專利名稱：有機(jī)發(fā)光顯示裝置和制造該有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的一方面涉及一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置和一種制造該有機(jī)發(fā)光顯示裝置的 方法，更具體地說，涉及一種易于提高畫面質(zhì)量的有機(jī)發(fā)光顯示裝置和一種制造該有機(jī)發(fā) 光顯示裝置的方法。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)的顯示裝置正在被便攜式薄膜型平板顯示(FPD)裝置取代。在FPD裝置中，有 機(jī)和無機(jī)發(fā)光顯示裝置是具有寬視角、高質(zhì)量對比度和快的響應(yīng)時(shí)間的自發(fā)光顯示裝置。 因此，有機(jī)和無機(jī)顯示裝置作為下一代顯示裝置備受關(guān)注。另外，與無機(jī)發(fā)光顯示裝置相 比，包括由有機(jī)材料形成的發(fā)光層的有機(jī)發(fā)光顯示裝置具有高質(zhì)量的亮度、驅(qū)動(dòng)電壓和響 應(yīng)時(shí)間及多色特性。有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括陰極、陽極及連接到陰極和陽極的有機(jī)發(fā)光層。當(dāng)向陰極 和陽極施加電壓時(shí)，有機(jī)發(fā)光層發(fā)射可見光線。有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括分別發(fā)射不同顏色的可見光線(即，紅色(R)、綠色(G)和 藍(lán)色(B)可見光線)的有機(jī)發(fā)光層。從有機(jī)發(fā)光層發(fā)射的R、G和B可見光線的光特性(例 如，亮度、色坐標(biāo)等)是不均勻的。因此，制造的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的畫面質(zhì)量的提高受到 限制。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一方面提供了一種易于提高畫面質(zhì)量的有機(jī)發(fā)光顯示裝置和一種制造 該有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法。根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置包 括形成在基底上的第一子像素、第二子像素和第三子像素，其中，所述第一子像素包括像 素電極、形成在該像素電極上的第一透射導(dǎo)電層、形成在所述第一透射導(dǎo)電層上的第二透 射導(dǎo)電層、形成在所述第二透射導(dǎo)電層上的第一有機(jī)發(fā)光層和形成在所述第一有機(jī)發(fā)光層 上的對電極；所述第二子像素包括另一像素電極、形成在該另一像素電極上的所述第一透 射導(dǎo)電層、覆蓋所述第一透射導(dǎo)電層的邊緣的第一保護(hù)件、電連接到所述第一透射導(dǎo)電層 的第二有機(jī)發(fā)光層和形成在所述第二有機(jī)發(fā)光層上的所述對電極；所述第三子像素包括又 一像素電極、覆蓋該又一像素電極的外邊緣的第二保護(hù)件、形成在所述第二保護(hù)件上的第 三保護(hù)件、電連接到該又一像素電極的第三有機(jī)發(fā)光層和形成在所述第三有機(jī)發(fā)光層上的 所述對電極。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，所述像素電極可以包括氧化銦錫(ITO)。所述像素電極可以以ΙΤ0、銀(Ag)和ITO的堆疊結(jié)構(gòu)形成。
所述第一有機(jī)發(fā)光層可以發(fā)射紅色(R)可見光線，所述第二有機(jī)發(fā)光層可以發(fā)射 綠色(G)可見光線，所述第三有機(jī)發(fā)光層可以發(fā)射藍(lán)色(B)可見光線。所述第一透射導(dǎo)電層和所述第二透射導(dǎo)電層可以包括ΙΤ0。所述第一透射導(dǎo)電層可以延伸以覆蓋所述第一子像素和所述第二子像素的像素 電極的外邊緣和側(cè)面。所述第二透射導(dǎo)電層可以延伸以覆蓋所述第一透射導(dǎo)電層的與所述第一子像素 的像素電極的外邊緣對應(yīng)的區(qū)域。所述第一保護(hù)件可以與所述第二透射導(dǎo)電層由相同的材料形成。所述第二保護(hù)件可以與所述第一透射導(dǎo)電層由相同的材料形成。所述第三保護(hù)件可以與所述第二透射導(dǎo)電層由相同的材料形成。所述第一保護(hù)件可以覆蓋所述第一透射導(dǎo)電層的與所述第二子像素的像素電極 的外邊緣對應(yīng)的區(qū)域。所述第三保護(hù)件可以覆蓋所述第二保護(hù)件的與所述第三子像素的像素電極的外 邊緣對應(yīng)的區(qū)域。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，所述有機(jī)發(fā) 光顯示裝置包括形成在基底上的第一子像素、第二子像素和第三子像素，所述方法包括形 成像素電極；在所述第一子像素中形成第一有機(jī)發(fā)光層，在所述第二子像素中形成第二有 機(jī)發(fā)光層，在所述第三子像素中形成第三有機(jī)發(fā)光層，其中，所述第一有機(jī)發(fā)光層、所述第 二有機(jī)發(fā)光層和所述第三有機(jī)發(fā)光層電連接到所述像素電極；在所述第一有機(jī)發(fā)光層、所 述第二有機(jī)發(fā)光層和所述第三有機(jī)發(fā)光層上形成對電極，其中，所述第一子像素包括形成 在其像素電極和所述第一有機(jī)發(fā)光層之間的第一透射導(dǎo)電層以及形成在所述第一透射導(dǎo) 電層和所述第一有機(jī)發(fā)光層之間的第二透射導(dǎo)電層；所述第二子像素包括形成在其像素電 極和所述第二有機(jī)發(fā)光層之間的第一透射導(dǎo)電層以及被形成為覆蓋所述第一透射導(dǎo)電層 的邊緣的第一保護(hù)件；所述第三子像素包括形成在其像素電極和所述第三有機(jī)發(fā)光層之間 的第二保護(hù)件以覆蓋其像素電極的外邊緣以及形成在所述第二保護(hù)件上的第三保護(hù)件。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，所述像素電極可包括ΙΤ0。所述像素電極可以以IT0、Ag和ITO的堆疊結(jié)構(gòu)形成。所述第一有機(jī)發(fā)光層可以發(fā)射R可見光線，所述第二有機(jī)發(fā)光層可以發(fā)射G可見 光線，所述第三有機(jī)發(fā)光層可以發(fā)射B可見光線。所述第一透射導(dǎo)電層和所述第二透射導(dǎo)電層可以包括ΙΤ0。所述第一透射導(dǎo)電層可以延伸以覆蓋所述第一子像素和所述第二子像素的像素 電極的外邊緣和側(cè)面。所述第二透射導(dǎo)電層延伸以覆蓋所述第一透射導(dǎo)電層的與所述第一子像素的像 素電極的外邊緣對應(yīng)的區(qū)域。所述第一保護(hù)件可以與所述第二透射導(dǎo)電層由相同的材料形成。所述第二保護(hù)件可以與所述第一透射導(dǎo)電層由相同的材料形成。所述第三保護(hù)件可以與所述第二透射導(dǎo)電層由相同的材料形成。所述第一保護(hù)件可以覆蓋所述第一透射導(dǎo)電層的與所述第二子像素的像素電極 的外邊緣對應(yīng)的區(qū)域。
所述第三保護(hù)件可以覆蓋所述第二保護(hù)件的與所述第三子像素的像素電極的外 邊緣對應(yīng)的區(qū)域?？梢栽谛纬稍谒龅谝蛔酉袼?、所述第二子像素和所述第三子像素中的像素電極 上順序地形成第一透射導(dǎo)電材料和第二透射導(dǎo)電材料，使用半色調(diào)掩模執(zhí)行包括一次曝光 工藝的光刻，從而形成所述第一透射導(dǎo)電層和所述第二透射導(dǎo)電層以及所述第一保護(hù)件、 所述第二保護(hù)件和所述第三保護(hù)件，其中，所述第一透射導(dǎo)電材料形成所述第一透射導(dǎo)電 層和所述第二保護(hù)件，所述第二透射導(dǎo)電材料形成所述第二透射導(dǎo)電層以及所述第一保護(hù) 件和所述第三保護(hù)件。本發(fā)明的附加方面和/或優(yōu)點(diǎn)將部分地在下面的說明書中進(jìn)行說明，并部分地通 過描述而顯而易見，或者可以通過本發(fā)明的實(shí)踐而被知曉。


通過結(jié)合附圖對實(shí)施例進(jìn)行的以下描述，本發(fā)明的這些和/或其它方面和優(yōu)點(diǎn)將 變得明顯和更易于理解，在附圖中圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的示意性剖視圖；圖2A至圖2F是順序地示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法的 示意性剖視圖；圖3A至圖3D是順序地示出根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方 法的示意性剖視圖。
具體實(shí)施例方式現(xiàn)在將詳細(xì)參考本發(fā)明的當(dāng)前實(shí)施例，在附圖中示出本發(fā)明的示例，其中，相同的 標(biāo)號始終表示相同的元件。下面通過參考附圖描述實(shí)施例，以解釋本發(fā)明。此外，應(yīng)當(dāng)理 解，如果這里表述為一個(gè)膜或?qū)印靶纬稍凇被颉霸O(shè)置在”第二層或膜上，則第一層或膜可以直 接地形成或設(shè)置在第二層或膜上，或者可以在第一層或膜和第二層或膜之間存在中間層或 膜。此外，如這里所使用的，術(shù)語“形成在”是與“位于”或“設(shè)置在”的意思相同的意思使用 的，并且并不是旨在限制相關(guān)的任何特定制造工藝。圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置100的示意性剖視圖。參照圖1， 有機(jī)發(fā)光顯示裝置100包括第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3。第一子像 素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3是不同顏色的子像素。為了示例目的，將第一子 像素SPl稱作紅色(R)子像素，將第二子像素SP2稱作綠色(G)子像素，將第三子像素SP3 稱作藍(lán)色(B)子像素。為了方便起見，在圖1中示出了一個(gè)第一子像素SP1、一個(gè)第二子像素SP2和一個(gè) 第三子像素SP3。然而，有機(jī)發(fā)光顯示裝置100可以包括多個(gè)第一子像素SP1、多個(gè)第二子 像素SP2和多個(gè)第三子像素SP3。第一子像素SPl包括像素電極110、第一透射導(dǎo)電層121、第二透射導(dǎo)電層122、第 一有機(jī)發(fā)光層140a和對電極150。第二子像素SP2包括另外的像素電極110、第一透射導(dǎo) 電層121、第一保護(hù)件131、第二有機(jī)發(fā)光層140b和對電極150。第三子像素SP3包括另外 的像素電極110、第二保護(hù)件132、第三保護(hù)件133、第三有機(jī)發(fā)光層140c和對電極150。
現(xiàn)在將更詳細(xì)地描述有機(jī)發(fā)光顯示裝置100的元件的結(jié)構(gòu)?；?01由包括作為主要組分的SW2的透明玻璃材料形成?；?01不限于此， 并可以由透明塑料材料形成。透明塑料材料可以是從由作為絕緣材料的聚醚砜樹脂(PES)、 聚丙烯酸酯(PAR)、聚醚酰亞胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇脂(PEN)、聚對苯二甲酸乙二醇酯 (PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚芳酯、聚酰亞胺、聚碳酸酯(PC)、三乙酸纖維素(TAC)和乙酸丙酸 纖維素(CAP)組成的組中選擇的有機(jī)材料?；?01可以改為由金屬形成。如果基底101由金屬形成，則基底101可以包括從 由碳(C)、鐵0 )、鉻(Cr)、錳(Mn)、鎳(Ni)、鈦(Ti)、鉬(Mo)、不銹鋼(SUS)、不脹鋼合金、 鉻鎳鐵合金和科伐合金組成的組中選擇的一種或多個(gè)元素，但不限于此?；?01可以由 金屬箔形成。緩沖層(未示出)形成在基底101上，從而在基底101上形成平滑表面，并防止雜 質(zhì)透入到基底101的上部中。緩沖層可以由Si02、SiNx等形成。像素電極110形成在基底101上。在形成像素電極110之前，薄膜晶體管(TFT) (未示出)可以形成在基底101上。有機(jī)發(fā)光顯示裝置100可以作為有源矩陣(AM)型有機(jī) 發(fā)光顯示裝置或無源矩陣(PM)型有機(jī)發(fā)光顯示裝置。像素電極110可以包括氧化銦錫(ITO)。像素電極110可以形成為ΙΤ0、銀(Ag)和 IT0(IT0/Ag/IT0)的堆疊結(jié)構(gòu)。由于像素電極110中的銀的存在，從有機(jī)發(fā)光層140a、140b 和140c發(fā)射到像素電極110的可見光線可以被反射朝向?qū)﹄姌O。第一透射導(dǎo)電層121和第二透射導(dǎo)電層122順序地形成在第一子像素SPl中的像 素電極110上。第一透射導(dǎo)電層121還形成在第二子像素SP2的像素電極110上，第一保護(hù)件131 被形成為覆蓋第一透射導(dǎo)電層121的邊緣。更詳細(xì)地說，第一保護(hù)件131覆蓋第一透射導(dǎo) 電層121的與第二子像素SP2的像素電極110的外邊緣對應(yīng)的區(qū)域。第二保護(hù)件132被形成為覆蓋第三子像素SP3的像素電極110的外邊緣，第三保 護(hù)件133形成在第二保護(hù)件132上。更詳細(xì)地說，第三保護(hù)件133覆蓋第二保護(hù)件132的 與第三子像素SP3的像素電極110的外邊緣對應(yīng)的區(qū)域。第一透射導(dǎo)電層121和第二透射導(dǎo)電層122可以包括ΙΤ0。第一透射導(dǎo)電層121 和第二透射導(dǎo)電層122的厚度可以根據(jù)對其進(jìn)行的工藝而變化。第一透射導(dǎo)電層121延伸以覆蓋第一子像素SPl的像素電極110的外邊緣和第二 子像素SP2的像素電極110的外邊緣。第一透射導(dǎo)電層121還延伸以覆蓋第一子像素SPl 和第二子像素SP2的像素電極110的側(cè)面。因此，在隨后處理中防止第一子像素SPl和第 二子像素SP2的像素電極110的外邊緣和側(cè)面被損壞。第一保護(hù)件131由與形成第二透射導(dǎo)電層122的材料相同的材料形成。更詳細(xì)地 說，第一保護(hù)件131可以包括ΙΤ0。第二保護(hù)件132由與形成第一透射導(dǎo)電層121的材料相 同的材料形成。更詳細(xì)地說，第二保護(hù)件132可以包括ΙΤ0。第三保護(hù)件133由與形成第二 透射導(dǎo)電層122的材料相同的材料形成。更詳細(xì)地說，第三保護(hù)件133可以包括ΙΤ0。第一保護(hù)件131保護(hù)第二子像素SP2的像素電極110的外邊緣。換言之，第一保 護(hù)件131形成在第一透射導(dǎo)電層121上，從而有效地防止第二子像素SP2的像素電極110 被損壞。第一保護(hù)件131保護(hù)第一透射導(dǎo)電層121的外邊緣，從而防止第一透射導(dǎo)電層121被損壞。第二保護(hù)件132被形成為覆蓋第三子像素SP3的像素電極110的外邊緣。換言之， 第二保護(hù)件132覆蓋第三子像素SP3的像素電極110的邊緣的上表面和側(cè)面。因此，在隨 后處理中，保護(hù)件132防止第三子像素SP3的像素電極110的外邊緣和側(cè)面被損壞。第三 保護(hù)件133堆疊在第二保護(hù)件132上，從而提高保護(hù)第三子像素SP3的像素電極110的效^ ο因此，提高了像素電極110的耐久性。像素限定層(PDL) 135形成在像素電極110、第一透射導(dǎo)電層121和第二透射導(dǎo)電 層122以及第一保護(hù)件131、第二保護(hù)件132和第三保護(hù)件133上。PDL 135暴露第一子像素SPl的第二透射導(dǎo)電層122、第二子像素SP2的第一透射 導(dǎo)電層121和第三子像素SP3的像素電極110的預(yù)定區(qū)域。因此，第一保護(hù)件131、第二保 護(hù)件132和第三保護(hù)件133覆蓋有PDL 135，因此沒有被暴露。PDL 135由有機(jī)或無機(jī)材料形成。然后形成有機(jī)發(fā)光層。更詳細(xì)地說，第一有機(jī)發(fā)光層140a形成在第一子像素SPl 中，以發(fā)射R可見光線。第二有機(jī)發(fā)光層140b形成在第二子像素SP2中，以發(fā)射G可見光 線。第三有機(jī)發(fā)光層140形成在第三子像素SP3中c，以發(fā)射B可見光線。第一有機(jī)發(fā)光層140a可以包括諸如四苯基并四苯、紅熒烯、Ir (piq) 3、 Ir (btp) 2 (acac)、Eu (dbm) 3 (phen)、Ru (dtb-bpy) 3*2 (PF6)、DCM1、DCM2、Eu (TTA) 3、丁基-6-(1, 1，7，7-四甲基久洛尼定-9-烯基)-4H-吡喃(DCJTB)的R發(fā)光材料或者諸如聚芴聚合物、 聚乙烯聚合物等的聚合物發(fā)光材料。第二有機(jī)發(fā)光層140b可以包括諸如香豆素6、C545T、DMQA、Ir (ppy) 3或諸如聚芴 聚合物、聚乙烯聚合物等的聚合物有機(jī)發(fā)光材料。第三有機(jī)發(fā)光層140c可以包括諸如噁二唑二聚物染料(Bis-DAPOXP)、螺環(huán)化合 物(Spiro-DPVBi、Spiro-6P)、三芳胺化合物、二 (苯乙烯基)胺(DPVBi、DSA)、BCzVBi、茈、 TPBe、BCzVB、DPAVBi、DPAVB、BDAVBi、FIrPic的B發(fā)光材料或諸如聚芴聚合物、聚乙烯聚合 物等的聚合物發(fā)光材料。雖然在圖1中未示出，但在將有機(jī)發(fā)光層形成在子像素中之前，可以形成空穴注 入層(HIL)或空穴傳輸層(HTL)。對電極150形成在有機(jī)發(fā)光層上。對電極150覆蓋所有的子像素。沉積具有低逸出功的金屬，例如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca，或者 沉積Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li或Ca的化合物，在金屬上沉積諸如ΙΤΟ、ΙΖ0、 ZnO, In2O3等的透明導(dǎo)電材料，以形成對電極150。像素電極110可以是陽極，對電極150可以是陰極，但這種布置不限于此。因此， 像素電極110和對電極150的極性可以顛倒。雖然在圖1中未示出，在所有子像素中對于全部/每個(gè)子像素來說，可以在有機(jī)發(fā) 光層和對電極150之間形成電子傳輸層(ETL)或電子注入層(EIL)。密封構(gòu)件(未示出)設(shè)置在對電極150上，以面對基底101的表面。密封構(gòu)件保 護(hù)有機(jī)發(fā)光層和其上的元件免受外部濕氣或氧影響，并且密封構(gòu)件由透明材料形成。因此， 密封構(gòu)件由玻璃、塑料或多個(gè)有機(jī)和無機(jī)材料的堆疊結(jié)構(gòu)形成。
有機(jī)發(fā)光顯示裝置100在各個(gè)子像素中具有不同的形成在像素電極110上的第一 透射導(dǎo)電層121和第二透射導(dǎo)電層122。換言之，第一子像素SPl的像素電極110具有在其 上堆疊的第一透射導(dǎo)電層121和第二透射導(dǎo)電層122，并可以產(chǎn)生R可見光線。第二子像 素SP2的像素電極110具有第一透射導(dǎo)電層121和堆疊在第一透射導(dǎo)電層121上的第一保 護(hù)件131，并可以產(chǎn)生G可見光線。第三子像素SP3的像素電極110形成在第三子像素SP3 中，并可以產(chǎn)生B可見光線。因此，從有機(jī)發(fā)光層發(fā)射到像素電極110的可見光線的光程長度由像素電極110 反射，并前進(jìn)至對電極150，并且對于每個(gè)子像素以不同方式確定。因此，實(shí)現(xiàn)了微腔效果。這里，調(diào)節(jié)第一透射導(dǎo)電層121和第二透射導(dǎo)電層122的厚度，以調(diào)節(jié)每個(gè)子像素 中的光程長度。因此，提高了由子像素產(chǎn)生的可見光線的色純度和光學(xué)效率。因此，提高了 有機(jī)發(fā)光顯示裝置100的畫面質(zhì)量。第一透射導(dǎo)電層121延伸以覆蓋第一子像素SPl的像素電極110的外邊緣和側(cè) 面。第二透射導(dǎo)電層122形成在第一透射導(dǎo)電層121的與第一子像素SPl的像素電極110 的外邊緣對應(yīng)的區(qū)域上，并防止第一子像素SPl的像素電極110被損壞。第一透射導(dǎo)電層121還延伸以覆蓋第二子像素SP2的像素電極110的外邊緣。第 一保護(hù)件131形成在第一透射導(dǎo)電層121的與第二子像素SP2的像素電極110的外邊緣對 應(yīng)的區(qū)域上，并防止第二子像素SP2的像素電極110被損壞。第二保護(hù)件I32形成在與第三子像素SP3的像素電極110的外邊緣對應(yīng)的區(qū)域 上。第三保護(hù)件133形成在第二保護(hù)件132上，并防止第三子像素SP3的像素電極110被 損壞。因此，提高了像素電極110的耐久性，防止有機(jī)發(fā)光顯示裝置100的畫面質(zhì)量降 低。圖2A至圖2F是順序地示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法的 示意性剖視圖。換言之，圖2A至圖2F是示出制造圖1的有機(jī)發(fā)光顯示裝置100的方法的 剖視圖。參照圖2A，在基底101上形成像素電極110。像素電極110包括ΙΤ0，并具有ΙΤ0、 Ag和ITO的堆疊結(jié)構(gòu)。這里，銀是向像素電極110反射從有機(jī)發(fā)光層發(fā)射的可見光線的反 射層，從而產(chǎn)生微腔效果，所述有機(jī)發(fā)光層將在隨后工藝中形成。像素電極110包括與基底101相鄰的ΙΤ0，從而提高像素電極110與基底101或絕 緣層之間的附著強(qiáng)度。參照圖2B，第一透射導(dǎo)電材料121a整體地形成在像素電極110上，從而隨后形成 第一透射導(dǎo)電層和第二保護(hù)件。第一透射導(dǎo)電材料121a包括ΙΤ0。參照圖2C，對第一透射導(dǎo)電材料121a執(zhí)行諸如光刻的圖案化工藝，從而形成第一 透射導(dǎo)電層121和第二保護(hù)件132。更詳細(xì)地說，在圖2C的左側(cè)示出的像素電極110和圖2C的中間示出的像素電極 110上形成第一透射導(dǎo)電層121。第一透射導(dǎo)電層121延伸以覆蓋在圖2C的左側(cè)和中間示 出的像素電極110的外邊緣和側(cè)面。在圖2C的右側(cè)示出的像素電極110上形成第二保護(hù) 件132。第二保護(hù)件132暴露在圖2C的右側(cè)示出的像素電極110的預(yù)定區(qū)域，并被形成為 與在圖2C的右側(cè)示出的像素電極110的邊緣對應(yīng)。換言之，第二保護(hù)件132覆蓋在圖2C的右側(cè)示出的像素電極110的外邊緣和側(cè)面。參照圖2D，整體地形成第二透射導(dǎo)電材料122a，以形成第二透射導(dǎo)電層122、第一 保護(hù)件131和第三保護(hù)件133。第二透射導(dǎo)電材料12 包括ΙΤ0。參照圖2E，對第二透射導(dǎo)電材料12 執(zhí)行諸如光刻的圖案化工藝，以形成第二透 射導(dǎo)電層122、第一保護(hù)件131和第三保護(hù)件133。在形成在圖2E的左側(cè)示出的像素電極110上的第一透射導(dǎo)電層121上形成第二 透射導(dǎo)電層122。第二透射導(dǎo)電層122延伸以覆蓋第一透射導(dǎo)電層121的整個(gè)上表面和第 一透射導(dǎo)電層121的與在圖2E的左側(cè)示出的像素電極110的外邊緣對應(yīng)的區(qū)域。在第一透射導(dǎo)電層121的與在圖2E的中間示出的像素電極110對應(yīng)的區(qū)域上形 成第一保護(hù)件131。第一保護(hù)件131暴露第一透射導(dǎo)電層121的預(yù)定區(qū)域，并覆蓋第一透射 導(dǎo)電層121的與在圖2E的中間示出的像素電極110的外邊緣對應(yīng)的區(qū)域。在形成在圖2E的右側(cè)示出的像素電極110上的第二保護(hù)件132上形成第三保護(hù) 件133。第三保護(hù)件133暴露在圖2E的右側(cè)示出的像素電極110的預(yù)定區(qū)域。換言之，第 三保護(hù)件133覆蓋第二保護(hù)件132的與在圖2E的右側(cè)示出的像素電極110的外邊緣對應(yīng) 的區(qū)域上。如圖2D所示，形成第二透射導(dǎo)電層122a，然后執(zhí)行可以為光刻的圖案化工藝，以 形成圖2E的所得結(jié)構(gòu)。這里，通常使用濕蝕刻工藝。在沒有第一透射導(dǎo)電層121和第二保 護(hù)件132的情況下，在濕蝕刻工藝中使用的濕蝕刻溶液會(huì)損壞像素電極110。形成在像素電極110上的第一透射導(dǎo)電層121和第二保護(hù)件132防止像素電極 110的側(cè)面和外邊緣被濕蝕刻溶液損壞。換言之，在圖2E的左側(cè)和中間示出的像素電極110 上形成的第一透射導(dǎo)電層121和在圖2E的右側(cè)示出的像素電極110上形成的第二保護(hù)件 132在用于將第二透射導(dǎo)電材料12 圖案化的濕蝕刻工藝期間保護(hù)像素電極110。因此， 提高了像素電極110的耐久性。參照圖2F，形成PDL 135、第一有機(jī)發(fā)光層140a、第二有機(jī)發(fā)光層140b和第三有機(jī) 發(fā)光層140c以及對電極150，從而完全地制造出有機(jī)發(fā)光顯示裝置100。在第一透射導(dǎo)電層121和第二透射導(dǎo)電層122以及第一保護(hù)件131、第二保護(hù)件 132和第三保護(hù)件133上形成PDL 135。在PDL 135中形成開口，以暴露在圖2F的左側(cè)示出的像素電極110上形成的第二 透射導(dǎo)電層122、在圖2F的中間示出的像素電極110上形成的第一透射導(dǎo)電層121和在圖 2F的右側(cè)示出的像素電極110。在形成在圖2F的左側(cè)示出的像素電極110上形成的第二 透射導(dǎo)電層122的暴露區(qū)域、在形成在圖2F的中間的像素電極110上形成的第一透射導(dǎo)電 層121的暴露區(qū)域和在圖2F的右側(cè)示出的像素電極110的暴露區(qū)域上形成第一有機(jī)發(fā)光 層140a、第二有機(jī)發(fā)光層140b和第三有機(jī)發(fā)光層140c。最后，在有機(jī)層140a、140b和140c 以及PDL 135上形成對電極150。更詳細(xì)地說，在形成在圖2F的左側(cè)示出的像素電極110上形成的第二透射導(dǎo)電層 122上形成第一有機(jī)發(fā)光層140a，以發(fā)射R可見光線。在形成在圖2F的中央示出的像素電 極110上形成的第一透射導(dǎo)電層121上形成第二有機(jī)發(fā)光層140b，以發(fā)射G可見光線。在 圖2F的右側(cè)示出的像素電極110上形成第三有機(jī)發(fā)光層140c，以發(fā)射B可見光線。在所有 子像素上通常形成對電極150或者對于所有子像素通常形成對電極150，從而制造出包括第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3的有機(jī)發(fā)光顯示裝置100。雖然在圖2A至圖2F中未示出，但是在所有子像素上形成有機(jī)發(fā)光層或者對于所 有子像素形成有機(jī)發(fā)光層之前，可以形成HIL或HTL。沉積具有低逸出功的金屬例如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca或者 Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li 或 Ca 的化合物，并在金屬上沉積諸如 ΙΤΟ、ΙΖ0、 ZnO, In2O3等透明導(dǎo)電材料，從而形成對電極150。雖然在圖2A至圖2F中未示出，但是可以在有機(jī)發(fā)光層和對電極150之間形成ETL 或 EIL0密封構(gòu)件(未示出)被形成為面對基底101的表面。密封構(gòu)件保護(hù)有機(jī)發(fā)光層免 受外部濕氣或氧的影響，并且密封構(gòu)件由透明材料形成。為此，密封構(gòu)件由玻璃、塑料或多 種有機(jī)和無機(jī)材料的堆疊結(jié)構(gòu)形成。通過根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的方法制造的有機(jī)發(fā)光顯示裝置100在第一子像素SPl和 第二子像素SP2的像素電極110上形成不同的第一透射導(dǎo)電層121和第二透射導(dǎo)電層122， 從而產(chǎn)生微腔效果。在第一子像素SPl和第二子像素SP2的像素電極110上形成第一透射導(dǎo)電層121 和第二透射導(dǎo)電層122，以覆蓋第一子像素SPl和第二子像素SP2的像素電極110的外邊 緣。具體地說，第一透射導(dǎo)電層121保護(hù)第一子像素SPl和第二子像素SP2的像素電極110 的側(cè)面。第二保護(hù)件132覆蓋第二子像素SP2的像素電極110的外邊緣。第一保護(hù)件131 和第三保護(hù)件133覆蓋第二子像素SP2和第三子像素SP3的像素電極110的外邊緣。因此， 防止像素電極110被損壞，具體地說，有效地保護(hù)像素電極110的側(cè)面和上表面。因此，根據(jù)像素電極110及第一透射導(dǎo)電層121和第二透射導(dǎo)電層122的設(shè)計(jì)，容 易地形成像素電極110及第一透射導(dǎo)電層121和第二透射導(dǎo)電層122，從而在沒有減小微腔 效果的情況下提高了有機(jī)發(fā)光顯示裝置100的畫面質(zhì)量。圖3A至圖3D是順序地示出根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置100 的方法的示意性剖視圖。參照圖3A，在基底101上形成像素電極110。像素電極110包括ΙΤ0，并且是ΙΤ0、 Ag和ITO的堆疊結(jié)構(gòu)。參照圖3B，在像素電極110上形成第一透射導(dǎo)電材料121a和第二透射導(dǎo)電材料 122a0第一透射導(dǎo)電材料121a形成在基底101和像素電極110上，以形成第一透射導(dǎo)電 層和第二保護(hù)件，第二透射導(dǎo)電材料12 形成在第一透射導(dǎo)電材料121上，以形成第二透 射導(dǎo)電層、第一保護(hù)件和第三保護(hù)件。在所有的像素電極110上或上方或者對于所有的像素電極110形成第一透射導(dǎo)電 材料121a和第二透射導(dǎo)電材料122a，而沒有執(zhí)行另外的圖案化工藝。第一透射導(dǎo)電材料 121a和第二透射導(dǎo)電材料12 包括ΙΤ0。參照圖3C，對第一透射導(dǎo)電材料121a和第二透射導(dǎo)電材料12 執(zhí)行諸如光刻的 圖案化工藝，以形成第一透射導(dǎo)電層121和第二透射導(dǎo)電層122以及第一保護(hù)件131、第二 保護(hù)件132和第三保護(hù)件133。更詳細(xì)地說，在圖3C的左側(cè)的像素電極110上形成第一透射導(dǎo)電層121和第二透
12射導(dǎo)電層122。第一透射導(dǎo)電層121延伸以覆蓋圖3C的左側(cè)的像素電極110的外邊緣和 側(cè)面。在第一透射導(dǎo)電層121上形成第二透射導(dǎo)電層122。第二透射導(dǎo)電層122延伸以覆 蓋第一透射導(dǎo)電層121的全部上表面和第一透射導(dǎo)電層121的與圖3C的左側(cè)的像素電極 110的外邊緣對應(yīng)的區(qū)域。在圖3C的中間的像素電極110上形成第一透射導(dǎo)電層121和第一保護(hù)件131。第 一透射導(dǎo)電層121延伸以覆蓋圖3C的中間的像素電極110的外邊緣和側(cè)面。在第一透射 導(dǎo)電層121上形成第一保護(hù)件131。第一保護(hù)件131暴露第一透射導(dǎo)電層121的預(yù)定區(qū)域， 并覆蓋第一透射導(dǎo)電層121的與圖3C的中間的像素電極110的外邊緣對應(yīng)的區(qū)域。在圖3C的右側(cè)的像素電極110上形成第二保護(hù)件132和第三保護(hù)件133。第二保 護(hù)件132暴露在圖3C的右側(cè)示出的像素電極110的預(yù)定區(qū)域，并被形成為與在圖3C的右 側(cè)示出的像素電極110的邊緣對應(yīng)。換言之，第二保護(hù)件132覆蓋在圖3C的右側(cè)示出的像 素電極110的外邊緣和側(cè)面。在第二保護(hù)件132上形成第三保護(hù)件133。第三保護(hù)件133 暴露在圖3C的右側(cè)示出的像素電極110的預(yù)定區(qū)域。換言之，第三保護(hù)件133覆蓋第二保 護(hù)件132的與在圖3C的右側(cè)示出的像素電極110的外邊緣對應(yīng)的區(qū)域。如參照圖;3B所述，在像素電極110上形成第一透射導(dǎo)電材料121a和第二透射 導(dǎo)電材料122a，然后執(zhí)行光刻，包括使用半色調(diào)掩模的一次曝光，從而形成圖3C的所得結(jié) 構(gòu)。更詳細(xì)地說，使用半色調(diào)掩模對將要保留第一透射導(dǎo)電材料121a和第二透射導(dǎo)電材料 122a的區(qū)域施加相對少量的曝光能量。對僅將要保留第一透射導(dǎo)電材料121a的區(qū)域施加 大量的曝光能量。對將要去除第一透射導(dǎo)電材料121a和第二透射導(dǎo)電材料12 的區(qū)域施 加較大量的曝光能量。然而，本發(fā)明不限于此，施加曝光能量的量的順序可以根據(jù)使用的光致抗蝕劑的 類型而改變。在濕蝕刻工藝中防止像素電極110被損壞，從而提高了像素電極110的耐久性。參照圖3D，形成PDL 135、第一發(fā)光層140a、第二發(fā)光層140b和第三發(fā)光層140c 以及對電極150，從而制造出有機(jī)發(fā)光顯示裝置100。在第一透射導(dǎo)電層121和第二透射導(dǎo)電層122以及第一保護(hù)件131、第二保護(hù)件 132和第三保護(hù)件133上形成PDL 135。在PDL 135中形成開口，以暴露在圖3D的左側(cè)的像素電極110上形成的第二透射 導(dǎo)電層122、在圖3D的中間的像素電極110上形成的第一透射導(dǎo)電層121和圖3D的右側(cè)的 像素電極110。在第一透射導(dǎo)電層121和第二透射導(dǎo)電層122以及像素電極110上形成有 機(jī)發(fā)光層和對電極150。在形成于在圖3D的左側(cè)示出的像素電極110上的第二透射導(dǎo)電層122上形成第 一有機(jī)發(fā)光層140a，以發(fā)射R可見光線。在形成于在圖3D的中間示出的像素電極110上的 第一透射導(dǎo)電層121上形成第二有機(jī)發(fā)光層140b，以發(fā)射G可見光線。在圖3D的右側(cè)示出 的像素電極110上形成第三有機(jī)發(fā)光層140c，以發(fā)射B可見光線。在所有的子像素上形成 對電極150，從而制造出包括第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3的有機(jī)發(fā) 光顯示裝置100。雖然在圖3A至圖3D中未示出，但是在形成有機(jī)發(fā)光層之前，可以在所有的子像素 上形成HIL或HTL。
沉積具有低逸出功的金屬例如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca或者 Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li 或 Ca 的化合物，并在金屬上沉積諸如 ΙΤΟ、ΙΖ0、 ZnO, In2O3等透明導(dǎo)電材料，從而形成對電極150。雖然在圖3A至圖3D中未示出，但是在所有的子像素上可以在有機(jī)發(fā)光層和對電 極150之間形成ETL或EIL。密封構(gòu)件(未示出)被形成為面對基底101的表面。密封構(gòu)件保護(hù)有機(jī)發(fā)光層免 受外部濕氣或氧的影響，并由透明材料形成。為此，密封構(gòu)件由玻璃、塑料或多種有機(jī)和無 機(jī)材料的堆疊結(jié)構(gòu)形成。在子像素中的像素電極110上以不同方式形成第一透射導(dǎo)電層121和第二透射導(dǎo) 電層122，以產(chǎn)生微腔效果。第一透射導(dǎo)電層121和第二透射導(dǎo)電層122形成在像素電極110上，以覆蓋像素 電極Iio的外邊緣。具體地說，第一透射導(dǎo)電層121覆蓋第一子像素SPl和第二子像素SP2 的像素電極110的側(cè)面，以防止像素電極110被損壞。第二保護(hù)件132被形成為覆蓋第三子像素SP3的像素電極110的外邊緣。第一保 護(hù)件131和第三保護(hù)件133被形成為覆蓋第二子像素SP2和第三子像素SP3的像素電極 110的外邊緣。因此，防止像素電極110被損壞。具體地說，保護(hù)像素電極110的側(cè)面和上表面。因此，容易地形成像素電極110及第一透射導(dǎo)電層121和第二透射導(dǎo)電層122，從 而在沒有減小微腔效果的情況下提高了有機(jī)發(fā)光顯示裝置100的畫面質(zhì)量。另外，使用半色調(diào)掩模的工藝是可用于制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置100的有效工藝。 另外，將曝光工藝的次數(shù)減少到僅僅一次，由此減少了濕蝕刻工藝的次數(shù)，從而防止了像素 電極110被損壞。如上所述，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置和制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方 法提高了畫面質(zhì)量。雖然已經(jīng)示出并描述了本發(fā)明的一些實(shí)施例，但本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)明白的是， 在不脫離本發(fā)明的原理和精神的情況下，可以在該實(shí)施例中做出改變，本發(fā)明的范圍在權(quán) 利要求書及其等同物中進(jìn)行限定。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括形成在基底上的第一子像素、第二子像素和第三子像素，其中，所述第一子像素包括第一像素電極、形成在所述第一像素電極上的第一透射導(dǎo) 電層、形成在所述第一透射導(dǎo)電層上的第二透射導(dǎo)電層、形成在所述第二透射導(dǎo)電層上的 第一有機(jī)發(fā)光層和形成在所述第一有機(jī)發(fā)光層上的對電極；所述第二子像素包括第二像素電極、形成在所述第二像素電極上的所述第一透射導(dǎo)電 層、覆蓋所述第一透射導(dǎo)電層的邊緣的第一保護(hù)件、電連接到所述第一透射導(dǎo)電層的第二 有機(jī)發(fā)光層和形成在所述第二有機(jī)發(fā)光層上的所述對電極；所述第三子像素包括第三像素電極、覆蓋所述第三像素電極的外邊緣的第二保護(hù)件、 形成在所述第二保護(hù)件上的第三保護(hù)件、電連接到所述第三像素電極的第三有機(jī)發(fā)光層和 形成在所述第三有機(jī)發(fā)光層上的所述對電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，所述第一像素電極、所述第二像素 電極和所述第三像素電極包括ΙΤ0。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，所述第一像素電極、所述第二像素 電極和所述第三像素電極以IT0、Ag和ITO的堆疊結(jié)構(gòu)形成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，所述第一有機(jī)發(fā)光層發(fā)射紅色可 見光線，所述第二有機(jī)發(fā)光層發(fā)射綠色可見光線，所述第三有機(jī)發(fā)光層發(fā)射藍(lán)色可見光線。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，所述第一透射導(dǎo)電層和所述第二 透射導(dǎo)電層包括ΙΤ0。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，所述第一透射導(dǎo)電層延伸以覆蓋 所述第一子像素和所述第二子像素的所述第一像素電極和所述第二像素電極的外邊緣和 側(cè)面。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，所述第二透射導(dǎo)電層延伸以覆蓋 所述第一透射導(dǎo)電層的與所述第一子像素的所述第一像素電極的外邊緣對應(yīng)的區(qū)域。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，所述第一保護(hù)件與所述第二透射 導(dǎo)電層由相同的材料形成。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，所述第二保護(hù)件與所述第一透射 導(dǎo)電層由相同的材料形成。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，所述第三保護(hù)件與所述第二透射 導(dǎo)電層由相同的材料形成。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，所述第一保護(hù)件覆蓋所述第一透 射導(dǎo)電層的與所述第二子像素的所述第二像素電極的外邊緣對應(yīng)的區(qū)域。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，所述第三保護(hù)件覆蓋所述第二保 護(hù)件的與所述第三子像素的所述第三像素電極的外邊緣對應(yīng)的區(qū)域。
13.—種制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括形成在基底上的 第一子像素、第二子像素和第三子像素，所述方法包括在所述基底上形成第一像素電極、第二像素電極和第三像素電極；在所述第一子像素中形成第一有機(jī)發(fā)光層，在所述第二子像素中形成第二有機(jī)發(fā)光 層，在所述第三子像素中形成第三有機(jī)發(fā)光層，其中，所述第一有機(jī)發(fā)光層、所述第二有機(jī)發(fā)光層和所述第三有機(jī)發(fā)光層電連接到所述像素電極；在所述第一有機(jī)發(fā)光層、所述第二有機(jī)發(fā)光層和所述第三有機(jī)發(fā)光層上形成對電極，其中，所述第一子像素包括在所述第一像素電極和所述第一有機(jī)發(fā)光層之間形成的第 一透射導(dǎo)電層以及在所述第一透射導(dǎo)電層和所述第一有機(jī)發(fā)光層之間形成的第二透射導(dǎo) 電層；所述第二子像素包括在所述第二像素電極和所述第二有機(jī)發(fā)光層之間形成的所述第 一透射導(dǎo)電層以及被形成為覆蓋所述第一透射導(dǎo)電層的邊緣的第一保護(hù)件；所述第三子像 素包括在所述第三像素電極和所述第三有機(jī)發(fā)光層之間形成的以覆蓋所述第三像素電極 的外邊緣的第二保護(hù)件以及在所述第二保護(hù)件上形成的第三保護(hù)件。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述第一像素電極、所述第二像素電極和所述 第三像素電極包括ΙΤ0。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述第一像素電極、所述第二像素電極和所述 第三像素電極以IT0、Ag和ITO的堆疊結(jié)構(gòu)形成。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述第一有機(jī)發(fā)光層發(fā)射紅色可見光線，所述 第二有機(jī)發(fā)光層發(fā)射綠色可見光線，所述第三有機(jī)發(fā)光層發(fā)射藍(lán)色可見光線。
17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述第一透射導(dǎo)電層和所述第二透射導(dǎo)電層 包括ITO0
18.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述第一透射導(dǎo)電層延伸以覆蓋所述第一子 像素和所述第二子像素的所述第一像素電極和所述第二像素電極的外邊緣和側(cè)面。
19.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述第二透射導(dǎo)電層延伸以覆蓋所述第一透 射導(dǎo)電層的與所述第一子像素的所述第一像素電極的外邊緣對應(yīng)的區(qū)域。
20.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述第一保護(hù)件與所述第二透射導(dǎo)電層由相 同的材料形成。
21.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述第二保護(hù)件與所述第一透射導(dǎo)電層由相 同的材料形成。
22.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述第三保護(hù)件與所述第二透射導(dǎo)電層由相 同的材料形成。
23.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述第一保護(hù)件覆蓋所述第一透射導(dǎo)電層的 與所述第二子像素的所述第二像素電極的外邊緣對應(yīng)的區(qū)域。
24.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述第三保護(hù)件覆蓋所述第二保護(hù)件的與所 述第三子像素的所述第三像素電極的外邊緣對應(yīng)的區(qū)域。
25.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，在形成在所述第一子像素、所述第二子像素和 所述第三子像素中的所述第一像素電極、所述第二像素電極和所述第三像素電極上順序地 形成第一透射導(dǎo)電材料和第二透射導(dǎo)電材料，使用半色調(diào)掩模執(zhí)行包括一次曝光工藝的光 刻，從而形成所述第一透射導(dǎo)電層和所述第二透射導(dǎo)電層以及所述第一保護(hù)件、所述第二 保護(hù)件和所述第三保護(hù)件，其中，形成所述第一透射導(dǎo)電材料，以形成所述第一透射導(dǎo)電層 和所述第二保護(hù)件，形成所述第二透射導(dǎo)電材料，以形成所述第二透射導(dǎo)電層以及所述第 一保護(hù)件和所述第三保護(hù)件。
26.—種制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括第一子像素、第二 子像素和第三子像素，所述方法包括在基底上形成第一像素電極、第二像素電極和第三像素電極；在所述第一像素電極、所述第二像素電極和所述第三像素電極上形成第一透射導(dǎo)電層 和第二透射導(dǎo)電層；將所述第一透射導(dǎo)電層和所述第二透射導(dǎo)電層圖案化，以形成第一透射導(dǎo)電層和第二 透射導(dǎo)電層以及第一保護(hù)件、第二保護(hù)件和第三保護(hù)件；在所述第一像素電極、所述第二像素電極和所述第三像素電極上形成有機(jī)發(fā)光層， 其中，所述有機(jī)發(fā)光層電連接到所述第一像素電極、所述第二像素電極和所述第三像素電 極；在所述有機(jī)發(fā)光層上形成對電極，其中，所述第一子像素包括在所述第一像素電極和所述有機(jī)發(fā)光層之間形成的所述第 一透射導(dǎo)電層以及在所述第一透射導(dǎo)電層和所述有機(jī)發(fā)光層之間形成的所述第二透射導(dǎo) 電層；所述第二子像素包括在所述第二像素電極和所述有機(jī)發(fā)光層之間形成的所述第一透 射導(dǎo)電層以及被形成為覆蓋所述第一透射導(dǎo)電層的外邊緣的所述第一保護(hù)件；所述第三子像素包括在所述第三像素電極和所述有機(jī)發(fā)光層之間形成的以覆蓋所述 第三像素電極的外邊緣的所述第二保護(hù)件以及在所述第二保護(hù)件上形成的所述第三保護(hù) 件。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的方法，其中，形成在所述第一像素電極、所述第二像素電極 和所述第三像素電極上的所述有機(jī)發(fā)光層分別發(fā)射紅色可見光線、綠色可見光線和藍(lán)色可 見光線。
28.根據(jù)權(quán)利要求26所述的方法，其中，所述第一像素電極、所述第二像素電極和所述 第三像素電極包括ΙΤ0。
29.根據(jù)權(quán)利要求26所述的方法，其中，所述第一像素電極、所述第二像素電極和所述 第三像素電極以IT0、Ag和ITO的堆疊結(jié)構(gòu)形成。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法。該顯示裝置包括形成在基底上的第一、第二和第三子像素。第一子像素包括第一像素電極、形成在其上的第一透射導(dǎo)電層、形成在第一透射導(dǎo)電層上的第二透射導(dǎo)電層、形成在第二透射導(dǎo)電層上的第一有機(jī)發(fā)光層和形成在第一有機(jī)發(fā)光層上的對電極。第二子像素包括第二像素電極、形成在其上的第一透射導(dǎo)電層、覆蓋第一透射導(dǎo)電層的邊緣的第一保護(hù)件、電連接到第一透射導(dǎo)電層的第二有機(jī)發(fā)光層和形成在第二有機(jī)發(fā)光層上的對電極。第三子像素包括第三像素電極、覆蓋第三像素電極的外邊緣的第二保護(hù)件、形成在第二保護(hù)件上的第三保護(hù)件、電連接到第三像素電極的第三有機(jī)發(fā)光層和形成在第三有機(jī)發(fā)光層上的對電極。
文檔編號H01L27/32GK102097457SQ201010589390
公開日2011年6月15日 申請日期2010年12月9日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月10日
發(fā)明者劉在浩, 曺奎哲, 高武恂 申請人:三星移動(dòng)顯示器株式會(huì)社