專利名稱：一種摻雜psmzt壓電陶瓷及其制備方法和應(yīng)用的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于低溫?zé)Y(jié)電子陶瓷材料及其制造領(lǐng)域，具體涉及一種摻雜PSMZT壓電 陶瓷及其制備方法和應(yīng)用。
背景技術(shù)：
近年來，隨著壓電器件向著小型化、微型化和集成化方向發(fā)展，探索低燒結(jié)溫度、 高性能壓電陶瓷材料已成為壓電陶瓷器件發(fā)展的一個(gè)重要方向。鋯鈦酸鉛(PZT)基壓電陶 瓷具有優(yōu)異的機(jī)電性能，被廣泛地應(yīng)用于壓電、熱電或鐵電器件，例如機(jī)電傳感器、換能器、 變壓器、超聲馬達(dá)或電腦的記憶顯示器件等。我國(guó)是世界壓電陶瓷及器件行業(yè)中的生產(chǎn)大國(guó)和出口大國(guó)。幾年來，由于通信、計(jì) 算機(jī)、電子儀表、家用電器和數(shù)字電路技術(shù)的普及發(fā)展，壓電陶瓷材料及其器件的市場(chǎng)需求 日益增長(zhǎng)。隨著信息產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展，壓電陶瓷器件已在音視頻、通訊和電腦等領(lǐng)域大量應(yīng) 用。我國(guó)在壓電陶瓷材料及應(yīng)用技術(shù)研究和開發(fā)方面已有長(zhǎng)期的積累，但在壓電陶瓷粉體 的低溫?zé)Y(jié)和多層片式壓電陶瓷器件的制備技術(shù)等方面還存在不足。器件的小型化集成化要求體積更小輸出功率更高的多層壓電陶瓷器件。由于傳統(tǒng) 鉛基壓電陶瓷的燒結(jié)溫度為1200-1350°C，在多層壓電陶瓷器件制備過程中，存在內(nèi)電極的 燒制這個(gè)環(huán)節(jié)，一方面高溫?zé)Y(jié)疊層壓電器件需要熔點(diǎn)高的貴金屬作為內(nèi)電極，增加輸出 成本；另一方面高溫?zé)Y(jié)會(huì)引起PbO的揮發(fā)，使得陶瓷的微觀結(jié)構(gòu)和性能難以控制，損壞內(nèi) 電極，使器件的性能惡化(何杰，孫清池.SiO2對(duì)低溫?zé)Y(jié)PMSZT壓電陶瓷性能的影響.壓 電與聲光，2008，30 (2) :224-227)。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決上述現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足之處，本發(fā)明的目的在于提供一種低燒結(jié)溫 度和高性能的摻雜PSMZT(銻錳鋯鈦酸鉛三元系壓電陶瓷的縮寫)壓電陶瓷。本發(fā)明的另一目的在于在于提供上述摻雜PSMZT壓電陶瓷的制備方法。本發(fā)明的再一目的在于提供上述摻雜PSMZT壓電陶瓷在制備多層壓電器件的應(yīng)用。本發(fā)明的目的通過以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)一種摻雜PSMZT壓電陶瓷，基本組成為Pba98Sratl2(Mnv3Sb2Z3) x(Zr0.5Ti0.5) ^(0 ^ χ ^ 0. 1)，摻入質(zhì)量百分濃度3%的CoNb2O6、質(zhì)量百分濃度13%的 Bi2O3、質(zhì)量百分濃度的Li2CO3、質(zhì)量百分濃度的CuO和質(zhì)量百分濃度NiO，其 中 0. 1 < a < 0. 2，0. 1 < b < 0. 3，0. 1 < c < 0. 3，0. 1 < 0. 3，0. 05 < e < 0. 3。上述摻雜PSMZT壓電陶瓷的制備方法，包括如下具體步驟(1)按摩爾百分比為Nb Co = 2 1稱量Nb2O5和Co2O3原料，干燥后混合球磨， 于 1050 1200°C下合成 CoNb2O6 ；(2)按通式 Pba98Sra。2(Mni/3Sb2/3) x (Zra5Titl.山—典⑴ ^ χ ^ 0. 1)的摩爾百分比稱量Pb304、SrCO3> MnO2, Sb203、ZrO2和TiO2原料，混合，球磨，干燥后過篩，800 900°C預(yù)燒并 保溫2 4h，合成PSMZT預(yù)燒物；(3)將PSMZT預(yù)燒物粉碎成粉體后，按質(zhì)量百分濃度的CoNb2O6+質(zhì)量百分濃 度b%的Bi2O3+質(zhì)量百分濃度c %的Li2CO3+質(zhì)量百分濃度的CuO+質(zhì)量百分濃度e%的 NiO, 0. 1 彡 a 彡 0. 2，0. 1 彡 b 彡 0. 3，0. 1 彡 c 彡 0. 3，0. 1 彡 d 彡 0. 3，0. 05 彡 e 彡 0. 3，稱 量Cu0、Bi203、Li2C03、CoNb203和NiO原料，加入到粉體中混合，再次球磨15 20h，干燥，過 篩后，加入5 8wt%的聚乙烯醇造粒，然后在60 120MPa壓力下干壓成片；(4)將干壓成片物在溫度750 850°C排膠后，在密封填料？13&03或？13304中埋燒， 燒結(jié)溫度為900 1000°C，并保溫3h，得到陶瓷；(5)將燒結(jié)好的陶瓷經(jīng)拋光和超聲波清洗后被覆銀電極，燒銀溫度為850°C ；(6)將燒好銀的陶瓷在110 130°C的硅油中極化10 30分鐘，極化的場(chǎng)強(qiáng)為 3 4kV/mm，即得到摻雜PSMZT壓電陶瓷。步驟(1)所述干燥的溫度為120°C，干燥時(shí)間為5h ；所述混合球磨的時(shí)間為8 12h。步驟⑵所述Pbtl. 98Sr0.02 (Mnl73Sb273) x (Zr0.5Ti0.5) ^xO3 中，Pb 與 Sr 摩爾百分比為 98 2。步驟(2)所述Pb0.98Sr0.02 (Mn1/3Sb2/3) x (Zr0.5Ti0.5) ^xO3 中，組元(Mnl73Sb273)的含量為 5 15mol%。步驟⑵所述球磨的時(shí)間為8 15h ；所述干燥的溫度為120°C，干燥時(shí)間為5h ； 所述過篩是過80目篩。步驟(3)所述干燥的溫度為120°C，干燥時(shí)間為5h ；所述過篩是過60目篩。PSMZT與鈷-鈮-鉍_鋰-銅_鎳在720 760°C形成共熔區(qū)，在燒結(jié)溫度為950 1000°C，獲得壓電系數(shù)d33大于350PC/N、機(jī)電耦合系數(shù)Kp大于0. 56、機(jī)械品質(zhì)因數(shù)Qm大于 1200、介質(zhì)損耗tan δ小于0. 004、相對(duì)介電常數(shù)ε ^大于1600的壓電陶瓷。該壓電陶瓷可 以應(yīng)用于制備多層壓電器件。本發(fā)明的原理是當(dāng)用高價(jià)金屬離子取代壓電陶瓷鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的A位或B位，使晶體產(chǎn)生鉛空位缺 陷，使原來的晶體結(jié)構(gòu)發(fā)生畸變，畸變的晶格有利于電偶極子的轉(zhuǎn)向，增加電偶極子的翻轉(zhuǎn) 活性，從而提高材料的壓電性能。高價(jià)離子的摻雜改性屬于施主摻雜，摻雜結(jié)果使材料的矯 頑場(chǎng)降低，便于極化，壓電活性增加，同時(shí)機(jī)械品質(zhì)因數(shù)Qm減少，介電損耗tan δ增加，壓電 材料在性能上表現(xiàn)更“軟”，因此，又叫做軟性摻雜改性。當(dāng)用低價(jià)金屬離子取代鈣鈦礦結(jié)構(gòu) 的A位或B位，在晶格中產(chǎn)生氧空位，氧空位的出現(xiàn)使鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的氧八面體結(jié)構(gòu)塌陷而發(fā) 生畸變。一方面，這種畸變對(duì)電疇的轉(zhuǎn)向產(chǎn)生“釘扎效應(yīng)”，使電疇轉(zhuǎn)向受到阻礙，從而降低 材料的壓電性能；另一方面，這種畸變使材料的矯頑場(chǎng)增加，電疇轉(zhuǎn)向受到制約，使壓電活 性降低，同時(shí)材料的介電損耗減低，品質(zhì)因數(shù)增大。因此低價(jià)金屬離子摻雜結(jié)果使機(jī)械品質(zhì) 因數(shù)Qm增加，壓電活性降低，介電損耗tanS減少。低價(jià)金屬離子在PZT陶瓷中的作用是 使材料的性能變“硬”故又稱為硬性添加物。當(dāng)摻雜低熔點(diǎn)添加物到壓電陶瓷中，通過過渡 液相燒結(jié)來降低燒結(jié)溫度并改善性能。低熔點(diǎn)添加物在燒結(jié)過程中先形成液相促進(jìn)燒結(jié)， 而到了燒結(jié)后期又作為最終相回吸到主晶相起摻雜改性作用。低熔點(diǎn)添加物的這種“雙重效應(yīng)”可使燒結(jié)溫度降低250 30(TC，且性能也提高了許多，是目前實(shí)現(xiàn)壓電陶瓷低溫?zé)?結(jié)的一種有效方法。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有如下優(yōu)點(diǎn)和有益效果(1)本方法制備出最佳性能的PSMZT陶瓷的燒結(jié)溫度為980°C，而沒有添加摻雜劑 的PSMZT壓電陶瓷的最佳燒結(jié)溫度為1200°C，燒結(jié)溫度降低了 220°C，國(guó)內(nèi)現(xiàn)有技術(shù)的燒結(jié) 溫度一般在1100 1300°C。另外，通過添加本摻雜劑，不僅明顯降低了燒結(jié)溫度，而且還 提高了陶瓷的壓電性能，例如壓電系數(shù)d33由322PC/N增加到380PC/N、機(jī)電耦合系數(shù)Kp由 0. 55增加到0. 62、介質(zhì)損耗tan δ由0. 0042降低到0. 0021，相對(duì)介電常數(shù)ε r大于1600， 機(jī)械品質(zhì)因數(shù)Qm大于1200。該壓電陶瓷可以應(yīng)用于制備多層壓電器件適用于大功率壓電 材料的應(yīng)用，為疊層壓電陶瓷元器件的制備提供原材料。(2)本發(fā)明對(duì)多層壓電器件(如多層壓電變壓器、疊層多層壓電蜂鳴器、多層壓電 位移器、疊層壓電馬達(dá)、疊層壓電耦合器、疊層壓電陶瓷濾波器等)的設(shè)計(jì)、材料的選配、器 件的優(yōu)化以及降低成本都具有重要的指導(dǎo)意義和應(yīng)用價(jià)值。


圖1為制備摻雜PSMZT壓電陶瓷的工藝流程圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合實(shí)施例及附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的描述，但本發(fā)明的實(shí)施方式不限 于此，工藝流程圖如圖1所示。實(shí)施例1 (不摻雜壓電陶瓷)(1)按摩爾百分比為Nb Co = 2 1稱量Nb2O5和Co2O3原料，在溫度120°C下干 燥5h，混合球磨，于1100°C下合成CoNb2O6 ；(2)按通式 Pba98Srtl.Q2(Mni/3Sb2/3)x (Zra5Titl.山—從，。彡 χ ^ 0. 1 的摩爾百分比稱量 Pb3O4、SrCO3、MnO2、Sb2O3、ZrO2 和 TiO2 原料，混合，球磨 10h，在溫度 120°C下干燥 5h，過 80 目 篩后，850°C預(yù)燒并保溫3h，合成PSMZT預(yù)燒物；(3)將 PSMZT 預(yù)燒物粉碎后，0. 15wt. % Cu0+0. 2wt. % Bi203+0. 2wt. % Li2C03+0. 15wt. % CoNb2O6 稱量 CuO, Bi2O3, Li2CO3, CoNb2O3 和 NiO 原料，加入到 PSMZT 預(yù)燒 粉體中混合，再次球磨19h，在溫度120°C下干燥5h，過60目篩后加入7%的聚乙烯醇造粒， 然后在60 120MPa壓力下干壓成片；(4)將干壓成片物800°C排膠后，在密封填料Pb&03中埋燒，燒結(jié)溫度980°C，并保 溫3h ；(5)將燒結(jié)好的陶瓷經(jīng)拋光、超聲波清洗后被覆銀電極，燒銀溫度為850°C ；(6)將燒好銀的陶瓷在120°C的硅油中極化，場(chǎng)強(qiáng)為3kV/mm，極化時(shí)間為20分鐘， 可以得到純的鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的壓電陶瓷。其壓電系數(shù)d33、機(jī)電耦合系數(shù)Kp、機(jī)械品質(zhì)因數(shù)Qm、 介質(zhì)損耗 tan δ、相對(duì)介電常數(shù) ε r 分別為 Qm = 1127、ε r = 1600,Kp = 0. 56、d33 = 342pC/ N、tan δ = 0. 31%。實(shí)施例2 (摻雜濃度0.05%)(1)按摩爾百分比為Nb Co = 2 1稱量Nb2O5和Co2O3原料，在溫度120°C下干燥5h，混合球磨，于1100°C下合成CoNb2O6 ；(2)按通式 Pba98Srtl.Q2(Mni/3Sb2/3)x (Zra5Titl.山—從，O 彡 χ ^ 0. 1 的摩爾百分比稱量 Pb3O4、SrCO3、MnO2、Sb2O3、ZrO2 和 TiO2 原料，混合，球磨 10h，在溫度 120°C下干燥 5h，過 80 目 篩后，850°C預(yù)燒并保溫3h，合成PSMZT預(yù)燒物；(3)將 PSMZT 預(yù)燒物粉碎后，0. 15wt. % Cu0+0. 2wt. % Bi203+0. 2wt. % Li2C03+0. 15wt. % CoNb206+0. 05wt. % NiO 稱量 Cu0、Bi203、Li2C03、CoNb2O3 和 NiO 原料，加入 到PSMZT預(yù)燒粉體中混合，再次球磨19h，在溫度120°C下干燥5h，過60目篩后加入7%的 聚乙烯醇造粒，然后在60 120MPa壓力下干壓成片； (4)將干壓成片物800°C排膠后，在密封填料Pb&03中埋燒，燒結(jié)溫度980°C，并保 溫3h ；(5)將燒結(jié)好的陶瓷經(jīng)拋光、超聲波清洗后被覆銀電極，燒銀溫度為850°C ；(6)將燒好銀的陶瓷在120°C的硅油中極化，場(chǎng)強(qiáng)為3kV/mm，極化時(shí)間為20分鐘， 可以得到純的鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的壓電陶瓷。其壓電系數(shù)d33、機(jī)電耦合系數(shù)Kp、機(jī)械品質(zhì)因數(shù)Qm、 介質(zhì)損耗 tan δ、相對(duì)介電常數(shù) ε r 分別為 Qm = 1238、ε r = 1822,Kp = 0. 59、d33 = 367pC/ N、tan δ = 0. 27%。相比實(shí)施例1，PSMZT壓電陶瓷的性能有所提高。實(shí)施例3 (摻雜濃度0.1%)(1)按摩爾百分比為Nb Co = 2 1稱量Nb2O5和Co2O3原料，在溫度120°C下干 燥5h，混合球磨，于1100°C下合成CoNb2O6 ；(2)按通式 Pba98Srtl.Q2(Mni/3Sb2/3)x (Zra5Titl.山-從，。彡 χ ^ 0. 1 的摩爾百分比稱量 Pb3O4、SrCO3、MnO2、Sb2O3、ZrO2 和 TiO2 原料，混合，球磨 10h，在溫度 120°C下干燥 5h，過 80 目 篩后，850°C預(yù)燒并保溫3h，合成PSMZT預(yù)燒物；(3)將 PSMZT 預(yù)燒物粉碎后，0. 15wt. % Cu0+0. 2wt. % Bi203+0. 2wt. % Li2C03+0. 15wt. % CoNb206+0. lwt. % NiO 稱量 CuO、Bi2O3, Li2CO3, CoNb2O3 和 NiO 原料，加入 到PSMZT預(yù)燒粉體中混合，再次球磨19h，在溫度120°C下干燥5h，過60目篩后加入7%的 聚乙烯醇造粒，然后在60 120MPa壓力下干壓成片；(4)將干壓成片物800°C排膠后，在密封填料Pb&03中埋燒，燒結(jié)溫度980°C，并保 溫3h ；(5)將燒結(jié)好的陶瓷經(jīng)拋光、超聲波清洗后被覆銀電極，燒銀溫度為850°C ；(6)將燒好銀的陶瓷在120°C的硅油中極化，場(chǎng)強(qiáng)為3kV/mm，極化時(shí)間為20分鐘， 可以得到純的鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的壓電陶瓷。其壓電系數(shù)d33、機(jī)電耦合系數(shù)Kp、機(jī)械品質(zhì)因數(shù)Qm、 介質(zhì)損耗 tan δ、相對(duì)介電常數(shù) ε r 分別為 Qm = 1345、ε r = 1853,Kp = 0. 62、d33 = 375pC/ N、tan δ = 0. 21%。相比實(shí)施例1，PSMZT壓電陶瓷的性能明顯提高，獲得最佳值。實(shí)施例4 (摻雜濃度0.3%)(1)按摩爾百分比為Nb Co = 2 1稱量Nb2O5和Co2O3原料，在溫度120°C下干 燥5h，混合球磨，于1100°C下合成CoNb2O6 ；(2)按通式 Pba98Srtl.Q2(Mni/3Sb2/3)x (Zra5Titl.山—從，。彡 χ ^ 0. 1 的摩爾百分比稱量 Pb3O4、SrCO3、MnO2、Sb2O3、ZrO2 和 TiO2 原料，混合，球磨 10h，在溫度 120°C下干燥 5h，過 80 目篩后，850°C預(yù)燒并保溫3h，合成PSMZT預(yù)燒物；(3)將 PSMZT 預(yù)燒物粉碎后，0. 15wt. % Cu0+0. 2wt. % Bi203+0. 2wt. % Li2C03+0. 15wt. % CoNb206+0. 3wt. % NiO 稱量 CuO、Bi2O3, Li2CO3, CoNb2O3 和 NiO 原料，加入 到PSMZT預(yù)燒粉體中混合，再次球磨19h，在溫度120°C下干燥5h，過60目篩后加入7%的 聚乙烯醇造粒，然后在60 120MPa壓力下干壓成片；(4)將干壓成片物800°C排膠后，在密封填料Pb&03中埋燒，燒結(jié)溫度980°C，并保 溫3h ；(5)將燒結(jié)好的陶瓷經(jīng)拋光、超聲波清洗后被覆銀電極，燒銀溫度為850°C ；(6)將燒好銀的陶瓷在120°C的硅油中極化，場(chǎng)強(qiáng)為3kV/mm，極化時(shí)間為20分鐘， 可以得到純的鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的壓電陶瓷。其壓電系數(shù)d33、機(jī)電耦合系數(shù)Kp、機(jī)械品質(zhì)因數(shù)Qm、 介質(zhì)損耗 tan δ、相對(duì)介電常數(shù) ε r 分別為 Qm = 978、ε r = 1441、Kp = 0. 54、d33 = 320pC/ N、tan δ = 0. 52%。相比實(shí)施例1，PSMZT壓電陶瓷的性能反而降低。上述實(shí)施例為本發(fā)明較佳的實(shí)施方式，但本發(fā)明的實(shí)施方式并不受上述實(shí)施例的 限制，其他的任何未背離本發(fā)明的精神實(shí)質(zhì)與原理下所作的改變、修飾、替代、組合、簡(jiǎn)化， 均應(yīng)為等效的置換方式，都包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
一種摻雜PSMZT壓電陶瓷，基本組成為Pb0.98Sr0.02(Mn1/3Sb2/3)x(Zr0.5Ti0.5)1 xO3，0≤x≤0.1，其特征在于該壓電陶瓷摻入質(zhì)量百分濃度a％的CoNb2O6、質(zhì)量百分濃度b％的Bi2O3、質(zhì)量百分濃度c％的Li2CO3、質(zhì)量百分濃度d％的CuO和質(zhì)量百分濃度e％的NiO，其中0.1≤a≤0.2，0.1≤b≤0.3，0.1≤c≤0.3，0.1≤d≤0.3，0.05≤e≤0.3。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種摻雜PSMZT壓電陶瓷的制備方法，其特征在于包括如下 具體步驟(1)按摩爾百分比為Nb Co = 2 1稱量Nb2O5和Co2O3原料，干燥后混合球磨，于 1050 1200°C下合成 CoNb2O6 ；⑵按通式 Pb0.98Sr0.02 (Mnl73Sb273) x (Zr0.5Ti0.5) ^xO3 (0 ^ χ ^ 0. 1)的摩爾百分比稱量 Pb3O4, SrCO3> MnO2, Sb2O3> ZrO2和TiO2原料，混合，球磨，干燥后過篩，800 900°C預(yù)燒并保 溫2 4h，合成PSMZT預(yù)燒物；(3)將PSMZT預(yù)燒物粉碎成粉體后，按質(zhì)量百分濃度的CoNb2O6+質(zhì)量百分濃度的Bi2O3+質(zhì)量百分濃度的Li2CO3+質(zhì)量百分濃度的CuO+質(zhì)量百分濃度NiO， 0· 1 彡 a 彡 0· 2，0· 1 彡 b 彡 0· 3，0· 1 彡 c 彡 0· 3，0· 1 彡 d 彡 0· 3，0· 05 彡 e 彡 0· 3，稱量 CuO、 Bi203、Li2C03、CoNb203和NiO原料，加入到粉體中混合，再次球磨15 20h，干燥，過篩后，加 入5 8wt%的聚乙烯醇造粒，然后在60 120MPa壓力下干壓成片；(4)將干壓成片物在溫度750 850°C排膠后，在密封填料Pb&03或Pb3O4中埋燒，燒 結(jié)溫度為900 1000°C，并保溫3h，得到陶瓷；(5)將燒結(jié)好的陶瓷經(jīng)拋光和超聲波清洗后被覆銀電極，燒銀溫度為850°C；(6)將燒好銀的陶瓷在110 130°C的硅油中極化10 30分鐘，極化的場(chǎng)強(qiáng)為3 4kV/mm,即得到摻雜PSMZT壓電陶瓷。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種摻雜PSMZT壓電陶瓷的制備方法，其特征在于步驟⑴ 所述干燥的溫度為120°C，干燥時(shí)間為5h ；所述混合球磨的時(shí)間為8 12h。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種摻雜PSMZT壓電陶瓷的制備方法，其特征在于步驟⑵ 所述 Pb。.98Sr。.。2(Mni/3Sb2/3)x(Zr。. JiciJ1-A 中，Pb 與 Sr 摩爾百分比為 98 2。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種摻雜PSMZT壓電陶瓷的制備方法，其特征在于步驟⑵ 所述 Pba98SraQ2(Mni/3Sb2/3)X(Zra5Tia5)1-A 中，組元(Mn1/3Sb2/3)的含量為 5 15mol%。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種摻雜PSMZT壓電陶瓷的制備方法，其特征在于步驟⑵ 所述球磨的時(shí)間為8 15h ；所述干燥的溫度為120°C，干燥時(shí)間為5h ；所述過篩是過80目 篩。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種摻雜PSMZT壓電陶瓷的制備方法，其特征在于步驟(3) 所述干燥的溫度為120°C，干燥時(shí)間為5h ；所述過篩是過60目篩。
8.權(quán)利要求1所述的摻雜PSMZT壓電陶瓷應(yīng)用于制備多層壓電器件。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種摻雜PSMZT壓電陶瓷及其制備方法和應(yīng)用。制備方法按如下步驟合成三元系Pb0.98Sr0.02(Mn1/3Sb2/3)x(Zr0.5Ti0.5)1-xO3(PSMZT)預(yù)燒物，按化學(xué)計(jì)量比摻入鈷-鈮-鉍-鋰-銅-鎳低熔玻璃，經(jīng)造粒，壓片，排膠，燒結(jié)，拋光，燒銀和極化步驟得到摻雜PSMZT壓電陶瓷。本發(fā)明方法明顯的降低了陶瓷的燒結(jié)溫度且沒有惡化陶瓷的性能，適用于大功率壓電材料的應(yīng)用，為疊層壓電陶瓷元器件的制備提供原材料。
文檔編號(hào)H01L41/187GK101948309SQ20101025971
公開日2011年1月19日 申請(qǐng)日期2010年8月20日 優(yōu)先權(quán)日2010年8月20日
發(fā)明者劉彭義, 常鵬, 祝蘭, 陳偉業(yè) 申請(qǐng)人:暨南大學(xué)