專利名稱：SiO_X及使用其的阻擋膜用蒸鍍材料及鋰離子二次電池用負(fù)極活性物質(zhì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及適宜用作阻擋膜用蒸鍍材料及鋰離子二次電池用負(fù)極活性物質(zhì)的SiOx及使用SiOx的阻擋膜用蒸鍍材料及鋰離子二次電池用負(fù)極活性物質(zhì)。
背景技術(shù)：
通常，在食品加工領(lǐng)域中對(duì)食品等進(jìn)行包裝時(shí)，為了防止油脂及蛋白質(zhì)等的劣化，對(duì)包裝用材料要求所謂的氣體阻擋性，以使氧氣及水分等不透過包裝材料。另外，在處理醫(yī)療用品及藥品的領(lǐng)域中，對(duì)有關(guān)醫(yī)療用品及藥品的變質(zhì)及劣化設(shè)有高標(biāo)準(zhǔn)，要求氣體阻擋 性高的包裝材料。近年來，具有氣體阻擋性高、透明性優(yōu)異的SiO蒸鍍膜的包裝用材料正在被關(guān)注。例如使SiO蒸鍍膜在高分子膜上成膜的材料等。在此，SiO蒸鍍膜意思是硅系蒸鍍膜，在以SiOx呈現(xiàn)其組成時(shí)，X的值為I < X < 2。將SiO蒸鍍膜用作包裝用阻擋膜的情況下，優(yōu)選設(shè)定為I. 4 < X < I. 8。另外，透明性優(yōu)異是為了從外觀上觀察包裝內(nèi)容物而確認(rèn)變質(zhì)及劣化所必要的，特別是對(duì)包裝食品等的包裝用材料來說是必須的特性?？沙赡ぴ摎怏w阻擋性高的SiO蒸鍍膜的蒸鍍材料通過如下操作來制造，即對(duì)Si和SiO2的混合物進(jìn)行加熱，使升華了的SiO氣體在析出基體中析出，將得到的析出SiO用粉碎及研磨等進(jìn)行成形。但是，使用該SiO蒸鍍材料在高分子膜上成膜SiO蒸鍍膜的時(shí)候，有時(shí)產(chǎn)生噴濺。所謂該噴濺是未升華的高溫的微細(xì)的粒子與升華了的SiO氣體一起發(fā)生飛散的現(xiàn)象，在高分子膜上的SiO蒸鍍膜上附著了該微細(xì)的粒子后，產(chǎn)生針孔等缺陷，成為使氣體阻擋性惡化的原因。因此，為了抑制噴濺的產(chǎn)生數(shù)，目前，做了各種改善，例如專利文獻(xiàn)I中提案有氫氣含量少的SiO蒸鍍材料。該文獻(xiàn)中表示有SiO蒸鍍材料中的氫氣含量與噴濺發(fā)生數(shù)的關(guān)系，通過將氫氣含量設(shè)定為50ppm以下能夠大幅度降低噴濺發(fā)生數(shù)。但是，有時(shí)不一定得到期待的噴濺減少效果。另外，由于在制造SiO蒸鍍材料時(shí)需要除去使用的硅或二氧化硅中含有的氫氣，存在生產(chǎn)性差、SiO的制造成本高之類的問題。專利文獻(xiàn)2及專利文獻(xiàn)3中提案有高活性的氧化硅粉末。由于設(shè)為高活性，與其它元素的反應(yīng)變得有效且容易，因此可期待作為硅化合物制造用原料，專利文獻(xiàn)3的實(shí)施例中記載有將該氧化硅粉末作為原料使用，以高的反應(yīng)率得到氮化硅。但是，認(rèn)為用于作為蒸鍍材料料使用的物性改善未完成，在使用這些專利文獻(xiàn)中記載的氧化硅粉末進(jìn)行成膜時(shí)，難以得到噴濺減少效果。另外，由于這些專利文獻(xiàn)中記載的氧化硅粉末為高活性，在空氣下容易加重表面氧化、氮化，操作性變差。另一方面，隨著近年來的便攜式電子設(shè)備、通信設(shè)備等的顯著發(fā)展，從經(jīng)濟(jì)性及設(shè)備的小型化、輕量化的觀點(diǎn)來看，強(qiáng)烈要求高能量密度的二次電池的開發(fā)，由于鋰離子二次電池為高壽命且高容量，在電源市場(chǎng)中表現(xiàn)出高需求的趨勢(shì)。該鋰離子二次電池的結(jié)構(gòu)為，具有正極、負(fù)極及位于這兩極之間的浸潰有電解液的間隔件，通過充放電，鋰離子經(jīng)由電解液在正極和負(fù)極之間往返。負(fù)極使用可吸藏放出鋰離子的活性物質(zhì)(負(fù)極活性物質(zhì))，作為該負(fù)極活性物質(zhì)進(jìn)行了使用SiO等硅氧化物的嘗試。因?yàn)楣柩趸锵鄬?duì)于鋰的電極電位低(低下)，沒有因充放電時(shí)的鋰離子的吸藏和放出造成的結(jié)晶構(gòu)造的崩潰或不可逆物質(zhì)的生成等而弓I起的劣化，因此通過將該硅氧化物用作為負(fù)極活性物質(zhì)，可期待得到高電壓、高能量密度且循環(huán)特性(反復(fù)實(shí)施充放電時(shí)放電容量的維持性)及初始效率優(yōu)異的鋰離子二次電池。所謂上述的初始效率是初始放電容量與初始充電容量之比，是重要的電池設(shè)計(jì)因素之一。所說的該初始效率低的情況是指在初始充電中被注入負(fù)極的鋰離子在初始放電時(shí)不能完全放出的情況，初始效率低這樣的硅氧化物難以作為鋰離子二次電池用負(fù)極活性物質(zhì)使用。雖然上述的專利文獻(xiàn)I 3中提出了各種各樣的物性的SiO蒸鍍材料及氧化硅，但總之，對(duì)提高初始效率的改善均未做到。
專利文獻(xiàn)I :國際公開W02006/025195號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2 :日本專利第3951107號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)3 :日本專利第3952118號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于，提供一種SiOx，在使用SiO蒸鍍材料在例如高分子膜上成膜SiO蒸鍍膜時(shí)，抑制噴濺的產(chǎn)生，不會(huì)產(chǎn)生針孔等缺陷，可形成氣體阻擋性優(yōu)異的蒸鍍膜，并且在作為鋰離子二次電池用負(fù)極活性物質(zhì)使用的情況下，可較高地維持初始效率(初始放電容量/初始充電容量)，以及提供一種使用了該SiOx的阻擋膜用蒸鍍材料及鋰離子二次電池用負(fù)極活性物質(zhì)。本發(fā)明人等為了解決上述課題而進(jìn)行了研究，結(jié)果證明，SiOx在進(jìn)行升溫脫氣分析時(shí)，在200 800°C的溫度范圍檢測(cè)到的H2O氣體產(chǎn)生量越多，在高分子膜上成膜SiOx蒸鍍膜時(shí)越發(fā)生噴濺，另外，在用作鋰離子二次電池用負(fù)極活性物質(zhì)時(shí)初始效率越低。在升溫脫氣分析中，在200 800°C的溫度范圍從SiOx檢測(cè)到的H2O氣體產(chǎn)生量依存于SiOx中所含的硅醇基的數(shù)量。硅醇基(Si-OH)是Si和羥基共價(jià)鍵形成的基。硅醇基在200 800°C發(fā)生下述(I)式的反應(yīng)，形成硅氧鍵(Si-O-Si)，并且產(chǎn)生H2O氣體。Si-0H+H0-Si — -Si-O-Si-+H2O t …(I)本發(fā)明是基于這種見解而完成的，其要旨在于下述(I)的SiOx、下述(2)的阻擋膜用蒸鍍材料及下述(3)的鋰離子二次電池用負(fù)極活性物質(zhì)。(I) 一種SiOx，其特征在于，在升溫脫氣分析中，在200 800°C的溫度范圍檢測(cè)到的H2O氣體產(chǎn)生量為680ppm以下。在⑴的SiOx中，能夠采用在升溫脫氣分析中在200 800°C的溫度范圍檢測(cè)到的H2O氣體產(chǎn)生量為420ppm以下的實(shí)施方式。另外，如(I)的SiOx，能夠采用如下的實(shí)施方式，S卩，將通過X射線衍射而得到的原始數(shù)據(jù)圖以數(shù)據(jù)特定數(shù)49轉(zhuǎn)換為移動(dòng)平均趨勢(shì)曲線(日文移動(dòng)平均近似曲線)時(shí)，在該曲線上2 0 = 28°附近產(chǎn)生的Si峰值點(diǎn)處的峰值強(qiáng)度Pl和根據(jù)峰值點(diǎn)前后的平均斜度假設(shè)的峰值點(diǎn)處的基本強(qiáng)度P2滿足(Pl-P2)/P2 ( 0. 2的實(shí)施方式。(2) 一種使用了上述(I)的SiOx的阻擋膜用蒸鍍材料。
(3) 一種使用了上述⑴的SiOx的鋰離子二次電池用負(fù)極活性物質(zhì)。發(fā)明效果如果將本發(fā)明的SiOx用作在食品加工或醫(yī)療用品、藥品等領(lǐng)域使用的阻擋膜(包裝材料)用蒸鍍材料，則在成膜SiOx蒸鍍膜時(shí)，能夠抑制噴濺的產(chǎn)生，可形成沒有針孔等缺陷、氣體阻擋性優(yōu)異的蒸鍍膜。另外，在用作鋰離子二次電池用負(fù)極活性物質(zhì)的情況下，能夠較高地維持該二次電池的初始效率(初始放電容量/初始充電容量)。本發(fā)明的SiOx由于活性低，在空氣中不會(huì)促進(jìn)表面氧化及氮化，操作性也優(yōu)異。另外，通過使用本發(fā)明的阻擋膜用蒸鍍材料，可形成氣體阻擋性優(yōu)異的蒸鍍膜，通過使用本發(fā)明的鋰離子二次電池用負(fù)極活性物質(zhì)，能夠較高地維持鋰離子二次電池的初始效率。


圖I是通過對(duì)于SiOx粉末的X射線衍射而得到的圖，圖1(a)表示(P1-P2)/P2彡0. 2時(shí)的例子，圖I (b)表示(Pl-P2)/P2 > 0. 2時(shí)的例子。
具體實(shí)施例方式如上所述，本發(fā)明的SiOx的特征在于，如上所述，在升溫脫氣分析中于200 800°C的溫度范圍檢測(cè)到的H2O氣體產(chǎn)生量為680ppm以下。用本發(fā)明的SiOx將升溫脫氣分析中于200 800°C的溫度范圍檢測(cè)到的H2O氣體產(chǎn)生量規(guī)定在680ppm以下是因?yàn)槔缭谑褂帽景l(fā)明的SiOx在高分子膜形成SiOx的蒸鍍膜時(shí)未產(chǎn)生噴濺，另外，將本發(fā)明的SiOJt為鋰離子二次電池用負(fù)極活性物質(zhì)使用抑制構(gòu)成的該二次電池的初始效率的低下，較高地維持。升溫脫氣分析中在200 800°C的溫度范圍檢測(cè)到的H2O氣體產(chǎn)生量從進(jìn)一步減少噴濺的產(chǎn)生、進(jìn)一步較高地維持鋰離子二次電池的初始效率的觀點(diǎn)來看，優(yōu)選420ppm以下。升溫脫氣分析中在200 800°C的溫度范圍從SiOx檢測(cè)到的H2O氣體產(chǎn)生量為680ppm以上時(shí)，在成膜時(shí)產(chǎn)生噴濺，另外，鋰離子二次電池的初始效率低下。升溫脫氣分析中在200 800°C的溫度范圍從SiOx檢測(cè)到的H2O氣體產(chǎn)生量使用升溫脫氣分析裝置(TDS)通過質(zhì)量碎片(Mass Fragment)法進(jìn)行。樣品的加熱從室溫開始，升溫速度設(shè)為0. 5°C /S。質(zhì)量碎片法是將橫軸作成溫度、將縱軸作成特定質(zhì)量數(shù)的離子強(qiáng)度的色譜，使用該色譜的面積進(jìn)行定量的方法。本發(fā)明的SiOx中，X的范圍優(yōu)選為0. 5彡X彡I. 5。這是因?yàn)樵趯iOx作為阻擋膜用蒸鍍材料使用的情況下，通常優(yōu)選X大于I的SiOx，在將SiOx作為鋰離子二次電池用負(fù)極活性物質(zhì)使用的情況下，一般使用X小于I的SiOx。本發(fā)明的SiOx中，能夠采用如下的實(shí)施方式，即，將由X射線衍射得到的原始數(shù)據(jù)圖以數(shù)據(jù)特定數(shù)49轉(zhuǎn)換成移動(dòng)平均趨勢(shì)曲線時(shí)，在該曲線上2 0 = 28°附近產(chǎn)生的Si峰值點(diǎn)處的峰值強(qiáng)度Pl和根據(jù)峰值點(diǎn)前后的平均斜度假設(shè)的峰值點(diǎn)處的基本強(qiáng)度P2的關(guān)系滿足(P1_P2)/P2 ^ 0. 2的實(shí)施方式。如后述，SiOx通過使升華了的SiOjF出于經(jīng)加熱了的析出基體的內(nèi)周面得到。在該SiOx中有時(shí)摻雜有Si，并將該SiOx作為蒸鍍材料料使用的情況下，摻雜的Si蒸發(fā)、飛散，這也成為噴濺的原因。發(fā)明人等發(fā)現(xiàn)該混合的Si是SiOx在析出基體上熱分解并析出的，(Pl-P2)/P2越小，析出Si引起的噴濺越少，如果滿足(P1_P2)/P2 ( 0. 2，則在實(shí)用時(shí)充分減少噴濺，以及析出基體內(nèi)周面的溫度越低，(P1_P2)/P2越小。在此，使用圖I對(duì)Pl及P2的求取方法進(jìn)行說明。圖I是利用SiOx粉末有關(guān)的X射線衍射而得到的圖，圖1(a)表示(P1-P2)/P2彡0. 2的情況的例子，圖I (b)表示(Pl-P2)/P2 > 0. 2的情況的例子。利用X射線衍射直接得到的原始數(shù)據(jù)圖含有很多噪聲，因此轉(zhuǎn)換成移動(dòng)平均趨勢(shì)曲線，減少噪聲的影響。此時(shí)，數(shù)據(jù)特定數(shù)設(shè)為49。即，原始數(shù)據(jù)的20(0 :X射線入射角)從小的一方到最初的49個(gè)的值(從第一到第四十九)的平均值為移動(dòng)平均趨勢(shì)曲線的最初的值(從小的一方到第二十五的2 0的值)，接著原始數(shù)據(jù)的從第二到第五十的平均值為移動(dòng)平均趨勢(shì)曲線的第二值(從小的一方到第二十六的2 0的值)。以后，通過相同處理可將原始數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成移動(dòng)平均趨勢(shì)曲線。圖1(a)及(b)全部是該轉(zhuǎn)換的移動(dòng)平均趨勢(shì)曲線。該圖中，在2 0 = 28°的附近 出現(xiàn)峰值。該峰值為Si峰值。在除去了 28°鄰近的Si峰值的區(qū)域的前后區(qū)域未看到其它的峰值。因此，由除去峰值區(qū)域的峰值前后區(qū)域的強(qiáng)度數(shù)據(jù)，求得峰值區(qū)域的基本線(圖中以直線表示)，即未受到峰值強(qiáng)度影響的平均強(qiáng)度斜度，之后對(duì)峰值點(diǎn)的基本強(qiáng)度P2進(jìn)行假設(shè)。更具體而言，分別選擇24 26°及30 32°作為除去峰值區(qū)域的峰值前后的區(qū)域。求得各區(qū)域的平均強(qiáng)度P3及P4。將平均強(qiáng)度P3及P4分別作為25°及31°的強(qiáng)度并用直線連接各點(diǎn)。將該直線設(shè)為基本線。將與峰值點(diǎn)的2 0對(duì)應(yīng)的位置的基本線上的點(diǎn)的強(qiáng)度設(shè)定為基本強(qiáng)度P2。這樣，假設(shè)峰值點(diǎn)的基本強(qiáng)度P2時(shí)，能夠計(jì)算(P1-P2) /P2。(P1-P2) /P2在圖I (a)中為0. 10，在圖1(b)中為I. 35。本發(fā)明的SiOx能夠經(jīng)由下述(I) ⑷的工序制造。(I)混合Si粉末和SiO2粉末，將?；幕旌狭；霞訜岬?100 1350°C。該情況下，如上述的專利文獻(xiàn)I中記載，使用氫氣含量低的原料，減少噴濺產(chǎn)生次數(shù)，故優(yōu)選。SiOx的用途為阻擋膜用蒸鍍材料的情況下，通常設(shè)定為X大于I的SiOx，作為鋰離子二次電池用負(fù)極活性物質(zhì)使用的情況下，一般設(shè)定為X小于I的SiOx。該X的值能夠通過如下方法進(jìn)行調(diào)整，即，例如在將利用對(duì)Si和SiO2這兩種原料用單獨(dú)的熱源獨(dú)立地加熱而使其蒸鍍的二元蒸鍍法制作的SiOx膜粉末化而制造SiOx粉末的情況下，調(diào)整制作310!￡膜時(shí)的Si和SiO2的各蒸鍍速度。(2)使升華了的310!￡在500 600°C的析出部(析出基體內(nèi)周面)析出。(3)將析出有SiOx的析出基體在Ar環(huán)境中冷卻，將SiOx回收并進(jìn)行粉末化。(4)將回收的SiOjP適量的乙醇收容在高壓釜內(nèi)，在壓力為0. I IMPa、溫度為80 150°C下進(jìn)行處理。上述(4)的處理(下面，記述為“回收后處理”)是在制造本發(fā)明的SiOx時(shí)重要的處理。通過實(shí)施該回收后處理，能夠在保持SiOx原來的構(gòu)造的狀態(tài)下對(duì)存在硅醇基的部分進(jìn)行修復(fù)，形成穩(wěn)定的硅氧鍵(Si-O-Si)。其結(jié)果是，在升溫脫氣分析中，在200 800°C的溫度范圍檢測(cè)到的H2O氣體產(chǎn)生量為680ppm以下，可制造本發(fā)明的SiOx。
優(yōu)選回收后處理的處理壓力設(shè)定為0. 3 IMpa,處理溫度設(shè)定為105 150°C。這是因?yàn)榭芍圃霩2O氣體產(chǎn)生量為420ppm以下的本發(fā)明的SiOx。另外，是為了維持SiO原來的構(gòu)造，簡易地進(jìn)行后處理。該回收后處理，例如使用高壓釜，將回收的SiOj^P適量的乙醇收容在高壓釜內(nèi)，力口熱到規(guī)定溫度，由此能夠比較簡便地進(jìn)行。將乙醇同時(shí)放入高壓釜內(nèi)是為了使之氣化，將高壓釜內(nèi)形成規(guī)定的壓力。以上說明的本發(fā)明的SiOx能夠在SiOx蒸鍍膜的成膜時(shí)抑制噴濺的產(chǎn)生，可形成氣體阻擋性優(yōu)異的蒸鍍膜。另外，在用作鋰離子二次電池用負(fù)極活性物質(zhì)的情況下，能夠較高地維持該二次電池的初始效率。由于該SiOx的活性低，因此不會(huì)促進(jìn)表面氧化及氮化，操作性也優(yōu)異。本發(fā)明的阻擋膜用蒸鍍材料使用了本發(fā)明的SiOx，使用該阻擋膜用蒸鍍材料形成的SiOx蒸鍍膜的氣體阻擋性優(yōu)異。另外，本發(fā)明的鋰離子二次電池用負(fù)極活性物質(zhì)使用了 本發(fā)明的SiOx，使用該鋰離子二次電池用負(fù)極活性物質(zhì)的鋰離子二次電池能夠高地維持初始效率。實(shí)施例將氫氣含量為35ppm的Si粉末與SiO2粉末混合，在1100 1350°C對(duì)?；幕旌狭；霞訜?，使產(chǎn)生的氣體狀的SiOx在析出基體的內(nèi)周面析出，直到析出基體變?yōu)槭覝兀贏r環(huán)境中冷卻后，在空氣中釋放并回收SiOx進(jìn)行粉末化。接著，將回收的SiOx和規(guī)定量的乙醇(特級(jí)試劑)收容在高壓釜中，進(jìn)行5小時(shí)的回收后處理后，過濾、干燥，制造SiOx。表I中表示析出基體內(nèi)周面(析出部)的溫度以及回收后處理的壓力及溫度條件。表I表示的比較例中，未進(jìn)行回收后處理。表I表示的本發(fā)明例是在升溫脫氣分析中在200 800°C的溫度范圍檢測(cè)到的H2O氣體產(chǎn)生量滿足本發(fā)明中規(guī)定的條件的例子，比較例是不滿足該條件的例子。表I
制造條件物性效果
回收后處理X射線衍射
析出部溫度CC) ffiij(Mpa) Mmv) H2O氣體產(chǎn)生量(rom) pl_p2/p2噴濺產(chǎn)生數(shù)(個(gè))初始效率(％)
'本發(fā)明 I — 5000.31006800.080 271
'本發(fā)明 2 — 5000.51254200.070 275
本發(fā)明 3__500__I__150__280__(109__0—2__75
_ 本發(fā)明 4 — 900 I 150 290 1.5 0 2 75 _ 比較例 I — 500 — — 5000 0.08 15 53 比較例 2__900__=__=__1020__IJ__8__55對(duì)于這些SiOx,調(diào)查在升溫脫氣分析中于200 800°C的溫度范圍檢測(cè)到的H2O氣體產(chǎn)生量、SiOx的X値及X射線衍射引起的Si峰值強(qiáng)度。另外，調(diào)查將這些SiOx用作阻擋膜用蒸鍍材料時(shí)的噴濺產(chǎn)生數(shù)及用作鋰離子二次電池用負(fù)極活性物質(zhì)時(shí)的該二次電池的初始效率。調(diào)查方法如下述。 在升溫脫氣分析中，在200 800°C的溫度范圍檢測(cè)到的H2O氣體產(chǎn)生量
使用升溫脫氣分析裝置將SiOx從室溫以0. 5°C /s的升溫速度升溫，通過質(zhì)量碎片法進(jìn)行測(cè)定。
SiOx 的 X 値用陶瓷中氧氣分析裝置(惰性氣流下熔融法)對(duì)SiOx的0(氧氣)定量，將SiOx溶液化后，通過ICP發(fā)光分光分析(電感耦合高頻等離子發(fā)光分光分析)對(duì)SiOx的Si進(jìn)行定量，由兩個(gè)定量值計(jì)算SiOx的X值。
X射線衍射產(chǎn)生的Si峰值強(qiáng)度使用粉末X射線衍射裝置對(duì)X射線的入射角和衍射強(qiáng)度的關(guān)系進(jìn)行調(diào)查。樣品使用將按照上述方法制造的SiOx粉碎成平均粒徑20 i! m的SiOx。X射線衍射的測(cè)定條件如表2所示而設(shè)定。而且，求得從Si峰值點(diǎn)的峰值強(qiáng)度Pl減去基本強(qiáng)度P2的值P1-P2與基本 強(qiáng)度P2之比(強(qiáng)度比(P1_P2)/P2)。該強(qiáng)度比的求取方法如上述。表權(quán)利要求
1.ー種SiOx,其特征在于，在升溫脫氣分析中，于200 800°C的溫度范圍檢測(cè)到的H2O氣體產(chǎn)生量為680ppm以下。
2.—種SiOx,其特征在于，在升溫脫氣分析中，于200 800°C的溫度范圍檢測(cè)到的H2O氣體產(chǎn)生量為420ppm以下。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的SiOx，其特征在干，將通過X射線衍射而得到的原始數(shù)據(jù)圖以數(shù)據(jù)特定數(shù)49轉(zhuǎn)換為移動(dòng)平均趨勢(shì)曲線時(shí)，在該曲線上的2 Θ =28°附近產(chǎn)生的Si峰值點(diǎn)處的峰值強(qiáng)度Pl和根據(jù)峰值點(diǎn)前后的平均斜度設(shè)定的峰值點(diǎn)處的基本強(qiáng)度P2滿足(< Pl-P2)/P2 彡 O. 2。
4.一種阻擋膜用蒸鍍材料，其使用了權(quán)利要求I 3中任一項(xiàng)所述的SiOx。
5.—種二次電池用負(fù)極活性物質(zhì)，其使用了權(quán)利要求I 3中任一項(xiàng)所述的SiOx。
全文摘要
本發(fā)明提供一種SiOx，在其升溫脫氣分析中，于200～800℃的溫度范圍檢測(cè)到的H2O氣體產(chǎn)生量為680ppm以下。在此，H2O氣體產(chǎn)生量進(jìn)一步優(yōu)選為420ppm以下。另外，在通過X射線衍射而得到的圖中，優(yōu)選在2θ＝28°附近產(chǎn)生的Si峰值點(diǎn)處的峰值強(qiáng)度P1和根據(jù)峰值點(diǎn)前后的平均斜度設(shè)定的峰值點(diǎn)處的基本強(qiáng)度P2滿足(P1-P2)/P2≤0.2。通過將本發(fā)明的SiOx用作蒸鍍材料，在成膜時(shí)可抑制噴濺的產(chǎn)生，可形成氣體阻擋性優(yōu)異的蒸鍍膜。另外，通過將本發(fā)明的SiOx用作為負(fù)極活性物質(zhì)，可較高地維持鋰離子二次電池的初始效率。
文檔編號(hào)H01M4/48GK102695673SQ20108004445
公開日2012年9月26日 申請(qǐng)日期2010年10月4日 優(yōu)先權(quán)日2009年10月9日
發(fā)明者木崎信吾, 菅野英明 申請(qǐng)人:株式會(huì)社大阪鈦技術(shù)