集成納米結(jié)構(gòu)的薄膜型mos氣體傳感器的制造方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種集成納米結(jié)構(gòu)的薄膜型MOS氣體傳感器，所述集成納米結(jié)構(gòu)的薄膜型MOS氣體傳感器，從底部向頂部依次包括：承載硅基底，傳感器釋放后空腔、MEMS氧化硅、氮化硅復(fù)合膜支撐結(jié)構(gòu)，圖形化多晶硅薄膜層，納米尺度硅結(jié)構(gòu)，梳齒敏感電極、加熱電極以及引線鍵合pad層結(jié)構(gòu)，金屬氧化物敏感膜層。
【專利說明】
集成納米結(jié)構(gòu)的薄膜型MOS氣體傳感器
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實用新型涉及MEMS傳感器技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種集成納米結(jié)構(gòu)的薄膜型MOS氣體傳感器。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著社會的飛速發(fā)展和科技的突飛猛進(jìn)，人們的生活呈現(xiàn)出與以往截然不同的變化，這種變化一方面極大地提高了人們的生活水平和質(zhì)量;但另一方面也給自己的生活空間和環(huán)境造成了不可估量的影響，以VOC(voIatiIe organic compounds，揮發(fā)性有機(jī)化合物)、氮氧化物、硫化物等有毒有害氣體為代表的環(huán)境污染日趨嚴(yán)重，極大影響人們的生活質(zhì)量甚至壽命。工業(yè)生產(chǎn)規(guī)模逐漸擴(kuò)大，產(chǎn)品種類不斷增多，尤其是石油、化工、煤礦、汽車等工業(yè)的飛速發(fā)展導(dǎo)致火災(zāi)事故的不斷發(fā)生，大氣環(huán)境遭到嚴(yán)重破壞。另外，隨著現(xiàn)代工業(yè)、國防工業(yè)的快速發(fā)展，運輸過程中可能產(chǎn)生的液化石油氣、H2以及液態(tài)燃料等危險品泄露，危險品的燃燒，運輸車的傾倒等危險情況，也需要相應(yīng)傳感器實時的檢測。此外，天然氣管道泄露、家用煤氣泄露導(dǎo)致的爆炸等重大事故頻發(fā)，造成慘重的經(jīng)濟(jì)損失和人員傷亡。
[0003]人類對以上這些氣體的感知和承受能力是有限的，為了確保安全，防患于未然，人們研制了各種測試儀器和檢測方法，以便準(zhǔn)確地檢測并控制環(huán)境中的各種有毒有害氣體。同時，隨著近年以短距離通訊為技術(shù)核心的物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)快速發(fā)展以及以智能家居為代表的對氣體泄漏和室內(nèi)氣體濃度的實時檢測需求的日益迫切，基于各種類型氣體傳感器的實時監(jiān)測系統(tǒng)逐漸進(jìn)入市場。而其中最為核心和關(guān)鍵的就是氣體傳感器。氣體傳感器經(jīng)過多年的發(fā)展，已廣泛應(yīng)用于各行業(yè)的生產(chǎn)、國防、醫(yī)療、生活和監(jiān)測機(jī)構(gòu)等領(lǐng)域，而研究和開發(fā)這些用于環(huán)境監(jiān)測的氣體傳感器，更成為人們?nèi)找骊P(guān)心的問題。
[0004]目前市面上的商用氣體傳感器以敏感機(jī)理來分類主要有:電化學(xué)氣體傳感器、半導(dǎo)體氣體傳感器、催化反應(yīng)氣體傳感器、熱傳導(dǎo)式氣體傳感器、光學(xué)原理氣體傳感器等。在眾多氣體傳感器之中，應(yīng)用最為廣泛、傳感器結(jié)構(gòu)和制作工藝簡單、靈敏度等綜合性能優(yōu)良、成本低廉的應(yīng)數(shù)半導(dǎo)體氣體傳感器。尤其是近年來隨著微機(jī)械加工技術(shù)的發(fā)展，借助于微電子工藝，半導(dǎo)體氣體傳感器更是向著集成化、智能化方向發(fā)展。半導(dǎo)體氣體傳感器是利用在一定的工作溫度下，某些金屬氧化物半導(dǎo)體材料(例如Zn0、Sn02、Ti02等)因為環(huán)境氣體的成分、濃度等發(fā)生變化導(dǎo)致電導(dǎo)率隨之發(fā)生變化的特性來檢測氣體。利用表面電導(dǎo)的變化檢測氣體的種類和濃度。因而，其具有制作工藝簡單、生產(chǎn)成本低、靈敏度高、響應(yīng)恢復(fù)特性好。作為氣體敏感材料的金屬氧化物半導(dǎo)體需要加熱到較高溫度時才顯現(xiàn)出較好的敏感特性。專利CN103675028A介紹了一種半導(dǎo)體氣體傳感器，在制備半導(dǎo)體氣敏傳感器時必須先制備氣敏材料的加熱電極，然后再制備信號感測電極，工藝復(fù)雜，也沒有集成提高靈敏度的納米結(jié)構(gòu)。目前，在市場上的產(chǎn)品主要為厚膜型氣體傳感器，其氣敏薄膜的制作主要通過手工點膠、滴涂、噴涂等方法制備，其厚度及面積難于控制，可靠性重復(fù)性不佳，無法通過MEMS(Micro-Electro-Mechanical System，微機(jī)電系統(tǒng))工藝批量制造，同時，由于氣體接觸面積有限，信號強(qiáng)度和檢測濃度極限受限。
[0005]此外，半導(dǎo)體氣體傳感器中通常利用金屬氧化物作為敏感材料，通過在其表面吸附氣體及表面反應(yīng)而引起自身電阻的變化，進(jìn)而監(jiān)測到待檢測氣體。金屬氧化物的吸附能力越強(qiáng)，則氣敏元件的選擇性和靈敏度越高，為了達(dá)到上述效果，通常需要氣敏材料之間有能讓待測氣體通過的空隙;或為了提高信號強(qiáng)度，提高檢測濃度極限，需要在一定的器件尺寸限制下增大敏感材料與氣體的接觸面積或敏感材料的比表面積。當(dāng)今納米技術(shù)的發(fā)展，不僅為傳感器提供了良好的敏感材料，例如納米粒子、納米管、納米線、納米薄膜等，而且一個顯著的事實是在納米尺度下，材料的比表面積顯著增加。
[0006]與傳統(tǒng)的傳感器相比，納米傳感器尺寸減小、精度提高等性能大大改善，更重要的是利用納米技術(shù)制作傳感器，是站在原子尺度上，從而極大地豐富了傳感器的理論，推動了傳感器的制作水平，拓寬了傳感器的應(yīng)用領(lǐng)域。納米傳感器的主要應(yīng)用領(lǐng)域包括醫(yī)療保健、軍事、工業(yè)控制和機(jī)器人、網(wǎng)絡(luò)和通信以及環(huán)境監(jiān)測等。隨著相關(guān)技術(shù)的成熟，納米傳感器在國防安檢方面的強(qiáng)大優(yōu)勢逐漸顯現(xiàn)。相信在不久的將來，納米傳感器將用于新一代的軍服和設(shè)備，并將用來檢測炭疽、有毒有害危險氣體等。此外，眾多研究和應(yīng)用表明，將納米技術(shù)和納米結(jié)構(gòu)與已有傳統(tǒng)傳感器相結(jié)合可以顯著提升傳感器的性能指標(biāo)，從而拓寬其應(yīng)用領(lǐng)域。
[0007]綜上背景可知，無論是已有的厚膜式氣敏傳感器還是薄膜式半導(dǎo)體氣敏傳感器，雖然市場占有率和性能滿足了部分需求，但性能仍有提升空間。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]有鑒于此，本實用新型的主要目的在于提供一種集成納米結(jié)構(gòu)的薄膜型MOS氣體傳感器，能夠提高工藝兼容性和可重復(fù)性。
[0009]為達(dá)到上述目的，本實用新型提供一種集成納米結(jié)構(gòu)的薄膜型MOS氣體傳感器，從底部向頂部依次包括:承載硅基底，傳感器釋放后空腔、MEMS氧化硅、氮化硅復(fù)合膜支撐結(jié)構(gòu)，圖形化多晶硅薄膜層，納米尺度硅結(jié)構(gòu)，梳齒敏感電極、加熱電極以及引線鍵合pad層結(jié)構(gòu)，金屬氧化物敏感膜層。
[0010]可選的，所述MEMS氧化硅、氮化硅復(fù)合膜支撐結(jié)構(gòu)自下而上包括厚度為0.1?2微米的絕熱氧化硅薄膜層、厚度為0.1?I微米的勻熱氮化硅薄膜層。
[0011]可選的，所述多晶硅薄膜層的厚度為0.1?2微米。
[0012]可選的，電極的厚度為0.05?I微米，電極的長、寬為10?200微米，梳齒敏感電極間距為I?50微米;所述電極材料包括金屬和合金薄膜或重?fù)诫s的多晶硅，所述金屬選自Pt、Au、Ag、Cu、N1、W中的一種，所述合金薄膜選自附/0、]\10/]\111、(]11/211、厶8/?(1、？1:/^11、卩6/(]0中的一種，所述重?fù)诫s的多晶硅包括N型或P型重?fù)诫s多晶硅，用于傳感器電信號的引出。
[0013]可選的，所述金屬氧化物敏感膜層為Zn0、Sn02、Ti02、Fe203中的一種，晶粒直徑為10?500]1111，膜層的厚度為30?500111]1。
[0014]本實用新型提供的集成納米結(jié)構(gòu)的薄膜型MOS氣體傳感器，通過巧妙的版圖布局，實現(xiàn)了加熱電極和信號提取梳齒敏感電極的同步工藝制作，在同一結(jié)構(gòu)層上實現(xiàn)了兩種功能電極結(jié)構(gòu)，簡化了工藝流程和器件結(jié)構(gòu);采用等離子浸沒注入(PIII)干法刻蝕工藝、反應(yīng)離子刻蝕等其它微電子加工工藝刻蝕制備所述的納米尺度娃結(jié)構(gòu)，形成娃表面刻蝕的納米粗糙表面，以提高后續(xù)金屬氧化物敏感膜層與目標(biāo)氣體的接觸面積，從而提高靈敏度。使用磁控濺射制作金屬氧化物敏感薄膜或者采用滴涂、旋轉(zhuǎn)硅基底的方式形成金屬氧化物前軀體薄膜層并陶瓷化生成金屬氧化物敏感膜層的工藝在所述納米尺度硅結(jié)構(gòu)之上實現(xiàn)敏感膜層的制作，物理的增加表面敏感膜的多孔性，提高氣體傳感器的靈敏度和響應(yīng)時間，結(jié)構(gòu)巧妙，工藝簡單。所采用的納米尺度黑硅材料以及其加工制作工藝完全與微電子工藝兼容，工藝兼容性好，可批量制作。相比于直接使用滴涂的方式制備的厚膜型氣體傳感器，提高了結(jié)構(gòu)的可重復(fù)性;并且與MEMS工藝相結(jié)合，使其制作氣體傳感器的制作方式簡便，可進(jìn)行批量性生產(chǎn)。另外，相比于使用P25Ti02等商用金屬氧化物粉末與有機(jī)溶劑混合，通過絲網(wǎng)印刷的方法制備敏感膜層，減小了工藝的復(fù)雜性，增加操作的可行性;避免了表面敏感膜晶粒的團(tuán)聚，并且有效的增加的接觸被測氣體的有效面積。提高了工藝兼容性，避免了厚膜工藝制作敏感薄膜的復(fù)雜性和后續(xù)其它工藝對敏感膜層的破壞，同時增加了薄膜型氣體傳感器的靈敏度，與MEMS工藝結(jié)合并且可批量制造，提高工藝可重復(fù)性。
【附圖說明】
[0015]為了更清楚地說明本實用新型實施例中的技術(shù)方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖。
[0016]圖1為在承載硅基底I上制作氧化硅薄膜層2得到的結(jié)構(gòu)的剖視圖；
[0017]圖2為在圖1所示的結(jié)構(gòu)上制作氮化硅薄膜層3得到的結(jié)構(gòu)的剖視圖；
[0018]圖3為在圖2所示的結(jié)構(gòu)上制作多晶硅薄膜層4得到的結(jié)構(gòu)的剖視圖；
[0019]圖4為在圖3所示的結(jié)構(gòu)上對多晶硅薄膜層4進(jìn)行圖形化處理形成圖形化多晶硅薄膜層5得到的結(jié)構(gòu)的剖視圖；
[0020]圖5為在圖4所示的結(jié)構(gòu)上在非敏感區(qū)域光刻干法釋放口6得到的結(jié)構(gòu)的剖視圖；
[0021]圖6為在圖5所示的結(jié)構(gòu)上制作梳齒敏感電極7a、加熱電極7b以及引線鍵合pad7c得到的結(jié)構(gòu)的剖視圖；
[0022]圖7為在圖6所示的結(jié)構(gòu)上制作納米尺度硅結(jié)構(gòu)8得到的結(jié)構(gòu)的剖視圖；
[0023]圖8為在圖7所示的結(jié)構(gòu)上制作金屬氧化物敏感膜層9得到的結(jié)構(gòu)的剖視圖；
[0024]圖9為在圖8所示的結(jié)構(gòu)上制作傳感器釋放后空腔10得到的結(jié)構(gòu)的剖視圖；
[0025]圖10為本實用新型實施例提供的集成納米結(jié)構(gòu)的薄膜型MOS氣體傳感器的平面結(jié)構(gòu)俯視圖。
【具體實施方式】
[0026]下面將結(jié)合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒緦嵱眯滦椭械膶嵤├?，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其它實施例，都屬于本實用新型保護(hù)的范圍。
[0027]本實用新型實施例提供一種集成納米結(jié)構(gòu)的薄膜型MOS氣體傳感器，如圖9所示，所述集成納米結(jié)構(gòu)的薄膜型MOS氣體傳感器從底部向頂部依次包括:承載硅基底I，傳感器釋放后空腔10、MEMS氧化硅2、氮化硅3復(fù)合膜支撐結(jié)構(gòu)，圖形化多晶硅薄膜層5，納米尺度硅結(jié)構(gòu)8，梳齒敏感電極、加熱電極以及引線鍵合pad層結(jié)構(gòu)，金屬氧化物敏感膜層9。
[0028]可選的，所述MEMS氧化硅、氮化硅復(fù)合膜支撐結(jié)構(gòu)自下而上包括厚度為0.1?2微米的絕熱氧化硅薄膜層、厚度為0.1?I微米的勻熱氮化硅薄膜層。
[0029]可選的，所述多晶硅薄膜層的厚度為0.1?2微米。
[0030]可選的，電極的厚度為0.05?I微米，電極的長、寬為10?200微米，梳齒敏感電極間距為I?50微米;所述電極材料包括金屬和合金薄膜或重?fù)诫s的多晶硅，所述金屬選自Pt、Au、Ag、Cu、N1、W中的一種，所述合金薄膜選自附/0、]\10/]\111、(]11/211、厶8/?(1、？1:/^11、卩6/(]0中的一種，所述重?fù)诫s的多晶硅包括N型或P型重?fù)诫s多晶硅，用于傳感器電信號的引出。
[0031]可選的，所述金屬氧化物敏感膜層為Zn0、Sn02、Ti02、Fe203中的一種，晶粒直徑為10?500]1111，膜層的厚度為30?500111]1。
[0032]本實用新型實施例提供一種集成納米結(jié)構(gòu)的薄膜型MOS氣體傳感器的制造方法，所述方法包括:
[0033]Sll、在用來承載MEMS結(jié)構(gòu)的承載硅基底I上，采用低壓力化學(xué)氣相沉積法(LPCVD)制備厚度為0.1?2微米的絕熱氧化硅薄膜層2，得到如圖1所示的結(jié)構(gòu)。
[0034]S12、在圖1所示的結(jié)構(gòu)上，采用低壓力化學(xué)氣相沉積法(LPCVD)制備厚度為0.1?I微米的勻熱氮化硅薄膜層3，得到如圖2所示的結(jié)構(gòu)。
[0035]S13、在圖2所示的結(jié)構(gòu)上，采用壓力化學(xué)氣相沉積法(LPCVD)制備厚度為0.1?2微米的多晶硅薄膜層4，得到如圖3所示的結(jié)構(gòu)。
[0036]S14、在圖3所示的結(jié)構(gòu)上，對多晶硅薄膜層4進(jìn)行圖形化處理，形成圖形化多晶硅薄膜層5，得到如圖4所示的結(jié)構(gòu)。
[0037]S15、在圖4所示的結(jié)構(gòu)上，在非敏感區(qū)域光刻干法釋放口6，為后期干法釋放形成懸浮結(jié)構(gòu)做準(zhǔn)備，得到如圖5所示的結(jié)構(gòu)。
[0038]S16、在圖5所示的結(jié)構(gòu)上，在多晶硅表面制備梳齒敏感電極7a、加熱電極7b以及引線鍵合pad 7c，得到如圖6所示的結(jié)構(gòu)。
[0039]所述兩種電極采用電子束蒸發(fā)、濺射、原子層沉積的工藝制備。電極的厚度為0.05?I微米，電極的長、寬在1?200微米左右，梳齒敏感電極間距為I?50微米，所述電極材料包括金屬和合金薄膜或重?fù)诫s的多晶娃，所述金屬選自Pt、Au、Ag、Cu、N1、胃中的一種，所述合金薄膜選自附/0、10/^11、01/211)8/?(1、？^^11、？6/(:0中的一種，所述重?fù)诫s的多晶硅包括N型或P型重?fù)诫s多晶硅，用于傳感器電信號的引出。
[0040]S17、在圖6所示的結(jié)構(gòu)上，采用等離子浸沒注入(PIII)干法刻蝕納米尺度硅、反應(yīng)離子刻蝕納米尺度硅或其它微電子加工工藝，刻蝕多晶硅表面，形成直徑在10?lOOOnm、高度在10?100nm的納米尺度娃結(jié)構(gòu)8粗糙起伏，所述的納米尺度娃結(jié)構(gòu)包括山峰狀結(jié)構(gòu)、蜂窩網(wǎng)結(jié)構(gòu)、錐形結(jié)構(gòu)、樹狀結(jié)構(gòu)以及凹坑狀不規(guī)則結(jié)構(gòu)，得到如圖7所示的結(jié)構(gòu)。
[0041]S18、在圖7所示的結(jié)構(gòu)上，使用磁控濺射的方法在納米尺度硅結(jié)構(gòu)8、梳齒敏感電極7a、加熱電極7b以及引線鍵合pad 7c區(qū)域沉積金屬氧化物敏感膜層9，所述的金屬氧化物敏感膜層9為Zn0、Sn02、Ti02、Fe203中的一種，制備的晶粒直徑在10?500nm，膜層的厚度在30?500nm左右，沉積在刻蝕的納米尺度硅結(jié)構(gòu)之上。之后進(jìn)行400°C?600°C的退火處理，得到如圖8所示的結(jié)構(gòu)。
[0042]可選的，可以在圖7所示的結(jié)構(gòu)上，采用滴涂金屬氧化物前軀體、旋轉(zhuǎn)硅基底形成金屬氧化物前軀體薄膜層并陶瓷化生成金屬氧化物敏感膜層的工藝，在納米尺度硅結(jié)構(gòu)8、梳齒敏感電極7a、加熱電極7b以及引線鍵合pad 7c區(qū)域?qū)崿F(xiàn)金屬氧化物敏感膜層9的制作，之后進(jìn)行400°C?600°C的陶瓷化處理，得到如圖8所示的結(jié)構(gòu)。
[0043]S19、在圖8所示的結(jié)構(gòu)上，使用XeF2、RIE等微電子刻蝕工藝對承載硅基底I進(jìn)行各項同性干法刻蝕，形成縱向深度在I?100微米左右、橫向刻蝕穿透的熱隔離的懸浮器件結(jié)構(gòu)。懸浮膜層下方為傳感器釋放后空腔10，傳感器敏感薄膜懸空區(qū)域與硅基底之間通過支撐臂11相連接，得到如圖9所示的結(jié)構(gòu)。
[0044]如圖10所示，為采用上述制作方法得到的集成納米結(jié)構(gòu)的薄膜型MOS氣體傳感器的平面結(jié)構(gòu)俯視圖，圖10中虛線所示為圖1至圖9所示剖視圖的截面位置。
[0045 ]至此，使用創(chuàng)新的工藝方法制成的集成納米結(jié)構(gòu)的薄膜型MOS氣體傳感器完成。
[0046]本實用新型實施例提供的集成納米結(jié)構(gòu)的薄膜型MOS氣體傳感器的制造方法，通過優(yōu)化工藝流程，實現(xiàn)了所提出的集成納米結(jié)構(gòu)的傳感器。在增加比表面積核心功能結(jié)構(gòu)區(qū)域即納米尺度硅結(jié)構(gòu)制備的同時，完成了加熱電極、梳齒敏感電極及弓I線鍵合pad層結(jié)構(gòu)的制作集成。具體來講，先通過低壓化學(xué)氣相沉積法(LPECVD)、等離子增強(qiáng)氣相沉積法(PECVD)等微電子薄膜生長工藝生長平整的多晶硅層，之后再所述的平整多晶硅層上使用電子束蒸發(fā)、濺射、原子層沉積工藝等金屬生長微電子制備工藝制備電極層。之后采用開發(fā)的等離子浸沒注入(PI11)的方法、反應(yīng)離子刻蝕(RIE)等微電子干法刻蝕工藝制備納米尺度硅結(jié)構(gòu)，圖6所示的梳齒敏感電極7a，加熱電極7b覆蓋之外的區(qū)域8被刻蝕形成所述的納米尺度硅結(jié)構(gòu)，而被電極7a、7b覆蓋的區(qū)域不受影響。從而完成納米尺度硅結(jié)構(gòu)的同時，順利實現(xiàn)了核心電極結(jié)構(gòu)的制備。
[0047]此外，通過采用濺射或其它微電子薄膜制備工藝制備晶粒直徑納米尺度的金屬氧化物敏感膜層，所述的金屬氧化物敏感膜層位于納米尺度的硅結(jié)構(gòu)和加熱電極及梳齒敏感電極上方，通過梳齒敏感電極實現(xiàn)傳感器電信號的引出。所述的此種結(jié)構(gòu)，一方面易于與納米尺度的硅結(jié)構(gòu)集成，可連續(xù)的覆蓋在納米尺度硅結(jié)構(gòu)之上；同時，由于采用了微電子常規(guī)工藝制備氣體敏感膜層材料，易于實現(xiàn)批量化制備，降低成本。
[0048]以上所述，僅為本實用新型的【具體實施方式】，但本實用新型的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本實用新型揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到的變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本實用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本實用新型的保護(hù)范圍應(yīng)該以權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
【主權(quán)項】
1.一種集成納米結(jié)構(gòu)的薄膜型MOS氣體傳感器，其特征在于，從底部向頂部依次包括:承載硅基底，傳感器釋放后空腔、MEMS氧化硅、氮化硅復(fù)合膜支撐結(jié)構(gòu)，圖形化多晶硅薄膜層，納米尺度硅結(jié)構(gòu)，梳齒敏感電極、加熱電極以及引線鍵合pad層結(jié)構(gòu)，金屬氧化物敏感膜層。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成納米結(jié)構(gòu)的薄膜型MOS氣體傳感器，其特征在于，所述MEMS氧化硅、氮化硅復(fù)合膜支撐結(jié)構(gòu)自下而上包括厚度為0.1?2微米的絕熱氧化硅薄膜層、厚度為0.1?I微米的勻熱氮化硅薄膜層。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成納米結(jié)構(gòu)的薄膜型MOS氣體傳感器，其特征在于，所述多晶硅薄膜層的厚度為0.1?2微米。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成納米結(jié)構(gòu)的薄膜型MOS氣體傳感器，其特征在于，所述梳齒敏感電極和加熱電極的厚度為0.0 5?I微米，所述梳齒敏感電極和加熱電極的長、寬為1?200微米，梳齒敏感電極間距為I?50微米。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成納米結(jié)構(gòu)的薄膜型MOS氣體傳感器，其特征在于，所述金屬氧化物敏感膜層為Zn0、Sn02、Ti02、Fe203中的一種，晶粒直徑為10?500nm，膜層的厚度為30?500nmo
【文檔編號】B82Y40/00GK205643233SQ201620179891
【公開日】2016年10月12日
【申請日】2016年3月9日
【發(fā)明人】明安杰, 鄭軒, 陳大鵬
【申請人】中國科學(xué)院微電子研究所