專利名稱：半導(dǎo)體器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明大體涉及一種半導(dǎo)體器件及其制造方法，更確切地說，涉及一種能夠通過 減少有機(jī)電致發(fā)光顯示器件內(nèi)部的電容器表面面積來提高有機(jī)電致發(fā)光顯示器件的孔徑 比的半導(dǎo)體器件及制造該半導(dǎo)體器件的方法。
背景技術(shù)：
在平板顯示器件中，例如有源矩陣有機(jī)電致發(fā)光顯示器件，也叫做有機(jī)發(fā)光二極 管(OLED)顯示器，每個(gè)單元像素包括(1)連接于柵極線、數(shù)據(jù)線和電源線的薄膜晶體管， ⑵電容器，及⑶有機(jī)電致發(fā)光元件。形成該電容器的同時(shí)，也形成了柵極線、柵極電極、 數(shù)據(jù)線、源極/漏極電極及電源線。在這樣的平板顯示器件中，通常使用增大電容器表面面 積的方法，減小形成于電容器電極之間的電介質(zhì)膜厚度的方法，或使用具有高電介質(zhì)常數(shù) 的電介質(zhì)膜的方法來提高該電容器的電容量。然而，增大電容器表面面積的方法可能導(dǎo)致 孔徑比的降低，而且減小電介質(zhì)膜厚度的方法需要多一個(gè)制造程序，因此，該制造需要增加 工序數(shù)量。圖1是示范有機(jī)電致發(fā)光顯示器件的平面示意圖。參見圖1，該有源矩陣有機(jī)電致 發(fā)光顯示器件包括多個(gè)柵極線110，多個(gè)數(shù)據(jù)線120，多個(gè)電源線130和多個(gè)連接于柵極線 110、數(shù)據(jù)線120和電源線130的像素。每個(gè)像素包括一個(gè)連接于多個(gè)柵極線110中相應(yīng)柵極線和多個(gè)數(shù)據(jù)線120中相應(yīng) 數(shù)據(jù)線的開關(guān)薄膜晶體管(TFT) 170。每個(gè)像素進(jìn)一步包括一個(gè)用于驅(qū)動(dòng)電致發(fā)光元件160 而設(shè)置的驅(qū)動(dòng)TFT150，其中，該驅(qū)動(dòng)TFT150連接于相應(yīng)的電源線130，每個(gè)像素還包括一個(gè) 用于儲存驅(qū)動(dòng)TFT150的柵極-源極電壓而設(shè)置的電容器140，和該電致發(fā)光元件160。該驅(qū)動(dòng)TFT150包括具有源極和漏極區(qū)域的半導(dǎo)體層152，柵極電極154，和分別 通過接觸孔155a、155b連接于源極和漏極區(qū)域的源極和漏極電極156a和156b。該開關(guān) TFT170具有與驅(qū)動(dòng)TFT150 —樣的結(jié)構(gòu)。該電容器140包括連接于開關(guān)TFT170的源極和漏極電極之一(比如，源極電極) 和驅(qū)動(dòng)TFT150的柵極電極的下電極144。該電容器140進(jìn)一步包括連接于驅(qū)動(dòng)TFT150的 源極和漏極電極之一(比如，源極電極156a)和共用電源線130的上電極146。每個(gè)像素電 極161是具有開孔的電致發(fā)光元件的陽電極，它通過通孔158連接于驅(qū)動(dòng)TFT150的源極和 漏極電極156a、156b之一(比如，漏極電極156b)。在上面描述的示范有機(jī)電致發(fā)光顯示器件中，一個(gè)像素被分為由TFT和電容器提 供的非發(fā)光區(qū)域和由電致發(fā)光元件提供的發(fā)光區(qū)域。增大非發(fā)光區(qū)域會相應(yīng)地減小發(fā)光區(qū) 域。然而，該電容器相對來說占據(jù)了該像素中的很大面積，而增加器件集成需要高容量的電 容器。因此，由于像素中需要增大高容量電容器的面積，發(fā)光區(qū)域的面積要減小，由此會降
4低有機(jī)電致發(fā)光顯示器件的孔徑比。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決前面提到的問題，本發(fā)明的實(shí)施例包括一種能在不需要額外進(jìn)行另一個(gè) 掩模工序的情況下減小電容器表面積的半導(dǎo)體器件，由此提高有機(jī)電致發(fā)光顯示器件的孔 徑比。制造半導(dǎo)體器件方法的實(shí)施例包括使用形成源極和漏極區(qū)域的離子注入掩模作為蝕 刻掩模，去除預(yù)定厚度的柵極絕緣膜。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，半導(dǎo)體器件包括多個(gè)形成于分為第一區(qū)域和第二區(qū)域的 襯底上的半導(dǎo)體層圖形，和一個(gè)形成于包括半導(dǎo)體層圖形的半導(dǎo)體器件的整個(gè)表面上的絕 緣膜。該絕緣膜在第一區(qū)域的一部分和第二區(qū)域上具有第一厚度，它小于在第一區(qū)域中的 半導(dǎo)體層圖形的中心部分上的第二厚度，該半導(dǎo)體器件進(jìn)一步包括形成于絕緣膜上的導(dǎo)電 層圖形，用于覆蓋第一區(qū)域中半導(dǎo)體層圖形的中心部分和第二區(qū)域中的半導(dǎo)體層圖形。根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，半導(dǎo)體器件包括多個(gè)在分為第一區(qū)域、第二區(qū)域和第 三區(qū)域的襯底上的半導(dǎo)體層圖形。該半導(dǎo)體器件進(jìn)一步包括一個(gè)形成于半導(dǎo)體器件的整個(gè) 表面上(包括半導(dǎo)體層圖形)的絕緣膜。該絕緣膜在第二區(qū)域的一部分和第三區(qū)域上具有 第一厚度，它小于第一區(qū)域上及第二區(qū)域中的半導(dǎo)體層圖形的中心部分的第二厚度。該半 導(dǎo)體器件還包括形成于絕緣膜之上的導(dǎo)電層圖形，用于覆蓋第一和第二區(qū)域內(nèi)的半導(dǎo)體層 圖形的中心部分和第三區(qū)域的半導(dǎo)體層圖形。根據(jù)本發(fā)明的再一個(gè)方面，制造半導(dǎo)體器件的方法包括在分為第一區(qū)域和第二 區(qū)域的襯底上形成多個(gè)半導(dǎo)體層圖形，和在包括半導(dǎo)體層圖形的襯底表面上形成一絕緣 膜。該方法進(jìn)一步包括在絕緣膜上形成用于覆蓋第一區(qū)域內(nèi)半導(dǎo)體層圖形的中心部分的光 致抗蝕劑圖形，并使用該光致抗蝕劑圖形作為離子注入掩模將雜質(zhì)離子注入第一和第二區(qū) 域的半導(dǎo)體層圖形內(nèi)。該方法還包括使用光致抗蝕劑圖形作為蝕刻掩模，將暴露在第一和 第二區(qū)域的絕緣膜去除預(yù)定的厚度；去除該光致抗蝕劑圖形；和在第一區(qū)域的半導(dǎo)體層圖 形的中心部分上及第二區(qū)域的半導(dǎo)體層圖形上形成導(dǎo)電層圖形。根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)方面，制造半導(dǎo)體器件的方法包括在分為第一區(qū)域、第二區(qū) 域和第三區(qū)域的襯底上形成多個(gè)半導(dǎo)體層圖形，和在包括半導(dǎo)體層圖形的襯底表面上形成 一絕緣膜。該方法進(jìn)一步包括在絕緣膜上形成用于覆蓋第一區(qū)域和第二區(qū)域內(nèi)半導(dǎo)體層圖 形的中心部分的光致抗蝕劑圖形，并使用該光致抗蝕劑圖形作為離子注入掩模將高濃度的 第一導(dǎo)電型雜質(zhì)離子注入第二和第三區(qū)域的半導(dǎo)體層圖形內(nèi)。該方法進(jìn)一步包括使用光 致抗蝕劑圖形作為蝕刻掩模，去除暴露在第二和第三區(qū)域的絕緣膜預(yù)定的厚度，并去除該 光致抗蝕劑圖形。該方法還包括在第一和第二區(qū)域內(nèi)的半導(dǎo)體層圖形的中心部分上及第 三區(qū)域的半導(dǎo)體層圖形上形成導(dǎo)電層圖形，將低濃度的第一導(dǎo)電型雜質(zhì)離子注入第二區(qū)域 的半導(dǎo)體層圖形，以及將高濃度的第二導(dǎo)電型雜質(zhì)離子注入第一區(qū)域的半導(dǎo)體層圖形。


本發(fā)明的以上及其他特性和優(yōu)勢將通過參見附圖詳細(xì)描述示范實(shí)施例得到更明 顯的體現(xiàn)，其中圖1是顯示示范有機(jī)電致發(fā)光顯示器件的平面示意圖2A至2C是制造有機(jī)電致發(fā)光顯示器件方法的實(shí)施例的截面圖；及圖3A至3C是制造有機(jī)電致發(fā)光顯示器件方法的另一個(gè)實(shí)施例的截面圖。
具體實(shí)施例方式參見附圖，下面將詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例。圖2A至2C是顯示根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例制造半導(dǎo)體器件方法的截面圖，其中 襯底被分為NMOS TFT的第一區(qū)域A和電容器的第二區(qū)域B。該方法包括在實(shí)質(zhì)上整個(gè)襯底200表面上形成具有預(yù)定厚度的緩沖層210。在 一個(gè)實(shí)施例中，該緩沖層210包括氧化硅并可以通過使用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積 (PECVD)法來形成。該緩沖層210有利地防止在以下工序中形成的非晶硅層的結(jié)晶期間雜 質(zhì)擴(kuò)散進(jìn)入透明絕緣襯底200。在形成緩沖層210之后，該方法進(jìn)一步包括在緩沖層210上形成具有預(yù)定厚度 的作為半導(dǎo)體層的非晶硅層(未顯示)。下一步，使非晶硅層結(jié)晶，可使用的方法比如，準(zhǔn) 分子激光退火(excimer laser annealing, ELA)法，連續(xù)橫向固化(sequential lateral solidification, SLS)法，金屬誘導(dǎo)結(jié)晶(metal induced crystallization,MIC)法，或金 屬誘導(dǎo)橫向結(jié)晶(metal induced lateral crystallization, MILC)法。該晶化的非晶硅 層通過使用光刻工藝構(gòu)圖，由此在單元像素中的第一區(qū)域A和第二區(qū)域B上形成多晶硅層 圖形220a和220b。下一步，在實(shí)質(zhì)整個(gè)襯底的所得面上形成柵極絕緣膜230。該柵極絕緣膜230可以 包括氧化硅膜(SiO2)、氮化硅膜(SiNx)、和它們的疊層結(jié)構(gòu)中的一種。形成柵極絕緣膜230之后，在柵極絕緣膜230上形成光致抗蝕劑圖形240，以暴露 第一區(qū)域A的源極和漏極區(qū)域和第二區(qū)域B。下一步，通過使用光致抗蝕劑圖形240作為離 子注入掩模注入高濃度的η型雜質(zhì)，在第一區(qū)域A內(nèi)形成源極和漏極區(qū)域222a，并在第二區(qū) 域B內(nèi)形成電容器的下電極222b。在形成源極和漏極區(qū)域222a和電容器下電極222b之后，使用光致抗蝕劑圖形240 作為蝕刻掩模，將第一區(qū)域A和第二區(qū)域B中的柵極絕緣膜230去除預(yù)定厚度，由此在第一 區(qū)域A和第二區(qū)域B中形成了具有不同厚度的柵極絕緣膜圖形232。根據(jù)器件的特性和該 器件所需的電容量大小，可以改變第一區(qū)域A和第二區(qū)域B中的柵極絕緣膜圖形232的厚 度。該柵極絕緣膜圖形232在第一區(qū)域A的一部分和第二區(qū)域B上具有第一厚度，它比第 一區(qū)域A內(nèi)的半導(dǎo)體層圖形220a的中心部分上的第二厚度小，其中第一區(qū)域A內(nèi)的半導(dǎo)體 層圖形220a的中心部分也是溝道區(qū)域。下一步，去除光致抗蝕劑圖形240，則在實(shí)質(zhì)整個(gè)所得到的表面上形成柵極電極的 導(dǎo)電層(未顯示)。該柵極電極的導(dǎo)電層可以包括，例如，鉬(Mo)或鉬-鎢合金(MoW)的單 層，鋁(Al)或鋁-釹(Al-Nd)合金的單層，或上述金屬的雙層。隨后，通過使用例如光刻工藝蝕刻柵極電極的導(dǎo)電層，在第一區(qū)域A形成柵極電 極250a，并在第二區(qū)域B形成電容器的上電極250b。包括下電極222b、柵極絕緣膜圖形232、和上電極250b的電容器表面積可以表示 為下列等式
6
= sGI/
ZtGI(1)其中ε表示電介質(zhì)常數(shù)，Cst表示電容量，tGI表示柵極絕緣膜圖形的厚度。根據(jù)上述等式，由于像素電路需要的電容量Cst和柵極絕緣膜的電介質(zhì)常數(shù)ε是 固定的，該電容器的表面積Α’由作為電容器電介質(zhì)膜的柵極絕緣膜圖形的厚度tGI決定。 如上所述，由于該柵極絕緣膜圖形的厚度tGI可以根據(jù)器件的特性和所需的電容大小進(jìn)行 改變，該電容器的表面積A’可以根據(jù)該柵極絕緣膜圖形的厚度tGI進(jìn)行改變。因而，制造半導(dǎo)體器件的方法進(jìn)一步包括使用柵極電極250a作為離子注入掩模 注入低濃度的η型雜質(zhì)離子，以便在第一區(qū)域A的半導(dǎo)體層圖形220a中形成輕摻雜漏極 (LDD)區(qū)域 224。此后，為了完成TFT，形成了連接于源極和漏極區(qū)域的源極和漏極電極，為完成平 板顯示器件，形成了連接于該TFT的發(fā)光元件。該平板顯示器件可以是比如，有機(jī)電致發(fā)光 器件或是液晶顯示器件。另一種方案是，上述方法可以應(yīng)用于下面描述的CMOS TFT結(jié)構(gòu)。圖3A至3C是顯 示根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例制造半導(dǎo)體器件方法的截面圖，其中襯底被分成NMOS TFT的第一 區(qū)域X，PMOS TFT的第二區(qū)域Y，和電容器的第三區(qū)域Z。在半導(dǎo)體器件制造方法的一個(gè)實(shí)施例中，在實(shí)質(zhì)整個(gè)透明絕緣襯底200的表面上 形成具有預(yù)定厚度的緩沖層210，其中該緩沖層可以包括氧化硅，并使用如等離子體增強(qiáng)化 學(xué)氣相淀積(PECVD)法形成。在某些實(shí)施例中，該緩沖層210能有利地阻止雜質(zhì)通過在以 下過程中形成的非晶硅層的結(jié)晶擴(kuò)散進(jìn)入透明絕緣襯底200。在形成緩沖層210之后，在緩沖層210上形成具有預(yù)定厚度的作為半導(dǎo)體層的非 晶硅層(未顯示)。繼而，使非晶硅層結(jié)晶，可使用的方法比如，準(zhǔn)分子激光退火(ELA)法， 連續(xù)橫向凝固(SLS)法，金屬誘導(dǎo)結(jié)晶(MIC)法，或金屬誘導(dǎo)橫向結(jié)晶(MILC)法。該晶化 的非晶硅通過使用光刻工藝構(gòu)圖，由此在單元像素中的第一區(qū)域X、第二區(qū)域Y和第三區(qū)域 Z上形成多個(gè)多晶硅層圖形220x、220y和220z。下一步，在實(shí)質(zhì)整個(gè)襯底的所得面上形成柵極絕緣膜230。該柵極絕緣膜230可以 包括氧化硅膜(SiO2)、氮化硅膜(SiNx)、和它們的疊層結(jié)構(gòu)中的一種。形成柵極絕緣膜230之后，在柵極絕緣膜230上形成光致抗蝕劑圖形240，以暴露 第二區(qū)域Y的源極和漏極區(qū)域和第三區(qū)域Z。該方法進(jìn)一步包括通過使用光致抗蝕劑圖形 240作為離子注入掩模注入高濃度的η型雜質(zhì)，由此在第二區(qū)域Y內(nèi)形成源極和漏極區(qū)域 222y，并在第三區(qū)域Z內(nèi)形成電容器的下電極222ζ。下一步，使用光致抗蝕劑圖形240作為蝕刻掩模，去除預(yù)定厚度的第二區(qū)域Y和第 三區(qū)域Z中的柵極絕緣膜230，由此在第一區(qū)域X、第二區(qū)域Y和第三區(qū)域Z中形成了具有 不同厚度的柵極絕緣膜圖形232。根據(jù)所需器件的特性和電容量大小，可以改變第二區(qū)域 Y和第三區(qū)域Z中的柵極絕緣膜圖形232的厚度。該柵極絕緣膜圖形232在第二區(qū)域Y的 一部分和第三區(qū)域Z上具有第一厚度，它比第一區(qū)域X上及第二區(qū)域Y內(nèi)的半導(dǎo)體層圖形 220y的中心部分上的第二厚度小，其中第二區(qū)域Y內(nèi)的半導(dǎo)體層圖形220y的中心部分也是 溝道區(qū)域。在形成柵極絕緣膜圖形232后，去除光致抗蝕劑圖形240，并在實(shí)質(zhì)整個(gè)所得表面
7上形成柵極電極的導(dǎo)電層(未顯示)。該柵極電極的導(dǎo)電層可以包括，鉬(Mo)或鉬-鎢合 金(MoW)的單層，鋁(Al)或鋁-釹(Al-Nd)合金的單層，和上述金屬的雙層。隨后，通過使用例如光刻工藝蝕刻柵極電極的導(dǎo)電層，在第一區(qū)域X和第二區(qū)域 Y內(nèi)形成柵極電極250X和250y，并在第三區(qū)域Z形成電容器的上電極250z。包括下電極 222z、柵極絕緣膜圖形232、和上電極250z的電容器表面積可以表示為等式(1)。下一步，通過使用柵極電極作為離子注入掩模注入低濃度的η型雜質(zhì)離子，在第 二區(qū)域Y的半導(dǎo)體層圖形220y內(nèi)形成LDD區(qū)域224。在形成半導(dǎo)體層圖形220y之后，形成 光致抗蝕劑圖形(未顯示)以暴露第一區(qū)域X，并且將高濃度P型雜質(zhì)離子注入第一區(qū)域X 的半導(dǎo)體層圖形220x內(nèi)，由此形成源極和漏極區(qū)域222x。隨后，去除光致抗蝕劑圖形，然后 進(jìn)行后續(xù)的制造工藝。根據(jù)本發(fā)明的上述實(shí)施例，通過使用用于在TFT區(qū)域內(nèi)形成源極和漏極區(qū)域的光 致抗蝕劑圖形，將用作電介質(zhì)膜的柵極絕緣膜去除預(yù)定厚度，可以提高電容器的電容量。由 此，可以在不進(jìn)行附加掩模工藝的情況下減小該電容器的表面積，并提高該有機(jī)電致發(fā)光 顯示器件的孔徑比。盡管在上文詳細(xì)顯示、描述和指出了發(fā)明應(yīng)用于各種實(shí)施例的新穎特征，不背離 本發(fā)明的精神，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以對闡述的器件或工藝的形式及細(xì)節(jié)做出各種省略、替 換和改變，這是可以理解的。本發(fā)明的范圍由所附的權(quán)利要求書指明，而非前面的描述。所 有在權(quán)利要求書的含義及等同物范圍內(nèi)的修改都將包含在它們的范圍內(nèi)。本申請要求于2004年10月12日向韓國知識產(chǎn)權(quán)辦公室提交的韓國專利申請?zhí)?為2004-81500的權(quán)益。在這里將其公開全文引入作參照。
權(quán)利要求
一種半導(dǎo)體器件包括多個(gè)形成于襯底上的半導(dǎo)體層圖形，所述襯底包括第一區(qū)域和第二區(qū)域；形成于包括所述半導(dǎo)體層圖形的整個(gè)襯底表面上的絕緣膜，其中該絕緣膜在所述第一區(qū)域的一部分和所述第二區(qū)域上具有第一厚度，該第一厚度比所述第一區(qū)域內(nèi)的所述半導(dǎo)體層圖形的中心部分上的第二厚度?。患岸鄠€(gè)形成于所述絕緣膜上以覆蓋所述第一區(qū)域內(nèi)的所述半導(dǎo)體層圖形的所述中心部分和所述第二區(qū)域內(nèi)的所述半導(dǎo)體層圖形的導(dǎo)電層圖形，其中設(shè)置所述第一區(qū)域的半導(dǎo)體層圖形作為溝道區(qū)域、源極和漏極區(qū)域和輕摻雜漏極區(qū)域，且其中設(shè)置所述第一區(qū)域內(nèi)的所述半導(dǎo)體層圖形的中心部分作為溝道區(qū)域和輕摻雜漏極區(qū)域，所述源極和漏極區(qū)域通過第一摻雜工藝而形成，所述輕摻雜漏極區(qū)域通過第二摻雜工藝而形成；其中在所述第一區(qū)域內(nèi)的所述半導(dǎo)體層圖形的中心部分上形成的所述絕緣膜的上表面是平的。
2.根據(jù)權(quán)利要求1中的半導(dǎo)體器件，其中設(shè)置所述第一區(qū)域作為NMOS薄膜晶體管。
3.根據(jù)權(quán)利要求1中的半導(dǎo)體器件，其中設(shè)置所述第二區(qū)域作為電容器。
4.根據(jù)權(quán)利要求1中的半導(dǎo)體器件，其中設(shè)置所述第二區(qū)域的半導(dǎo)體層圖形作為電容 器的下電極。
5.根據(jù)權(quán)利要求1中的半導(dǎo)體器件，其中設(shè)置所述第一區(qū)域內(nèi)的導(dǎo)電層圖形作為柵極 電極，且設(shè)置所述第二區(qū)域內(nèi)的導(dǎo)電層圖形作為電容器的上電極。
6.根據(jù)權(quán)利要求1中的半導(dǎo)體器件，其中所述絕緣膜是柵極絕緣膜。
7.根據(jù)權(quán)利要求1中的半導(dǎo)體器件，其中所述絕緣膜包括氧化硅和氮化硅中的一種。
8.根據(jù)權(quán)利要求1中的半導(dǎo)體器件，其中包括第二區(qū)域中的半導(dǎo)體層圖形、絕緣膜和 導(dǎo)電層圖形的電容器的表面積A’滿足以下等式._ CstΑ = ο /~ Agi其中ε GI表示電介質(zhì)常數(shù)，Cst表示電容器的電容量和tGI表示絕緣膜的厚度。
9.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，該方法包括在襯底上形成多個(gè)半導(dǎo)體層圖形，其中該襯底包括第一區(qū)域和第二區(qū)域；在包括所述半導(dǎo)體層圖形的襯底表面上形成絕緣膜；在該絕緣膜上形成光致抗蝕劑圖形，以覆蓋所述第一區(qū)域內(nèi)所述半導(dǎo)體層圖形的中心 部分；使用該光致抗蝕劑圖形作為離子注入掩模，將雜質(zhì)離子注入所述第一區(qū)域和所述第二 區(qū)域的所述半導(dǎo)體層圖形內(nèi)以形成源極和漏極區(qū)域及電容器下電極；使用該光致抗蝕劑圖形作為蝕刻掩模，將暴露于所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域的所述 絕緣膜的厚度減??；去除所述光致抗蝕劑圖形；在所述第一區(qū)域內(nèi)所述半導(dǎo)體層圖形的中心部分上和所述第二區(qū)域內(nèi)所述半導(dǎo)體層 圖形上形成導(dǎo)電層圖形；及以所述第一區(qū)域內(nèi)的導(dǎo)電層圖形作為離子注入掩模，將雜質(zhì)離子注入所述第一區(qū)域的半導(dǎo)體圖形中以形成輕摻雜漏極區(qū)域，其中在所述第一區(qū)域內(nèi)的所述半導(dǎo)體層圖形的中心部分上形成的所述絕緣膜的上表 面是平的。
10.根據(jù)權(quán)利要求9中的方法，其中設(shè)置所述第一區(qū)域作為NMOS薄膜晶體管的至少一 部分。
11.根據(jù)權(quán)利要求9中的方法，其中設(shè)置所述第二區(qū)域作為電容器的至少一部分。
12.根據(jù)權(quán)利要求9中的方法，其中所述絕緣膜是柵極絕緣膜。
13.根據(jù)權(quán)利要求9中的方法，其中所述絕緣膜包括氧化硅和氮化硅中的至少一種。
14.根據(jù)權(quán)利要求9中的方法，其中所述第一區(qū)域內(nèi)的所述導(dǎo)電層圖形作為柵極電極， 且所述第二區(qū)域內(nèi)的所述導(dǎo)電層圖形作為電容器的上電極。
15.根據(jù)權(quán)利要求9中的方法，其中包括所述第二區(qū)域中的半導(dǎo)體層圖形、絕緣膜和導(dǎo) 電層圖形的電容器的表面積A’滿足以下等式._ CstA =^g!7~ Agi其中ε GI表示電介質(zhì)常數(shù)，Cst表示電容器的電容量和tGI表示絕緣膜的厚度。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體器件及其制造方法。通過形成與電容器電介質(zhì)膜厚度不同的柵極電極的柵極絕緣膜，可以在不改變電容量的情況下減小電容器的表面積。半導(dǎo)體器件包括多個(gè)形成于包括第一區(qū)域和第二區(qū)域的襯底上的半導(dǎo)體層圖形；形成于包括半導(dǎo)體層圖形的實(shí)質(zhì)整個(gè)襯底表面上的絕緣膜，該絕緣膜在第一區(qū)域的一部分和第二區(qū)域上具有第一厚度，該第一厚度比第一區(qū)域內(nèi)的半導(dǎo)體層圖形的中心部分上的第二厚度??；及多個(gè)形成于絕緣膜上以覆蓋第一區(qū)域內(nèi)的半導(dǎo)體層圖形的中心部分和第二區(qū)域內(nèi)的半導(dǎo)體層圖形的導(dǎo)電層圖形。第一區(qū)域的半導(dǎo)體層圖形作為溝道區(qū)域、源極和漏極區(qū)域和輕摻雜漏極區(qū)域，源極和漏極區(qū)域與輕摻雜漏極區(qū)域通過不同摻雜工藝形成。
文檔編號H01L21/77GK101982884SQ20101028682
公開日2011年3月2日 申請日期2005年10月12日 優(yōu)先權(quán)日2004年10月12日
發(fā)明者姜泰旭 申請人:三星移動(dòng)顯示器株式會社