專利名稱：熱蒸鍍裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種鍍膜裝置，尤其涉及一種熱蒸鍍裝置。
背景技術(shù)：
熱蒸鍍膜(evaporate coating)技術(shù)采用的設(shè)備成本低，技術(shù)簡(jiǎn)單，被廣泛應(yīng)用于 各個(gè)領(lǐng)域。然而，在鍍膜過(guò)程中，由于熱蒸發(fā)所產(chǎn)生的鍍膜材料粒子動(dòng)能較低，通常無(wú)法形 成較高膜強(qiáng)度及較強(qiáng)膜層致密性的鍍膜層。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，有必要提供一種可形成較高膜強(qiáng)度及較強(qiáng)膜層致密性的鍍膜層的熱蒸 鍍裝置。一種熱蒸鍍裝置，其包括一用于承載一待鍍膜基板的基板基座、一與該基板基座 相對(duì)設(shè)置且用于承載蒸鍍材料的坩堝、一位于該待鍍膜基板與該坩堝之間的鎢絲線及一電 場(chǎng)產(chǎn)生組件。該鎢絲線電性連接一第一外部電源使該鎢絲線表面產(chǎn)生電子。該電場(chǎng)產(chǎn)生組 件用于產(chǎn)生施加在該基板基座與該坩堝之間的電場(chǎng)。該坩堝加熱產(chǎn)生的蒸鍍材料分子氣體 經(jīng)由該鎢絲線攜帶該電子，使攜帶該電子的蒸鍍材料分子氣體在該電場(chǎng)中加速并到達(dá)該待 鍍膜基板。與現(xiàn)有技術(shù)相比，所述熱蒸鍍裝置，通過(guò)使蒸鍍材料分子氣體攜帶由鎢絲線產(chǎn)生 的電子，經(jīng)由電場(chǎng)產(chǎn)生組件產(chǎn)生的電場(chǎng)加速達(dá)到待鍍膜基板上，由于該蒸鍍材料分子氣體 動(dòng)能的增加，使該待鍍膜基板上形成的薄膜的膜強(qiáng)度較高且膜層致密性較強(qiáng)，從而提高該 待鍍膜基板的鍍膜良率。


圖1為本發(fā)明第一實(shí)施方式提供的熱蒸鍍裝置的結(jié)構(gòu)剖示圖。圖2為本發(fā)明第二實(shí)施方式提供的熱蒸鍍裝置的結(jié)構(gòu)剖示圖。
具體實(shí)施例方式下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式作進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明。請(qǐng)參閱圖1，本發(fā)明第一實(shí)施方式提供的熱蒸鍍裝置10用于對(duì)一待鍍膜基板11進(jìn) 行鍍膜。該熱蒸鍍裝置10包括一基板基座12、一坩堝14、一鎢絲線16及一電場(chǎng)產(chǎn)生組件 18。該基板基座12用于承載該待鍍膜基板11。該坩堝14相對(duì)該基板基座12設(shè)置，用于承 載蒸鍍材料141。該鎢絲線16位于該待鍍膜基板11與該坩堝14之間。該電場(chǎng)產(chǎn)生組件 18用于產(chǎn)生施加在該基板基座12與該坩堝14之間的電場(chǎng)。在本實(shí)施方式中，該待鍍膜基板11由非金屬材料，該基板基座12由金屬材料制 成。當(dāng)然，該待鍍膜基板11也可以由金屬材料制成。承載在坩堝14內(nèi)的蒸鍍材料141在該坩堝14加熱時(shí)受熱氣化，形成蒸鍍材料分子氣體143。該坩堝14的加熱方式有很多，如在坩堝14的外圍設(shè)置加熱器(圖未示)。該鎢絲線16與一第一外部電源161電性連接。該第一外部電源161用于對(duì)該鎢 絲線16進(jìn)行加熱。當(dāng)該鎢絲線16加熱到白熱時(shí)，該鎢絲線16內(nèi)部圍繞核子運(yùn)轉(zhuǎn)的電子逃 逸出來(lái)，從而使該鎢絲線16表面產(chǎn)生電子。該第一外部電源161與該鎢絲線16之間電性 串接一第一開(kāi)關(guān)元件163，用于控制該鎢絲線16與該第一外部電源161的通斷。該蒸鍍材料分子氣體143從該坩堝14內(nèi)擴(kuò)散出來(lái)，且該蒸鍍材料分子氣體143經(jīng) 過(guò)該鎢絲線16而攜帶該電子。進(jìn)一步說(shuō)明，白熱的鎢絲線16的表面溫度高于該蒸鍍材料 分子氣體143的溫度。因此，在該鎢絲線16附近的蒸鍍材料分子氣體143始終成氣態(tài)，不 會(huì)在該鎢絲線16的表面上凝固形成薄膜。該電場(chǎng)產(chǎn)生組件18包括一金屬框架183。該金屬框架183與一第二外部電源181 的負(fù)極電性連接，該基板基座12與該第二外部電源181的正極電性連接。從而該金屬框架 183的電勢(shì)比該基板基座12的電勢(shì)低，該金屬框架183與該基板基座12之間形成一電場(chǎng)。 該第二外部電源181與該基板基座12之間電性串接一第二開(kāi)關(guān)元件185，用于控制該電場(chǎng) 的電源的通斷。鍍膜時(shí)，攜帶電子的蒸鍍材料分子氣體143透過(guò)該鎢絲線16進(jìn)入該電場(chǎng)，經(jīng)由該 電場(chǎng)進(jìn)行加速到達(dá)該待鍍膜基板11?？梢岳斫猓捎谠摻饘倏蚣?83電勢(shì)較低，因此該蒸鍍 材料分子氣體143經(jīng)過(guò)該金屬框架183時(shí)，將受到庫(kù)倫斥力，無(wú)法附著于該金屬框架183靠 近該基板基座12的表面上。優(yōu)選地，該金屬框架183為網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)且貼近該鎢絲線16。由于 該鎢絲線16的溫度極高，因此，在該鎢絲線16附近的蒸鍍材料分子氣體143不容易在該金 屬框架183的表面上凝固，從而提高蒸鍍材料141的利用率。該熱蒸鍍裝置10，通過(guò)使蒸鍍材料分子氣體143攜帶由鎢絲線16產(chǎn)生的電子，經(jīng) 由電場(chǎng)產(chǎn)生組件18產(chǎn)生的電場(chǎng)加速達(dá)到待鍍膜基板11上，由于該蒸鍍材料分子氣體143 動(dòng)能的增加，該待鍍膜基板11上形成的薄膜其膜強(qiáng)度較高且膜層致密性較強(qiáng)，從而提高該 待鍍膜基板11的鍍膜良率。請(qǐng)參閱圖2，為本發(fā)明第二實(shí)施方式提供的熱蒸鍍裝置20，該熱蒸鍍裝置20與第 一實(shí)施方式的熱蒸鍍裝置10的區(qū)別在于該基板基座22及該待鍍膜基板21均由非金屬材 料制成，該電場(chǎng)產(chǎn)生組件28還包括一個(gè)安裝在該基板基座22與該待鍍膜基板21之間的金 屬件23，該第二外部電源281的正極電性連接該金屬件23，使該金屬框架283與該金屬件 23之間形成一電場(chǎng)。鍍膜時(shí)，攜帶電子的蒸鍍材料分子氣體243透過(guò)該鎢絲線26進(jìn)入該電 場(chǎng)，經(jīng)由該電場(chǎng)進(jìn)行加速到達(dá)該待鍍膜基板21。當(dāng)然該第二外部電源281的正極還可以電性連接該待鍍膜基板21，使該金屬框架 283與該待鍍膜基板21之間形成該電場(chǎng)。雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施方式披露如上，但是，其并非用以限定本發(fā)明，另外，本 領(lǐng)域技術(shù)人員還可以在本發(fā)明精神內(nèi)做其它變化等。當(dāng)然，這些依據(jù)本發(fā)明精神所做的變 化，都應(yīng)包含在本發(fā)明所要求保護(hù)的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
一種熱蒸鍍裝置，其包括一用于承載一待鍍膜基板的基板基座、一與該基板基座相對(duì)設(shè)置且用于承載蒸鍍材料的坩堝，其特征在于，該熱蒸鍍裝置還包括一位于該待鍍膜基板與該坩堝之間的鎢絲線及一電場(chǎng)產(chǎn)生組件，該鎢絲線電性連接一第一外部電源使該鎢絲線表面產(chǎn)生電子，該電場(chǎng)產(chǎn)生組件用于產(chǎn)生施加在該基板基座與該坩堝之間的電場(chǎng)，該坩堝加熱產(chǎn)生的蒸鍍材料分子氣體經(jīng)由該鎢絲線攜帶該電子，使攜帶該電子的蒸鍍材料分子氣體在該電場(chǎng)中加速并到達(dá)該待鍍膜基板。
2.如權(quán)利要求1所述的熱蒸鍍裝置，其特征在于，該熱蒸鍍裝置還包括一電性串接在 該第一外部電源與該鎢絲線之間的開(kāi)關(guān)元件。
3.如權(quán)利要求1所述的熱蒸鍍裝置，其特征在于，該基板基座由金屬材料制成，該電場(chǎng) 產(chǎn)生組件包括一金屬框架，該金屬框架與一第二外部電源的負(fù)極電性連接，該基板基座與 該第二外部電源的正極電性連接，該電場(chǎng)形成于該金屬框架與該基板基座之間。
4.如權(quán)利要求1所述的熱蒸鍍裝置，其特征在于，該基板基座由非金屬材料制成，該待 鍍膜基板由金屬材料制成，該電場(chǎng)產(chǎn)生組件包括一金屬框架，金屬框架與一第二外部電源 的負(fù)極電性連接該，該待鍍膜基板與該第二外部電源的正極電性連接，該電場(chǎng)形成于該金 屬框架與該待鍍膜基板之間。
5.如權(quán)利要求1所述的熱蒸鍍裝置，其特征在于，該基板基座由非金屬材料制成，該待 鍍膜基板由非金屬材料制成，該電場(chǎng)產(chǎn)生組件包括一金屬框架及一安裝在該基板基座相對(duì) 該待鍍膜基板的一個(gè)側(cè)面上的金屬件，該金屬框架與一第二外部電源的負(fù)極電性連接，該 金屬件與該第二外部電源的正極電性連接，該電場(chǎng)形成于該金屬框架與該金屬件之間。
6.如權(quán)利要求3-5任意一項(xiàng)所述的熱蒸鍍裝置，其特征在于，該金屬框架為網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。
7.如權(quán)利要求3-5任意一項(xiàng)所述的熱蒸鍍裝置，其特征在于，該熱蒸鍍裝置還包括一 電性串接在該第二外部電源上的開(kāi)關(guān)元件。
全文摘要
一種熱蒸鍍裝置，其包括一用于承載一待鍍膜基板的基板基座、一與該基板基座相對(duì)設(shè)置且用于承載蒸鍍材料的坩堝、一位于該待鍍膜基板與該坩堝之間的鎢絲線及一電場(chǎng)產(chǎn)生組件。該鎢絲線電性連接一第一外部電源使該鎢絲線表面產(chǎn)生電子。該電場(chǎng)產(chǎn)生組件用于產(chǎn)生施加在該基板基座與該坩堝之間的電場(chǎng)。該坩堝加熱產(chǎn)生的蒸鍍材料分子氣體經(jīng)由該鎢絲線攜帶該電子，使攜帶該電子的蒸鍍材料分子氣體在該電場(chǎng)中加速并到達(dá)該待鍍膜基板。所述熱蒸鍍裝置，通過(guò)增加蒸鍍材料分子氣體的動(dòng)能，使該待鍍膜基板上形成的薄膜的膜強(qiáng)度較高且膜層致密性較強(qiáng)，從而提高該待鍍膜基板的鍍膜良率。
文檔編號(hào)C23C14/24GK101906609SQ20091030285
公開(kāi)日2010年12月8日 申請(qǐng)日期2009年6月2日 優(yōu)先權(quán)日2009年6月2日
發(fā)明者蔡泰生 申請(qǐng)人:鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司;鴻海精密工業(yè)股份有限公司