專利名稱：Rf同軸連接器的耦合損耗降低電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及RF同軸連接器，特別涉及RF同軸連接器的耦合損耗降低電路，為了使傳送、接收信號(hào)的損耗最小化，該耦合損耗降低電路通過改變阻抗匹配用電容器耦合結(jié)構(gòu)， 使同軸連接器的插頭與插座耦合時(shí)發(fā)生的插入損耗最小化，以最終補(bǔ)償損耗。
背景技術(shù)：
一般來說，RF(Radio Frequency)同軸連接器具有在圓筒型外部導(dǎo)體中央設(shè)置內(nèi)部中心導(dǎo)體，并在內(nèi)、外部導(dǎo)體之間填充絕緣體進(jìn)行固定的結(jié)構(gòu)，作為連接各種無線通信系統(tǒng)的各種部件或設(shè)備而傳送高頻信號(hào)的媒體使用，根據(jù)不同用途及性能，具有多種實(shí)現(xiàn)方式。上述RF同軸連接器相比一般的平行電纜而言，隨頻率提高其衰減減少，且通過外部導(dǎo)體的泄露也較小，容易確保阻抗均勻性，因此，廣泛用于遠(yuǎn)距離寬帶多重傳輸線路。以往的RF同軸連接器如圖1所示，由插座和插頭構(gòu)成，其中，插座和插頭分別在中心具有連接信號(hào)的接頭(插頭接頭或插座接頭)，并具有防止信號(hào)向接頭周邊泄露的絕緣體。雖然這里對(duì)除上述結(jié)構(gòu)以外的結(jié)構(gòu)沒有進(jìn)行圖示，但在通過連接器進(jìn)行連接的部分，會(huì)因?yàn)橥ㄐ偶夹g(shù)上的特點(diǎn)而發(fā)生損耗。另外，除上述損耗以外，為提高接收率也必須要進(jìn)行阻抗匹配，為此，根據(jù)高頻特性，需要內(nèi)置利用了線圈和電容器(或電容)的放大電路或具有阻抗匹配電路的PCB(印刷線路板)。這里，核心部件是電容器，RF同軸連接器具備的PCB電路的等價(jià)電路如圖2所示， 以上述等價(jià)電路為基準(zhǔn)時(shí)，插頭接頭和插座接頭連接時(shí)在相應(yīng)部位產(chǎn)生的損耗，以傳送信號(hào)OMHz 870MHz為基準(zhǔn)產(chǎn)生2. OdB。因此，只要補(bǔ)償損耗，就能提高可信度，因此，相關(guān)研究正在迅速展開。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明為解決上述問題而提出，其目的是，提供一種RF同軸連接器的耦合損耗降低電路，為了使傳送、接收信號(hào)的損耗最小化，該耦合損耗降低電路通過改變阻抗匹配用電容器耦合結(jié)構(gòu)，使同軸連接器的插頭與插座耦合時(shí)發(fā)生的插入損耗最小化，以最終補(bǔ)償損
^^ ο用于達(dá)到上述目的的本發(fā)明的RF同軸連接器的耦合損耗降低電路的特點(diǎn)是，對(duì)于在連接RF同軸連接器的信號(hào)的輸入端和輸出端的信號(hào)通路周邊設(shè)置有兩端接地且被流經(jīng)相應(yīng)通路的高頻信號(hào)激發(fā)而充電的電容器的阻抗匹配電路，與所述電容器并列設(shè)置相同容量的電容器，從而補(bǔ)償損耗。用于達(dá)到上述目的的本發(fā)明的RF同軸連接器的耦合損耗降低電路的另一個(gè)特點(diǎn)是，對(duì)于在RF同軸連接器周邊設(shè)置有兩端接地且被流經(jīng)相應(yīng)通路的高頻信號(hào)激發(fā)而充電的電容器的阻抗匹配電路，在連接上述信號(hào)的輸入端和輸出端的信號(hào)通路上設(shè)置與所述電容器具有相同容量的電容器，并在所述輸出端和接地之間設(shè)置振蕩線圈，通過線圈和電容器構(gòu)成的振蕩電路來補(bǔ)償損耗。為了使傳送、接收信號(hào)的損耗最小化，如上所述的本發(fā)明通過改變阻抗匹配用電容器耦合結(jié)構(gòu)，使同軸連接器的插頭接頭與插座接頭耦合時(shí)發(fā)生的插入損耗最小化，從而補(bǔ)償損耗。


圖1是一般的由插頭和插座構(gòu)成的RF同軸連接器的連接狀態(tài)剖視圖。圖2是以往RF同軸連接器的內(nèi)部PCB電路等價(jià)示意圖。圖3是根據(jù)本發(fā)明的RF同軸連接器的耦合損耗降低電路的PCB基板的電路結(jié)構(gòu)及等價(jià)示意圖。圖4是根據(jù)本發(fā)明的RF同軸連接器的耦合損耗降低電路的另一等價(jià)示意圖。
具體實(shí)施例方式本領(lǐng)域技術(shù)人員可以通過附圖和下面的本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施方式進(jìn)一步明確本發(fā)明的上述目的和各種優(yōu)點(diǎn)。首先，產(chǎn)生損耗的原因是由于電容量不足，因此提高電容性電容器容量將是一種解決方法。另外，即使使用相同的電容性電容器，如果通過內(nèi)部振蕩或自身振蕩對(duì)不足部分或損失部分進(jìn)行補(bǔ)償，將更有利于降低損耗。圖3是根據(jù)本發(fā)明的RF同軸連接器的耦合損耗降低電路的PCB基板的電路結(jié)構(gòu)及等價(jià)示意圖，圖4是根據(jù)本發(fā)明的RF同軸連接器的耦合損耗降低電路的另一等價(jià)示意圖。如圖3所示，在連接RF同軸連接器的信號(hào)的輸入端和輸出端(統(tǒng)一用符號(hào)10表示)的信號(hào)通路周邊設(shè)置有兩端接地且被流經(jīng)相應(yīng)通路的高頻信號(hào)激發(fā)而充電的第一電容器Cl和第二電容器C2的以往阻抗匹配電路基礎(chǔ)上，并列連接用符號(hào)C3表示的補(bǔ)償用電容器。此時(shí)，上述第一電容器Cl、第二電容器C2和補(bǔ)償用電容器C3優(yōu)選采用相同容量的電容器。因而，通過并列設(shè)置上述補(bǔ)償用電容器C3，能夠補(bǔ)償損耗，實(shí)驗(yàn)表明，能夠?qū)p耗降低到0. 8dB。另外，圖4所示為與圖3所示不同的另一種實(shí)施例，如圖4所示，在連接RF同軸連接器的信號(hào)的輸入端和輸出端(統(tǒng)一用符號(hào)10表示)的信號(hào)通路周邊設(shè)置有兩端接地且被流經(jīng)相應(yīng)通路的高頻信號(hào)激發(fā)而充電的第一電容器Cl和第二電容器C2的以往阻抗匹配電路基礎(chǔ)上，在連接所述信號(hào)的輸入端和輸出端的信號(hào)通路上連接用符號(hào)C3表示的補(bǔ)償用電容器，并在輸出端和接地之間設(shè)置振蕩線圈L，通過線圈和電容器組成的振蕩電路來補(bǔ)償損耗。此時(shí)，上述第一電容器Cl、第二電容器C2和補(bǔ)償用電容器C3優(yōu)選使用相同容量的電容器。實(shí)驗(yàn)表明，上述實(shí)施例也能將損耗降低到0. 8dB。以上只對(duì)本發(fā)明特定實(shí)施方式進(jìn)行了圖示及說明，但本領(lǐng)域技術(shù)人員都能夠了解在不脫離權(quán)利要求范圍所述的發(fā)明思想及領(lǐng)域的情況下，對(duì)本發(fā)明可以進(jìn)行多種改造及變更。
權(quán)利要求
1.一種RF同軸連接器的耦合損耗降低電路，其特征在于，對(duì)于在連接RF同軸連接器的信號(hào)的輸入端和輸出端的信號(hào)通路周邊設(shè)置有兩端接地且被流經(jīng)相應(yīng)通路的高頻信號(hào)激發(fā)而充電的電容器的阻抗匹配電路，與所述電容器并列設(shè)置相同容量的電容器，從而補(bǔ)償損耗。
2.—種RF同軸連接器的耦合損耗降低電路，其特征在于，對(duì)于在RF同軸連接器周邊設(shè)置有兩端接地且被流經(jīng)相應(yīng)通路的高頻信號(hào)激發(fā)而充電的電容器的阻抗匹配電路，在連接所述信號(hào)的輸入端和輸出端的信號(hào)通路上設(shè)置與所述電容器具有相同容量的電容器，并在所述輸出端和接地之間設(shè)置振蕩線圈，通過線圈和電容器構(gòu)成的振蕩電路來補(bǔ)償損耗。
全文摘要
本發(fā)明涉及在連接RF同軸連接器的信號(hào)的輸入端和輸出端的信號(hào)通路周邊設(shè)置有兩端接地且被流經(jīng)相應(yīng)通路的高頻信號(hào)激發(fā)而充電的電容器的阻抗匹配電路，特別提供一種與上述電容器并列設(shè)置相同容量的電容器以補(bǔ)償損耗的RF同軸連接器的耦合損耗降低電路，為了使傳送、接收信號(hào)的損耗最小化，所述耦合損耗降低電路改變了阻抗匹配用電容器耦合結(jié)構(gòu)，使同軸連接器的插頭與插座耦合時(shí)發(fā)生的插入損耗最小化，最終補(bǔ)償損耗。
文檔編號(hào)H01R13/719GK102244327SQ20101022652
公開日2011年11月16日 申請(qǐng)日期2010年7月8日 優(yōu)先權(quán)日2010年5月10日
發(fā)明者崔銅旭 申請(qǐng)人:崔銅旭