專利名稱:半導體發(fā)光裝置的制作方法
技術領域:
本發(fā)明涉及利用發(fā)光二極管的半導體發(fā)光裝置。
背景技術:
一般來說,利用發(fā)光二極管芯片的發(fā)光裝置是通過將發(fā)光二極管芯片封裝成使用用途不同的各種形態(tài)的封裝包(package)來形成的。專利文獻1作為先行文獻公開了能夠提高半導體發(fā)光元件產(chǎn)生的熱的散熱效果, 并能夠抑制半導體發(fā)光元件亮度惡化的半導體發(fā)光裝置用封裝包。圖6對應于專利文獻1中的圖1。在圖6中的半導體發(fā)光裝置用封裝包110中, 在半導體發(fā)光元件的收納部140的周邊部(即封裝包的主表面)上,第1引導部(lead portion) 130從杯部的開口邊緣起連續(xù)延伸,并從樹脂部中露出。于是,整個第1引導部130 和第2引導部120在樹脂部外側(cè)形成露出面。由此,來提高引導部對熱的散熱性,防止因溫度上升導致的半導體發(fā)光元件亮度的惡化。與專利文獻1的發(fā)明一樣,作為引導部在封裝包的外部露出的技術,在專利文獻2 中的全色(full color)發(fā)光二極管發(fā)光裝置中,用于使3種顏色的LED芯片發(fā)光的所必須的框端子從封裝包的一個側(cè)面向外部露出,且沿該側(cè)面和封裝包底面的一部分曲折。在專利文獻3中,公開了一種為了使第1和第2引導端子51、53與外部電源進行電連接,而分別使上述第1和第2引導端子51、53貫通封裝包自身55的側(cè)壁,并向外部延伸的發(fā)光二極管封裝包。專利文獻1
日公開。專利文獻2
26日公開。專利文獻3
日公開。
發(fā)明內(nèi)容
對于專利文獻1中記載的半導體發(fā)光裝置用封裝包110,如上所述,整個第1引導部130和第2引導部120在樹脂部外側(cè)形成露出面。由此,來提高引導部對熱的散熱性,防止因溫度上升導致的半導體發(fā)光元件亮度的惡化。然而,由于第1引導部130和第2引導部120在樹脂部外側(cè)的引導部面積或體積較小,因此會產(chǎn)生散熱性不充分的問題。由于第1引導部130具有從收納部140的開口邊緣起連續(xù)延伸的結(jié)構,因此,導致引導部的制造較復雜,從而導致半導體發(fā)光裝置用封裝包的制造成本增加。本發(fā)明正是鑒于上述問題而進行的,其目的在于,提供能夠抑制半導體發(fā)光元件的亮度下降,并能夠提高散熱性,且能夠提高裝置信賴性的廉價半導體發(fā)光裝置。日本國專利申請公開公報,“特開2009-9956號公報”;2009年1月15 日本國專利申請公開公報,“特開2006-24794號公報” ;2006年1月 日本國專利申請公開公報,“特開2008-537 號公報”;2008年3月6
為了解決上述問題,本發(fā)明的半導體發(fā)光裝置為被封裝在封裝基板上,且向外部射出光的半導體發(fā)光裝置;該半導體發(fā)光裝置具有半導體發(fā)光元件;半導體元件;第1引導框,由第1內(nèi)引導部和第1外引導部連接而成,上述第1內(nèi)引導部具有用以裝載上述半導體發(fā)光元件的裝載面,上述第1外引導部與上述封裝基板的相應電極連接;第2引導框,由第 2內(nèi)引導部和第2外引導部連接而成,上述第2內(nèi)引導部具有用以裝載上述半導體元件的裝載面,上述第2外引導部與上述封裝基板的相應電極連接;保持固定部件,用于固定上述第1引導框和上述第2引導框;該半導體發(fā)光裝置的特征在于在上述保持固定部件的外壁面,配置有上述第1外引導部和上述第2外引導部,上述第1外引導部與延伸并貫通上述保持固定部件的上述第1內(nèi)引導部相連接,上述第2外引導部與延伸并貫通上述保持固定部件的上述第2內(nèi)引導部相連接;上述第1外引導部的面積比上述第2外引導部的面積大。根據(jù)上述發(fā)明,使與具有用以裝載上述半導體發(fā)光元件的裝載面的第1內(nèi)引導部相連接的第1外引導部的面積,比第2外引導部等其他外引導部的面積大。通過盡量擴大用以裝載上述半導體發(fā)光元件的引導框的面積,可以在上述半導體發(fā)光元件發(fā)光時產(chǎn)生的熱導致溫度上升時,更有效地散熱(能夠使熱通過第1外引導部向封裝基板的焊錫等放出),因此,對于整個裝載有上述半導體發(fā)光元件的半導體發(fā)光裝置來說,能夠防止封裝包的熱導致的變色惡化等。由于提高了半導體發(fā)光裝置的散熱性,因此能夠提高半導體發(fā)光裝置的信賴性。 此時,由于不需要特別用來提高放熱性的部件,因此能夠廉價地提高信賴性。由于能夠抑制上述半導體發(fā)光元件的溫度上升,因此能夠加大上述半導體發(fā)光元件的驅(qū)動電流。所形成的第1外引導部與用以裝載半導體發(fā)光元件的區(qū)域(凹部)構成最短距離。因此,半導體發(fā)光元件在發(fā)光時產(chǎn)生的熱能夠通過上述最短距離,從第1外引導部中放出。由此,能夠抑制半導體發(fā)光裝置的溫度上升。在上述半導體發(fā)光裝置中裝載多個半導體發(fā)光元件時,使裝載至上述凹部內(nèi)的半導體發(fā)光元件中的至少1個與上述第1外引導部接近。由此,能夠提高散熱性。上述半導體元件被裝載在上述保持固定部件(模槽(cavity);例如成型樹脂部) 的內(nèi)側(cè)的上述第2內(nèi)引導部上,并裝載成比上述凹部中所裝載的半導體發(fā)光元件靠向頂部側(cè)。上述半導體發(fā)光元件被配置在上述凹部的內(nèi)部,因此,上述半導體發(fā)光元件射出的光通過上述保持固定部件的外壁(側(cè)壁)朝半導體發(fā)光裝置的出射方向反射,從而,能夠使光較難到達在上述第2內(nèi)引導部上形成的上述半導體元件。由此,能夠抑制上述半導體元件對光的吸收,并抑制半導體發(fā)光裝置射出的光的亮度下降。綜上所述,本發(fā)明的半導體發(fā)光裝置能夠抑制半導體發(fā)光元件的亮度下降,并能夠提高散熱性,而且能夠廉價地提高裝置的信賴性。如上所述,本發(fā)明的發(fā)光裝置在保持固定部件的外壁面上配置有第1外引導部和第2外引導部,上述第1外引導部與延伸并貫通上述保持固定部件的上述第1內(nèi)引導部相連接,上述第2外引導部與延伸并貫通上述保持固定部件的上述第2內(nèi)引導部相連接;上述第1外引導部的面積比上述第2外引導部的面積大。因此,本發(fā)明的效果在于,可提供一種能夠抑制半導體發(fā)光元件的亮度下降,并提高散熱性,并廉價地提高裝置的信賴性的半導體發(fā)光裝置。
圖1為表示本發(fā)明的實施方式1的半導體發(fā)光裝置的概要的斜視圖和主視圖。
圖2為本發(fā)明的實施方式1的半導體發(fā)光裝置的俯視圖和剖面圖。
圖3為本發(fā)明的實施方式2的半導體發(fā)光裝置的俯視圖。
圖4為本發(fā)明的實施方式2的變形例的半導體發(fā)光裝置的俯視圖。
圖5為本發(fā)明的實施方式3的半導體發(fā)光裝置的俯視圖和主視圖。
圖6為現(xiàn)有技術的半導體發(fā)光裝置的模式圖。
(附圖標記說明)
10第1引導框
20第2引導框
IOa外引導部(第1外引導部)
IOb內(nèi)引導部(第1內(nèi)引導部)
15凸部
20a外引導部(第2外引導部)
20b內(nèi)引導部(第2內(nèi)引導部)
30,30a 30f LED (半導體發(fā)光元件)
50齊納二極管(半導體元件)
65成型樹脂部(保持固定部件)
具體實施例方式(實施方式1)根據(jù)圖1和圖2對本發(fā)明的實施方式1進行說明。實施方式1是關于使用 LED (Light Emitting Diode 發(fā)光二極管)作為發(fā)光元件的表面封裝型半導體發(fā)光裝置的實施方式。圖1中(a)為本實施方式的半導體裝置100的斜視圖。圖1中(b)為半導體發(fā)光裝置100的正面外觀圖。圖2中(a)為半導體發(fā)光裝置100的俯視圖。圖2中(b)為半導體發(fā)光裝置100的沿A-A線分割后的剖面圖。圖2中(c)為半導體發(fā)光裝置100的沿 B-B線分割后的剖面圖。在此,半導體發(fā)光裝置100為通過被封裝在封裝基板上以使光向外部射出的半導體發(fā)光裝置。第1引導框10是由外引導部IOa(第1外引導部)和內(nèi)引導部IOb (第1內(nèi)引導部)相接構成的。第2引導框20是由外引導部20a(第2外引導部)和內(nèi)引導部20b (第 2內(nèi)引導部)相接構成的。在此,半導體發(fā)光裝置100的外觀尺寸為橫寬5. Omm(長邊)、高2. 0mm、寬 2. Omm(短邊)。且沿后述成型樹脂部65 (保持固定部件)外壁面的、第1引導框10的外引導部IOa的尺寸為橫寬2. 65mm、高1. 1mm。凸部15的寬為0. 5mm。具有外引導部IOa的第1引導框10和具有外引導部20a的第2引導框20被嵌入 (insert molding)在成型樹脂部65內(nèi),從而得以保護,所述成型樹脂部65可以用例如聚鄰苯二甲酰胺(polyphthalamide ;PPA)、聚碳酸酯(polycarbonate)樹脂、環(huán)氧(印oxy)樹脂等周知的半導體元件封裝材料來制造。在內(nèi)引導部IOb的凹部40中,裝載有1個LED30(半導體發(fā)光元件,橫寬0. 7mm,寬0. ^mm),所述LED30被用硅(silicone)樹脂固定于內(nèi)引導部10b。凹部40的尺寸為橫寬1. 5mm、寬0. 9mm、深0. 2mm。在內(nèi)引導部20b上,裝載有齊納二極管50 (Zener diode ;半導體元件),所述齊納二極管50通過銀涂膏被電連接固定于內(nèi)引導部20b。齊納二極管50被裝載在成型樹脂部 65 (模槽)內(nèi)側(cè)的內(nèi)引導部20b上,并裝載成比凹部40中裝載的LED30靠向頂部側(cè)。為了使內(nèi)引導部IOb和內(nèi)引導部20b絕緣,形成由絕緣性樹脂構成的成型樹脂層 60(絕緣層)。該成型樹脂層60也可以與成型樹脂部65 (保持固定部件)一體形成。該成型樹脂層60也可以不使用樹脂,而通過嵌入陶瓷等絕緣性部件來形成。為了使齊納二極管50易于裝載在內(nèi)引導部20b上,由絕緣性樹脂形成的成型樹脂層60相對于半導體發(fā)光裝置100的短邊呈傾斜狀。通過將齊納二極管50裝載在內(nèi)引導部 20b表面中的較寬廣的部分上,使得裝載工序較為容易。為了保持并固定第1引導框10和第2引導框20,用白色樹脂形成成型樹脂部65。凹部40中填充有含熒光體的透光性樹脂,在充填有含熒光體的透光性樹脂的凹部40上,形成有透光性樹脂。此外,也可以為凹部40中充填有含熒光體的透光性樹脂,且在填充有含熒光體的透光性樹脂的凹部40上設置含熒光體的透光性樹脂。上述透光性樹脂為環(huán)氧樹脂或硅樹脂。從圖1的(a)中可以看出,與配置有LED30的內(nèi)引導部IOb相連接的外引導部IOa 的體積,與外引導部20a的體積相比較大(橫寬較寬)。即,與外引導部IOa的橫寬相比,外引導部20a的橫寬較窄。此外,也可以從以下說明中看出外引導部IOa的橫寬比外引導部20a的橫寬更寬。 即,第1引導框10的沿成型樹脂部65的外壁面的外引導部IOa的尺寸為橫寬2. 65mm,高 1. 1mm。而第2引導框20的外引導部20a的尺寸為橫寬0. 7mm,高1. 1mm。上述各部分的尺寸只是一個例示。本實施方式的半導體發(fā)光裝置100的特征在于,外引導部IOa的橫寬大于外引導部20a的橫寬。<被A-A線分割后的沿箭頭方向所視的剖面圖>被圖2中(a)所示的A-A線分割后的沿箭頭方向所視的剖面圖為圖2中(b)。如圖2中(b)所示,半導體發(fā)光裝置100具有內(nèi)引導部IOb和內(nèi)引導部20b,在內(nèi)引導部20b 上裝載有齊納二極管50,引線80被焊接在內(nèi)引導部IOb的除凹部40以外的部位。內(nèi)引導部IOb具有凹部40,在凹部40中裝載有LED30。LED30的一側(cè)的端子通過引線70a與內(nèi)引導部IOb導電鍵合,從而與外引導部IOa 相連。LED30的另一側(cè)的端子通過引線70b與內(nèi)引導部20b導電鍵合,從而與外引導部20a導通。<被B-B線分割后的沿箭頭方向所視的剖面圖>被圖2中(a)所示的B-B線分割后的沿箭頭方向所視的剖面圖為圖2中(c)。如圖2中(c)所示,半導體發(fā)光裝置100具有內(nèi)引導部IOb和內(nèi)引導部20b,在內(nèi)引導部20b 上裝載有齊納二極管50。內(nèi)引導部20b與外引導部20a相連。貫通了成型樹脂部65的第 1引導框10的外引導部IOa沿成型樹脂部65的外壁曲折。貫通了成型樹脂部65的第2引導框20的外引導部20a沿成型樹脂部65的外壁曲折。
為了便于說明,在圖2的(C)中省略了引線。在圖2的(C)中雖無圖示,但內(nèi)引導部IOb也與外引導部IOa相連。< 散熱 >如上所述,從圖1的(a)中可以看出,與配置有LED30的內(nèi)引導部IOb相連的外引導部IOa的體積比外引導部20a的體積大(橫寬較寬)。S卩,與外引導部IOa的橫寬相比, 外引導部20a的橫寬較窄。在本實施方式1中,使與裝載有LED30的內(nèi)引導部IOb相連的外引導部IOa的面積比沒有裝載LED30的其他外引導部的面積大。通過盡量擴大裝載有LED30的引導框10 的體積,可以在LED30發(fā)光時產(chǎn)生的熱導致溫度上升時,更有效地實現(xiàn)散熱(能夠使熱通過外引導部IOa向封裝基板的焊錫等放出)。因此,對于整個裝載有LED30的半導體發(fā)光裝置 100來說,能夠防止封裝包的熱導致的變色惡化等。通過在內(nèi)引導部IOb上設置凹部40,能夠擴大內(nèi)引導部IOb的表面積,進一步提高散熱性。該內(nèi)引導部IOb的特征在于,與外引導部IOa相連。由于提高了半導體發(fā)光裝置100的散熱性,因此能夠提高半導體發(fā)光裝置的信賴性。此時,由于不需要特別用來提高散熱性的部件,因此能夠廉價地提高信賴性。由于能夠抑制LED30的溫度上升,因此能夠加大LED的驅(qū)動電流。相比與不裝載LED30的內(nèi)引導部20b相連的外引導部20a,外引導部IOa為體積或面積被擴大了的外引導部。所形成的外引導部IOa與裝載有LED30的區(qū)域(凹部40)構成最短距離。因此, LED30在發(fā)光時產(chǎn)生的熱能夠通過上述最短距離,從外引導部IOa中放出。由此,能夠抑制半導體發(fā)光裝置100的溫度上升。<重心的穩(wěn)定性>由于外引導部IOa的橫寬大于外引導部20a的橫寬,因此即使在將半導體發(fā)光裝置100裝載在封裝基板上時,也能夠使其不會產(chǎn)生傾斜等固定不穩(wěn)的狀態(tài)。因此,易于對導光板和本實施方式的半導體發(fā)光裝置100進行光軸對位,并能夠?qū)⒐廨S的錯位抑制在較小的范圍內(nèi)。由于外引導部IOa與封裝基板的焊錫等進行連接時的粘著性穩(wěn)定,因而可以實現(xiàn)無傾斜無縫隙等的連接,因此能夠進一步提高散熱性。<防止短路>將半導體發(fā)光裝置100裝載到封裝基板上時,外引導部IOa和外引導部20a分別通過焊錫等,與封裝基板的相應端子進行固定以及電連接。凸部15用于防止因焊錫凸球而導致外引導部IOa與外引導部20a發(fā)生短路。<防止焊錫溢出>在半導體發(fā)光裝置100中,內(nèi)引導部IOb的凹部40中裝載有LED30。通過減少成型樹脂部65頂部的高度(包圍芯片LED30裝載面的部位的高度),來改善光的出射效率。然而,根據(jù)上述結(jié)構,將外引導部固定在封裝基板的電極岸上時,可能造成焊錫等的溢出。特別是,由于外引導部IOa的面積較大(橫寬較寬),使用的焊錫量會增多,所以導致溢出的可能性會更高。對此,在本實施方式1的半導體發(fā)光裝置100中,如圖2中(b)所示,形成有懸垂部分(overhang) 17,因而能夠防止焊錫等的溢出。
綜上所述,本實施方式1的半導體發(fā)光裝置100具有上述結(jié)構。因此,第1引導框 10具有通過內(nèi)引導部IOb的凹部40來控制LED30的出射光的構造部分(即,阻止光照射到成型樹脂部65,從而抑制成型樹脂部65的樹脂惡化的部分);以及,通過外引導部IOa的橫寬的擴大(增大體積)來促進散熱的構造部分。從而第1引導框10具有保障安裝時的穩(wěn)定性的這一主要效果。LED30被配置在凹部40的內(nèi)部,因此,LED30射出的光通過成型樹脂部65的外壁 (側(cè)壁),朝半導體發(fā)光裝置100的出射方向反射,從而,能夠使光較難到達在內(nèi)引導部20b 上形成的齊納二極管50。由此,能夠抑制齊納二極管50對光的吸收,并抑制半導體發(fā)光裝置100射出的光的亮度下降?!刺沾伞狄部梢圆粚Τ尚蜆渲?5使用封裝樹脂,取而代之,可以用陶瓷來形成用以保持固定第1引導框10和第2引導框20的保持固定部件,并將該保持固定部件與各引導框一體形成。通過使用陶瓷,能夠進一步提高半導體發(fā)光元件(LED30)的散熱性。若向各外引導部電鍍比引導框主體具有更好的焊錫濕潤性的金屬,則更為有利。 例如可以是,引導框主體為銅(Cu),電鍍金屬為錫(Sn)、金(Au)或銀(Ag)、或者錫鉍合金 (SnBi)。在進行封裝時,為了不與形成有配線圖形的平坦印刷基板發(fā)生傾斜,使成型樹脂部65的封裝面即外壁上所配置的各端子的表面與上述外壁平行,且使各端子的厚度滿足 各端子表面與上述外壁處于同一平面。(實施方式2)下面根據(jù)圖3對本發(fā)明的實施方式2進行說明。在本實施方式中沒有說明的結(jié)構均與上述實施方式1相同。為了便于說明,對于與在上述實施方式1的圖中所示的部件具有相同功能的部件,賦予相同的標號,并省略其說明。在圖3所示的本實施方式2的半導體發(fā)光裝置200中,在內(nèi)引導部IOb的凹部 40中,裝載LED30a和LED30b,并使LED30a的長邊和LED30b的長邊平行,并且,使LED30a 和LED30b的長邊相對于半導體發(fā)光裝置200的長邊稍有錯位(即非平行)。LED30a和 LED30b(至少有2個上述半導體發(fā)光元件,尺寸為橫寬0. 7mm,寬0. 29mm)被導電并聯(lián)。齊納二極管50被裝載于比裝載在凹部40中的LED30a和LED30b更高的位置。LED30a的一側(cè)的端子通過引線70a與內(nèi)引導部IOb導電鍵合,從而與外引導部 IOa相連。LED30a的另一側(cè)的端子通過引線70b與內(nèi)引導部20b導電鍵合,從而與外引導部20a導通。LED30b的一側(cè)的端子通過引線70c與內(nèi)引導部IOb導電鍵合,從而與外引導部 IOa相連。LED30b的另一側(cè)的端子通過引線70d與內(nèi)引導部20b導電鍵合,從而與外引導部20a導通。根據(jù)本實施方式2的LED30a和LED30b的裝載方法,LED30a和LED30b被配置在凹部40的內(nèi)部,因此,LED30a和LED30b射出的光通過成型樹脂部65的外壁(側(cè)壁),朝半導體發(fā)光裝置200的出射方向反射,從而,能夠抑制半導體發(fā)光裝置200射出的光的亮度下降。所形成的外引導部IOa與裝載有LED30a和LED30b的區(qū)域(凹部40)構成最短距離。因此,LED30a和LED30b在發(fā)光時產(chǎn)生的熱能夠通過上述最短距離,從外引導部IOa中放出。由此,能夠抑制半導體發(fā)光裝置200的溫度上升。如半導體發(fā)光裝置200那樣裝載多個LED時,使裝載至凹部40內(nèi)的半導體發(fā)光元件中的至少1個與第1外引導部IOa接近。由此,能夠提高散熱性。(實施方式2的變形例)下面,根據(jù)圖4對本發(fā)明的實施方式2的變形例進行說明。如圖4所示,在本發(fā)明的變形例的半導體發(fā)光裝置250中,在內(nèi)引導部IOb的凹部40中,裝載LED30c和LED30d, 并使LED30c的長邊和LED30d的長邊平行。裝載LED30c時,使LED30c的P型電極與LED30c的N型電極相比更接近外引導部 10a。同樣,裝載LED30d時,使LED30d的P型電極與LED30d的N型電極相比更接近外引導部10a。LED30c和LED30d(橫寬0. 7mm、寬0. 29mm)被導電并聯(lián)。齊納二極管50被裝載在比在凹部40中裝載的LED30c和LED30d更高的位置上。LED30c的N型電極通過引線70e與內(nèi)引導部IOb導電鍵合,從而與外引導部IOa 導通。LED30d的N型電極通過引線70f與LED30c的N型電極導電鍵合,從而通過LED30c 的N型電極和內(nèi)引導部IOb與外引導部IOa導通。LED30d的P型電極通過引線70g與內(nèi)引導部20b導電鍵合,從而與外引導部20a 導通。LED30c的P型電極通過引線70h與LED30d的P型電極導電鍵合,從而通過LED30d 的P型電極和內(nèi)引導部20b與外引導部20a導通。根據(jù)本變形例的LED30c和LED30d的裝載方法,LED30c和LED30d被配置在凹部 40的內(nèi)部,因此,LED30c和LED30d射出的光通過成型樹脂部65的外壁(側(cè)壁),朝半導體發(fā)光裝置250的出射方向反射,從而,能夠抑制半導體發(fā)光裝置250射出的光的亮度下降。在本變形例的半導體發(fā)光裝置中,裝載LED30c和LED30d時,使LED30c和LED30d 的P型電極比LED30c和LED30d的N型電極更接近外引導部10a。由此,能夠使LED30c和 LED30d在發(fā)光時產(chǎn)生的熱有效地從外引導部IOa中放出(由于在LED30c和LED30d中存在發(fā)光層,因而使LED的存在P層和發(fā)光層的一側(cè)接近外引導部IOa)。在本變形例的半導體發(fā)光裝置250中,所形成外引導部IOa與裝載有LED30c和 LED30d的區(qū)域(凹部40)構成最短距離。因此,LED30c和LED30d在發(fā)光時產(chǎn)生的熱能夠通過上述最短距離,從外引導部IOa中放出。由此,能夠抑制半導體發(fā)光裝置250的溫度上升。雖然在本實施例和實施方式2中,LED為2個,然而也可以為3個以上。(實施方式3)最后,根據(jù)圖5中(a)和(b)對本發(fā)明的實施方式3進行說明。未在本實施方式中說明的結(jié)構均與上述實施方式1和2相同。為了便于說明,對于與上述實施方式1和2 的圖中所示的部件具有相同功能的部件,賦予相同的標號,并省略其說明。如圖5中(a)和(b)所示,在本實施方式3的半導體發(fā)光裝置300中,外形為正方形的LED30e和LED30f被裝載在內(nèi)引導部IOb的凹部40中,并使LED30e和LED30f的一邊相互平行,且使LED30e和LED30f的一邊相對于半導體發(fā)光裝置300的長邊方向稍有錯位 (即非平行)。LED30e 和 LED30f (0. 45mm □邊長 0. 45mm)被導電串聯(lián)。LED30e 和 LED30f 通過導接引線71進行電連接。齊納二極管50被裝載在比在凹部40中裝載的LED30e和LED30f更高的位置。LED30e的一側(cè)的端子通過引線70i與內(nèi)引導部IOb導電鍵合,從而與外引導部 IOa導通。LED30e的另一側(cè)的端子通過導接引線71與LED30f的一側(cè)的端子進行電連接。 LED30f的另一側(cè)的端子通過引線70j與在內(nèi)引導部20b導電鍵合,從而與外引導部20a導
ο根據(jù)本實施方式3的LED30e和LED30f的裝載方法,LED30e和LED30f被配置在凹部40的內(nèi)部,因此,LED30e和LED30f射出的光通過成型樹脂部65的外壁(側(cè)壁),朝半導體發(fā)光裝置300的出射方向反射,從而,能夠抑制半導體發(fā)光裝置300射出的光的亮度下降。所形成的外引導部IOa與裝載有LED30e和LED30f的區(qū)域(凹部40)構成最短距離。因此,LED30e和LED30f在發(fā)光時產(chǎn)生的熱能夠通過上述最短距離,從外引導部IOa中放出。由此,能夠抑制半導體發(fā)光裝置300的溫度上升。如圖5中(a)和(b)所示,半導體發(fā)光裝置300的特征在于外引導部10a’與配置有LED30e和LED30f的內(nèi)引導部IOb相連,沿成型樹脂部65的外壁面的外引導部10a, 的體積比外引導部IOa更大(即,外引導部IOa'的橫寬比外引導部IOa更寬,且外引導部 10a’的高比外引導部IOa更高)。從圖5的(a)和(b)中可以看出,與外引導部10a’的橫寬相比,外引導部20a的橫寬較窄。在圖5的(b)中,半導體發(fā)光裝置300的上述特征也可根據(jù)以下的事項得知。艮口, 第1引導框10的沿成型樹脂部65的外壁面的外引導部10a’的尺寸為橫寬3. 45mm(包括突出部IOaW),高1. 3mm ;第2引導框20的外引導部20a的尺寸為橫寬0. 7mm、高1. 3mm。在此列舉的尺寸只是一個示例。半導體發(fā)光裝置300的特征在于,外引導部10a’ 的橫寬比外引導部10a、20a的橫寬更寬。也可以在成型樹脂部65的外壁面的外側(cè)形成第1弓丨導框10的外引導部10a’ (向外側(cè)突出)。優(yōu)選為,外引導部10a’向外側(cè)突出的部分的長度在0.6mm以下。在將半導體發(fā)光裝置300配置在封裝基板上時,從與半導體發(fā)光裝置300鄰接的部件和半導體發(fā)光裝置300之間的配置關系來看,優(yōu)選向外側(cè)突出的部分的長度在上述范圍內(nèi)。上述鄰接部件既可以為半導體發(fā)光裝置300,也可以為與半導體發(fā)光裝置300不同的其他半導體發(fā)光裝置。上述鄰接部件為半導體發(fā)光裝置300時,2個半導體發(fā)光裝置 300以鄰接狀態(tài)被配置在封裝基板上。本實施方式3的外引導部10a’的寬和高比外引導部IOa的寬和高更大,從而進一步提高了散熱性。通過外引導部20a以及比外引導部IOa的寬和高更大的外引導部10a’, 能夠進一步提高半導體發(fā)光裝置固定的穩(wěn)定性。此次公開的實施方式均為示例,并不是對本發(fā)明的限制。本發(fā)明的范圍不是上述說明所示的范圍,而是包含權利要求書中所示的范圍以及與權利要求的范圍具有均等意義和范圍內(nèi)的所有變更。本發(fā)明并不局限于上述各種實施方式,可以根據(jù)權利要求所示的范圍進行各種變更。適當?shù)亟M合不同實施方式中記述的技術手段而得到的實施方式也包含于本發(fā)明的技術范圍之內(nèi)。(工業(yè)上的利用可能性)
本發(fā)明的半導體發(fā)光裝置能夠抑制半導體發(fā)光元件的亮度下降,并能夠提高散熱性,而且能夠廉價地提高裝置的信賴性。因此,能夠較好的適用于具有LED等半導體發(fā)光元件的半導體發(fā)光裝置。
權利要求
1.一種半導體發(fā)光裝置,被封裝在封裝基板上,且向外部射出光, 該半導體發(fā)光裝置具有半導體發(fā)光元件; 半導體元件;第1引導框,由第1內(nèi)引導部和第1外引導部連接而成,上述第1內(nèi)引導部具有用以裝載上述半導體發(fā)光元件的裝載面,上述第1外引導部與上述封裝基板的相應電極連接;第2引導框,由第2內(nèi)引導部和第2外引導部連接而成,上述第2內(nèi)引導部具有用以裝載上述半導體元件的裝載面,上述第2外引導部與上述封裝基板的相應電極連接; 保持固定部件,用于固定上述第1引導框和上述第2引導框; 該半導體發(fā)光裝置的特征在于在上述保持固定部件的外壁面,配置有上述第1外引導部和上述第2外引導部,上述第 1外引導部與延伸并貫通上述保持固定部件的上述第1內(nèi)引導部相連接,上述第2外引導部與延伸并貫通上述保持固定部件的上述第2內(nèi)引導部相連接; 上述第1外引導部的面積比上述第2外引導部的面積大。
2.根據(jù)權利要求1所述的半導體發(fā)光裝置,其特征在于 上述保持固定部件由成型樹脂形成。
3.根據(jù)權利要求1所述的半導體發(fā)光裝置,其特征在于 上述保持固定部件由陶瓷形成。
4.根據(jù)權利要求1所述的半導體發(fā)光裝置,其特征在于 還具有絕緣層,上述絕緣層形成于上述第1內(nèi)引導部和上述第2內(nèi)引導部之間,且相對于該半導體發(fā)光裝置的短邊傾斜;上述絕緣層由與上述保持固定部件相同的材料形成。
5.根據(jù)權利要求1所述的半導體發(fā)光裝置,其特征在于在上述保持固定部件的外壁面,上述第1外引導部和上述第2外引導部之間形成有凸部。
6.根據(jù)權利要求1所述的半導體發(fā)光裝置,其特征在于 上述第1內(nèi)引導部具有凹部;上述半導體發(fā)光元件被裝載在上述凹部內(nèi)。
7.根據(jù)權利要求6所述的半導體發(fā)光裝置,其特征在于在上述凹部中,至少有2個上述半導體發(fā)光元件并聯(lián)電連接或串聯(lián)電連接; 上述半導體元件被裝載在比上述至少2個半導體發(fā)光元件高的位置。
8.根據(jù)權利要求6所述的半導體發(fā)光裝置,其特征在于 上述凹部中充填有含熒光體的透光性樹脂;在充填有含熒光體的透光性樹脂的上述凹部上,形成有透光性樹脂。
9.根據(jù)權利要求6所述的半導體發(fā)光裝置,其特征在于 上述凹部中充填有含熒光體的透光性樹脂;在充填有含熒光體的透光性樹脂的上述凹部上,進一步設有含熒光體的透光性樹脂。
10.根據(jù)權利要求8所述的半導體發(fā)光裝置,其特征在于上述透光性樹脂為環(huán)氧樹脂或硅樹脂。
11.根據(jù)權利要求1所述的半導體發(fā)光裝置,其特征在于上述第1外引導部和上述第2外引導部電鍍有比該第1外引導部和該第2外引導部的主體具有良好焊錫濕潤性的金屬。
12.根據(jù)權利要求11所述的半導體發(fā)光裝置,其特征在于 上述主體為銅;上述金屬為錫、金或銀。
全文摘要
半導體發(fā)光裝置,在成型樹脂部的外壁面上,配置有與延伸并貫通成型樹脂部的內(nèi)引導部相連接的外引導部,和與延伸并貫通成型樹脂部的另一內(nèi)引導部相連接的另一外引導部,外引導部的面積比另一外引導部的面積大。
文檔編號H01L33/48GK102254905SQ201110133760
公開日2011年11月23日 申請日期2011年5月18日 優(yōu)先權日2010年5月21日
發(fā)明者加藤正明, 西山伸宏 申請人:夏普株式會社