專利名稱：覆晶式led封裝結構的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種覆晶式LED封裝結構，尤其涉及一種LED的覆晶式封裝結構。
背景技術：
LED產業(yè)是近幾年最受矚目的產業(yè)之一，發(fā)展至今，LED產品已具有節(jié)能、省電、高效率、反應時間快、壽命周期時間長、且不含汞、具有環(huán)保效益等優(yōu)點，然而通常LED高功率產品輸入功率絕大部分會轉換為熱能，一般而言，LED發(fā)光時所產生的熱能若無法導出，將會使LED結面溫度過高，影響產品生命周期、發(fā)光效率及穩(wěn)定性等。目前覆晶式LED封裝結構的散熱途徑，主要是藉由LED電極導線傳導至系統(tǒng)電路板導出。但由于電極導線的散熱體積有限使散熱效果不明顯，其熱的堆積仍然對產品生命周期、發(fā)光效率產生重大影響。

發(fā)明內容
有鑒于此，有必要提供一種散熱效果良好的覆晶式LED封裝結構。一種覆晶式LED封裝結構，其包括一個基板、一個封裝殼體、兩個電極、一個LED芯片以及一個散熱元件。所述封裝殼體設置在所述基板外圍。所述LED芯片位在所述封裝殼體內。所述LED芯片的底部具有反射層設置使光線向所述基板方向投射。所述LED芯片底部與所述封裝殼體內設置所述散熱元件。所述兩個電極用以將所述LED芯片與外界電性連接。本發(fā)明覆晶式LED封裝結構，由于在LED芯片底部設置大體積散熱元件，使LED芯片發(fā)光所產生的熱能直接且快速被導出，由于散熱效果明顯能防止熱堆積所造成的發(fā)光效率降低與壽命縮減的缺點。



圖1是本發(fā)明覆晶式LED封裝結構的剖視圖。
圖2是本發(fā)明覆晶式LED封裝結構另一實施方式的剖視圖。
圖3是本發(fā)明覆晶式LED封裝結構再一實施方式的剖視圖。
主要元件符號說明
覆晶式LED封裝結構 10、20、30
基板11、21、31
承載面112、312
基板表面114、214
封裝殼體12、22、32
容置腔12a、32a
電極13、23、333、334
絕緣層132
上電極332
LED 芯片14、24、34反射層 140封裝膠142,242,342散熱元件15、25、35 熒光粉薄膜 16,2具體實施例方式下面將結合附圖對本發(fā)明作一具體介紹。請參閱圖1，所示為本發(fā)明覆晶式LED封裝結構的剖視圖，所述覆晶式LED封裝結構10包括一個基板11、一個封裝殼體12、兩個電極13、一個LED芯片14以及一個散熱元件 15。所述基板11為透明板用以使光線穿過。所述基板11采用高透光率材料制作，例如二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、類鉆石材料(Diamond-like material)、鉆石(Diamond)、 藍寶石(Sapphire)、多分子材料(Polymer materials)、石英(Quartz)等。所述透明基板 11對于紫外光、可見光或紅外光等不同波長的光可具有高透光性，增加LED的出光效率。所述封裝殼體12設置在所述基板11外圍。所述封裝殼體12內部形成一個容置腔12a，所述基板11位于所述容置腔12a的一端，從而與所述封裝殼體12共同構成一個底端封閉的空腔。所述封裝殼體12采用導熱性較佳的材料，例如氮化鋁(AlN)、矽(Si)、氮化硼(BN)、石墨(C)、銅(Cu)、鉬(Mo)、鎢(W)、氧化鋁(AlOx)等。所述封裝殼體12的頂面以及該封裝殼體12的容置腔12a的內側對稱的設置有兩個電極13，且該兩個電極13從所述基板11的承載面112之兩端以相對方向沿著所述容置腔12a內側壁至所述容置腔12a之另一端，用以與外部電性連接。所述兩個電極13可采用鋁(Al)、金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、鎳(Ni)、氧化銦錫(ITO)等金屬或金屬氧化物導電材料。所述封裝殼體12的形狀并不限于梯形、倒三梯形、長方形或方形，也可以是具有光學設計的弧線或是階梯形狀。所述LED芯片14設置在所述基板11上，并位于所述容置腔12a內，同時與所述兩個電極13分別電性連接。本發(fā)明覆晶式LED封裝結構10所述LED芯片14頂面的兩極接點電性連接在所述基板11上的兩個電極13上，所述LED芯片14的底部具有反射層140設置， 使光線反射向著所述基板11的方向投射。所述LED芯片14的周圍設置封裝膠142用以保護所述LED芯片14。所述LED芯片14底部以貼合、電鍍、蒸鍍等方式設置所述散熱元件15。 在所述散熱元件15和所述電極13之間另形成一個絕緣層132用以隔離所述電極13與所述散熱元件15以防止短路現(xiàn)象。所述散熱元件15填滿所述容置腔12a剩下空間。所述散熱元件15的散熱結構材料，可采用鉆石(Diamond)、類鉆石材料(Diamond-like material), 石墨(C)、銅(Cu)、金(Au)、鎳(Ni)、銀(Ag)、鋁(Al)、氮化鋁(AlN)、氮化棚(BN)、硅(Si)等材料。所述散熱元件15的底面因直接接觸所述LED芯片14底部可將所述LED芯片14產生的熱量迅速帶走防止所述LED芯片14過熱使效率下降。所述基板11的另一個表面114 上具有分層設置的熒光粉薄膜16，使不同波長熒光粉之間不會互相干擾。請參閱圖2，所示為本發(fā)明覆晶式LED封裝結構另一實施方式的剖視圖。所述覆晶式LED封裝結構20包括一個基板21、一個封裝殼體22、兩個電極23、一個LED芯片24以及一個散熱元件25。所述覆晶式LED封裝結構20與上述覆晶式LED封裝結構10基本上相同，所述基板21的另一個表面214上也具有分層設置的熒光粉薄膜26，差異在于所述 LED芯片24與所述散熱元件25的組合。本實施方式中，所述散熱元件25是直接設置在所述LED芯片24底部，使所述LED芯片24與所述散熱元件25先結合為一體，再將所述結合體的LED芯片24設置在所述基板21上的兩個電極23間，然后在所述結合體的周圍設置封裝膠242構成所述覆晶式LED封裝結構20。所述LED芯片24與所述散熱元件25的結合體除上述水平式覆晶式LED封裝結構20外，也可使用于垂直式覆晶式LED封裝結構30內 (如圖3所示)。所述垂直式覆晶式LED封裝結構30的基板31、封裝殼體32、兩個電極333 及334、LED芯片34、散熱元件35等結構與所述覆晶式LED封裝結構20相同，差異在于所述LED芯片34與所述散熱元件35的結合體是為垂直式LED。所述垂直式LED指其電極設置于LED芯片34的上、下兩面，如圖3所示，頂面的上電極332朝向下方基板31的承載面 312上(因覆晶式)，而底面的下電極則在所述散熱元件35上。所述LED芯片34的上電極 332可直接接合于所述基板31上的電極333。所述電極333由所述所述基板31的承載面 312之一端沿著所述容置腔32a內側壁至所述容置腔32a之另一端，用以與外部電性連接。 所述電極334設置在所述散熱元件35上，直接與所述LED芯片34的下電極電性連接，同樣用以與外部電性連接。所述電極334是在所述LED芯片34與所述散熱元件35結合體以封裝膠342固定后完成。綜上，本發(fā)明覆晶式LED封裝結構的散熱元件可快速帶走LED芯片產生的熱能，并與所述電極區(qū)隔，達到電性分離的效果，使LED散熱效果好且發(fā)光效率提升。另外，本領域技術人員還可在本發(fā)明精神內做其它變化，當然，這些依據(jù)本發(fā)明精神所做的變化，都應包含在本發(fā)明所要求保護的范圍之內。
權利要求
1.一種覆晶式LED封裝結構，其包括一個基板、一個封裝殼體、兩個電極、一個LED芯片以及一個散熱元件，所述封裝殼體設置在所述基板外圍，所述LED芯片位在所述封裝殼體內，所述LED芯片的底部具有反射層設置使光線向所述基板方向投射，所述LED芯片底部與所述封裝殼體內設置所述散熱元件，所述兩個電極用以將所述LED芯片與外界電性連接。
2.如權利要求1所述的覆晶式LED封裝結構，其特征在于所述LED芯片為水平式，其頂面和所述二個電極電性連接，或垂直式LED芯片，其頂面和一個電極電性連接，另一個電極則位在散熱組件上。
3.如權利要求1所述的覆晶式LED封裝結構，其特征在于所述基板為透明板用以使光線穿過，所述透明板是為高光穿透率的材料。
4.如權利要求1所述的覆晶式LED封裝結構，其特征在于所述封裝殼體設置在所述基板外圍，所述封裝殼體內部形成一個容置腔，所述基板位于所述容置腔的一端，從而與所述封裝殼體共同構成一個底端封閉的空腔。
5.如權利要求4所述的覆晶式LED封裝結構，其特征在于所述封裝殼體的材料為氮化鋁(AlN)、硅(Si)、氮化硼(BN)、石墨(C)銅(Cu)、鉬(Mo)、鎢(W)、氧化鋁(AlOx)散熱結構的材料。
6.如權利要求1所述的覆晶式LED封裝結構，其特征在于所述兩個電極表面鍍上一層絕緣層。
7.如權利要求1所述的覆晶式LED封裝結構，其特征在于所述LED芯片的周圍設置封裝膠。
8.如權利要求1所述的覆晶式LED封裝結構，其特征在于所述散熱元件的材料為鉆石(Diamond)、類鉆石材料(Diamond-like material)、石墨(C)、銅(Cu)、金(Au)、鎳(Ni)、 銀(Ag)、鋁(Al)、氮化鋁(AlN)、氮化棚(BN)、硅(Si)。
9.如權利要求1所述的覆晶式LED封裝結構，其特征在于所述基板的另一個表面上具有分層設置的熒光粉薄膜。
10.如權利要求1所述的覆晶式LED封裝結構，其特征在于所述LED芯片與所述散熱元件結合為一體，并在所述結合體的周圍設置封裝膠。
全文摘要
本發(fā)明提供一種覆晶式LED封裝結構，其包括一個基板、一個封裝殼體、兩個電極、一個LED芯片以及一個散熱元件。所述封裝殼體設置在所述基板外圍。所述LED芯片位在所述封裝殼體內。所述LED芯片的底部具有反射層設置使光線向所述基板方向投射。所述LED芯片底部與所述封裝殼體內設置所述散熱元件。所述兩個電極用以將所述LED芯片與外界電性連接。本發(fā)明能藉由所述散熱元件設置防止熱堆積所造成的發(fā)光效率降低與壽命縮減的缺點。
文檔編號H01L33/64GK102332526SQ20101022658
公開日2012年1月25日 申請日期2010年7月14日 優(yōu)先權日2010年7月14日
發(fā)明者沈佳輝, 洪梓健 申請人:展晶科技(深圳)有限公司, 榮創(chuàng)能源科技股份有限公司