo)光板1041和光學(xué)片1051可構(gòu)成光照單元1050。導(dǎo)光板1041將發(fā)光模塊1031提供的光散射,以提供表面光。導(dǎo)光板1041可包括透明材料。例如,導(dǎo)光板1041可包括下列材料之一諸如PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)等丙烯基樹脂、PET (聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯)、PC (聚碳酸酯)、C0C(環(huán)烯烴共聚物)以及PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)樹脂。發(fā)光模塊1031將光提供至導(dǎo)光板1041的至少一側(cè)。發(fā)光模塊1031用作顯示裝置的光源。可以設(shè)置至少一個(gè)發(fā)光模塊1031以從導(dǎo)光板1041的一側(cè)直接或間接地提供光。 發(fā)光模塊1031可包括板1033和根據(jù)實(shí)施例的多個(gè)發(fā)光器件200。多個(gè)發(fā)光器件200可排列在板1033上,同時(shí)以預(yù)定間隔相互分開。板1033可包括具有電路圖案的印刷電路板(PCB)。此外,板1033還可包括金屬芯PCB (MCPCB)或柔性PCB (FPCB),但本實(shí)施例不限于此。如果發(fā)光器件200可設(shè)置在底蓋 1011的側(cè)部或設(shè)置在散熱板上,則板1033可被省略。散熱板部分地與底蓋1011的頂表面接觸。此外,發(fā)光器件200可被布置為使得發(fā)光器件200的光出射表面與導(dǎo)光板1041分開預(yù)定距離,但本實(shí)施例不限于此。發(fā)光器件200可直接或間接地將光提供至光入射表面, 該光入射表面是導(dǎo)光板1041的一側(cè),但本實(shí)施例不限于此。反射部件1022布置在導(dǎo)光板1041下方。反射部件1022沿向上的方向反射穿過導(dǎo)光板1041的底表面向下行進(jìn)的光,從而提高光照單元1050的亮度。例如,反射部件1022 可包括PET、PC或PVC樹脂,但本實(shí)施例不限于此。反射部件1022可用作底蓋1011的頂表面,但本實(shí)施例不限于此。底蓋1011可將導(dǎo)光板1041、發(fā)光模塊1031及反射部件1022容納其中。為此,底蓋1011具有盒形的容納部1012,且該盒形的容納部1012具有開口的頂表面,但本實(shí)施例不限于此。底蓋1011可以與頂蓋接合,但本實(shí)施例不限于此??墒褂媒饘俨牧匣驑渲牧?、通過按壓工藝或擠壓工藝來制造底蓋1011。此外,底蓋1011可包括具有良好導(dǎo)熱性的金屬或非金屬材料,但本實(shí)施例不限于此。例如,顯示面板1061可以是IXD面板,其包括彼此相對(duì)的第一和第二透明基板, 以及夾在第一和第二基板之間的液晶層。偏振片(polarizing plate)可以被附接到顯示面板1061的至少一個(gè)表面,但本實(shí)施例不限于此。顯示面板1061使用穿過光學(xué)片1051的光來顯示信息。顯示裝置1000可應(yīng)用于各種便攜終端、筆記本電腦的監(jiān)視器、監(jiān)視器或者膝上型電腦、以及電視機(jī)。光學(xué)片1051可布置于顯示面板1061與導(dǎo)光板1041之間,并包括至少一個(gè)透射片。例如,光學(xué)片1051可包括散射片、水平和垂直棱鏡片以及亮度增強(qiáng)片中的至少一個(gè)。散射片使入射光散射,水平和垂直棱鏡片使入射光聚集在顯示區(qū)域上,亮度增強(qiáng)片通過重新使用損失的光來提高亮度。此外,保護(hù)片可設(shè)置在顯示面板1061上,但本實(shí)施例不限于此。導(dǎo)光板1041和光學(xué)片1051可作為光學(xué)部件設(shè)置在發(fā)光模塊1031的光路中,但本實(shí)施例不限于此。圖30為示出根據(jù)實(shí)施例的顯示裝置的剖視圖。參照?qǐng)D30,顯示裝置1100可包括底蓋1152、板1120 (其上排列發(fā)光器件200)、光學(xué)部件IlM和顯示面板1155。板1120和發(fā)光器件200可構(gòu)成發(fā)光模塊1060。此外,底蓋1152、至少一個(gè)發(fā)光模塊1060、以及光學(xué)部件IlM可構(gòu)成光照單元。底蓋1151可設(shè)置有容納部1153,但本實(shí)施例不限于此。光學(xué)部件IlM可包括下列元件的至少之一透鏡、導(dǎo)光板、散射片、水平和垂直棱鏡片、以及亮度增強(qiáng)片。導(dǎo)光板可包括PC或PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)。導(dǎo)光板可被省略。 散射片使入射光散射,水平和垂直棱鏡片使入射光聚集在顯示區(qū)域上,且亮度增強(qiáng)片通過對(duì)損失的光的再利用來提高亮度。光學(xué)部件IlM布置于發(fā)光模塊1060上,以將從發(fā)光模塊1060發(fā)出的光轉(zhuǎn)換成表面光。此外,光學(xué)部件IIM可以使光散射或使光聚集。圖31為示出根據(jù)實(shí)施例的照明裝置的透視圖。參照?qǐng)D31,照明裝置1500可包括殼體1510、設(shè)置在殼體1510中的發(fā)光模塊1530、 以及設(shè)置在殼體1510中用以從外部電源接收電力的連接端子1520。優(yōu)選地,殼體1510可包括具有良好散熱性的材料。例如,殼體1510可包括金屬材料或樹脂材料。發(fā)光模塊1530可包括板1532和設(shè)置在板1532上的發(fā)光器件200。發(fā)光器件200 可彼此分開,或者以矩陣的形式排列。板1532可包括印有電路圖案的絕緣部件。例如,板1532可包括下列至少之一 PCB、MCPCB、FPCB、陶瓷 PCB 及 FR-4 基板。此外,板1532可包括能有效反射光的材料。涂覆層可形成在基板1532的表面上。 此時(shí),涂覆層具有白色或銀色以有效地反射光。至少一個(gè)發(fā)光器件200可設(shè)置在板1532上。每個(gè)發(fā)光器件200可包括至少一個(gè) LED(發(fā)光二極管)芯片。LED芯片可包括發(fā)出具有紅色、綠色、藍(lán)色或白色的可見光波段的光的LED,以及發(fā)出UV光的UV (紫外線)LED。發(fā)光模塊1530的發(fā)光器件200可被多樣化地組合,以提供各種色彩和亮度。例如, 白光LED、紅光LED和綠光LED可被組合以獲得高的色彩表現(xiàn)指數(shù)(CRI)。連接端子1520可電連接至發(fā)光模塊1530,以向發(fā)光模塊1530供電。連接端子 1520可具有與外部電源螺旋連接(socket screw-coupled)的底座形狀,但本實(shí)施例不限于此。例如,連接端子1520可以插入到外部電源中的插銷(pin)或以經(jīng)導(dǎo)線連接到外部電源的插銷形式制備。根據(jù)實(shí)施例,發(fā)光器件200可以被封裝然后再被安裝在板上以提供發(fā)光模塊,或者,發(fā)光器件200可以LED芯片形式安裝然后再被封裝以提供發(fā)光模塊。說明書中所涉及的“一實(shí)施例”、“實(shí)施例”、“示例性實(shí)施例”等,其含義是結(jié)合實(shí)施例描述的特定特征、結(jié)構(gòu)、或特性均包括在本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例中。說明書中出現(xiàn)于各處的這些短語(yǔ)并不一定都涉及同一個(gè)實(shí)施例。此外,當(dāng)結(jié)合任何實(shí)施例描述特定特征、結(jié)構(gòu)或特性時(shí),都認(rèn)為其落在本領(lǐng)域技術(shù)人員結(jié)合其它實(shí)施例就可以實(shí)現(xiàn)的這些特征、結(jié)構(gòu)或特性的范圍內(nèi)。 盡管對(duì)實(shí)施例的描述中結(jié)合了其中多個(gè)示例性實(shí)施例,但可以理解的是,在本公開內(nèi)容的原理的精神和范圍之內(nèi),本領(lǐng)域技術(shù)人員完全可以推導(dǎo)出許多其它變化和實(shí)施例。尤其是,可以在該公開、附圖和所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)對(duì)組件和/或附件組合設(shè)置中的排列進(jìn)行多種變化和改進(jìn)。除組件和/或排列的變化和改進(jìn)之外,其他可選擇的應(yīng)用對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言也是顯而易見的。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光器件,包括 主體,具有凹槽;阻擋部,向上突出于該凹槽的底表面之上,并將該凹槽的底表面分成多個(gè)區(qū)域; 多個(gè)發(fā)光二極管,包括被布置于該凹槽的底表面的第一區(qū)域中的第一二極管,以及被布置于該凹槽的底表面的第二區(qū)域中的第二二極管;多個(gè)引線電極,在該凹槽中彼此分開,并且被選擇性地連接至所述發(fā)光二極管; 導(dǎo)線,將所述引線電極連接至所述發(fā)光二極管; 樹脂層,位于該凹槽中;以及該阻擋部中的至少一個(gè)凹部,其中該凹部的高度低于該阻擋部的頂表面而高于該凹槽的底表面,并且所述導(dǎo)線被設(shè)置在該凹部中,以將所述引線電極連接至彼此相對(duì)布置的所述發(fā)光二極管。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件,其中,多個(gè)凹部被設(shè)置在該阻擋部中且彼此分開,并且多根導(dǎo)線分別穿過所述凹部。
3.如權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光器件,其中,該阻擋部的上端高于所述導(dǎo)線的最高點(diǎn)。
4.如權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光器件,其中,該樹脂層包括 第一樹脂層,位于該凹槽的第一區(qū)域內(nèi);第二樹脂層,位于該凹槽的第二區(qū)域內(nèi);以及第三樹脂層,位于該第一樹脂層和第二樹脂層上。
5.如權(quán)利要求4所述的發(fā)光器件,還包括至少一種類型的熒光粉,被添加到所述第一樹脂層至第三樹脂層的至少一層中。
6.如權(quán)利要求4所述的發(fā)光器件,其中,該第一樹脂層和第二樹脂層的厚度小于該阻擋部的凹部的深度。
7.如權(quán)利要求4所述的發(fā)光器件,其中,該第一發(fā)光二極管包括藍(lán)色發(fā)光二極管,該第二發(fā)光二極管包括綠色發(fā)光二極管,且紅色熒光粉被添加到該第一樹脂層和第二樹脂層中。
8.如權(quán)利要求4所述的發(fā)光器件,其中,該第一發(fā)光二極管包括藍(lán)色發(fā)光二極管,該第二發(fā)光二極管包括UV發(fā)光二極管,且紅色熒光粉被添加到該第一樹脂層中,而綠色熒光粉被添加到該第二樹脂層中。
9.如權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光器件,其中,該阻擋部包括絕緣材料或?qū)щ姴牧稀?br>
10.如權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光器件,其中,當(dāng)從該凹槽的底表面測(cè)量時(shí),該阻擋部的凹部的高度大于該第一發(fā)光二極管和第二發(fā)光二極管的厚度。
11.如權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光器件,其中,該阻擋部的兩個(gè)旁側(cè)與該凹槽的分割區(qū)域相對(duì)應(yīng),并且包括與該凹槽的底表面傾斜或垂直的結(jié)構(gòu)。
12.如權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光器件,其中,所述引線電極包括第一引線電極,被布置于該凹槽的具有第一深度的第一區(qū)域中;以及第二引線電極,被布置于該凹槽的具有第二深度的第二區(qū)域中,其中該第二深度比該第一深度深。
13.如權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光器件,其中,所述引線電極包括三個(gè)引線框,所述三個(gè)引線框包括第一引線框和第二引線框,經(jīng)由導(dǎo)線被連接至該第一發(fā)光二極管和第二發(fā)光二極管;以及散熱框,被布置于該第一引線框與第二引線框之間,并被連接至該第一發(fā)光二極管和第二發(fā)光二極管。
14.如權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光器件,其中,所述引線電極的至少一個(gè)端部延伸至該阻擋部的頂表面。
15.一種光照單元,包括發(fā)光模塊,包括發(fā)光器件和板,其中在該板上排列該發(fā)光器件;以及導(dǎo)光板,被布置于從該發(fā)光模塊發(fā)出的光的路徑中; 其中,該發(fā)光器件包括 主體,具有凹槽;阻擋部,向上突出于該凹槽的底表面之上,并將該凹槽的底表面分成多個(gè)區(qū)域; 多個(gè)發(fā)光二極管,包括被布置于該凹槽的底表面的第一區(qū)域中的第一二極管,以及被布置于該凹槽的底表面的第二區(qū)域中的第二二極管;多個(gè)引線電極,在該凹槽中彼此分開,并且被選擇性地連接至所述發(fā)光二極管; 導(dǎo)線,將所述引線電極連接至所述發(fā)光二極管; 樹脂層,位于該凹槽中;以及該阻擋部中的至少一個(gè)凹部,其中該凹部的高度低于該阻擋部的頂表面而高于該凹槽的底表面,并且所述導(dǎo)線被設(shè)置在該凹部中,以將所述引線電極連接至彼此相對(duì)布置的所述發(fā)光二極管。
16.如權(quán)利要求15所述的光照單元,其中,多個(gè)凹部設(shè)置在該阻擋部中且彼此分開,并且多根導(dǎo)線分別穿過所述凹部。
17.如權(quán)利要求15或16所述的光照單元,其中,該阻擋部的上端高于所述導(dǎo)線的最高點(diǎn)ο
18.如權(quán)利要求15或16所述的光照單元,其中,該樹脂層包括 第一樹脂層,位于該凹槽的第一區(qū)域內(nèi);第二樹脂層,位于該凹槽的第二區(qū)域內(nèi);以及第三樹脂層,位于該第一樹脂層和第二樹脂層上。
19.如權(quán)利要求15或16所述的光照單元,其中,所述引線電極包括第一引線電極,被布置于該凹槽的具有第一深度的第一區(qū)域中;以及第二引線電極,被布置于該凹槽的具有第二深度的第二區(qū)域中,其中該第二深度比該第一深度深。
20.如權(quán)利要求15或16所述的光照單元,其中,所述引線電極包括三個(gè)引線框,所述三個(gè)引線框包括第一引線框和第二引線框,經(jīng)由導(dǎo)線被連接至該第一發(fā)光二極管和第二發(fā)光二極管;以及散熱框,被布置于該第一引線框與第二引線框之間,并被連接至該第一發(fā)光二極管和第二發(fā)光二極管。
全文摘要
一種發(fā)光器件,包括主體,具有凹槽;阻擋部,向上突出于該凹槽的底表面之上,并將該凹槽的底表面分成多個(gè)區(qū)域;多個(gè)發(fā)光二極管,包括被布置于該凹槽的底表面的第一區(qū)域中的第一二極管,以及被布置于該凹槽的底表面的第二區(qū)域中的第二二極管;多個(gè)引線電極,在該凹槽中彼此分開,并且被選擇性地連接至所述發(fā)光二極管;導(dǎo)線,將所述引線電極連接至所述發(fā)光二極管;樹脂層,位于該凹槽中;以及該阻擋部中的至少一個(gè)凹部。該凹部的高度低于該阻擋部的頂表面而高于該凹槽的底表面,并且所述導(dǎo)線被設(shè)置在該凹部中,以將所述引線電極連接至彼此相對(duì)布置的所述發(fā)光二極管。
文檔編號(hào)H01L33/54GK102263098SQ20111013999
公開日2011年11月30日 申請(qǐng)日期2011年5月24日 優(yōu)先權(quán)日2010年5月24日
發(fā)明者孔成民, 安重仁 申請(qǐng)人:Lg伊諾特有限公司