專利名稱：絕緣體上硅soi型的基板的修整方法
“絕緣體上硅”SOI型的基板的修整方法本發(fā)明在于對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的縮寫為SOI的絕緣體上硅的制造領(lǐng)域。SOI基板包括了在硅支撐基板和稱為“有源層”的硅的薄層之間埋入的氧化層，之所以稱為“有源層”是因?yàn)閷⒃谠搶由匣蛟搶又兄圃鞂ｉT用于電子、光學(xué)和/或光電子的元件。一般通過使用以下主要步驟的層轉(zhuǎn)印工藝而獲得SOI基板-在施主基板和/或受主基板上形成氧化層，這兩個(gè)基板是由硅制成的；-在施主基板中形成脆性區(qū)域，該脆性區(qū)域限定了上述要轉(zhuǎn)印的有源層；-將施主基板和受主基板接合起來，使得氧化層位于它們的接合界面處；-沿脆性區(qū)域分離施主基板并將有源硅層轉(zhuǎn)印到受主基板上。所述轉(zhuǎn)印工藝的一個(gè)示例是SMARTCUT 處理，其描述可以在Jean-P i erre Colinge 的 “Silicon-On-Insulator Technology :Materials to VLSI, 2nd Edition，，，by Jean-Pierre Colinge, " Kluwer Academic Publishers“，第 50 頁至 51 頁中找至丨J0 在這種情況下，通過植入原子和/或離子核素而進(jìn)行脆性區(qū)域的形成。該弱化的區(qū)域也可以由多孔區(qū)域組成。還可以使用這樣的方法，該方法包括將施主基板接合到受主基板上，這些基板的任一個(gè)涂敷有氧化層，接著經(jīng)由其背面減少施主基板的厚度，以僅在受主基板上保持與上述有源層對(duì)應(yīng)的薄的半導(dǎo)體層。不管獲得SOI基板的方法如何，在這些轉(zhuǎn)印和接合步驟后獲得的結(jié)構(gòu)都要經(jīng)受例如可以包括拋光、平坦化、清洗、平滑化和薄化步驟的修整處理(finishing treatment)。這些不同的修整步驟的目的主要是改善有源硅層的粗糙度，使其達(dá)到其期望的最終厚度并使接合界面穩(wěn)固。在針對(duì)SOI型基板的這些修整步驟中，頻繁使用的是由快速熱退火(RTA :rapid thermal annealing)執(zhí)行的平滑化步驟。RTA在短時(shí)間中在例如氫氣和/或氬氣的中性氣氛或還原性氣氛中在高溫下執(zhí)行。例如，針對(duì)SOI基板，它可以在1200°c的等級(jí)的溫度下執(zhí)行小于3分鐘的時(shí)間。為了改善有源硅層的高頻粗糙度而執(zhí)行的該RTA型的退火也已知為具有對(duì)基板的邊緣進(jìn)行了封裝的效果，由此保護(hù)埋入的氧化物。在該方面，可以參考申請(qǐng)人的專利 FI^852143。RTA常常結(jié)合有一個(gè)或更多個(gè)犧牲氧化步驟。犧牲氧化步驟包括氧化步驟，該氧化步驟后跟隨著之前形成的氧化物的脫氧步
馬聚ο一般通過濕法工藝或干法工藝，使用熱處理來執(zhí)行氧化步驟。結(jié)果是在SOI基板的有源硅層的自由表面上形成氧化層。脫氧步驟一般通過將已氧化的SOI基板浸入酸溶液(acid bath)，以去除之前形成的表面氧化物，并由此通過減少其厚度而使有源硅層達(dá)到期望的最終厚度。根據(jù)文件WO 2006/070220，針對(duì)例如SOI型的基板，處理方法是已知的，其修整步驟包括快速熱退火RTA/犧牲氧化序列的至少一個(gè)循環(huán)。但是，在該文件中使用的方法的主要目的是降低通向所述基板的有源層的表面的孔的密度，因?yàn)檫@些孔相當(dāng)于主要缺陷。在該文件中提出的方案僅包括在使轉(zhuǎn)印的層經(jīng)歷修整步驟前增加轉(zhuǎn)印的層的厚度。該文件不解決基板表面的微粒污染的問題。但是，也期望限制與微粒污染有關(guān)的缺陷，微粒污染使最終得到的SOI基板的質(zhì)量劣化。該微粒污染與本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的“白疵現(xiàn)象(flaking) ”有關(guān)。該缺陷通常是由于在清洗和/或化學(xué)蝕刻處理期間SOI基板的表面邊緣的起鱗 (delamination)所導(dǎo)致的。這產(chǎn)生了尺寸在微米的幾十分之一的等級(jí)的白疵(flake)，這些白疵一旦再次沉積在SOI基板的表面上則幾乎不能去除。當(dāng)在冷的壁爐中執(zhí)行RTA時(shí)，該白疵污染甚至更敏感，并且對(duì)于要求低缺陷的、隨后要用于制造特別在電子產(chǎn)品中的元件的SOI型的基板，在某些情況下，可能會(huì)因?yàn)檫@些白疵污染導(dǎo)致產(chǎn)品不被接受。利用冷的壁爐，觀察到小于0. ιμπι的污染白疵。因此，本發(fā)明的目的是提供一種用于絕緣體上硅型SOI的基板的修整方法，該方法特別地包括執(zhí)行兩個(gè)連續(xù)的循環(huán)快速熱退火RTA/犧牲氧化，并且該方法允許維持這些步驟在平滑和變薄方面的上述有利特性，同時(shí)顯著地降低所述基板的白疵污染。為此目的，本發(fā)明涉及用于絕緣體上硅型SOI的基板的修整方法，該基板包括了在有源硅層和硅支撐層之間埋入的氧化層，該方法包括應(yīng)用以下修整步驟a)對(duì)所述基板進(jìn)行快速熱退火RTA，b)所述基板的有源硅層進(jìn)行犧牲氧化的步驟，c)對(duì)在步驟b)后獲得的所述基板進(jìn)行快速熱退火RTA，d)對(duì)經(jīng)歷了步驟C)的基板的所述有源硅層進(jìn)行犧牲氧化的步驟。根據(jù)本發(fā)明，執(zhí)行犧牲氧化步驟b)，以去除第一氧化物厚度，并且執(zhí)行犧牲氧化步驟d)，以去除比第一氧化物厚度更薄的第二氧化物厚度。根據(jù)單獨(dú)或組合地采用的本發(fā)明的其它有利的、非限制性的特征-所述有源硅層的犧牲氧化步驟d)是在SOI基板所經(jīng)歷的修整步驟中的最后的犧牲氧化步驟；-去除的所述第一氧化物厚度大于150nm并且去除的所述第二氧化物厚度小于 150nm ；-去除的所述第一氧化物厚度大于200nm；-去除的所述第一氧化物厚度大于300nm；-去除的所述第二氧化物厚度小于130nm；-去除的所述第二氧化物厚度接近于120nm；-在900°C和1300°C之間的溫度在非氧化氣氛中執(zhí)行在步驟a)和c)中的快速熱退火RTA持續(xù)小于3分鐘的時(shí)間；-所述犧牲氧化步驟包括在700V和1100°C之間的溫度執(zhí)行的熱氧化；-所述犧牲氧化步驟包括利用酸的脫氧。根據(jù)參照附圖給出的以下描述，本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點(diǎn)將變得明顯，附圖給出了本發(fā)明的一個(gè)可行的實(shí)施方式的非限制性說明。
在這些圖中-圖IA至圖IG是例示遵循本發(fā)明的方法的不同步驟的示意圖；-圖2和圖4示出了白疵缺陷測(cè)量的結(jié)果，該結(jié)果是使用由KLATencor以 "Surfscan SP2”的名稱銷售的表面缺陷檢測(cè)設(shè)備(檢測(cè)閾值0.09 μ m)而獲得的，這些結(jié)果是對(duì)已經(jīng)經(jīng)歷了依據(jù)分別對(duì)應(yīng)于比較例和本發(fā)明的參數(shù)的包括RTA/犧牲氧化/RTA/犧牲氧化的修整步驟的SOI基板的25個(gè)疊加晶圓進(jìn)行累積的結(jié)果；-圖3A至圖3C是在掃描電子顯微鏡下對(duì)根據(jù)允許獲得圖2中的結(jié)果的本方法而處理的SOI基板的邊緣的橫截面進(jìn)行觀察、并在該方法的不同階段拍攝的照片的再現(xiàn)；圖5A至圖5C是在掃描電子顯微鏡下對(duì)根據(jù)允許獲得圖4中的結(jié)果的本方法而處理的SOI基板的邊緣進(jìn)行觀察、并在該方法的不同階段的照片的再現(xiàn)；圖6是指示針對(duì)SOI基板利用設(shè)置在0. 094 μ m的缺陷檢測(cè)閾值的表面檢測(cè)設(shè)備獲得的白疵缺陷的測(cè)量結(jié)果的圖，所述SOI基板是利用不同的原料獲得的并且之前經(jīng)歷了根據(jù)分別與比較例和本發(fā)明相對(duì)應(yīng)的參數(shù)的加工步驟RTA/犧牲氧化/RTA/犧牲氧化；圖7和圖8示出了利用由KLA Tencor以“Surfscan SP2”的名稱銷售的表面缺陷檢測(cè)設(shè)備(檢測(cè)閾值0. 09 μ m)在薄的SOI基板上所執(zhí)行的白疵缺陷測(cè)量的結(jié)果，所述薄的 SOI基板先前經(jīng)歷了根據(jù)分別與兩個(gè)比較例對(duì)應(yīng)的參數(shù)的修整步驟RTA/犧牲氧化/RTA/ 犧牲氧化；并且圖9示出了與在圖7和圖8中的相類似的結(jié)果，但是該結(jié)果所針對(duì)的薄的SOI基板經(jīng)歷了根據(jù)與本發(fā)明相對(duì)應(yīng)的參數(shù)的修整步驟RTA/犧牲氧化/RTA/犧牲氧化?，F(xiàn)在將描述針對(duì)SOI型的基板的根據(jù)本發(fā)明的修整方法。該方法通常(但未必一定)應(yīng)用于被稱為是“后分離”基板的SOI型的基板，“后分離”基板即在退火后分離基板。該“后分離”基板的主要特征在于其前表面的粗糙度特別尚ο在圖IA中，可以看到SOI基板1，其包括表示為3的硅氧化層SiO2，其埋入在硅的支撐基板2和硅的薄的表面層4之間，以下將該薄的表面層4稱為“有源層”。有源層的自由表面稱為“前面”，帶有標(biāo)號(hào)40。該基板1放置在爐F中，在爐F內(nèi)基板1經(jīng)歷了快速熱退火RTA (參見

圖1B)。該RTA通常在1200°C (更一般地在900°C到1300°C之間的全局溫度范圍內(nèi))執(zhí)行 30秒(更一般地執(zhí)行小于3分鐘的總時(shí)間)，并且是在通常為氬氣或氫氣氣氛的非氧化氣氛中執(zhí)行。其效果是對(duì)前面40進(jìn)行平滑，即，降低其粗糙度。如圖IC所示，SOI基板1接著經(jīng)歷氧化步驟，在氧化步驟期間，硅氧化物層5形成在表面上并在有源層4的上部中。該氧化層5包括由該步驟和通過在接近該表面的有源層4的該部分中的硅的消耗而帶來的氧。在所生成的SiA層5的厚度和在層4中所消耗的硅的厚度之間有0. 444的物理比率(physical ratio)。通過在700°C到1100°C之間的溫度、優(yōu)選地在950°C的溫度的熱氧化來優(yōu)選地執(zhí)
行該氧化步驟。 可以通過濕法或干法工藝來執(zhí)行該氧化步驟。
通過干法工藝，例如通過在氣態(tài)氧氣氣氛中加熱SOI基板來執(zhí)行氧化步驟。通過濕法工藝，例如通過在水蒸汽氣氛中加熱SOI基板來執(zhí)行氧化步驟。不管所選擇的處理(濕法或干法)如何，氧化氣氛都還可以包含鹽酸。如圖ID所示，先前形成的氧化層5接著被脫氧。該脫氧例如通過將SOI基板1浸入諸如稀釋的氫氟酸HF的酸溶液而執(zhí)行，氫氟酸 HF例如在水中稀釋為體積上在10%到20%之間，甚至在水中稀釋為體積上為7%。這給出了 SOI基板1'，其標(biāo)號(hào)為4'的有源層的厚度小于原始基板SOI的厚度。 這樣獲得的基板的前面帶有標(biāo)號(hào)40'。有源層4'的表面的特征也在于，由于RTA步驟的效果、與層4的“后分離”表面相比，高頻粗糙度顯著降低。接著SOI基板1'按照與參照?qǐng)DIB描述的條件相同或類似的條件再次經(jīng)歷快速熱退火RTA。在圖IE中例示了該步驟。該處理的效果是再次平滑了前面40'。基板1'接著經(jīng)歷如之前所描述的犧牲氧化步驟。如圖IF所示，該步驟的效果是導(dǎo)致形成了硅氧化層6。如前所述，通過消耗有源層4'的一部分并通過提供氧而形成硅氧化層6，并且所生成的氧化物和消耗的硅之間的厚度比率是0. 444。最后根據(jù)上述方法的任何一個(gè)執(zhí)行脫氧步驟，以獲得SOI基板1〃，其有源層4" 與SOI基板1'的有源層相比而變薄。該基板的前面被引用為40"。由申請(qǐng)人進(jìn)行的測(cè)試發(fā)現(xiàn)了在犧牲氧化的連續(xù)步驟期間所形成而且去除的氧化層的厚度可以對(duì)最終得到的基板的質(zhì)量具有效果，特別是針對(duì)白疵缺陷有效。圖2示出了已經(jīng)經(jīng)受了上述參照?qǐng)DIA至圖IG描述的方法的步驟的SOI基板上的白疵缺陷的結(jié)果，第一氧化步驟被執(zhí)行為形成120nm的氧化物厚度，并且第二氧化步驟被執(zhí)行為形成200nm的氧化物。如可以發(fā)現(xiàn)的，污染白疵的數(shù)量特別高。通過圖3A至圖3C所示的電子顯微鏡視圖來確認(rèn)該觀察。圖3A例示了依次經(jīng)歷了 RTA處理、在120nm的等級(jí)的第一氧化(層5)的SOI基板的截面。圖;3B示出了在已經(jīng)依次經(jīng)歷RTA處理、120nm的犧牲氧化、RTA處理、200nm的第二氧化(層6)的SOI基板上獲得的截面。在每種情況下，可以看出，埋入的氧化層3的硅封裝在其最薄點(diǎn)處被完全消耗。如在文件WO 2004/079801中描述的，該封裝是由于在犧牲氧化之前執(zhí)行的RTA處理而得到的。如在圖3C中可以看出的，結(jié)果為，在利用氫氟酸HF蝕刻犧牲氧化物6 (脫氧)期間，該酸能夠進(jìn)入埋入的氧化層3而在其中產(chǎn)生空洞30?？斩?0將引起硅41的舌狀物的形成，舌狀物的斷裂可以是在圖2中看到的污染白疵和主要缺陷的原因。申請(qǐng)人:已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，通過在不同的犧牲氧化期間對(duì)去除的氧化物厚度進(jìn)行選擇，可以減少白疵污染。更準(zhǔn)確地說，不同的測(cè)試表明如果在可以應(yīng)用于SOI基板的不同的修整步驟中， 重復(fù)RTA/犧牲脫氧的循環(huán)，同時(shí)小心地在第二犧牲氧化期間去除比在之前的犧牲氧化期間去除的氧化物的厚度更小的氧化物厚度，則可以減少白疵污染。
由于在所生成的SiO2層的厚度和被氧化消耗的硅的厚度之間存在的物理比率，上述條件等同于在第二犧牲氧化期間去除的硅厚度小于在之前的犧牲氧化期間去除的硅厚度。圖4例示了通過對(duì)SOI基板執(zhí)行允許去除200nm的氧化物的第一犧牲氧化、并在第二犧牲氧化步驟期間僅去除120nm的氧化物所獲得的白疵缺陷的結(jié)果。在該方法和在圖 2中的方法之間，顛倒了犧牲氧化的厚度。通過將這些結(jié)果與圖2的結(jié)果比較，觀察到白疵污染顯著減少。與圖2示出的晶圓相比，在圖4所示的晶圓上，在0.09 μ m的閾值處所測(cè)量出的白疵缺陷降低了 5倍左右。圖5A示出了已經(jīng)依次經(jīng)歷RTA處理、200nm的氧化(氧化層5)的SOI基板的截圖5B示出了在已經(jīng)依次經(jīng)歷RTA處理、200nm的氧化物被去除的第一犧牲氧化、 RTA步驟、形成120nm的氧化層6的第二氧化的SOI基板上獲得的截面。在圖5A中，可以看出，在第一 RTA步驟期間獲得的埋入氧化層3的封裝被氧化層 5的形成而大量消耗。這使得可以完全消除可以在圖3C中看到的諸如舌狀物41的殘留硅的舌狀物(殘余物)，并因此避免白疵的出現(xiàn)。在圖5A示出的具體情況下，可以看出，從該舌狀物得到的硅42的殘留存在于氧化層5中。在氧化層5脫氧后，第二 RTA處理的效果是再次封裝埋入的氧化層3，使得當(dāng)執(zhí)行第二、范圍較小的氧化(參見圖5B)時(shí)，保持了標(biāo)號(hào)為43完整的的封裝層，以保護(hù)埋入的氧化層3。因此如從圖5C看到的，在脫氧后，封裝得到保持。進(jìn)一步的附加測(cè)試使得可以確定在第一犧牲氧化期間形成然后去除的氧化物的厚度優(yōu)選地為大于150nm，并且在第二犧牲氧化期間形成然后去除的氧化層的厚度必須小于 150nmo此外優(yōu)選地，在第一犧牲氧化期間去除的氧化物厚度大于200nm，甚至大于 300nmo另外優(yōu)選地，在第二犧牲氧化期間去除的氧化物厚度小于130nm，更優(yōu)選地接近于 120nm。另外優(yōu)選地，應(yīng)注意的是，如果在應(yīng)用于SOI基板的不同的修整步驟期間執(zhí)行超過兩個(gè)RTA/犧牲氧化循環(huán)，則它們是必須執(zhí)行的最后兩個(gè)犧牲氧化步驟，使得在最后的犧牲氧化步驟期間去除的氧化物厚度小于在倒數(shù)第二犧牲氧化步驟期間去除的厚度。執(zhí)行的其他附加的測(cè)試表明，上述應(yīng)用的規(guī)則與分離退火前的SOI基板的制造方法無關(guān)。例如，基于SmartCut 技術(shù)，通過使用不同的SOI制造方法產(chǎn)生的基板觀察到了該規(guī)則的好處，這些方法在其基板注入、接合和分離退火方面不同。圖6示出了針對(duì)0. 094 μ m的缺陷計(jì)算閾值在每晶圓缺陷的數(shù)量方面獲得的缺陷D 的結(jié)果。部分A和部分B表示以相同方法、但使用兩種不同的原材料供應(yīng)來制造的SOI基板所獲得的結(jié)果。在該圖中，指示“120nm/200nm”表示進(jìn)行第一犧牲氧化以去除120nm的氧化物和進(jìn)行第二犧牲氧化以去除200nm的第二氧化物，并且措辭“200nm/120nm”表示相反的情況。值Me對(duì)應(yīng)于中值，該中值也表示為在矩形中的水平實(shí)線。值MO對(duì)應(yīng)于平均值，該平均值也在矩形中以虛線的形式示出。最后，C表示在每次計(jì)數(shù)中考慮的晶圓的數(shù)量，并且每個(gè)點(diǎn)表示不位于在曲線圖6中示出的四分位數(shù)值的間隔內(nèi)的晶圓的結(jié)果。如可以確定的，如果通過去除比在前一犧牲氧化步驟期間去除的厚度更薄的氧化物厚度來執(zhí)行最后的犧牲氧化步驟，則污染白疵的數(shù)量通常較小，而與用于獲得后分離SOI 基板所使用的方法無關(guān)并且與原材料供應(yīng)商無關(guān)。還對(duì)薄的SOI基板執(zhí)行了其他測(cè)試，即，該SOI基板的目的是獲得具有接近于20nm 的厚度的最終有源層4"。圖7至圖9示出了在SOI基板1〃進(jìn)行的測(cè)量的結(jié)果，基板1 〃包括厚度為20nm 的有源硅層4"和厚度為145nm的埋入氧化層3。執(zhí)行這些附加的測(cè)試是因?yàn)樘貏e薄的有源層使SOI甚至對(duì)與側(cè)邊緣白疵生成有關(guān)的問題更敏感。圖7和圖8給出分別經(jīng)歷以下修整步驟的在上述薄的SOI上的白疵缺陷的測(cè)量的
結(jié)果-RTA/120nm犧牲氧化/RTA/350nm犧牲氧化(圖7)，以及-RTA/200nm 犧牲氧化 /RTA/270nm 犧牲氧化(圖 8)在這兩種情況下，發(fā)現(xiàn)白疵污染都是高的。圖9例示了針對(duì)薄的SOI基板獲得的結(jié)果，該薄的SOI基板經(jīng)歷了這樣的修整步驟RTA/370nm犧牲氧化/RTA/lOOnm犧牲氧化。不可否認(rèn)，可以看出，污染白疵的數(shù)量已被顯著減少。最后，在對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的名稱為“UTB0X”的SOI基板上執(zhí)行了其它測(cè)試， 該基板中所埋入的氧化層很薄，所述測(cè)試示出了應(yīng)用根據(jù)本發(fā)明的方法同樣使得能夠減少污染白疵的產(chǎn)生。
權(quán)利要求
1.一種用于“絕緣體上硅”SOI型的基板⑴的修整方法，所述基板包括在有源硅層⑷ 和硅支撐層( 之間所埋入的氧化層(3)，該方法包括應(yīng)用修整步驟，以下為所述修整步驟的連續(xù)步驟a)對(duì)所述基板(1)進(jìn)行快速熱退火RTA，b)對(duì)所述基板(1)的有源硅層(4)進(jìn)行犧牲氧化的步驟，c)對(duì)步驟b)后獲得的所述基板(I')進(jìn)行快速熱退火RTA，d)對(duì)經(jīng)歷了步驟c)的所述基板(I')的所述有源硅層)進(jìn)行犧牲氧化的步驟， 該方法的特征在于，進(jìn)行所述犧牲氧化的步驟b)用以去除第一氧化物厚度(5)，并且進(jìn)行所述犧牲氧化的步驟d)用以去除比所述第一氧化物厚度更薄的第二氧化物厚度(6)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，對(duì)所述有源硅層)進(jìn)行所述犧牲氧化的步驟d)是所述SOI基板所經(jīng)歷的修整步驟中的最后的犧牲氧化步驟。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所去除的第一氧化物厚度大于150nm，并且所去除的第二氧化物厚度小于150nm。
4.根據(jù)上述權(quán)利要求中任意一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所去除的第一氧化物厚度(5)大于200nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所去除的第一氧化物厚度(5)大于 300nmo
6.根據(jù)上述權(quán)利要求中任意一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所去除的第二氧化物厚度(6)小于130nm。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所去除的第二氧化物厚度(6)接近于 120nm。
8.根據(jù)上述權(quán)利要求中任意一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，在900°C和1300°C之間的溫度在非氧化氣氛中執(zhí)行步驟a)和c)的快速熱退火RTA持續(xù)小于3分鐘的時(shí)間。
9.根據(jù)上述權(quán)利要求中任意一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述進(jìn)行犧牲氧化的步驟包括在700°C和1100°C之間的溫度執(zhí)行的熱氧化。
10.根據(jù)上述權(quán)利要求中任意一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述犧牲氧化步驟包括利用酸的脫氧。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種用于絕緣體上硅SOI型的基板(1)的修整方法，所述基板包括在有源硅層(4)和硅支撐層(2)之間埋入的氧化層(3)，該方法包括應(yīng)用修整步驟，所述修整步驟的連續(xù)步驟是a)對(duì)所述基板(1)進(jìn)行快速熱退火RTA，b)對(duì)有源硅層(4)進(jìn)行犧牲氧化的步驟，c)對(duì)步驟b)后獲得的所述基板(1′)進(jìn)行快速熱退火RTA，d)對(duì)經(jīng)歷步驟c)的所述基板(1′)的所述有源層進(jìn)行犧牲氧化的步驟，該方法的特征在于，進(jìn)行犧牲氧化的步驟b)去除第一氧化物厚度(5)，并且進(jìn)行犧牲氧化的步驟d)去除比所述第一氧化物厚度更薄的第二氧化物厚度。
文檔編號(hào)H01L21/762GK102301464SQ201080006003
公開日2011年12月28日 申請(qǐng)日期2010年3月17日 優(yōu)先權(quán)日2009年3月18日
發(fā)明者盧多維克·埃卡爾諾, 埃里克·內(nèi)雷, 塞巴斯蒂安·凱爾迪勒, 帕特里克·雷諾, 沃爾特·施瓦岑貝格 申請(qǐng)人:硅絕緣體技術(shù)有限公司