專利名稱：太陽(yáng)電池的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及太陽(yáng)電池的制造方法。
技術(shù)背景
太陽(yáng)電池將光能變換為電能，根據(jù)使用的半導(dǎo)體而提出了各種各樣的構(gòu)成。近 年，制造工序簡(jiǎn)單且可期待高變換效率的CIGS型的太陽(yáng)電池受到關(guān)注。CIGS型的太 陽(yáng)電池例如包括基板上形成的第1電極膜；第1電極膜上形成的包括化合物半導(dǎo)體 (銅-銦-鎵-硒化合物)層的薄膜；以及在該薄膜上形成的第2電極膜。在去除了薄 膜的一部分的槽內(nèi)形成第2電極膜，使第1電極膜和第2電極膜電連接。(例如，參照專 利文獻(xiàn)1)。
專利文獻(xiàn)1特開(kāi)2002-319686號(hào)公報(bào)
上述的太陽(yáng)電池中，去除第1電極膜、薄膜及第2電極膜的一部分，按各個(gè)單元 (cell)而分割形成。該分割處理(劃線處理)中采用激光照射和/或金屬針等。但是， 采用上述激光照射和/或金屬針等進(jìn)行的劃線處理中，難以調(diào)整劃線時(shí)的強(qiáng)弱，因此， 例如在金屬針的按壓較強(qiáng)的場(chǎng)合，有時(shí)會(huì)損傷下部膜。另一方面，在按壓較弱的場(chǎng)合， 膜去除不盡而殘留，成為短路或者高電阻的原因。另外，在要進(jìn)行劃線的膜的表面部分 存在凹凸的場(chǎng)合，按下金屬針等使之觸接時(shí)，金屬針不會(huì)均等觸接膜表面部，因此，應(yīng) 力集中于凹部或者凸部，從而存在著在膜等中產(chǎn)生裂紋這樣的問(wèn)題。發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明為了解決上述問(wèn)題的至少一部分而提出，可以作為以下的形態(tài)或應(yīng)用例 實(shí)現(xiàn)。
[應(yīng)用例1]
本應(yīng)用例的太陽(yáng)電池的制造方法中，上述太陽(yáng)電池具備基板、第1電極層、半 導(dǎo)體層和第2電極層，該制造方法的特征在于，包括第1電極層形成工序，在上述基板 上形成上述第1電極層；和第1電極層分割工序，去除上述第1電極層的一部分，將上述 第1電極層分割，在上述第1電極層形成工序前具有第1犧牲層形成工序，上述第1犧牲 層形成工序中，在與要去除上述第1電極層的一部分的部分對(duì)應(yīng)的上述基板的表面部分 形成第1犧牲層，上述第1電極層形成工序中，在上述基板上及上述第1犧牲層上形成上 述第1電極層，上述第1電極層分割工序中，去除上述第1犧牲層以及在上述第1犧牲層 上所形成的上述第1電極層。
根據(jù)該構(gòu)成，在基板上形成第1犧牲層后，在基板上及第1犧牲層上形成第1電 極層。然后，通過(guò)去除第1犧牲層以及第1犧牲層上形成的第1電極層，分割第1電極 層。即，在要分割第1電極層的部分預(yù)先設(shè)置第1犧牲層，采用剝離(Kft off)法分割第 1電極層。從而，不必像現(xiàn)有技術(shù)那樣進(jìn)行采用激光照射和/或金屬針等的劃線處理，因 此在第1電極層分割時(shí)，可以降低對(duì)第1電極層和/或第1電極層的下層部件的基板等的損傷。
[應(yīng)用例2]
本應(yīng)用例的太陽(yáng)電池的制造方法中，上述太陽(yáng)電池具備基板、第1電極層、半 導(dǎo)體層和第2電極層，該制造方法的特征在于，包括第1電極層形成工序，在上述基板 上形成上述第1電極層；半導(dǎo)體層形成工序，在上述第1電極層上形成上述半導(dǎo)體層； 以及半導(dǎo)體層分割工序，去除上述半導(dǎo)體層的一部分，將上述半導(dǎo)體層分割，在上述半 導(dǎo)體層形成工序前具有第2犧牲層形成工序，上述第2犧牲層形成工序中，在與要去除上 述半導(dǎo)體層的一部分的部分對(duì)應(yīng)的上述第1電極層的表面部分形成第2犧牲層，上述半導(dǎo) 體層形成工序中，在上述第1電極層上及上述第2犧牲層上形成上述半導(dǎo)體層，上述半導(dǎo) 體層分割工序中，去除上述第2犧牲層以及在上述第2犧牲層上形成的上述半導(dǎo)體層。
根據(jù)該構(gòu)成，在第1電極層上形成第2犧牲層后，在第1電極層上及第2犧牲 層上形成半導(dǎo)體層。然后，通過(guò)去除第2犧牲層以及第2犧牲層上形成的半導(dǎo)體層，分 割半導(dǎo)體層。即，在要分割半導(dǎo)體層的部分預(yù)先設(shè)置第2犧牲層，采用剝離法分割半導(dǎo) 體層。從而，不必像現(xiàn)有技術(shù)那樣進(jìn)行采用激光照射和/或金屬針等的劃線處理，因此 在半導(dǎo)體層分割時(shí)，可以降低對(duì)半導(dǎo)體層和/或半導(dǎo)體層的下層部件的第1電極層等的損 傷。
[應(yīng)用例3]
本應(yīng)用例的太陽(yáng)電池的制造方法中，上述太陽(yáng)電池具備基板、第1電極層、半 導(dǎo)體層和第2電極層，該制造方法的特征在于，包括第1電極層形成工序，在上述基板 上形成上述第1電極層；半導(dǎo)體層形成工序，在上述第1電極層上形成上述半導(dǎo)體層； 第2電極層形成工序，在上述半導(dǎo)體層上形成上述第2電極層；以及第2電極層分割工 序，去除上述第2電極層的一部分，將上述第2電極層分割，在上述第2電極層形成工序 前具有第3犧牲層形成工序，上述第3犧牲層形成工序中，在與要去除上述第2電極層的 一部分的部分對(duì)應(yīng)的上述第1電極層的表面部分形成第3犧牲層，上述第2電極層形成工 序中，在上述半導(dǎo)體層上及上述第3犧牲層上形成上述第2電極層，上述第2電極層分割 工序中，去除上述第3犧牲層以及在上述第3犧牲層上形成的上述第2電極層。
根據(jù)該構(gòu)成，在第1電極層上形成第3犧牲層，在半導(dǎo)體層上及第3犧牲層上形 成第2電極層。然后，通過(guò)去除第3犧牲層以及第3犧牲層上形成的第2電極層，分割 第2電極層。S卩，在要分割第2電極層的部分預(yù)先設(shè)置第3犧牲層，采用剝離法分割第2 電極層。從而，不必像現(xiàn)有技術(shù)那樣進(jìn)行采用激光照射和/或金屬針等的劃線處理，因 此在第2電極層分割時(shí)，可以降低對(duì)第2電極層和/或第2電極層的下層部件的第1電極 層等的損傷。
[應(yīng)用例4]
上述應(yīng)用例的太陽(yáng)電池的制造方法的特征在于，上述第1 第3犧牲層形成工序 中，涂敷成為上述第1 第3犧牲層的材料的負(fù)型感光性樹(shù)脂，使所涂敷的上述負(fù)型感光 性樹(shù)脂干燥，來(lái)形成上述第1 第3犧牲層。
根據(jù)該構(gòu)成，例如，通過(guò)采用印刷法、噴墨法等，可以容易地形成第1 第3犧 牲層。
[應(yīng)用例5]
上述應(yīng)用例的太陽(yáng)電池的制造方法的特征在于，上述第1 第3犧牲層形成工序 中，形成上述第1 第3犧牲層，它們的厚度比要與上述第1 第3犧牲層一起去除的上 述各層的厚度厚。
根據(jù)該構(gòu)成，由于各層的厚度比第1 第3犧牲層的厚度薄，因此可以容易去除 在第1 第3犧牲層上形成的層。


圖1是表示太陽(yáng)電池的構(gòu)成的剖面圖。
圖2是表示太陽(yáng)電池的制造方法的工序圖。
圖3是表示太陽(yáng)電池的制造方法的工序圖。
符號(hào)的說(shuō)明
1...太陽(yáng)電池，10...基板，11...基底層，12...第1電極層，13...半導(dǎo)體層，13a...第1半導(dǎo)體層，13b...第2半導(dǎo)體層，14...第2電極層，31...第1分割槽，32...第2 分割槽，33...第3分割槽，35...預(yù)備槽，40...單元，51...第1犧牲層，52a、5 ...第2犧 牲層，53...第3犧牲層。
具體實(shí)施方式
以下，參考圖面說(shuō)明將本發(fā)明具體化的實(shí)施例。另外，為了使得各圖面中的各 部件為在各圖面上可識(shí)別程度的大小，因此按各部件以不同的縮小比例進(jìn)行了圖示。
(太陽(yáng)電池的構(gòu)成)
首先，說(shuō)明太陽(yáng)電池的構(gòu)成。另外，本實(shí)施例中，說(shuō)明CIGS型的太陽(yáng)電池的構(gòu) 成。圖1是表示本實(shí)施例的太陽(yáng)電池的構(gòu)成的剖面圖。
如圖1所示，太陽(yáng)電池1包括包括基板10、在基板10上形成的基底層11、在 基底層11上形成的第1電極層12、在第1電極層12上形成的半導(dǎo)體層13和在半導(dǎo)體層 13上形成的第2電極層14的多個(gè)單元40的集合體。
第1電極層12由第1分割槽31按每個(gè)單元40分割，以跨相鄰的單元40之間的 方式形成。第1電極層12上形成的半導(dǎo)體層13由第2分割槽32按每個(gè)單元40分割， 第2電極層14由第3分割槽33按每個(gè)單元40分割。而且，第1電極層12和第2電極 層14通過(guò)第2分割槽32電連接。從而，各單元40的第2電極層14與相鄰的其他單元 40的第1電極層12被連接，各單元40被串聯(lián)連接。這樣，通過(guò)適當(dāng)設(shè)定串聯(lián)連接的單 元40的數(shù)目，可以任意對(duì)太陽(yáng)電池1中的預(yù)期的電壓進(jìn)行設(shè)計(jì)變更。
基板10是至少第1電極層12側(cè)的表面具有絕緣性的基板。具體地說(shuō)，例如， 可以采用玻璃(青板玻璃等)基板、不銹鋼基板、聚酰亞胺基板、碳基板等。
基底層11是在基板10上形成的具有絕緣性的層，例如，可以設(shè)置以幻02 (氧化 硅)為主成分的絕緣層或氟化鐵層。該基底層11除了具有絕緣性，還具有確保基板10 與基板10上形成的第1電極層12的密合性的功能。另外，在基板10本身具有上述特性 的場(chǎng)合，可以省略基底層11。
第1電極層12在基底層11上形成。第1電極層12具有導(dǎo)電性，例如，可以采 用鉬(Mo)等。
半導(dǎo)體層13由第1半導(dǎo)體層13a和第2半導(dǎo)體層13b構(gòu)成。第1半導(dǎo)體層13a 在第1電極層12上形成，是包含銅(Cu)、銦Ctn)、鎵(Ga)、硒的ρ型半導(dǎo)體層 (CIGS半導(dǎo)體層)。
第2半導(dǎo)體層13b在第1半導(dǎo)體層13a上形成，是硫化鎘(CdS)、氧化鋅 (ZnO)、硫化銦(InS)等的η型半導(dǎo)體層。
第2電極層14是具有透明性的電極層，例如，是ZnOAl等的透明電極體(TCO : Transparent Conducting Oxides,透明導(dǎo)電氧化物)、AZO等。第2電極層14在第2半導(dǎo)體層13b上及第2分割槽32內(nèi)形成，第1電極層12和第2電極層14被電連接。
上述構(gòu)成的CIGS型的太陽(yáng)電池1中，在太陽(yáng)光等的光入射時(shí)，在半導(dǎo)體層13內(nèi) 產(chǎn)生電子㈠和空穴⑴的對(duì)，電子㈠和空穴⑴在P型半導(dǎo)體層(第1半導(dǎo)體層13a) 與η型半導(dǎo)體層(第2半導(dǎo)體層13b)的接合面，電子(_)集中到η型半導(dǎo)體層，空穴(+) 集中到ρ型半導(dǎo)體層。結(jié)果，在η型半導(dǎo)體層和ρ型半導(dǎo)體層之間產(chǎn)生電動(dòng)勢(shì)。該狀態(tài) 下，通過(guò)對(duì)第1電極層12和第2電極層14連接外部導(dǎo)電線，可以向外部取出電流。
(太陽(yáng)電池的制造方法)
接著，說(shuō)明太陽(yáng)電池的制造方法。另外，本實(shí)施例中，說(shuō)明CIGS型的太陽(yáng)電池 的制造方法。圖2及圖3是表示本實(shí)施例的太陽(yáng)電池的制造方法的工序圖。
圖2(a)的基底層形成工序中，在不銹鋼基板10的一側(cè)的面形成包含氟化鐵的 基底層11。包含氟化鐵的基底層11可以通過(guò)熱處理使不銹鋼基板10與氟氣體反應(yīng)而形 成。另外，在基板10本身具有上述基底層效果的場(chǎng)合，可以省略基底層形成工序。
圖2(b)的第1犧牲層形成工序中，在與要去除第1電極層12的一部分的部分對(duì) 應(yīng)的基底層11的表面部分形成第1犧牲層51。S卩，如圖1所示，在作為將第1電極層 12以單元40為單位分割的第1分割槽31區(qū)域的基底層11的表面部分，形成第1犧牲層 51。具體地說(shuō)，采用印刷法或噴墨法等，在基底層11的表面部分涂敷成為第1犧牲層51 的材料的剝離法用的負(fù)型感光性樹(shù)脂。然后，使涂敷的負(fù)型感光性樹(shù)脂干燥，形成第1 犧牲層51。
作為負(fù)型感光性組成物，例如，可以采用環(huán)化異戊二烯橡膠和雙疊氮化合物的 混合物、聚乙烯苯酚樹(shù)脂和疊氮化合物的混合物、具有光聚合性烯烴的可溶性聚亞胺、 具有二苯甲酮骨格且在氮原子結(jié)合的芳香環(huán)的鄰位具有烷基的自增感型聚亞胺、三聚氰 胺-甲醛樹(shù)脂、烷基醚化三聚氰胺樹(shù)脂、苯胍胺樹(shù)脂、烷基醚化苯胍胺樹(shù)脂、脲樹(shù)脂、 烷基醚化脲樹(shù)脂、聚氨酯-甲醛樹(shù)脂、甲酚型酚醛樹(shù)脂、烷基醚化甲酚型酚醛樹(shù)脂、環(huán) 氧樹(shù)脂與通過(guò)光照射而產(chǎn)生酸的產(chǎn)酸劑的混合物等。
另外，所形成的第1犧牲層51的厚度以比下一工序中的第1電極層12的厚度厚 的方式形成。例如，以與第1電極層12的厚度相比厚度為1.5倍左右的方式形成第1犧 牲層51。因而，要適當(dāng)調(diào)整負(fù)型感光性樹(shù)脂的涂敷量等。
圖2(c)的第1電極層形成工序中，在基底層11上及第1犧牲層51上形成第1 電極層12。具體地說(shuō)，通過(guò)濺射法形成成為第1電極層12的鉬(Mo)層。
圖2(d)的第1電極層分割工序中，去除第1電極層12的一部分，將第1電極層 12以單元40為單位分割。具體地說(shuō)，將太陽(yáng)電池1的中間物在剝離法用的剝離液中浸漬 等，剝離(去除)第1犧牲層51以及第1犧牲層51上形成的第1電極層12。
作為剝離液，優(yōu)選堿性水溶液，例如，可以采用四甲基氫氧化銨水溶液、KOH 水溶液、臭氧水等。然后，在去除了第1電極層12的一部分的部分，形成第1分割槽 31。
圖2(e)的第2犧牲層形成工序中，在與要去除半導(dǎo)體層13的一部分的部分對(duì)應(yīng) 的第1電極層12的表面部分，形成第2犧牲層52a、52b。具體地說(shuō)，采用印刷法或噴墨 法等，在第1電極層12的表面部分涂敷成為第2犧牲層52的材料的剝離法用的負(fù)型感光 性樹(shù)脂。然后，使涂敷的負(fù)型感光性樹(shù)脂干燥，形成第2犧牲層52a、52b。作為負(fù)型 感光性樹(shù)脂，可以采用第1犧牲層形成工序中說(shuō)明的同樣的感光性樹(shù)脂。另外，所形成 的第2犧牲層52a、52b的厚度以比下一工序中的半導(dǎo)體層13的厚度厚的方式形成。例 如，以與半導(dǎo)體層13的厚度相比厚度為1.5倍左右的方式形成第2犧牲層52a、52b。因 而，要適當(dāng)調(diào)整負(fù)型感光性樹(shù)脂的涂敷量等。
接著，說(shuō)明半導(dǎo)體層形成工序。半導(dǎo)體層形成工序包括第1半導(dǎo)體層形成工序 和第2半導(dǎo)體層形成工序。圖2(f)的第1半導(dǎo)體層形成工序中，首先，在第1電極層12 上、第1分割槽31內(nèi)及第2犧牲層52a、52b上，用濺射法等附著銅(Cu)、銦Ctn)及鎵 (Ga),形成前驅(qū)體。然后，將該前驅(qū)體在硒化氫氣氛加熱(硒化)，形成ρ型半導(dǎo)體層 (CIGS)的第1半導(dǎo)體層13a。
圖3(g)的第2半導(dǎo)體層形成工序中，在第1半導(dǎo)體層13a上，由CdS、ZnO和 /或^iS等形成η型半導(dǎo)體層的第2半導(dǎo)體層13b。第2半導(dǎo)體層13b可以通過(guò)濺射法等 形成。
圖3(h)的半導(dǎo)體層分割工序中，去除半導(dǎo)體層13的一部分，將半導(dǎo)體層13以 單元40為單位分割。具體地說(shuō)，將太陽(yáng)電池1的中間物在剝離法用的剝離液中浸漬等， 剝離(去除)第2犧牲層52a、52b以及第2犧牲層52a、52b上形成的半導(dǎo)體層13。作 為剝離液，可以采用與第1犧牲層形成工序中說(shuō)明的同樣的溶液。然后，在去除了半導(dǎo) 體層13的一部分的部分，形成將半導(dǎo)體層13以單元40為單位分割的第2分割槽32和用 于將下一工序中的第2電極層14按單元40分割的預(yù)備槽35。
圖3(i)的第3犧牲層形成工序中，在與要去除第2電極層14的一部分的部分對(duì) 應(yīng)的第1電極層12的表面部分即預(yù)備槽35，形成第3犧牲層53。具體地說(shuō)，采用印刷 法或噴墨法等，在第1電極層12的表面部分涂敷成為第3犧牲層53的材料的剝離法用的 負(fù)型感光性樹(shù)脂。然后，使涂敷的負(fù)型感光性樹(shù)脂干燥，形成第3犧牲層53。作為負(fù)型 感光性樹(shù)脂，可以采用與第1犧牲層形成工序中說(shuō)明的同樣的感光性樹(shù)脂。另外，形成 的第3犧牲層53的厚度以比下一工序中的第2電極層14的厚度厚的方式形成。例如， 以與第2電極層14的厚度相比厚度為1.5倍左右的方式形成第3犧牲層53。因而，要適 當(dāng)調(diào)整負(fù)型感光性樹(shù)脂的涂敷量等。
圖3(j)的第2電極層形成工序中，在半導(dǎo)體層13、第2分割槽32內(nèi)及第3犧牲 層53上形成第2電極層14。例如，用濺射法等形成成為第2電極層的ZnOAl等的透明 電極(TCO)。
圖3(k)的第2電極層分割工序中，去除第2電極層14的一部分，將第2電極層 14以單元40為單位分割。具體地說(shuō)，將太陽(yáng)電池1的中間物在剝離法用的剝離液中浸 漬，剝離(去除)第3犧牲層53以及第3犧牲層53上形成的第2電極層14。作為剝離液，可以采用與第1犧牲層形成工序中說(shuō)明的同樣的溶液。在去除了第2電極層14的一 部分的部分，形成將第2電極層14以單元40為單位分割的第3分割槽33。
通過(guò)上述的工序，形成多個(gè)單元40串聯(lián)連接而成的CIGS型的太陽(yáng)電池1。
從而，根據(jù)上述的實(shí)施例，產(chǎn)生以下所示的效果。
(1)在設(shè)置于基板10的基底層11上形成第1犧牲層51后，在基底層11上及第 1犧牲層51上形成第1電極層12。然后，通過(guò)去除第1犧牲層51以及第1犧牲層51上 形成的第1電極層12，將第1電極層12以單元40為單位分割。從而，不必像現(xiàn)有技術(shù) 那樣進(jìn)行采用了激光照射和/或金屬針等的劃線處理，因此，可以降低第1電極層12分 割時(shí)對(duì)第1電極層12和/或第1電極層12的下層部件的基底層11和/或基板10等的損 傷。
(2)第1電極層12上形成第2犧牲層5 后，在第1電極層12上及第2犧牲層 5 上形成半導(dǎo)體層13。然后，通過(guò)去除第2犧牲層52a以及第2犧牲層5 上形成的 半導(dǎo)體層13，將半導(dǎo)體層13以單元40為單位分割。從而，不必像現(xiàn)有技術(shù)那樣進(jìn)行采 用了激光照射和/或金屬針等的劃線處理，因此可以降低半導(dǎo)體層13分割時(shí)對(duì)半導(dǎo)體層 13和/或半導(dǎo)體層13的下層部件的第1電極層12等的損傷。
(3)第1電極層12上形成第3犧牲層53后，在半導(dǎo)體層13上及第3犧牲層53 上形成第2電極層14。然后，通過(guò)去除第3犧牲層53以及第3犧牲層53上形成的第2 電極層14，將第2電極層14以單元40為單位分割。從而，不必像現(xiàn)有技術(shù)那樣進(jìn)行采 用了激光照射和/或金屬針等的劃線處理，因此，可以降低第2電極層14分割時(shí)對(duì)第2 電極層14和/或第2電極層14的下層部件的第1電極層12等的損傷。
另外，不限于上述的實(shí)施例，可以有以下的變形例。
(變形例1)
上述實(shí)施例中，形成了第1 第3犧牲層51 53，但是，也可以不必形成全部 的第1 第3犧牲層51 53。例如，也可以考慮第1電極層12、半導(dǎo)體層13、第2電 極層14的各層特性和/或?qū)Ω鲗拥膭澗€性等，適當(dāng)選擇第1 第3犧牲層51 53中的 任一犧牲層來(lái)形成。例如，也可以形成第1犧牲層51，通過(guò)去除第1犧牲層51以及第1 犧牲層51上形成的第1電極層12，將第1電極層12以單元40為單位分割，對(duì)于半導(dǎo)體 層13、第2電極層14，通過(guò)金屬針和/或激光照射將半導(dǎo)體層13或者第2電極層14以 單元40為單位分割。這樣，可以提高制造設(shè)計(jì)的自由度。
(變形例2)
上述實(shí)施例中，說(shuō)明了從第2電極層14側(cè)受光的CIGS型的太陽(yáng)電池1的構(gòu)成 等，但是也可以是不僅從第2電極層14側(cè)還從基板10側(cè)可受光的CIGS型的太陽(yáng)電池 1。另外，該場(chǎng)合中，基板10采用具有透明性的基板。例如，玻璃基板、PET、有機(jī)系 透明基板等。通過(guò)采用具有透明性的基板，可以從基板10面受光。另外，第1電極層 12為具有透明性的電極層，例如，為ZnOAl等的透明電極(TCO Transparent Conducting Oxides)層。這是因?yàn)?，通過(guò)形成具有透明性的電極層，使得來(lái)自基板10側(cè)的入射光向 半導(dǎo)體層13透射。這樣也可以獲得與上述同樣的效果。
(變形例3)
上述實(shí)施例中，說(shuō)明了 CIGS型的太陽(yáng)電池1的構(gòu)成及制造方法，但是不限于此。也可以用于其他化合物半導(dǎo)體系的太陽(yáng)電池，例如，CcTTeS的太陽(yáng)電池。另外， 也可以用于Si系的太陽(yáng)電池，例如，Si薄膜型的太陽(yáng)電池。這樣也可以獲得與上述同樣 的效果。
權(quán)利要求
1.一種太陽(yáng)電池的制造方法，上述太陽(yáng)電池具備基板、第1電極層、半導(dǎo)體層和第2 電極層，該制造方法的特征在于，包括在上述基板上形成上述第1電極層的第1電極層形成工序；和 去除上述第1電極層的一部分，將上述第1電極層分割的第1電極層分割工序， 在上述第1電極層形成工序之前具有第1犧牲層形成工序，上述第1犧牲層形成工序 中，在與要去除上述第1電極層的一部分的部分對(duì)應(yīng)的上述基板的表面部分形成第1犧牲 層，在上述第1電極層形成工序中，在上述基板上及上述第1犧牲層上形成上述第1電極層，在上述第1電極層分割工序中，去除上述第1犧牲層以及形成于上述第1犧牲層上的 上述第1電極層。
2.—種太陽(yáng)電池的制造方法，上述太陽(yáng)電池具備基板、第1電極層、半導(dǎo)體層和第2 電極層，該制造方法的特征在于，包括在上述基板上形成上述第1電極層的第1電極層形成工序； 在上述第1電極層上形成上述半導(dǎo)體層的半導(dǎo)體層形成工序；以及 去除上述半導(dǎo)體層的一部分，將上述半導(dǎo)體層分割的半導(dǎo)體層分割工序， 在上述半導(dǎo)體層形成工序之前具有第2犧牲層形成工序，上述第2犧牲層形成工序 中，在與要去除上述半導(dǎo)體層的一部分的部分對(duì)應(yīng)的上述第1電極層的表面部分形成第2 犧牲層，在上述半導(dǎo)體層形成工序中，在上述第1電極層上及上述第2犧牲層上形成上述半導(dǎo) 體層，在上述半導(dǎo)體層分割工序中，去除上述第2犧牲層以及形成于上述第2犧牲層上的上 述半導(dǎo)體層。
3.—種太陽(yáng)電池的制造方法，上述太陽(yáng)電池具備基板、第1電極層、半導(dǎo)體層和第2 電極層，該制造方法的特征在于，包括在上述基板上形成上述第1電極層的第1電極層形成工序； 在上述第1電極層上形成上述半導(dǎo)體層的半導(dǎo)體層形成工序； 在上述半導(dǎo)體層上形成上述第2電極層的第2電極層形成工序；以及 去除上述第2電極層的一部分，將上述第2電極層分割的第2電極層分割工序， 在上述第2電極層形成工序之前具有第3犧牲層形成工序，上述第3犧牲層形成工序 中，在與要去除上述第2電極層的一部分的部分對(duì)應(yīng)的上述第1電極層的表面部分形成第 3犧牲層，在上述第2電極層形成工序中，在上述半導(dǎo)體層上及上述第3犧牲層上形成上述第2 電極層，在上述第2電極層分割工序中，去除上述第3犧牲層以及形成于上述第3犧牲層上的 上述第2電極層。
4.如權(quán)利要求1 3中任一項(xiàng)所述的太陽(yáng)電池的制造方法，其特征在于，在上述第1 第3犧牲層形成工序中，涂敷成為上述第1 第3犧牲層的材料的負(fù)型 感光性樹(shù)脂，使所涂敷的上述負(fù)型感光性樹(shù)脂干燥，來(lái)形成上述第1 第3犧牲層。
5.如權(quán)利要求1 4中任一項(xiàng)所述的太陽(yáng)電池的制造方法，其特征在于，上述第1 第3犧牲層形成工序中，形成厚度比要與上述第1 第3犧牲層一起被去 除的上述各層的厚度厚的上述第1 第3犧牲層。
全文摘要
本發(fā)明提供可削減劃線處理的可靠性高的太陽(yáng)電池的制造方法。上述太陽(yáng)電池具備基板、第1電極層、半導(dǎo)體層和第2電極層，上述太陽(yáng)電池的制造方法包括第1電極層形成工序，在上述基板上形成上述第1電極層；和第1電極層分割工序，去除上述第1電極層的一部分，將上述第1電極層分割，在上述第1電極層形成工序前具有第1犧牲層形成工序，上述第1犧牲層形成工序中在與要去除上述第1電極層的一部分的部分對(duì)應(yīng)的上述基板的表面部分形成第1犧牲層，上述第1電極層形成工序中，在上述基板上及上述第1犧牲層上形成上述第1電極層，上述第1電極層分割工序中，去除上述第1犧牲層以及在上述第1犧牲層上形成的上述第1電極層。
文檔編號(hào)H01L31/18GK102024876SQ201010287108
公開(kāi)日2011年4月20日 申請(qǐng)日期2010年9月15日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月15日
發(fā)明者傳田敦, 齋藤?gòu)V美 申請(qǐng)人:精工愛(ài)普生株式會(huì)社