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半導(dǎo)體固化用治具的制作方法

文檔序號:6981539閱讀:226來源:國知局
專利名稱:半導(dǎo)體固化用治具的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及一種載料治具,特別是一種半導(dǎo)體封裝過程中的半導(dǎo)體固化用治具。
背景技術(shù)
隨著半導(dǎo)體封裝技術(shù)的發(fā)展,半導(dǎo)體的封裝種類越來越多,據(jù)不完全統(tǒng)計(jì),目前大 約有90%以上的晶體管以及約70%至80%的集成電路已使用塑料封裝材料,其中最常見 的塑料封裝材料是環(huán)氧樹脂封裝塑粉,在封裝的過程中,需要將固態(tài)或粉末狀的塑料經(jīng)過 高溫使其軟化,再根據(jù)封裝的厚度、尺寸等要求,設(shè)置機(jī)器參數(shù),使軟化的塑料包裹住半導(dǎo) 體基板以完成封裝。軟化塑料封裝后半導(dǎo)體需要進(jìn)行高溫烘烤以使表面的塑料硬化,但現(xiàn) 有的烘烤工藝中所使用的載料治具無法有效的定型半導(dǎo)體,導(dǎo)致已包裹軟化塑料的半導(dǎo)體 基板在烘烤工藝后發(fā)生變形彎曲,進(jìn)而在進(jìn)行后續(xù)的芯片切割時(shí),極易產(chǎn)生不良品。請參考圖1和圖2,其中圖1為現(xiàn)有半導(dǎo)體固化用治具示意圖,圖2為現(xiàn)有半導(dǎo)體 固化用治具應(yīng)用示意圖,如圖所示,現(xiàn)有的半導(dǎo)體固化用治具即為封裝工藝中運(yùn)載封裝基 板的料盒2,此料盒2呈長方體狀,前后兩側(cè)面開口,料盒的左右兩側(cè)面的內(nèi)壁上平行的形 成有多個(gè)溝槽21,且左右側(cè)壁上形成的溝槽21位置相對,以便封裝基板1兩側(cè)邊對應(yīng)的插 入料盒2左右側(cè)壁上位置相對的一組溝槽21中而使封裝基板1水平設(shè)置。各溝槽21之間 具有一定間距,如上述的方式依次將多個(gè)封裝基板1沿溝槽21插入,使多個(gè)封裝基板1平 行的上下疊置于料盒2中,料盒2的前后側(cè)面設(shè)有可從上方插入的蓋子,以封住料盒,防止 內(nèi)部裝設(shè)的封裝基板1掉落。料盒裝滿后即放進(jìn)烤箱中烘烤,根據(jù)材料的特性來選擇烘烤的溫度和時(shí)間,一般 來說烘烤的溫度大于150攝氏度,烘烤的時(shí)間多于4小時(shí),所以在如此高溫和長時(shí)間的烘烤 過程中,由于每片封裝基板1的上下均有空隙,封裝基板1的中間部分很容易受重力影響而 下垂,而導(dǎo)致烘烤后的封裝基板1整體變形彎曲,影響后續(xù)工藝。鑒于此種情況,本設(shè)計(jì)人借其多年相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)經(jīng)驗(yàn)以及豐富的相關(guān)專業(yè)知 識,不斷的研發(fā)改進(jìn),并經(jīng)實(shí)踐驗(yàn)證,提出了本實(shí)用新型的電視機(jī)安裝支座的技術(shù)方案。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于提供一種半導(dǎo)體固化用治具,可防止半導(dǎo)體封裝基板在烘 烤過程中彎曲變形,保證產(chǎn)品的質(zhì)量。為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本實(shí)用新型提供了一種半導(dǎo)體固化用治具,為立體盒狀,所述 治具包括底面,與待裝入的封裝基板具有相同的形狀和面積;沿所述底面周圍豎直向上 設(shè)置有多個(gè)側(cè)壁,其中一所述側(cè)壁自上向下開設(shè)有缺口,所述側(cè)壁上開設(shè)有一個(gè)或者多個(gè) 散熱口。上述的治具,其中,所述散熱口中設(shè)有隔擋肋。上述的治具,其中一所述側(cè)壁上開設(shè)有提取開口。[0010]上述的治具,其中,所述提取開口位于所述散熱口的上方。上述的治具,其中,所述散熱口為長方形、圓形或三角形。上述的治具,其中,所述底面為長方形,沿所述底面周圍豎直向上設(shè)置有前側(cè)壁、 后側(cè)壁、左側(cè)壁和右側(cè)壁,其中所述前、后側(cè)壁位于所述長方形底面的長邊上方,所述左、右 側(cè)壁位于所述長方形底面的短邊上方,所述前側(cè)壁上自上向下開設(shè)有長方形的所述缺口, 所述后側(cè)壁上開設(shè)有提取開口。上述的治具,其中,所述提取開口位于所述后側(cè)壁上開設(shè)的所述散熱口的上方。上述的治具,其中,所述治具為耐高溫高壓及不易變形耐磨材質(zhì)件。上述的治具,其中,所述治具為鐵材質(zhì)件。由上述可知,本實(shí)用新型的半導(dǎo)體固化用治具具有以下的優(yōu)點(diǎn)及特點(diǎn)1、本實(shí)用新型的半導(dǎo)體固化用治具為盒狀,其側(cè)面具有缺口,半導(dǎo)體封裝基板連 續(xù)的置入治具中,并在內(nèi)部設(shè)置基底塊和壓塊作為支撐,使多個(gè)封裝基板保持平直,并且多 個(gè)封裝基板之間沒有間隙,所以在烘烤的過程中可避免封裝基板產(chǎn)生變形,保證產(chǎn)品的質(zhì)量。2、本實(shí)用新型的半導(dǎo)體固化用治具選用耐高溫耐高壓材質(zhì),例如鐵,并且設(shè)計(jì)為 合適的厚度,使整個(gè)治具耐磨耐壓、不易變形,保證了在半導(dǎo)體烘烤工藝中持續(xù)穩(wěn)定的起到 支撐作用。3、本實(shí)用新型的半導(dǎo)體固化用治具在側(cè)壁上開設(shè)有散熱口用以散除烘烤過程中 產(chǎn)生的大量熱量,保證烘烤質(zhì)量;在側(cè)壁上還開設(shè)有提取開口,以便于提取移動,方便使用。4、本實(shí)用新型的半導(dǎo)體固化用治具結(jié)構(gòu)簡單,加工制作簡易,適用范圍廣。

以下附圖僅旨在于對本實(shí)用新型做示意性說明和解釋,并不限定本實(shí)用新型的范圍。圖1為現(xiàn)有半導(dǎo)體固化用治具示意圖;圖2為現(xiàn)有半導(dǎo)體固化用治具應(yīng)用示意圖;圖3為本實(shí)用新型半導(dǎo)體固化用治具示意圖;圖4為本實(shí)用新型半導(dǎo)體固化用治具設(shè)置隔擋肋示意圖。附圖標(biāo)記說明1封裝基板[0028]2料盒[0029]21溝槽[0030]3治具[0031]31底面[0032]32側(cè)壁[0033]33缺口[0034]34散熱口[0035]35隔擋肋[0036]36提取開口具體實(shí)施方式
為了對本實(shí)用新型的技術(shù)特征、目的和效果有更加清楚的理解,現(xiàn)對照附圖說明 本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式
。請參考圖3,為本實(shí)用新型半導(dǎo)體固化用治具示意圖,如圖所示,本實(shí)用新型的半 導(dǎo)體固化用治具3為立體盒狀,其上方開放,治具3包括有一底面31,用于承載將來裝入到 治具3中的基底塊和封裝基板1,該底面31具有與待裝入的封裝基板1相同的形狀和面積, 以便能夠容納水平放置的封裝基板1,本實(shí)施例中,封裝基板1為長方形平板,也是最常見 的基板形狀,所以與之相應(yīng)的,本實(shí)施例中的治具底面31也為同樣的長方形,面積也與封 裝基板1相等,而在其他的實(shí)施例中,當(dāng)封裝基板1為圓形或三角形等其他形狀時(shí),底面31 也應(yīng)相應(yīng)的設(shè)計(jì)為面積相等的圓形或三角形。沿底面31周圍豎直向上設(shè)置有多個(gè)側(cè)壁32,其中一側(cè)壁32自上向下開設(shè)有缺口 33,其中缺口 33用來向治具3內(nèi)部放置封裝基板1或者從治具3內(nèi)部拿取封裝基板1,該 缺口 33 —般開設(shè)的較大,優(yōu)選的缺口 33所占用的面積大于其所在的側(cè)壁的面積的二分之 一,以使放置和拿取封裝基板1更加的方便;側(cè)壁32上開設(shè)有一個(gè)或者多個(gè)散熱口 34,散 熱口 34主要用于散除在烘烤過程中治具3內(nèi)產(chǎn)生的大量熱量,散熱口 34的形狀并不作具 體限制,可以為常見的長方形開口、圓形開口或者三角形開口等,散熱口 34的設(shè)置數(shù)量也 不作具體限制,各側(cè)壁上均可開設(shè)一個(gè)或者多個(gè)散熱口 ;34,視實(shí)際具體需求而定。在散熱口 34中還可增設(shè)有隔擋肋35,以保證整個(gè)治具3的穩(wěn)定性,避免因開設(shè)的散熱口過多或者過 大而使整個(gè)治具3的穩(wěn)定度降低。在其中一側(cè)壁32上還可開設(shè)有提取開口 36,提取開口 36—般設(shè)置于散熱口 ;34的 上方,提取開口 36主要用于使人手或者其他操作裝置通過其來提取治具3以及移動治具3, 提取開口 36的形狀沒有特別限制,一種優(yōu)選的形狀為上小下大的梯形,或者方形等其他形 狀均可。在本實(shí)施例中,由于封裝基板1的形狀為長方形,治具底面31也為相同的長方形, 而沿底面31豎直向上設(shè)置的側(cè)壁32為四個(gè),如圖3及圖4所示,分別為前側(cè)壁、后側(cè)壁、左 側(cè)壁和右側(cè)壁,其中前后側(cè)壁位于長方形底面31的長邊上方,而左右側(cè)壁則對應(yīng)的位于長 方形底面31的短邊上方,前側(cè)壁上自上向下開設(shè)有長方形的缺口 33,前側(cè)壁上缺口 33以外 的部分分別連接于左側(cè)壁和右側(cè)壁,其余的后、左、右側(cè)壁上則開設(shè)有一個(gè)或者多個(gè)散熱口 34,散熱口 34為長方形,其中部橫向設(shè)置有隔擋肋35,在后側(cè)壁上開設(shè)有提取開口 36,提取 開口 36位于后側(cè)壁的散熱口 34的上方。本實(shí)用新型的半導(dǎo)體固化用治具3由耐高溫高壓及不易變形的耐磨材料制成,如 可選用鐵材質(zhì),底面31的厚度可選擇為10毫米至50毫米,側(cè)壁32的厚度可選擇為10毫 米至50毫米,從而使整個(gè)治具3具有良好的穩(wěn)定性,保證了在半導(dǎo)體烘烤工藝中持續(xù)穩(wěn)定 的起到支撐作用。下面結(jié)合上述各圖來說明本實(shí)用新型半導(dǎo)體固化用治具的簡單應(yīng)用,首先,在底 面31上放置一塊平滑的基底塊作為放置封裝基板1的基底,該基底塊可選用常見的鐵塊。 將封裝基板1通過缺口 33由上而下水平的放置于治具3內(nèi)部,置于所述的基底塊上,以此 方式可連續(xù)放入一組封裝基板1,一組封裝基板中可包括多個(gè)封裝基板1,其具體數(shù)量不做限定。然后在一組封裝基板1上放置壓力塊,以壓制定位封裝基板1,該壓力塊應(yīng)有足夠大 的重力,優(yōu)選的大于一組封裝基板的重力,從而可保證壓制定位的穩(wěn)定性,同時(shí),該壓力塊 還應(yīng)可承受高溫高壓,且耐磨耐用不易變形,這樣才能使用半導(dǎo)體烘烤的高溫高壓的環(huán)境。 以上述放置可重復(fù)的向治具3內(nèi)部置入多組封裝基板及壓力塊,使封裝基板組和壓力塊相 互間隔層疊設(shè)置。放置好封裝基板組和壓力塊之后,即可將治具3放入到烤箱中進(jìn)行烘烤 工藝,在烘烤的過程中,由于封裝基板1之間沒有間隙,封裝基板周圍有治具3的側(cè)壁定位, 上下有壓力塊支撐,可保持封裝基板的平直,避免其在烘烤過程中發(fā)生變形。
以上所述僅為本實(shí)用新型示意性的具體實(shí)施方式
,并非用以限定本實(shí)用新型的范 圍。任何本領(lǐng)域的技術(shù)人員,在不脫離本實(shí)用新型的構(gòu)思和原則的前提下所作出的等同變 化與修改,均應(yīng)屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
權(quán)利要求1.一種半導(dǎo)體固化用治具,其特征在于,所述治具為立體盒狀,所述治具包括底面,與待裝入的封裝基板具有相同的形狀和面積;沿所述底面周圍豎直向上設(shè)置有多個(gè)側(cè)壁,其中一所述側(cè)壁自上向下開設(shè)有缺口,所 述側(cè)壁上開設(shè)有一個(gè)或者多個(gè)散熱口。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的治具,其特征在于,所述散熱口中設(shè)有隔擋肋。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的治具,其特征在于,其中一所述側(cè)壁上開設(shè)有提取開口。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的治具,其特征在于,所述提取開口位于所述散熱口的上方。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的治具,其特征在于,所述散熱口為長方形、圓形或三角形。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的治具,其特征在于,所述底面為長方形,沿所述底面周圍豎直 向上設(shè)置有前側(cè)壁、后側(cè)壁、左側(cè)壁和右側(cè)壁,其中所述前、后側(cè)壁位于所述長方形底面的 長邊上方,所述左、右側(cè)壁位于所述長方形底面的短邊上方,所述前側(cè)壁上自上向下開設(shè)有 長方形的所述缺口,所述后側(cè)壁上開設(shè)有提取開口。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的治具,其特征在于,所述提取開口位于所述后側(cè)壁上開設(shè)的 所述散熱口的上方。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的治具,其特征在于,所述治具為耐高溫高壓及不易變形耐磨 材質(zhì)件。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的治具,其特征在于,所述治具為鐵材質(zhì)件。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種半導(dǎo)體固化用治具,呈立體盒狀,該治具包括底面,與待裝入的封裝基板具有相同的形狀和面積;沿底面周圍豎直向上設(shè)置有多個(gè)側(cè)壁,其中一側(cè)壁自上向下開設(shè)有缺口,側(cè)壁上開設(shè)有一個(gè)或者多個(gè)散熱口,借由本實(shí)用新型的半導(dǎo)體固化用治具,可防止半導(dǎo)體封裝基板在烘烤的過程中彎曲變形,能夠保證產(chǎn)品的質(zhì)量。
文檔編號H01L21/677GK201868397SQ20102062150
公開日2011年6月15日 申請日期2010年11月23日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月23日
發(fā)明者陸海龍, 陳武偉 申請人:嘉盛半導(dǎo)體(蘇州)有限公司
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