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晶片處理薄片的制作方法

文檔序號:6989717閱讀:337來源:國知局
專利名稱:晶片處理薄片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種用于處理晶片的薄片。
背景技術(shù)
一種用于半導(dǎo)體裝置的制備方法,包括背磨工序或切割工序,其間使用一種薄片, 例如表面保護(hù)薄片或切割薄片。近年來,由于對密集及重量輕的半導(dǎo)體裝置的需求已經(jīng)增加,這種用于處理晶片的薄片的性能相應(yīng)地變得越來越重要。例如,為了制造具有比常規(guī)方法(電路僅在晶片的一面上形成)更高的集成度的電路,電路應(yīng)該在晶片的兩面上形成。為了在晶片的兩面上形成電路,應(yīng)該對貼附有處理薄片的晶片進(jìn)行高溫處理。因此,用于處理晶片的薄片要求在高溫下具有優(yōu)異的耐熱性或尺寸穩(wěn)定性。然而,當(dāng)為了確保耐熱性和尺寸穩(wěn)定性而使用高熔點的硬質(zhì)基片時,晶片的保護(hù)降低且應(yīng)力松弛也減小,導(dǎo)致?lián)p壞晶片的可能性更高。用于處理晶片的薄片應(yīng)該具有優(yōu)異的應(yīng)力松弛性且沒有突起(例如魚眼)。當(dāng)應(yīng)力松弛性降低或者在薄片上出現(xiàn)突起時,由于剩余應(yīng)力或由于不均勻壓力而導(dǎo)致晶片容易被破壞。此種現(xiàn)象由于對大直徑和小厚度晶片的需求而更常見。關(guān)于用于處理晶片的薄片,要求優(yōu)異的可切割性。當(dāng)可切割性下降時,處理時可能出現(xiàn)切割缺陷,因此晶片處理可能不連續(xù)進(jìn)行。因此,當(dāng)用于處理晶片的薄片可切割性下降時,生產(chǎn)效率會降低并且晶片會被損壞。專利文獻(xiàn)1公開了一種即使當(dāng)其應(yīng)用于晶片薄膜時,用于防止對晶片造成損壞的具有特定范圍的儲能模量的粘合薄片。然而,對于滿足上述所有性能的用于處理晶片的薄片而言,沒有現(xiàn)有已知技術(shù) (包括上述專利文獻(xiàn)1)。

發(fā)明內(nèi)容
技術(shù)問題本發(fā)明提供一種用于處理晶片的薄片和一種用于處理晶片的方法。技術(shù)方案本發(fā)明涉及一種用于處理晶片的薄片,該薄片包括基片和防粘連層 (anti-blocking layer)。上述防粘連層在基片上形成并包含熱固化的樹脂組分或未固化的樹脂組分。下文,將詳細(xì)描述上述用于處理晶片的薄片。此處可用的基片種類沒有特別限制。在本發(fā)明中,可以使用任何一種基片,只要它具有優(yōu)異的切割性、耐熱性、尺寸穩(wěn)定性和應(yīng)力松弛性,并且還具有均勻的平面而沒有突起 (例如魚眼)。上述基片的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)可以為-20°C 45°C,優(yōu)選-10°C 40°C,更優(yōu)選-5°C 40°C,最優(yōu)選0°C 35°C。上述玻璃化轉(zhuǎn)變溫度可以使用差示掃描量熱儀(DSC) 進(jìn)行測量。在本發(fā)明中,如果作為DSC分析的結(jié)果檢測出兩個或多個玻璃化轉(zhuǎn)變溫度,則通過考慮組合物的各組分計算出的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度的平均值以代表值的形式作為玻璃化轉(zhuǎn)變溫度。通過將玻璃化轉(zhuǎn)變溫度控制在上述范圍內(nèi),可以提供具有對于晶片的優(yōu)異的保護(hù)功能和應(yīng)力松弛性能的基片。上述基片在23 V、優(yōu)選20 V 25°C、更優(yōu)選15°C 30°C的溫度下的韌度可以為 10kg. mm 250kg. _,優(yōu)選10kg. mm 200kg. mm。上述韌度可以通過張力試驗進(jìn)行測量。 具體而言,將基片切成尺寸為15mmX15mm的樣片。該樣片的尺寸是指不包括在張力試驗時用膠帶粘住以將樣片固定于張力試驗器的區(qū)域的區(qū)域的尺寸。在制備樣片之后,將該樣片固定在上述試驗器上,然后在測試溫度下以180mm/min 220mm/min,但優(yōu)選200mm/min的速度在垂直方向上伸長。繪制直至樣片斷裂時根據(jù)距離測得的力的圖。將力對距離曲線進(jìn)行積分以估算韌度。通過將韌度控制在上述范圍內(nèi),可以提供具有優(yōu)異的應(yīng)力松弛性能和可切割性的基片。對上述基片的結(jié)構(gòu)沒有特殊限制,只要它被配置成具有上述性能。例如,所述基片可以具有單層結(jié)構(gòu)或者具有至少兩層堆疊的多層結(jié)構(gòu)。在多層結(jié)構(gòu)的情形下,任一層或所有的層可以滿足上述性能,但優(yōu)選所有的層具有上述性能。此處可用的基片可以為由如下所形成的基片,聚烯烴,例如聚乙烯、聚丙烯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、其中烷基鏈由1 4個碳原子組成的乙烯_(甲基)丙烯酸烷基酯共聚物,乙烯-α-烯烴共聚物或丙烯- α -烯烴共聚物;聚酯,例如聚對苯二甲酸乙二醇酯或聚對苯二甲酸丁二醇酯;聚氯乙烯;聚酯彈性體;或聚氨酯(urethane),但不限于此。所述基片可以但不特別限于通過(T-模頭)擠出、充氣吹脹、鑄塑或壓延而形成。所述基片可以為包含高分子量聚合物和單體組分的可光固化組合物的光固化產(chǎn)物。該基片可以優(yōu)選對可光固化組合物進(jìn)行鑄塑而形成。所述基片與常規(guī)基片相比可以具有更好的性能,例如應(yīng)力松弛性能、尺寸穩(wěn)定性、耐熱性和可切割性,以及沒有魚眼的更均勻的平面。此處所用的術(shù)語“可光固化組合物”是指一種包含可以通過電磁波輻射而交聯(lián)、聚合或固化的組分的組合物。此處所用的術(shù)語“電磁波”是指包括微波、IR波、UV波、X射線、 Y射線以及粒子束(例如α-粒子束)、光子束、中子束及電子束的通稱。在本發(fā)明中,對形成這種光固化產(chǎn)物的可光固化組合物的種類沒有特別限制,且該組合物可以使用多種高分子量聚合物來制備。此處所用的術(shù)語“高分子量聚合物”是指由至少兩種單體聚合而形成的聚合物的通稱且包括所謂的低聚物。該高分子量聚合物的平均分子量(Mw)可以為約500 1,000,000,優(yōu)選約1,000 900,000,更有選約,3,000 800,000。上述平均分子量(Mw) 是指根據(jù)凝膠滲透色譜法(GPC)所測得的,相對于聚苯乙烯的轉(zhuǎn)換值。在一個實施方案中,所述高分子量聚合物可以是包含(甲基)丙烯酸酯單體的單體混合物的聚合物(下文,稱為“丙烯酸類聚合物”)。在下文中,包含上述(甲基)丙烯酸酯單體的聚合物的可光固化組合物可以稱為“第一類型可光固化組合物”。當(dāng)高分子量聚合物是上述類型時,所述可光固化組合物可以包括含有(甲基)丙烯酸酯單體的單體混合物的部分聚合產(chǎn)物。在上述部分聚合物產(chǎn)物中,一些單體可以通過聚合構(gòu)成高分子量聚合物, 即丙烯酸類聚合物,而其它未反應(yīng)的單體可以作為單體組分包含在可光固化組合物中。然而,在本發(fā)明中,用于制備可光固化組合物的方法不限于上述方法。例如,所述可光固化組合物可以是由將高分子量聚合物和單體組分混合來制備,而不是由部分聚合法來制備。單體混合物中包含的(甲基)丙烯酸酯單體的種類可以包括但不限于選自下列單體中的至少一種(甲基)丙烯酸烷基酯;含有烷氧基的(甲基)丙烯酸酯;含有脂環(huán)基的 (甲基)丙烯酸酯;含有芳基的(甲基)丙烯酸酯;含有雜環(huán)部分的(甲基)丙烯酸酯。上述(甲基)丙烯酸烷基酯的例子可以包括其中烷基含有1 14個碳原子的 (甲基)丙烯酸烷基酯,例如,(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸叔丁酯、(甲基)丙烯酸仲丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸 2-乙基丁酯、(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、 (甲基)丙烯酸月桂酯和(甲基)丙烯酸十四酯。含有烷氧基的(甲基)丙烯酸酯的例子可以包括(甲基)丙烯酸2- -乙氧基乙氧基)乙酯、乙二醇苯基醚(甲基)丙烯酸酯 (ethyleneglycol phenyl ether (meth) acrylate)、聚乙二醇(聚合度2 8)苯基醚(甲基)丙烯酸酯、乙二醇壬基苯基醚(甲基)丙烯酸酯或聚乙二醇(聚合度2 8)壬基苯基醚(甲基)丙烯酸酯。含有脂環(huán)基的(甲基)丙烯酸酯的例子可以包括二環(huán)戊烯基(甲基)丙烯酸酯(dicyclophentenyl (meth) acrylate)和二環(huán)戊烯基氧基(甲基)丙烯酸酯 (dicyclopentenyloxy (meth)acrylate);含有芳基的(甲基)丙烯酸酯的例子可以包括 (甲基)丙烯酸苯基羥丙酯和(甲基)丙烯酸芐酯;以及含有雜環(huán)部分的(甲基)丙烯酸酯的例子可以包括(甲基)丙烯酸四氫糠酯、(甲基)丙烯酸嗎啉酯(morpholinylOiieth) acrylate)和(甲基)丙烯酸異冰片酯。然而,本說明書中可用的(甲基)丙烯酸酯的種類不限于上述例子。在本發(fā)明中,形成部分聚合產(chǎn)物的單體混合物還可以包括含有極性官能團(tuán)(例如,羥基、羧基、含氮基團(tuán)或縮水甘油基)的單體。上述含有羥基的單體可以為(甲基)丙烯酸2-羥乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥己酯、(甲基)丙烯酸8-羥辛酯、(甲基)丙烯酸2-羥基乙二醇酯或(甲基)丙烯酸2-羥基丙二醇酯;含有羧基的單體可以為(甲基)丙烯酸、2_(甲基)丙烯酰氧基乙酸、3-(甲基)丙烯酰氧基丙酸、4-(甲基)丙烯酰氧基丁酸、丙烯酸二聚物、衣康酸、馬來酸或馬來酸酐;含有含氮基團(tuán)的單體可以為(甲基)丙烯酰胺、N-乙烯基吡咯烷酮或N-乙烯基己內(nèi)酰胺;以及含有縮水甘油基的單體可以是(甲基)丙烯酸縮水甘油酯。然而,本發(fā)明不限于此。必要時,上述單體混合物還可以包括除了上述單體之外的單體。對在該單體混合物中包括的每種組分的重量比沒有特別限制,且可以通過考慮固化效率或期望的可光固化材料的性能(如玻璃化轉(zhuǎn)變溫度和韌性)進(jìn)行調(diào)整。對使單體混合物部分聚合的方法沒有特別限制,且可以由已知的方法(例如本體聚合法)來進(jìn)行。當(dāng)單體混合物部分聚合時,對單體的轉(zhuǎn)化率沒有特別限制,并且可以通過考慮固化效率和期望性能等來控制。
第一類型可光固化組合物還可以包含多官能丙烯酸酯。該多功能丙烯酸酯可以在部分聚合后單獨混合,或者在一些情形下預(yù)先包含在形成部分聚合產(chǎn)物的單體混合物中。 必要時,所述可光固化組合物可以由單獨混合高分子量聚合物、單體組分和多功能丙烯酸酯來制備。對上述多功能丙烯酸酯的種類沒有特別限制。該多功能丙烯酸酯的例子可以包括但不限于,雙官能丙烯酸酯,例如1,4_ 丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6_己二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇己二酸酯二 (甲基)丙烯酸酯(neopentylglycol adipate di (meth) acrylate)、羥基新戊酸新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、二環(huán)戊基二(甲基)丙烯酸酯、己內(nèi)酯改性的二環(huán)戊烯基二 (甲基)丙烯酸酯、環(huán)氧乙烷改性的二(甲基)丙烯酸酯、二(甲基)丙烯酰氧基乙基異氰脲酸酯、烯丙基化環(huán)己基二(甲基)丙烯酸酯、三環(huán)癸烷二甲醇(甲基)丙烯酸酯、二羥甲基二環(huán)戊烷二(甲基)丙烯酸酯、環(huán)氧乙烷改性的六氫鄰苯二甲酸二(甲基)丙烯酸酯、三環(huán)癸烷二甲醇(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇改性的三甲基丙烷二(甲基)丙烯酸酯、金剛烷二(甲基)丙烯酸酯和9,9-雙W-(2-丙烯酰氧基乙氧基)苯基]芴;三官能丙烯酸酯,例如三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、丙酸改性的二季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、環(huán)氧丙烷改性的三羥甲基丙烷三 (甲基)丙烯酸酯、三官能氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯(trifimctional urethane (meth) acrylate)和三(甲基)丙烯酰氧基乙基異氰脲酸酯;四官能丙烯酸酯,例如二甘油四(甲基)丙烯酸酯和季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯;五官能丙烯酸酯,例如丙酸改性的二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯;以及六官能丙烯酸酯,例如二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、己內(nèi)酯改性的二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯和氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯(例如異氰酸酯單體和三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯的反應(yīng)產(chǎn)物)。在所述第一類型可光固化組合物中,相對于100重量份的高分子量聚合物和單體組分的總重量,上述多功能丙烯酸酯的含量可以為0. 01 10重量份。然而,所述含量可以根據(jù)處理效率或例如玻璃化轉(zhuǎn)變溫度和韌度等性能而改變。除非在本發(fā)明中另外定義,否則單位“重量份”是指重量比。所述第一類型可光固化組合物還可以包含光引發(fā)劑,該光引發(fā)劑由于光的應(yīng)用而可以引發(fā)聚合物、單體或多官能丙烯酸酯的聚合反應(yīng)。本文中可用的光引發(fā)劑的種類可以是,但不特別限于,本領(lǐng)域已知的光引發(fā)劑中之一,例如,安息香化合物、羥基酮化合物、氨基酮化合物、過氧化物化合物或氧化膦化合物。相對于100重量份的高分子量聚合物和單體組分的總重量,所述可光固化組合物可以包含光引發(fā)劑的量為0. 01 10重量份,但優(yōu)選0. 1 5重量份。通過將光引發(fā)劑的量控制在上述范圍內(nèi),可以引起有效固化并可以防止由于固化后組分殘留而造成的性能降低。在另一個實施方案中,所述高分子量聚合物可以是氨基甲酸酯丙烯酸酯、酯丙烯酸酯(ester acrylate)、酯氨基甲酸酯丙烯酸酯(ester urethane acrylate)、醚丙烯酸酯 (ether acrylate)、醚氨基甲酸酯丙烯酸酯(ether urethane acrylate)或環(huán)氧丙烯酸酯等。下文中,這樣的丙烯酸酯可以稱為“低聚物組分”,并且包含該組分的可光固化組合物可以稱為“第二類型光固化組合物”。所述氨基甲酸酯丙烯酸酯可以為,但不限于,多異氰酸酯化合物和含羥基的(甲基)丙烯酸酯的反應(yīng)產(chǎn)物。在這種情況下,對多異氰酸酯化合物的種類沒有特別限制。在本發(fā)明中,所述多異氰酸酯化合物的實例可以包括含有至少兩個異氰酸酯基團(tuán)的多異氰酸酯,例如,脂族、脂環(huán)族或芳族多異氰酸酯。具體而言,上述多異氰酸酯的實例可以包括2, 4-甲苯二異氰酸酯、2,6_甲苯二異氰酸酯、1,3_ 二甲苯二異氰酸酯、1,4_ 二甲苯二異氰酸酯、二苯基甲烷-4,4’ - 二異氰酸酯和異佛爾酮二異氰酸酯。在本發(fā)明中,形成所述氨基甲酸酯丙烯酸酯的含羥基的(甲基)丙烯酸酯也可以包括,但不限于,(甲基)丙烯酸羥烷基酯,例如(甲基)丙烯酸2-羥乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥丁酯、 (甲基)丙烯酸6-羥己酯和(甲基)丙烯酸8-羥辛酯。作為氨基甲酸酯丙烯酸酯,可以使用含羥基的(甲基)丙烯酸酯和在末端含有異氰酸酯的氨基甲酸酯預(yù)聚物的反應(yīng)產(chǎn)物,所述在末端含有異氰酸酯的氨基甲酸酯預(yù)聚物是酯多元醇和異氰酸酯化合物的反應(yīng)產(chǎn)物。在此種情況下可以使用的酯多元醇可以是本領(lǐng)域已知的常規(guī)組分,例如,多元醇和/或酯多元醇與酸組分(例如二元酸或其酸酐)的酯化反應(yīng)產(chǎn)物。所述多元醇可以為乙二醇、丙二醇、環(huán)己烷二甲醇或3-甲基-1,5-戊二醇;所述酯多元醇可以為聚亞烷基二醇,例如聚乙二醇、聚丙二醇或聚丁二醇,或者可以是嵌段或無規(guī)聚合物的二元醇,例如多亞乙基多丙氧基嵌段聚合物二醇(polyethylene polypropoxy block polymer diol);以及所述酸組分可以為二元酸,例如己二酸、丁二酸、鄰苯二甲酸、 四氫鄰苯二甲酸、六氫鄰苯二甲酸或?qū)Ρ蕉姿峄蛏鲜鏊岬乃狒4送?,此處可用的異氰酸酯化合物和含羥基的(甲基)丙烯酸酯的例子與上述相同。所述氨基甲酸酯丙烯酸酯可以為含羥基的(甲基)丙烯酸酯和在末端含有異氰酸酯的氨基甲酸酯預(yù)聚物的反應(yīng)產(chǎn)物,所述在末端含有異氰酸酯的氨基甲酸酯預(yù)聚物是酯多元醇和異氰酸酯化合物的反應(yīng)產(chǎn)物。此處可用的酯丙烯酸酯可以為酯多元醇和(甲基)丙烯酸的脫水縮合反應(yīng)產(chǎn)物。 在此情況下,可用的酯多元醇可以是上述化合物。所述醚丙烯酸酯可以為聚亞烷基二醇二(甲基)丙烯酸酯,例如聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯或聚丁二醇二(甲基)丙烯酸酯。此處可用的環(huán)氧丙烯酸酯可以為環(huán)氧樹脂和(甲基)丙烯酸的加成反應(yīng)產(chǎn)物。在這種情況下,上述環(huán)氧樹脂的種類可以是,但不限于,本領(lǐng)域已知的常規(guī)芳族或脂族環(huán)氧樹脂。當(dāng)所述低聚物組分通過使上述化合物反應(yīng)制備時,對反應(yīng)條件或反應(yīng)物的比例沒有特別限制。即,考慮到可光固化產(chǎn)物中要求的性能,可以適當(dāng)選擇反應(yīng)條件。在本發(fā)明中, 在制備低聚物組分的過程中,其它組分可以和上述化合物適當(dāng)?shù)胤磻?yīng)。在本發(fā)明中,在上述低聚物中,可以優(yōu)選使用氨基甲酸酯丙烯酸酯,但不限于此。第二類型可光固化組合物還可以包含反應(yīng)性單體。對與低聚物組分一起被包含的反應(yīng)性單體的種類沒有特別限制,但可以是,例如, 如在第一類型可光固化組合物中的(甲基)丙烯酸酯單體、含有極性官能團(tuán)的單體、多官能丙烯酸酯、含有烷氧基的單體、含有芳基的單體或含有雜環(huán)部分的單體。相對于100重量份的低聚物,反應(yīng)性單體的含量可以為10 400重量份。通過以這種方式控制反應(yīng)性單體的重量比,形成可光固化組合物層的效率可以高度保持,且可光固化產(chǎn)物的性能可以得到有效調(diào)整。必要時,第二型可光固化組合物還可以包含光引發(fā)劑。在此情況下,此處可用的光引發(fā)劑的種類為如上所述的。相對于100重量份的高分子量聚合物和單體組分的總重量, 所述光引發(fā)劑的含量可以為0. 01 10重量份,且優(yōu)選0. 1 5重量份。通過將光引發(fā)劑的量控制在上述范圍內(nèi),可以引起有效固化并可以防止由于固化后組分殘留而造成的性能降低。第一類型或第二類型可光固化組合物還可以包含選自如下物質(zhì)中的至少一種添加劑染料、顏料、環(huán)氧樹脂、交聯(lián)劑、UV穩(wěn)定劑、抗氧化劑、著色劑、增強劑、填料、發(fā)泡劑、 表面活性劑、光增稠劑以及增塑劑。對制備基片的方法沒有特別限制,但優(yōu)選通過對所述可光固化組合物進(jìn)行鑄塑處理來制備基片。即,基片可以通過對所述可光固化組合物進(jìn)行鑄塑然后對經(jīng)鑄塑的組合物進(jìn)行固化而制備。通過上述方法制備基片,可以制備出其上沒有突起(例如魚眼)的具有均勻平面的基片。因此,本發(fā)明可以防止當(dāng)施加不均勻壓力時可以引起的晶片中的斷裂現(xiàn)象和龜裂。 進(jìn)一步而言,本發(fā)明可以提供一種具有最大化的可切割性和應(yīng)力松弛性能的基片。對鑄塑可光固化組合物的方法沒有特別限制,且根據(jù)所希望的厚度,可以通過刮條涂布法、刮刀涂布法、輥涂法、噴涂法、凹版涂布法、幕涂法、缺角輪涂布法(co_a coating) ^cMP(lip coating) ; if。在鑄塑工序之后,將電磁波(例如UV線)照射到可光固化組合物上以引發(fā)固化。 在此情況下,對使用電磁波照射組合物的方法沒有特別限制,并且可以采用本領(lǐng)域已知的常規(guī)方法。例如,在采用UV照射的情況下,可以使用金屬鹵化物燈、高壓汞燈、黑光燈、無電極燈或氙燈進(jìn)行。對UV照射條件沒有特別限制,但可以根據(jù)待固化的組合物或光固化產(chǎn)物的性能進(jìn)行選擇。對如上所述基片的形狀沒有特別的限制。上述基片可以以膜或薄片的形狀形成。在基片以膜或薄片的形狀形成的情況下,厚度可以為約5 μ m 400 μ m或約10 μ m 300 μ m,但厚度不限于此。為了改善對防粘連層或壓敏粘合劑層的粘合強度,可以對基片進(jìn)行表面處理,例如底漆處理或電暈處理,并且為了改善生產(chǎn)效率,可以對基片施加合適的顏色。根據(jù)本發(fā)明用于處理晶片的薄片包括在基片上形成的防粘連層。該防粘連層可以在基片的一面或兩面上形成。上述防粘連層包含熱固化的樹脂組分或未固化的樹脂組分。通過使用熱固化的或未固化的樹脂組分形成防粘連層,可以有效地防止粘連并且還在晶片處理過程中有效地保護(hù)晶片。也就是說,當(dāng)目的僅是防止粘連現(xiàn)象時也可以使用可光固化樹脂,例如可UV固化樹脂。然而,在防粘連層由可UV固化樹脂形成的情形中,與當(dāng)使用熱固化的或未固化的樹脂組分時相比,上述防粘連層具有高度增加的交聯(lián)密度,因此在相同的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度下具有過高的模量。因此,當(dāng)使用可光固化樹脂時,用于處理晶片的薄片可以嚴(yán)重地彎曲或變形,從而導(dǎo)致?lián)p壞。這樣的問題在薄且大尺寸的晶片中更容易發(fā)現(xiàn)。然而,在本發(fā)明中,由于防粘連層由熱固化的或未固化的樹脂形成,它可以克服上述缺點并很好地防止粘連現(xiàn)象。
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所述防粘連層的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度可以為80°C或高于80°C,優(yōu)選100°C或高于 IOO0C,更有選150°C或高于150°C,最優(yōu)選200°C或高于200°C。玻璃化轉(zhuǎn)變溫度可以由DSC 來測定。通過以上述方式控制玻璃化轉(zhuǎn)變溫度,可以確保優(yōu)異的防粘連效果。在本發(fā)明中, 當(dāng)玻璃化轉(zhuǎn)變溫度增加時,防粘連效果越好。在此種情形下,對玻璃化轉(zhuǎn)變溫度的上限沒有特別限制,但該玻璃化轉(zhuǎn)變溫度可以在400°C或小于400°C的范圍內(nèi)適當(dāng)?shù)卣{(diào)節(jié)。在本發(fā)明中,所述熱固化的樹脂組分可以包括被多官能交聯(lián)劑交聯(lián)的丙烯酸類聚合物。包括這樣的樹脂組分的防粘連劑可以通過如下方法來形成將包含丙烯酸類聚合物和多官能交聯(lián)劑的可熱固化樹脂組合物涂布在所述基片上,以及使上述樹脂組合物進(jìn)行交聯(lián);或者預(yù)先形成上述樹脂組合物的交聯(lián)層,隨后將上述交聯(lián)層層壓在所述基片上。對使可熱固化樹脂組合物交聯(lián)的方法沒有特別限制,但可以包括干燥、加熱和/或老化。對此處可用的丙烯酸類聚合物的種類沒有特別限制,只要它能夠被多官能交聯(lián)劑交聯(lián)即可。在本發(fā)明中,作為丙烯酸類聚合物,可以使用以聚合形式包括90 99. 9重量份的 (甲基)丙烯酸酯單體和0. 1 10重量份的可交聯(lián)單體的丙烯酸類聚合物。所述(甲基) 丙烯酸酯單體可以是(甲基)丙烯酸烷基酯,但優(yōu)選含有1 14個碳原子的烷基的(甲基)丙烯酸烷基酯,且所述可交聯(lián)單體可以為,但不限定于,含有羧基、羥基、含氮基團(tuán)或縮水甘油基的單體。對利用上述單體制備聚合物的方法沒有特別限制,但可以通過常規(guī)聚合方法來制備,例如溶液聚合法、光聚合法、本體聚合法、懸浮聚合法或乳液聚合法。對用于交聯(lián)丙烯酸類聚合物的多官能交聯(lián)劑的種類沒有特別限制,但可以是本領(lǐng)域已知的常規(guī)交聯(lián)劑,該交聯(lián)劑可以使本領(lǐng)域已知的可交聯(lián)丙烯酸類聚合物進(jìn)行熱交聯(lián)。 上述交聯(lián)劑的例子可以包括,但不限定于,異氰酸酯化合物、環(huán)氧化合物、氮丙啶化合物和金屬鰲合物。相對于100重量份的所述丙烯酸類聚合物,形成防粘連層的熱固化的樹脂組合物可以包括0. 1 20重量份的多官能交聯(lián)劑。此處所用的丙烯酸類聚合物的性能(例如平均分子量和玻璃化轉(zhuǎn)變溫度等)或防粘連層的交聯(lián)密度,可以根據(jù)所期望的應(yīng)用和性能(例如,玻璃化轉(zhuǎn)變溫度)進(jìn)行調(diào)整。另外,當(dāng)所述防粘連層包含未固化的樹脂組分時,該樹脂組分可以包括丙烯酸類聚合物、聚酰亞胺或纖維素樹脂。所述樹脂組分的性能(例如平均分子量或玻璃化轉(zhuǎn)變溫度)可以根據(jù)所期望的應(yīng)用和性能(例如,玻璃化轉(zhuǎn)變溫度)進(jìn)行調(diào)整。對形成包含未固化的樹脂組分的防粘連層的方法沒有特別限制。所述防粘連層可以通過如下方法來形成通過用適量的溶劑稀釋樹脂來制備涂布溶液,在所述基片上涂布隨后干燥上述涂布溶液;或者在單獨的基底(例如剝離膜)上涂布并干燥上述涂布溶液以預(yù)先形成防粘連層,然后將上述防粘連層層壓在所述基片上。所述防粘連層的厚度可以為0. Ιμπι 20μπι。當(dāng)所述厚度小于0. 1 μ m時,防粘連層的效果會不明顯,而當(dāng)所述厚度大于20 μ m時,根據(jù)晶片表面的性能和應(yīng)力松弛性能會降低。用于處理晶片的薄片還可以包括壓敏粘合劑層。在本發(fā)明中,對壓敏粘合劑層形成的位置沒有特別限制。圖1是根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方案用于處理晶片的薄片的橫截面圖。如圖1所示,本發(fā)明的薄片1包括在上述基片11的一面上形成的防粘連層12,以及在沒有防粘連層12的基片的相對面上形成的壓敏粘合劑層13。然而,所述薄片的結(jié)構(gòu)并不限定于圖1所示的結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的薄片可以以本領(lǐng)域能夠?qū)嵤┑母鞣N結(jié)構(gòu)之一來形成,包括防粘連層可以在基片的兩面上形成,并且壓敏粘合劑層可以在至少一個防粘連層上形成的結(jié)構(gòu)。對所述薄片中包括的壓敏粘合劑層的種類沒有特別限制。在本領(lǐng)域中,公開了晶片處理薄片(例如表面保護(hù)薄片、切割薄片或拾取薄片(pick-up sheet))中可使用的多種壓敏粘合劑,并且可以在這些壓敏粘合劑中選擇適合的一個并使用而沒有限制。在本發(fā)明中,作為壓敏粘合劑,可以使用硅壓敏粘合劑、合成橡膠壓敏粘合劑、天然橡膠壓敏粘合劑或丙烯酸類壓敏粘合劑。優(yōu)選地,可以使用丙烯酸類壓敏粘合劑,但可以更優(yōu)選使用包含被多官能交聯(lián)劑交聯(lián)的丙烯酸類聚合物的壓敏粘合劑,但是此處可用的壓敏粘合劑的種類不限于此。對所述壓敏粘合劑層的厚度沒有特別限制,并且,例如,所述厚度可以控制在約 0. 5 μ m 60 μ m的范圍內(nèi),但優(yōu)選約1 μ m 40 μ m。所述用于處理晶片的薄片還可以包括在所述壓敏粘合劑層上形成的適當(dāng)?shù)膭冸x薄片以防止引入雜質(zhì)。本發(fā)明還涉及一種處理晶片的方法,包括將本發(fā)明的薄片貼附到晶片上和對該貼附有薄片的晶片進(jìn)行處理。用于處理晶片的方法的特征在于使用根據(jù)本發(fā)明的用于處理晶片的薄片。例如, 可以在通過壓制或熱輥層壓將本發(fā)明的薄片層壓到晶片上后對該晶片進(jìn)行處理。晶片處理步驟可以為切割步驟、背磨步驟或拾取步驟,對這些步驟的條件沒有特別限制。有益效果本發(fā)明可以提供一種用于處理晶片的薄片。該用于處理晶片的薄片可以表現(xiàn)出優(yōu)異的耐熱性和尺寸穩(wěn)定性,由于優(yōu)異的應(yīng)力松弛性能而可以防止由剩余應(yīng)力而引起的晶片破裂,可以抑制由于非均勻壓力的施加而導(dǎo)致的晶片損壞或裂散,同時還可以顯示出優(yōu)異的可切割性。所述薄片在晶片處理過程中可以有效防止粘連現(xiàn)象出現(xiàn)。由于這些原因,所述薄片可以在各種晶片處理工藝(例如切割、背磨以及拾取)中用于處理晶片。


圖1是根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方案用于處理晶片的薄片的橫截面圖。
具體實施例方式下文中,將參考實施例和對比例詳細(xì)描述本發(fā)明。然而,本發(fā)明并不限定于這些實施例。實施例1防粘連層的形成使90重量份甲基丙烯酸甲酯(MMA)和10重量份甲基丙烯酸羥乙酯(HEMA)的單體混合物聚合以制備固體含量為20wt%的丙烯酸類聚合物。隨后,相對于100重量份上述制得的丙烯酸類聚合物,將10重量份異氰酸酯固化劑(TDI)與上述丙烯酸類聚合物混合以制備涂布溶液。然后,使用刮條涂布機將上述制得的涂布溶液涂布在聚酯剝離膜上,以在干燥后具有2 μ m的厚度;在適當(dāng)?shù)臈l件下進(jìn)行涂布層的干燥和老化,從而形成防粘連層?;男纬蓪?0重量份丙烯酸2-乙基己酯Q-EHA)、27重量份丙烯酸異冰片酯(IBOA) 以及3重量份丙烯酸2-羥乙酯Q-HEA)的單體混合物放入包括回流的氮氣和易于調(diào)整溫度的冷卻裝置的IL容器中。接著吹掃氮氣以去除氧氣。之后,將混合物均質(zhì)化同時將溫度保持在60°C,與0.015重量份作為引發(fā)劑的過氧二碳酸二乙基己酯和0. 04重量份作為鏈轉(zhuǎn)移劑的正十二烷硫醇(n-DDM)混合,隨后進(jìn)行反應(yīng)以制備部分聚合的丙烯酸類樹脂漿。然后,通過混合70重量份上述部分聚合的丙烯酸類樹脂漿、30重量份作為用于稀釋的附加單體組分的丙烯酸異冰片酯(IBOA),以及0. 5重量份作為光引發(fā)劑的Igacure 184(1-羥基環(huán)己基苯基酮),接著使該混合物脫泡,制得可光固化組合物。隨后,使用刮條涂布機將制得的組合物涂布在上述防粘連層上,達(dá)到在固化后約160μπι的厚度。然后,為了防止上述涂布層與氧氣接觸,在該涂布層上層壓聚酯剝離膜,并利用金屬鹵化物燈以800mJ/cm2的光強度發(fā)射UV-A光,從而形成基片。用于處理晶片的粘合劑膜的形成將丙烯酸類聚合物與甲基丙烯酰氧乙基異氰酸酯(Μ0Ι,methacryloyloxyethyl isocyanate)反應(yīng)所制得的反應(yīng)產(chǎn)物涂布在剝離膜上,以形成厚度為約20 μ m的壓敏粘合劑層,所述丙烯酸類聚合物是通過使95重量份丙烯酸2-乙基己酯0-ΕΗΑ)和5重量份丙烯酸2-羥乙酯Q-HEA)進(jìn)行聚合而制得的,之后將制得的壓敏粘合劑層層壓在上述基片的防粘連層的相對面上,從而形成用于處理晶片的薄片。實施例2除了當(dāng)形成防粘連層時不使用異氰酸酯固化劑(TDI),以形成包含未固化的丙烯酸類聚合物的防粘連層之外,用于處理晶片的薄片根據(jù)與實施例1所述的相同的方法來形成。實施例3除了當(dāng)形成防粘連層時使用乙酸纖維素樹脂代替包括丙烯酸類聚合物和異氰酸酯固化劑的混合物,以形成包含未固化的乙酸纖維素樹脂的防粘連層之外,用于處理晶片的薄片根據(jù)與實施例1中所述的相同的方法來形成。實施例4除了當(dāng)形成防粘連層時使用聚酰亞胺代替包括丙烯酸類聚合物和異氰酸酯固化劑的混合物,以形成包含未固化的樹脂的防粘連層之外,用于處理晶片的薄片根據(jù)與實施例1所述的相同的方法來形成。對比例1除了不形成防粘連層之外,用于處理晶片的薄片根據(jù)與實施例1所述的相同的方法來形成。對比例2除了通過對包含二季戊四醇六丙烯酸酯(DPPA)和作為光引發(fā)劑的 IgaCUrel84(l-羥基環(huán)己基苯基酮)的可光固化組合物進(jìn)行UV固化方法來形成防粘連層之夕卜,用于處理晶片的薄片根據(jù)與實施例1所述的相同的方法來形成。實施例和對比例中防粘連層、基片和用于處理晶片的薄片的性能由下述方法來評價,結(jié)果總結(jié)在表1中。<玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)的測量>使用差示掃描量熱儀(TA Instruments, Inc.)測量防粘連層的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度。 當(dāng)測量玻璃化轉(zhuǎn)變溫度時,加熱速率設(shè)置為10°c /min。〈防粘連性能的評價〉使用晶片貼片機將8英寸的硅(Si)晶片貼附到如上制得的用于處理晶片的薄片上。在80°C的烘箱中,將貼附在晶片上的薄片放置在不銹鋼板上,防粘連層與該不銹鋼板接觸,對上述薄片施加200g的力并保持5分鐘。在對比例1的情形中,將薄片放置在不銹鋼板上,基片與該板接觸。之后,當(dāng)從不銹鋼板上剝離貼附有用于處理晶片的薄片的晶片時, 根據(jù)下述標(biāo)準(zhǔn)測量防粘連性能〇貼附有用于處理晶片的薄片的晶片易于從不銹鋼板上剝離而無粘連的情況。X 從不銹鋼板上剝離貼附有用于處理晶片的薄片的晶片時出現(xiàn)粘連現(xiàn)象的情況?!纯汕懈钚缘脑u價〉使用晶片貼片機將8英寸的硅(Si)晶片貼附到實施例和對比例的用于處理晶片的薄片上,并用擴張機(HS-1810,Hugle electronics, Inc.)沿著晶片的形狀切割上述薄片。隨后,將鏡臺的高度設(shè)置成3以觀察薄片的切割平面。具體而言,使用光學(xué)顯微鏡觀察切割平面的起始和中間部分,并通過根據(jù)下列標(biāo)準(zhǔn)評價切割平面中的毛刺產(chǎn)生和破裂程度來測量可切割性〇當(dāng)以50x的放大率和640X480的分辨率觀察薄片的切割起始部分時,相對于該薄片的總面積,破裂部分的面積比率是3%或小于3%的情況。Δ 當(dāng)以50χ的放大率和640X480的分辨率觀察薄片的切割起始部分時,相對于該薄片的總面積,破裂部分的面積比率是4 % 7 %的情況。X 當(dāng)以50χ的放大率和640X480的分辨率觀察薄片的切割起始部分時,相對于該薄片的總面積,破裂部分的面積比率是8%或大于8%的情況?!凑澈蠌姸鹊脑u價目>使用晶片貼片機(DS Precision, Inc. DYWMDS-8')將8英寸的硅(Si)晶片貼附到用于處理晶片的薄片上,在貼附的晶片表面上計數(shù)層壓氣泡,以根據(jù)下列標(biāo)準(zhǔn)評價粘合強度?!凑澈蠌姸葮?biāo)準(zhǔn)〉〇產(chǎn)生3個或少于3個氣泡Δ 產(chǎn)生4 7個氣泡X 產(chǎn)生8個或多于8個氣泡〈晶片可磨性的評價〉使用晶片貼片機(DS Precision, Inc. DYWMDS-8')將8英寸的硅(Si)晶片貼附到用于處理晶片的薄片上,并用擴張機沿著晶片的形狀切割上述薄片。隨后,使用晶片背磨機(SVG-502MKII8)對晶片進(jìn)行打磨,并根據(jù)下列標(biāo)準(zhǔn)基于晶片的翹曲、損壞及龜裂的發(fā)生率來評價晶片的可磨性〇晶片沒有翹曲、損壞或龜裂Δ 晶片具有約1 5mm的翹曲,或者略微產(chǎn)生損壞和/或龜裂。X :晶片具有大于5mm的的翹曲,或者大量產(chǎn)生損壞和/或龜裂。觀察結(jié)果總結(jié)在表1中。表權(quán)利要求
1.一種用于處理晶片的薄片,包括 基片;和防粘連層,該防粘連層在上述基片上形成且包含熱固化的樹脂組分或未固化的樹脂組分。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄片,其中,所述基片的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度為約_20°C 45°C。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄片,其中,所述基片在23°C下的韌度為10kg· mm 250kg · mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄片,其中,所述基片是包含高分子量聚合物和單體組分的可光固化組合物的光固化產(chǎn)物。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的薄片,其中,所述可光固化組合物包含單體混合物的部分聚合產(chǎn)物,所述單體混合物包括(甲基)丙烯酸酯單體。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的薄片,其中,所述高分子量聚合物是氨基甲酸酯丙烯酸酯、酯丙烯酸酯、醚丙烯酸酯或環(huán)氧丙烯酸酯。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的薄片,其中,所述單體組分包括(甲基)丙烯酸酯單體、含有極性官能團(tuán)的單體、多官能丙烯酸酯、含有烷氧基的單體、含有芳基的單體或含有雜環(huán)部分的單體。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄片,其中,所述防粘連層的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度為80°C或高于 80 "C。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄片,其中,所述防粘連層的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度為100°C或高于 100°C。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄片,其中,所述熱固化的樹脂組分包括被多官能交聯(lián)劑交聯(lián)的丙烯酸類聚合物。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄片,其中,所述未固化的樹脂組分包括選自丙烯酸類聚合物、聚酰亞胺和纖維素樹脂中的至少一種。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄片,其中,所述防粘連層的厚度為0.01 μ m 20 μ m。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄片,其中,所述薄片還包括在所述基片上形成的粘合劑層。
14.一種處理晶片的方法,包括將權(quán)利要求1所述的薄片貼附到半導(dǎo)體晶片的一面上;和對上述貼附有所述薄片的晶片進(jìn)行處理。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法,其中,所述晶片處理步驟是背磨步驟或切割步驟。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種用于處理晶片的薄片。該薄片可以表現(xiàn)出優(yōu)異的耐熱性和尺寸穩(wěn)定性,由于優(yōu)異的應(yīng)力松弛性能而可以防止由剩余應(yīng)力引起的晶片破裂,可以抑制由非均勻壓力的施加而導(dǎo)致的晶片損壞或裂散,并且還可以顯示出優(yōu)異的可切割性。所述薄片在晶片處理過程中可以有效地防止粘連現(xiàn)象出現(xiàn)。由于這些原因,所述薄片可以在各種晶片處理工藝(例如切割、背磨和拾取)中用于處理晶片。
文檔編號H01L21/302GK102460655SQ201080035330
公開日2012年5月16日 申請日期2010年6月15日 優(yōu)先權(quán)日2009年6月15日
發(fā)明者張錫基, 朱孝叔, 沈廷燮, 金世羅 申請人:Lg化學(xué)株式會社
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