專利名稱：用于制造半導體分立器件的引線框架及其制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及半導體元件領域，具體講是一種用于制造半導體分立器件的引線框架 及其制作方法。
背景技術：
引線框架是制造半導體分立器件的基本部件，如行業(yè)通用型號為T0-3P，T0-220, T0-25LT0-126的引線框架。如圖1所示，現(xiàn)有技術的引線框架包括載片部1’和多個管腳 2’，所述的引線框架為一整體，部分型號的引線框架還包括有散熱固定部3’(如T0-220)。 引線框架的基材為銅合金、鋁合金或者鐵合金。在產品使用過程中，需要在載片部上安裝芯 片，一般在載片部上加上液態(tài)的錫鉛溶料，行業(yè)稱為點錫工藝，用以載片部和芯片粘結。但 在上述過程中，錫鉛溶料在載片部上擴散很難完全并覆蓋裝載芯片所需要的面積，尤其當 載片部上帶有金屬表面氧化物或有機沾染物時，就更容易發(fā)生錫鉛溶料鋪展不開(會導致 虛焊)和鋪展不均勻(會導致芯片粘結不平整)的情況，影響到引線框架和芯片間的牢固 結合，并最終影響分立器件的生產效率和合格率。

發(fā)明內容
本發(fā)明要解決的技術問題是，提供一種能使引線框架與芯片結合更牢固的用于制 造半導體分立器件的引線框架。本發(fā)明的技術解決方案是，提供以下結構的用于制造半導體分立器件的引線框 架，包括載片部和多個管腳，所述的載片部上設有凹槽，在所述的凹槽內嵌入錫鉛箔片。采用以上結構后與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點采用本發(fā)明結構，在使用 中節(jié)省了點錫的整個工藝，其載片部上的錫鉛箔片在安裝芯片的過程中受熱即能熔化，且 均勻的分布在凹槽內，此時再將芯片置于凹槽上方，載片部就能和芯片進行良好的結合，錫 鉛溶料能鋪展并充滿整個凹槽，而且分布均勻，提升了成品的合格率，同時提高了半導體分 立器件的生產效率。作為改進，所述的錫鉛箔片與凹槽大小相同，這樣，在安裝芯片時，錫鉛箔片熔化 后既足以能夠牢固地結合芯片，也不會從凹槽中溢出。作為改進，所述的凹槽的底面上設有網狀刻線，因為錫鉛箔片一般是通過沖壓工 藝嵌入凹槽中的，在底面增加網狀刻線后，能夠使錫鉛箔片部分擠壓入網狀刻線，使二者能 更牢固結合，防止錫鉛箔片脫落；另外在安裝芯片的過程中，對凹槽內的錫鉛箔片加熱后， 錫鉛溶料通過網狀刻線能夠快速、均勻地布滿凹槽，而且連接芯片后，硬化后的錫溶料嵌入 網狀刻線，使得載片部與芯片連接更為牢固。作為改進，所述的網狀刻線的網格為平行四邊形，這種形狀的網格更容易加工，也 方便錫鉛溶料快速擴散并布滿整個凹槽。作為改進，所述的嵌入凹槽內的錫鉛箔片的上表面高于載片部的表面，這樣，由于 在沖壓時，將錫鉛箔片嵌入凹槽所用的沖壓的力量不宜過大，否則會損壞載片部的背面，此時錫鉛箔片的上表面一般都略高于載片部的表面。作為改進，所述的載片部上還設有位于凹槽外側的環(huán)狀刻線，這樣，在已經嵌入錫 鉛箔片的凹槽外側設有環(huán)狀刻線，可以在沖壓環(huán)狀刻線的時候對凹槽和錫鉛箔片產生擠 壓，使凹槽和錫鉛箔片內凹，使錫鉛箔片牢牢地嵌在凹槽內。作為改進，所述的凹槽為方形，環(huán)狀刻線也為方形，因為芯片一般是方形的，錫鉛 溶料布滿方形凹槽后，能使載片部與芯片結合更為飽滿。本發(fā)明要解決的另一技術問題是，提供一種能使引線框架與芯片結合更牢固的用 于制造半導體分立器件的引線框架的制作方法。本發(fā)明的另一種技術解決方案是，提供一種用于制造半導體分立器件的引線框 架的制作方法，所述的引線框架包括包括載片部和多個管腳，所述的制作方法包括以下步 驟(a)采用沖壓工藝，在載片部上沖壓出一個凹槽；(b)將錫鉛材料薄片覆蓋在凹槽上，在凹槽的正上方對正凹槽進行沖壓，使錫鉛箔 片與錫鉛材料薄片相脫離并嵌入凹槽內。采用以上結構和方法后與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點采用本發(fā)明方法， 能夠制作出引線框架在使用中節(jié)省了點錫的整個工藝，其載片部上的錫鉛箔片在安裝芯片 的過程中受熱即能熔化，且均勻的分布在凹槽內，此時再將芯片置于凹槽上方，載片部就能 和芯片進行良好的結合，錫鉛溶料能鋪展并充滿整個凹槽，而且分布均勻，提高了半導體分 立器件的生產效率，同時提升了成品的合格率，采用沖壓工藝，生產效率更高，錫鉛箔片與 凹槽結合更牢固。作為改進，在步驟(a)之后，增加一道工序，在凹槽的底面沖壓出網狀刻線，在底 面增加網狀刻線后，能夠使錫鉛箔片部分擠壓入網狀刻線，使二者能更牢固結合，防止錫鉛 箔片脫落；另外在安裝芯片的過程中，對凹槽內的錫鉛箔片加熱后，錫鉛溶料通過網狀刻線 能夠快速、均勻地布滿凹槽，而且連接芯片后，硬化后的錫溶料嵌入網狀刻線，使得載片部 與芯片連接更為牢固。作為改進，步驟(b)之后，增加一道工序，在載片部上、已經嵌入錫鉛箔片的凹槽 的外側沖壓出環(huán)狀刻線，所述的環(huán)狀刻線將整個凹槽圍住，這樣，可以在沖壓環(huán)狀刻線的時 候對凹槽和錫鉛箔片產生擠壓，使凹槽和錫鉛箔片內凹，使錫鉛箔片牢牢地嵌在凹槽內。


圖1為現(xiàn)有技術的用于制造半導體分立器件的引線框架的結構示意圖。圖2為本發(fā)明的用于制造半導體分立器件的功率引線框架的結構示意圖(未裝錫 鉛箔片)。圖3為圖2中A-A剖面放大圖。圖4為本發(fā)明的用于制造半導體分立器件的功率引線框架的結構示意圖(裝上錫 鉛箔片后)。圖5為圖4中A-A剖面放大圖。圖6為本發(fā)明的用于制造半導體分立器件的引線框架的制作方法的工序圖。圖7為圖6中B的放大圖。
圖8為沖壓錫鉛箔片的沖頭、錫鉛材料薄片和引線框架本體的位置關系圖。圖中所示1’、載片部，2’、管腳，3’、散熱固定部，1、載片部，2、管腳，3、散熱固定 部，4、凹槽，5、錫鉛箔片，6、網狀刻線，7、環(huán)狀刻線，8、沖頭，9、錫鉛材料薄片，10、引線框架本體。
具體實施例方式下面結合附圖和具體實施方式
對本發(fā)明作進一步說明如圖2、圖3所示，本發(fā)明的用于制造半導體分立器件的引線框架，包括載片部1、 多個管腳2以及散熱固定部3。上述為以T0-220型號為基礎的現(xiàn)有技術，還有一些型號是 沒有散熱固定部3的。所述的載片部1上設有凹槽4，所述的凹槽4內嵌入與凹槽4大小相同的錫鉛箔片 5，所述的凹槽深度為0. 05mm，錫鉛箔片5的厚度0. 1mm。所述的凹槽4的底面上設有網狀刻線6，所述的網狀刻線6的截面為V型，不僅加 強了錫鉛箔片5和凹槽4的結合力，在安裝芯片時，錫鉛箔片5受熱熔化后，更能順利進入 V型網狀刻線6，也便于擴散至整個凹槽。所述的載片部1上還設有位于凹槽4外側的環(huán)狀刻線7，所述的環(huán)狀刻線7將整個 凹槽4圍住。所述的凹槽4為方形凹槽，環(huán)狀刻線7也為方形。所述的網狀刻線6的網格為正方形，正方形是平行四邊形的一種。本發(fā)明的用于制造半導體分立器件的引線框架的制作方法，所述的引線框架包括 包括載片部和多個管腳，所述的制作方法包括以下步驟(a)采用沖壓工藝，在載片部上沖壓出一個凹槽4，在加工過程中，一般采用整排 加工的，即多個引線框架本體是并排在一起的，沖壓時將引線框架固定，然后采用與引線框 架一一對應的沖頭對載片部進行沖壓；所述的凹槽為方形凹槽；(b)將錫鉛材料薄片覆蓋在凹槽4上，在凹槽4的正上方對錫鉛材料薄片沖壓，使 和凹槽大小相同的錫鉛箔片5與錫鉛材料薄片相脫離并嵌入凹槽4中；所述的錫鉛材料薄 片為錫鉛箔片的原材料，由于多個引線框架本體是整排放置的，相互之間有一定的間隔，可 以將條狀錫鉛材料薄片覆蓋在整排引線框架本體的凹槽上方，然后對錫鉛材料薄片進行沖 壓，使與凹槽尺寸相同的錫鉛箔片5與錫鉛材料薄片相脫離并嵌入凹槽4中；為了充分利用 錫鉛材料薄片，一次沖壓完成后，可以將加工好的引線框架拿出，然后放入未加工的一排引 線框架，之后，調節(jié)錫鉛材料薄片的位置，使未被沖壓的部分覆蓋在凹槽上方，這樣，充分有 效地利用了錫鉛材料薄片；沖壓錫鉛箔片5所用的沖頭8的下表面的邊緣設有下凸環(huán)，在沖 壓的過程中，能夠有效沖壓錫鉛箔片的周邊，使其周邊下陷牢牢嵌入凹槽內。步驟(a)之后，可以增加一道工序，在凹槽的底面沖壓出網狀刻線6，所述的網狀 刻線6的網格為平行四邊形。步驟(b)之后，可以增加一道工序，在載片部上、已經嵌入錫鉛箔片的凹槽的外側 沖壓出環(huán)狀刻線；在沖壓環(huán)狀刻線時，對凹槽和錫鉛箔片產生擠壓，使凹槽和錫鉛箔片內 凹，使錫鉛箔片牢牢地嵌在凹槽內。以上僅就本發(fā)明較佳的實施例作了說明，但不能理解為是對權利要求的限制。本發(fā)明不僅局限于以上實施例，其具體結構和步驟允許有變化，總之，凡在本發(fā)明獨立權利要 求的保護范圍內所作的各種變化均在本發(fā)明的保護范圍內。
權利要求
1.一種用于制造半導體分立器件的引線框架，包括載片部(1)和多個管腳0)，其特征 在于所述的載片部(1)上設有凹槽G)，在所述的凹槽內嵌入錫鉛箔片(5)。
2.根據權利要求1所述的用于制造半導體分立器件的引線框架，其特征在于所述的 錫鉛箔片(5)與凹槽大小相同。
3.根據權利要求1所述的用于制造半導體分立器件的引線框架，其特征在于所述的 凹槽的底面上設有網狀刻線(6)。
4.根據權利要求3所述的用于制造半導體分立器件的引線框架，其特征在于所述的 網狀刻線(6)的網格為平行四邊形。
5.根據權利要求1所述的用于制造半導體分立器件的引線框架，其特征在于所述的 嵌入凹槽內的錫鉛箔片( 的上表面與載片部(1)的表面位于同一水平面上。
6.根據權利要求1所述的用于制造半導體分立器件的引線框架，其特征在于所述的 載片部(1)上還設有位于凹槽(4)外側的環(huán)狀刻線(7)。
7.根據權利要求6所述的用于制造半導體分立器件的引線框架，其特征在于所述的 凹槽(4)為方形，所述的環(huán)狀刻線(7)也為方形。
8.一種用于制造半導體分立器件的引線框架的制作方法，先制作出引線框架的載片部 (1)和多個管腳O)，其特征在于所述的制作方法還包括以下步驟a、采用沖壓工藝，在載片部上沖壓出一個凹槽；b、將錫鉛材料薄片覆蓋在凹槽(4)上，在凹槽(4)的正上方對正凹槽進行沖壓，使錫鉛 箔片(5)與錫鉛材料薄片相脫離并嵌入凹槽內。
9.根據權利要求8所述的用于制造半導體分立器件的引線框架的制作方法，其特征在 于步驟(a)之后，可以增加一道工序，在凹槽的底面沖壓出網狀刻線(6)，所述的網狀刻線 (6)的網格為平行四邊形。
10.根據權利要求8所述的用于制造半導體分立器件的引線框架的制作方法，其特征 在于步驟(b)之后，可以增加一道工序，在載片部上、已經嵌入錫鉛箔片的凹槽(4)的外側 沖壓出環(huán)狀刻線(7)。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種用于制造半導體分立器件的引線框架及其制作方法，包括載片部(1)和多個管腳(2)，所述的載片部(1)上設有凹槽(4)，在所述的凹槽(4)內嵌入錫鉛箔片(5)；其制作方法如下，先制作出引線框架的載片部(1)和多個管腳(2)，所述的制作方法還包括以下步驟a、采用沖壓工藝，在載片部上沖壓出一個凹槽(4)；b、將錫鉛材料薄片覆蓋在凹槽(4)上，在凹槽(4)的正上方對正凹槽進行沖壓，使錫鉛箔片(5)與錫鉛材料薄片相脫離并嵌入凹槽(4)內。采用本發(fā)明，在使用中節(jié)省了點錫的整個工藝，錫鉛箔片熔化能鋪展并充滿整個凹槽，而且分布均勻，提升了成品的合格率，同時提高了半導體分立器件的生產效率。
文檔編號H01L23/495GK102064151SQ20101054555
公開日2011年5月18日 申請日期2010年11月8日 優(yōu)先權日2010年11月8日
發(fā)明者曹光偉 申請人:寧波康強電子股份有限公司