專利名稱：有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備。
背景技術(shù)：
有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備所使用的有機(jī)發(fā)光元件是自發(fā)光元件，該自發(fā)光元件具有在 其兩個(gè)電極(即陰極和陽極)之間形成的發(fā)光層。在該有機(jī)發(fā)光元件中，來自陰極的電 子和來自陽極的空穴被注入到發(fā)光層中并相結(jié)合而產(chǎn)生激子(exciton)，并且當(dāng)激子從激 發(fā)態(tài)下降到基態(tài)時(shí)發(fā)出光。使用有機(jī)發(fā)光元件的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備根據(jù)其光發(fā)出方向可以分類為頂部發(fā)射 型、底部發(fā)射型和雙發(fā)射型，而根據(jù)其驅(qū)動方法可以分類為無源矩陣型和有源矩陣型。頂部發(fā)射型有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備包括設(shè)置在其底部并由ITO(銦錫氧化物)形成的 陽極和設(shè)置在其頂部并由Al形成的陰極。頂部發(fā)射型有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備由于其薄陰極而 具有高陰極電阻，因此為了使驅(qū)動電壓升高，要增大接地電壓，并由于不均勻發(fā)光而導(dǎo) 致顯示質(zhì)量劣化。因而，為了防止驅(qū)動電壓增大并防止顯示質(zhì)量下降，在位于顯示器與 掃描驅(qū)動器之間的邊框區(qū)(bezel area)中形成有偽接地線。然而，在邊框區(qū)中形成的常規(guī) 的偽接電線既厚又寬，因此邊框區(qū)增大，從而導(dǎo)致在設(shè)計(jì)緊湊型顯示設(shè)備時(shí)存在困難。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)方面是提供一種有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，該有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備包括 在基板上限定的顯示區(qū)，該顯示區(qū)包括具有子像素的顯示部；多個(gè)掃描驅(qū)動器區(qū)，所述 掃描驅(qū)動器區(qū)分別位于所述顯示區(qū)的左側(cè)和右側(cè)并包括向所述子像素提供掃描信號的多 個(gè)掃描驅(qū)動器；多個(gè)偽區(qū)域，所述偽區(qū)域分別限定在所述顯示區(qū)與所述掃描驅(qū)動器區(qū)之 間；以及多個(gè)布線區(qū)，所述布線區(qū)限定在各個(gè)所述掃描驅(qū)動器區(qū)的外部，并包括選通線 和源極/漏極線，所述選通線與所述源極/漏極線通過形成在所述基板上并分別位于不同 層的多個(gè)絕緣層而彼此絕緣，其中，設(shè)置在所述布線區(qū)中的線路中的至少一個(gè)通過設(shè)置 在所述掃描驅(qū)動器區(qū)中的陽極電連接至位于所述顯示區(qū)中的陰極。


將參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)現(xiàn)方式，在附圖中，相同的附圖標(biāo)記指代相同 的元件。圖1是有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的一種實(shí)現(xiàn)方式的平面圖；圖2是子像素的電路圖；圖3是子像素的截面圖；圖4是有機(jī)發(fā)光二極管的截面圖；圖5是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一個(gè)實(shí)施方式的在圖1中示出的區(qū)域I-II的截面圖；圖6和圖7是圖1中所示有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的經(jīng)修改的實(shí)現(xiàn)方式的截面圖8是圖5中所示的實(shí)現(xiàn)方式與一個(gè)比較例的比較圖；圖9是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一實(shí)施方式的在圖1中示出的區(qū)域I-II的截面圖；以 及圖10、11和12是圖9中所示結(jié)構(gòu)的經(jīng)修改的實(shí)現(xiàn)方式的截面圖。
具體實(shí)施例方式下面，將參照附圖詳細(xì)說明本發(fā)明的實(shí)現(xiàn)方式。參照圖1，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一個(gè)實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備包括基板110、 顯示部AA、數(shù)據(jù)驅(qū)動器DD、掃描驅(qū)動器SD、焊盤(pad)區(qū)PA、布線區(qū)WA以及附接 至基板110的覆蓋基板180。顯示部AA位于基板110的中央。顯示部AA包括以矩陣形式排列的子像素SP。 這些子像素SP通過設(shè)置在布線區(qū)WA中的數(shù)據(jù)線連接至數(shù)據(jù)驅(qū)動器DD，通過設(shè)置在布 線區(qū)WA中的掃描線連接至掃描驅(qū)動器SD，并通過位于布線區(qū)WA中的電源線連接至電 源。子像素SP可以配置成2T1C(2個(gè)晶體管和1個(gè)電容器)結(jié)構(gòu)，該2T1C結(jié)構(gòu)包括開 關(guān)晶體管、驅(qū)動晶體管、電容器和有機(jī)發(fā)光二極管，或者子像素SP可以配置成除了包括 2T1C以外還包括一個(gè)晶體管和一個(gè)電容器的結(jié)構(gòu)。在2T1C結(jié)構(gòu)中，單個(gè)子像素SP中包括的元件可以如圖2所示地連接。開關(guān)晶 體管Sl的柵極連接至掃描線SLl (通過該掃描線SLl施加掃描信號)，開關(guān)晶體管Sl的 第一端子連接至數(shù)據(jù)線DLl (通過該數(shù)據(jù)線DLl施加數(shù)據(jù)信號)并且其第二端子連接至第 一節(jié)點(diǎn)A。驅(qū)動晶體管Tl的柵極連接至第一節(jié)點(diǎn)A，驅(qū)動晶體管Tl的第一端子耦接至 第二節(jié)點(diǎn)B并且其第二端子連接至第三節(jié)點(diǎn)C，其中第二節(jié)點(diǎn)B連接至被提供了高電壓的 第一電源線VDD。電容器Cst的第一端子連接至第一節(jié)點(diǎn)A并且其第二端子連接至第二 節(jié)點(diǎn)B。有機(jī)發(fā)光二極管D的陽極連接至第三節(jié)點(diǎn)C和驅(qū)動晶體管Tl的第二端子，其 陰極連接至被施加了低電壓的第二電源線GND。雖然在本說明書中，包含在子像素SP中的晶體管Sl和Tl是P型晶體管，但本 發(fā)明構(gòu)思的實(shí)現(xiàn)方式不限于此。通過第一電源線VDD施加的高電壓可以高于通過第二電 源線GND施加的低電壓?？梢愿鶕?jù)驅(qū)動方法而切換通過第一電源線VDD和第二電源線 GND施加的電壓電平。下面將說明上述子像素SP的操作。當(dāng)通過掃描線SLl提供掃描信號時(shí)，開關(guān)晶 體管Sl導(dǎo)通。當(dāng)通過數(shù)據(jù)線DLl提供的數(shù)據(jù)信號通過導(dǎo)通的開關(guān)晶體管Sl被提供至第 一節(jié)點(diǎn)A時(shí)，該數(shù)據(jù)信號被存儲在電容器Cst中作為數(shù)據(jù)電壓。然后，當(dāng)掃描信號被切 斷并且開關(guān)晶體管Sl截止時(shí)，根據(jù)存儲在電容器Cst中的數(shù)據(jù)電壓對驅(qū)動晶體管Tl進(jìn)行 驅(qū)動。當(dāng)通過第一電源線VDD提供的高電壓被傳送到第二電源線GND時(shí)，有機(jī)發(fā)光二 極管D發(fā)出光。該驅(qū)動方法是示例性的，并且本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)現(xiàn)方式不限于此。焊盤區(qū)PA位于基板110的邊緣區(qū)域中。焊盤區(qū)PA通過各向異性導(dǎo)電膜連接至 外部基板，并耦接至布線區(qū)WA以將從外部設(shè)備提供的各種驅(qū)動信號和電力傳送到顯示 部AA、數(shù)據(jù)驅(qū)動器DD和掃描驅(qū)動器SD。布線區(qū)WA將從焊盤區(qū)PA提供的驅(qū)動信號和電力傳送到顯示部AA、數(shù)據(jù)驅(qū)動 器DD和掃描驅(qū)動器SD。布線區(qū)WA包括用于將數(shù)據(jù)信號傳送到數(shù)據(jù)驅(qū)動器DD的數(shù)據(jù)線、用于將時(shí)鐘信號傳送到掃描驅(qū)動器SD的時(shí)鐘信號線、以及用于將高電壓和低電壓傳 送到顯示部AA的電源線VDD和GND。在下文中，用于傳送低電壓的電源線被稱為接 地線。數(shù)據(jù)驅(qū)動器DD位于顯示部AA和焊盤區(qū)PA之間。數(shù)據(jù)驅(qū)動器DD以IC (集成 電路)形式安裝在基板110上。數(shù)據(jù)驅(qū)動器DD根據(jù)從焊盤區(qū)PA提供的驅(qū)動信號而生成 數(shù)據(jù)信號，并將該數(shù)據(jù)信號提供至子像素SP。掃描驅(qū)動器SD設(shè)置在顯示部AA的左側(cè)和右側(cè)。掃描驅(qū)動器SD以GIP(板內(nèi) 柵極)形式安裝在基板110上。掃描驅(qū)動器SD根據(jù)從焊盤區(qū)PA提供的驅(qū)動信號而生成 掃描信號，并將該掃描信號提供至子像素SP。下面更詳細(xì)地描述子像素SP。參照圖3和4，柵極111形成于基板110上。柵極111可以由從包括Mo、Al、 Cr、Au、Ti、Ni、Nd和Cu或者這些材料的合金的組中選擇的一種材料形成。柵極111 可以是如下的多層結(jié)構(gòu)，該多層結(jié)構(gòu)由從包括Mo、Al、Cr、Au、Ti、Ni、Nd和Cu或 者這些材料的合金的組中選擇的一種材料形成。此外，柵極111可以是Mo/Al-Nd或者 Mo/Al的雙層。第一絕緣層113形成于柵極111上。第一絕緣層113可以由SiOx、SiNx形成， 或者可以是由SiOx和SiNx形成的多層。在第一絕緣層113上形成有源層114。有源層114可以包括非晶硅或多晶硅。 有源層114包括溝道區(qū)(未示出)、源區(qū)(未示出)和漏區(qū)(未示出)。源區(qū)和漏區(qū)可以 摻雜有P型或N型雜質(zhì)。而且，有源區(qū)114可以包括用于降低接觸電阻的歐姆接觸層。在有源層114上形成有源極115a和漏極115b。源極115a和漏極115b可以由 單層或多層形成。當(dāng)源極115a和漏極115b由單層形成時(shí)，源極115a和漏極115b可以 由從包括Mo、Al、Cr、Au、Ti、Ni、Nd和Cu或者這些材料的合金的組中選擇的一種 材料形成。當(dāng)源極115a和漏極115b由多層形成時(shí)，源極115a和漏極115b可以由Mo/ Al-Nd的雙層形成，或者由Mo/Al/Mo的三層或Mo/Al_Nd/Mo的三層形成。在源極115a和漏極115b上形成有第二絕緣層117。第二絕緣層117可以由 SiOx、SiNx形成，或者可以是由SiOx和SiNx形成的多層。然而，第二絕緣層117并不 限于此。第二絕緣層117可以是鈍化層。已經(jīng)描述了位于基板110上的驅(qū)動晶體管。下面將描述設(shè)置在驅(qū)動晶體管上的 有機(jī)發(fā)光二極管。在第二絕緣層117上形成有陽極118。陽極118可以由例如ITO或IZO (銦鋅氧 化物)的透明材料形成。然而，陽極118的材料不限于此。在陽極118上形成部分地暴露出陽極118的提層(bank layer) 120。該提層120 可以由諸如苯并環(huán)丁烯(benzocyclobutene，BCB)樹脂、丙烯酸樹脂或聚酰亞胺樹脂的有 機(jī)材料形成。然而，提層120的材料不限于此。在通過提層120暴露出的陽極118上形成了有機(jī)發(fā)光層121。該有機(jī)發(fā)光層 121包括空穴注入層121a、空穴傳輸層121b、發(fā)射層121c、電子傳輸層121d和電子注 入層121e，如圖4所示?？昭ㄗ⑷雽?21a可以允許空穴平穩(wěn)地注入，并且空穴注入層 121a可以由從包括CuPc(銅酞菁)、PEDOT(聚(3，4)-乙撐二氧噻吩)、PANI(聚苯胺)和NPD(N，N，_ 二萘基-N，N，_ 二苯基聯(lián)苯胺)的組中選擇的一種或更多種 材料形成。然而，空穴注入層121a的材料不限于此?？昭▊鬏攲?21b可以平穩(wěn)地傳 輸空穴，且空穴傳輸層121b可以由從包括NPD(N，N，_ 二萘基-N，N，-二苯基聯(lián) 苯胺)、TPD(N, N，-雙(3-甲基苯基)-N，N，-雙(苯基)_聯(lián)苯胺)、s-TAD和 MTDATA(4，3，，4” -三(N_3_甲基苯基_N_苯基-氨基)-三苯胺)的組中選擇的一 種或更多種材料形成。然而，空穴傳輸層121b的材料不限于此。發(fā)射層121c包括基質(zhì) (host)和摻雜劑(dopant)。發(fā)射層121c可以包括發(fā)出綠色光、藍(lán)色光和白色光的材料， 并且可以使用磷光材料或者熒光材料形成。如果發(fā)射層121c發(fā)出紅色光，則發(fā)射層121c 具有包括CPB (咔唑聯(lián)苯，carbazol biphenyl)或mCP (1，3-雙(咔唑-9-基))的基質(zhì)材 料，并且可以由具有摻雜劑的磷光材料形成，該摻雜劑包括從包括PIQIr(acac)(雙(1-苯 基異喹啉)乙酰丙酮銥)、PQIr (acac)(雙(1-苯基喹啉)乙酰丙酮銥)和PtOEP (八乙基 卟啉鉬)的組中選擇的一種或更多種材料。此外，發(fā)出紅色光的發(fā)射層121c可以由包括 PBD:Eu(DBM)3(Phen)或茈的熒光材料形成。然而，發(fā)出紅色光的發(fā)射層121c的材料不 限于此。如果發(fā)射層121c發(fā)出綠色光，則發(fā)射層121c具有包括CBP或mCP的基質(zhì)材 料，并且可以由具有摻雜劑的磷光材料形成，該摻雜劑包括Ir(ppy)3(面式-三(2-苯基吡 啶)銥)。此外，發(fā)出綠色光的發(fā)射層121c可以由包括Alq3(三(8-羥基喹啉)鋁)的 熒光材料形成。然而，發(fā)出綠色光的發(fā)射層121c的材料不限于此。如果發(fā)射層121c發(fā) 出藍(lán)色光，則發(fā)射層121c具有包括CBP或mCP的基質(zhì)材料，并且可以由具有摻雜劑的磷 光材料形成，該摻雜劑包括(4，6-F2ppy)2Irpic。此外，發(fā)出藍(lán)色光的發(fā)射層121c可以 由包括從以下組中選擇的一種材料的熒光材料形成，該組包括spiro-DPVBi、spiro-6P, DSB, DSA，PFO聚合物和PPV聚合物。然而，發(fā)出藍(lán)色光的發(fā)光層121c的材料不限 于此。電子傳輸層121d允許電子平穩(wěn)地傳輸，并且電子傳輸層121d可以由從Alq3(三 (8-羥基喹啉)鋁))、PBD> TAZ> spiro-PBD、BAlq和SAlq中選擇的材料形成。然 而，電子傳輸層121d的材料不限于此。電子注入層121e使得電子能夠平穩(wěn)地注入，并且 電子注入層121e可以由Alq3(三(8-羥基喹啉)鋁))、PBD> TAZ> LiF> spiro-PBD> BAlq或SAlq形成。然而，電子注入層121e的材料不限于此。本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施方式不 限于圖4的結(jié)構(gòu)，而是可以省略空穴注入層121a、空穴傳輸層121b、電子傳輸層121d和 電子注入層121e中的至少一個(gè)，或者可以增加其他的功能層。同時(shí)，空穴注入層121a、 空穴傳輸層121b、電子傳輸層121d和電子注入層121e限定在公共層中。然而，該公共 層不限于此。陰極122形成在有機(jī)發(fā)光層121上。陰極122可以由Al或AlNd形成。然而， 陰極122的材料不限于此。具有上述子像素結(jié)構(gòu)的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備是在由透明材料形成的陰極122的方 向上顯示圖像的頂部發(fā)射型有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備。下面將詳細(xì)描述圖1中所示的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備。參照圖1至圖5，顯示區(qū)AAA、偽區(qū)域DMA、掃描驅(qū)動器區(qū)SDA、布線區(qū)DWA
和邊緣區(qū)EDA限定在基板110上。這里，偽區(qū)域DMA、掃描驅(qū)動器區(qū)SDA、布線區(qū) DWA和邊緣區(qū)EDA被定義為邊框區(qū)。顯示區(qū)AAA對圖像進(jìn)行顯示。包括以矩陣形式排列的子像素SP的顯示部AA位于顯示區(qū)AAA中。陰極122設(shè)置在顯示部AA上。位于顯示部AA上的陰極122是 通過與形成子像素SP的陰極122的工藝相同的工藝，由與子像素SP的陰極122的材料相 同的材料形成。陰極122通常形成在顯示區(qū)AAA上。掃描驅(qū)動器區(qū)SDA限定在顯示區(qū)AAA的左側(cè)和右側(cè)。向包括在顯示部AA內(nèi) 的子像素SP提供掃描信號的掃描驅(qū)動器SD位于掃描驅(qū)動器區(qū)SDA中。陽極119設(shè)置 在掃描驅(qū)動器SD上。位于掃描驅(qū)動器SD上的陽極119是通過與形成子像素SP的陽極 118的工藝相同的工藝，由與子像素SP的陽極118的材料相同的材料形成。然而，位于 掃描驅(qū)動器SD上的陽極119不電連接至子像素SP的陽極118。偽區(qū)域DMA限定在顯示區(qū)AAA與掃描驅(qū)動器區(qū)SDA之間。用于向掃描驅(qū)動 器SD提供從外部設(shè)備供應(yīng)的時(shí)鐘信號的時(shí)鐘信號線CLK位于偽區(qū)域DMA中。而且， 用于根據(jù)從外部設(shè)備供應(yīng)的驅(qū)動信號對子像素SP進(jìn)行時(shí)效處理(aging)的時(shí)效開關(guān)(aging switch) AGSW和用于向時(shí)效開關(guān)AGSW供應(yīng)參考電壓的參考線VREF可以位于偽區(qū)域 DMA中。第一絕緣層113位于時(shí)鐘信號線CLK上，而與布線區(qū)WA中包括的接地線相 連接的偽接地線DGND位于第一絕緣層113上。偽接地線DGND位于形成有包括在顯 示部AA中的子像素SP的發(fā)射層和公共層的區(qū)域的外部。如圖5所示，形成有子像素 SP的發(fā)射層和公共層的區(qū)域與掃描驅(qū)動器區(qū)SDA相鄰。第二絕緣層117設(shè)置在偽接地 線DGND上，而提層120位于第二絕緣層117上。布線區(qū)DWA限定在掃描驅(qū)動器區(qū)SDA的外部。布線區(qū)DWA包括選通線112 和源極/漏極線115c及115d，選通線112和源極/漏極線115c及115d通過形成在基板 110上并位于不同層的絕緣層113及117而彼此絕緣。選通線112可以通過與形成柵極 111的工藝相同的工藝，由與子像素SP中包括的柵極111相同的材料形成。然而，選通 線112不限于此。選通線112和柵極111不彼此電連接。源極/漏極線115c及115d可 以通過與形成源極/漏極115a及115b的工藝相同的工藝，由與源極/漏極115a及115b 的材料相同的材料形成。然而，源極/漏極線115c及115d不限于此。源極/漏極線 115c及115d不電連接至源極/漏極115a及115b。源極/漏極線115c及115d包括設(shè)置 在與附接構(gòu)件170相對應(yīng)的區(qū)域內(nèi)的第一源極/漏極線115c以及與掃描驅(qū)動器SD相鄰的 第二源極/漏極線115d。在上述結(jié)構(gòu)中，位于布線區(qū)DWA內(nèi)的線中的至少一個(gè)通過設(shè)置在掃描驅(qū)動器區(qū) SDA中的陽極119而電連接至位于顯示區(qū)AAA中的陰極122。更具體而言，位于布線區(qū) DWA中的選通線112以及第二源極/漏極線115d通過在第一絕緣層113中形成的第一接 觸孔CHl彼此連接。設(shè)置在布線區(qū)DWA中的第二源極/漏極線115d與位于掃描驅(qū)動器 區(qū)SDA中的陽極119通過在第二絕緣層117中形成的第二接觸孔CH2彼此連接。位于掃 描驅(qū)動器區(qū)SDA中的陽極119與設(shè)置在偽區(qū)域DMA中的偽接地線DGND通過在第二絕 緣層117中形成的第三接觸孔CH3彼此連接。位于偽區(qū)域DMA中的偽接地線DGND與 位于顯示部AA上的陰極122通過在第二絕緣層117和提層120中形成的第四接觸孔CH4 彼此連接。這里，位于顯示部AA上的陰極122延伸到偽區(qū)域DMA的邊緣(即，與掃描 驅(qū)動器SD相鄰的掃描驅(qū)動器區(qū)SDA)，以連接至偽接地線DGND。與掃描驅(qū)動器SD相 鄰的區(qū)域可以是沒有形成公共層或者包括在有機(jī)發(fā)光層中的有機(jī)材料的區(qū)域。第一源極 /漏極線115c與位于布線區(qū)DWA中的選通線112可以通過在第一絕緣層113中形成的第五接觸孔CH5彼此連接。選通線112與第一源極/漏極線115c的連接可以用于在由玻璃 料(frit)形成附接構(gòu)件170時(shí)形成熱傳導(dǎo)路徑。然而，如圖6所示，可以省略選通線112 與第一源極/漏極線115c的連接。此外，如圖7所示，可以在偽區(qū)域DMA中形成偽像 素DSP，而不是圖5和6中所示的時(shí)效開關(guān)AGSW和參考線VREF。將圖5中所示的結(jié)構(gòu)與比較例進(jìn)行比較。參見圖8中的虛線圓refl，在該比較例的結(jié)構(gòu)中，在偽區(qū)域DMA中形成既寬又 厚的偽接地線DGND，以減小用作透明電極的陰極122的電阻。在偽區(qū)域DMA中形成 的偽接地線DGND連接至位于顯示部AA中的陰極122。參見圖8中的三個(gè)虛線圓embl、emb2和emb3，在位于偽區(qū)域DMA中的時(shí)鐘 信號線CLK上形成偽接地線DGND，以減小用作透明電極的陰極122的電阻。位于顯示 區(qū)AAA中的陰極122連接至設(shè)置在偽區(qū)域DMA中的偽接地線DGND、位于掃描驅(qū)動器 區(qū)SDA中的陽極119、以及設(shè)置在布線區(qū)DWA中的選通線112。S卩，在本實(shí)施方式中， 在時(shí)鐘信號線CLK上形成位于基板110上并在偽區(qū)域DMA中的偽接地線DGND，因此 邊框區(qū)變得小于比較例的結(jié)構(gòu)中的邊框區(qū)。此外，在本實(shí)施方式中，位于顯示區(qū)AAA中 的陰極122延伸至位于布線區(qū)DMA中的選通線112，因此與比較例相比，能夠減小陰極 122的電阻。參照圖1至圖9，在基板110上限定顯示區(qū)AAA、偽區(qū)域DMA、掃描驅(qū)動器區(qū) SDA、布線區(qū)DWA和邊緣區(qū)EDA。這里，偽區(qū)域DMA、掃描驅(qū)動器區(qū)SDA、布線區(qū) DWA和邊緣區(qū)EDA被定義為邊框區(qū)。在當(dāng)前實(shí)施方式中，連接到陽極119的第二源極/漏極線115d耦接至位于布線 區(qū)WA中的接地線，因此省略了偽接地線，這與圖5中所示的上述實(shí)施方式不同。此外， 位于顯示部AA上的陰極122延伸至掃描驅(qū)動器區(qū)SDA以與陽極119直接接觸。因而， 與上述實(shí)施方式相比，處理可以簡化。第一源極/漏極線115c與位于布線區(qū)DWA中的選通線112可以通過在第一絕緣 層113中形成的第五接觸孔CH5彼此連接。選通線112與第一源極/漏極線115c的連接 可以用于在由玻璃料(frit)形成附接構(gòu)件170時(shí)形成熱傳導(dǎo)路徑。然而，如圖10所示， 可以省略該連接。此外，如圖11所示，可以在偽區(qū)域DMA中形成偽接地線DGND。此外，如圖 12所示，偽像素DSP，而不是圖9、10和11中所示的時(shí)效開關(guān)AGSW和參考線VREF， 可以位于偽區(qū)域DMA中。如上所述，本發(fā)明提供了一種頂部發(fā)射型有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其能夠減小用作 透明電極的陰極的電阻，從而防止驅(qū)動電壓升高或者防止顯示質(zhì)量由于發(fā)光不均勻而劣 化。而且，可以修改用于減小陰極的電阻的偽接地線的結(jié)構(gòu)以減小邊框區(qū)，從而設(shè)計(jì)緊 湊型顯示設(shè)備。此外，在形成有附接構(gòu)件的密封區(qū)中形成了熱傳導(dǎo)路徑，因此能夠防止 顯示面板的特性由于玻璃料所需的高處理溫度而劣化。前述實(shí)施方式和優(yōu)點(diǎn)僅是示例性的，而不應(yīng)解釋為限制本發(fā)明。此處的教導(dǎo)能 夠容易地應(yīng)用于其他類型的裝置。前述實(shí)施方式的描述是出于例示的目的，而不是為了 限定所要求保護(hù)的范圍。多種替換、修改和變型對本領(lǐng)域技術(shù)人員而言是顯而易見的。 在權(quán)利要求書中，裝置加功能的限定方式旨在涵蓋此處描述的執(zhí)行所述功能的結(jié)構(gòu)，并且不僅涵蓋了結(jié)構(gòu)上的等同物，而且涵蓋了等同結(jié)構(gòu)。 本申請要求于2009年9月17日提交的韓國專利申請Νο.10-2009_0088240的優(yōu)
先權(quán)，以引證方式將其合并于此。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，該有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備包括在基板上限定的顯示區(qū)，該顯示區(qū)包括具有子像素的顯示部；多個(gè)掃描驅(qū)動器區(qū)，所述多個(gè)掃描驅(qū)動器區(qū)分別位于所述顯示區(qū)的左側(cè)和右側(cè)，并 且包括用于向所述子像素提供掃描信號的掃描驅(qū)動器；多個(gè)偽區(qū)域，所述多個(gè)偽區(qū)域分別限定在所述顯示區(qū)與所述掃描驅(qū)動器區(qū)之間；以及布線區(qū)，所述布線區(qū)限定在各個(gè)所述掃描驅(qū)動器區(qū)的外部，并且包括選通線和源極/ 漏極線，所述選通線和所述源極/漏極線通過形成在所述基板上并且分別位于不同層的多 個(gè)絕緣層彼此絕緣，其中，設(shè)置在所述布線區(qū)中的線中的至少一個(gè)通過設(shè)置在所述掃描驅(qū)動器區(qū)中的陽 極電連接至位于所述顯示區(qū)中的陰極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，該有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備還包括偽接地線， 所述偽接地線位于所述偽區(qū)域中并由與所述源極/漏極線的材料相同的材料形成，其中，所述陽極和所述陰極通過所述偽接地線彼此電連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中，所述偽接地線位于形成有設(shè)置在 所述顯示部中的子像素的發(fā)射層和公共層的區(qū)域的外部。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中，所述源極/漏極線包括與所述掃 描驅(qū)動器區(qū)相鄰的第一源極/漏極線和第二源極/漏極線，所述選通線通過在覆蓋所述選 通線的第一絕緣層中形成的第一接觸孔連接至所述第二源極/漏極線，并且所述第二源 極/漏極線通過在覆蓋所述第二源極/漏極線的第二絕緣層中形成的第二接觸孔連接至所 述陽極。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中，所述陽極通過在覆蓋所述偽接地 線的所述第二絕緣層中形成的第三接觸孔連接至所述偽接地線，并且所述陰極通過在覆 蓋所述偽接地線的所述第二絕緣層和第三絕緣層中形成的第四接觸孔連接至所述偽接地 線。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中，所述選通線通過在覆蓋所述選通 線的所述第一絕緣層中形成的第五接觸孔連接至所述第一源極/漏極線。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中，所述陰極延伸至與所述掃描驅(qū)動 器區(qū)相鄰的區(qū)域。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中，在所述第一源極/漏極線上形成 有附接構(gòu)件。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中，所述陰極延伸至所述掃描驅(qū)動器 區(qū)的頂部，以電連接到所述陽極。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中，所述源極/漏極線包括與所述掃 描驅(qū)動器區(qū)相鄰的所述第一源極/漏極線和所述第二源極/漏極線，并且所述第二源極/ 漏極線連接至被供應(yīng)了低電壓的接地線。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中，所述偽區(qū)域包括以下中的至少 一個(gè)用于將從外部設(shè)備供應(yīng)的時(shí)鐘信號傳送到所述掃描驅(qū)動器的時(shí)鐘信號線、用于對 所述子像素進(jìn)行時(shí)效處理的時(shí)效開關(guān)、以及以與所述子像素相似的結(jié)構(gòu)形成的偽像素。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，該有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備包括在基板上限定的顯示區(qū)，該顯示區(qū)包括具有子像素的顯示部；多個(gè)掃描驅(qū)動器區(qū)，所述多個(gè)掃描驅(qū)動器區(qū)分別位于所述顯示區(qū)的左側(cè)和右側(cè)，并且包括用于向所述子像素提供掃描信號的掃描驅(qū)動器；多個(gè)偽區(qū)域，所述多個(gè)偽區(qū)域分別限定在所述顯示區(qū)與所述掃描驅(qū)動器區(qū)之間；以及布線區(qū)，所述布線區(qū)限定在各個(gè)所述掃描驅(qū)動器區(qū)的外部，并且包括選通線和源極/漏極線，所述選通線和所述源極/漏極線通過形成在所述基板上并且分別位于不同層的多個(gè)絕緣層彼此絕緣，其中，設(shè)置在所述布線區(qū)中的線中的至少一個(gè)通過設(shè)置在所述掃描驅(qū)動器區(qū)中的陽極電連接至位于所述顯示區(qū)中的陰極。
文檔編號H01L27/32GK102024421SQ20101028687
公開日2011年4月20日 申請日期2010年9月16日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月17日
發(fā)明者沈載昊, 洪淳光 申請人:樂金顯示有限公司