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具有順服涂層的靜電夾盤的制作方法

文檔序號:7209658閱讀:172來源:國知局
專利名稱:具有順服涂層的靜電夾盤的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明大體涉及半導體處理系統(tǒng),具體涉及制造靜電夾盤的設備和方法,該靜電夾盤用于夾箝基板和傳導相關(guān)聯(lián)的熱能。
背景技術(shù)
在制造現(xiàn)代的微電子器件中,硅晶片的處理是司空見慣。此種處理(包括等離子體處理和離子注入)可能是在低壓下進行,其中RF或微波等離子體或者高能粒子束傳遞至晶片,從而在處理期間在晶片處產(chǎn)生高溫。然而,此種高溫可以對晶片造成有害的影響。半導體處理中的晶片溫度控制已經(jīng)利用靜電夾盤(electrostatic chuck, ESC) 一段時間了。典型的單極ESC示出在圖1中,其中ESC 10藉由靜電力來握持晶片20于定位。 晶片20藉由絕緣層40而與電極30分開。電壓(例如,示范成“ + ”)由電壓源50施加于電極30。施加于電極30的電壓在晶片20處產(chǎn)生靜電場(例如,示范成“_”),其在晶片20 上感應出等量但相反的電荷(例如,示范成“ + ”)。晶片20上的靜電場在晶片20和ESC 10 之間產(chǎn)生靜電力。因此,靜電力握持晶片20抵靠著絕緣層40。晶片20的冷卻可以經(jīng)由晶片20和絕緣層40的接觸表面60之間的接觸傳導而發(fā)生,其中絕緣層可以由冷卻水來冷卻。傳統(tǒng)上,晶片20的冷卻一般隨著施加于ESC的電壓而增加。然而,顯著的高電壓可以對晶片造成有害的影響(例如是產(chǎn)生顆粒的原因),并且隨著失效率增加,可能進一步引發(fā)昂貴的電力供應和消耗方面的考量。在真空環(huán)境中,傳統(tǒng)的ESC利用晶片20和絕緣層40之間的冷卻氣體,其中絕緣層 40的接觸表面60包括讓冷卻氣體停留的區(qū)域。然而,以精確度以及晶片處理期間由陶瓷層引起的潛在顆粒考量來看,傳統(tǒng)上機械加工陶瓷構(gòu)成的絕緣層40典型而言具有幾個缺點。夾箝電極30與晶片20之間的絕緣層40厚度影響局部夾箝力,因此影響整個晶片上的熱均勻性。然而,傳統(tǒng)的制造方法對此方面提供的控制很差。絕緣層40的不均勻性以及夾箝10和晶片20之間物理間隙的不均勻性在夾箝壓力中產(chǎn)生可能很大的空間變化,讓精確溫度控制變得困難。模型和測量顯示傳統(tǒng)上,平均間隙寬度典型而言會依據(jù)表面和夾箝狀況而變化。這種整個晶片上較大且不可控制的間隙寬度典型而言導致整個晶片上較低的冷卻能力和不均勻的溫度。當使用ESC時,整個晶片背面可以緊緊握持于ESC表面。當二個堅硬表面以此方式握持在一起時,由于壓碎表面的微型特征,產(chǎn)生了顆粒。因而,ESC和晶片的表面之間的界面變成產(chǎn)生顆粒的來源。因此,本技術(shù)領(lǐng)域需要一種靜電夾盤,其提供的夾箝表面可操作來顯著限制晶片處理期間的顆粒污染。

發(fā)明內(nèi)容
以下提出本發(fā)明的精簡綜述,以便提供對本發(fā)明某些方面的基本了解。此綜述并非本發(fā)明的廣泛概觀。它不是要識別本發(fā)明的關(guān)鍵元件,也不是要限制本發(fā)明的范圍。其目的是要以簡化形式來提出本發(fā)明的某些概念,以作為稍后提出之更詳細敘述的序曲。本發(fā)明大體上針對用于形成靜電夾盤(ESC)的夾箝板的設備和方法,靜電夾盤 (ESC)用于加熱或冷卻半導體基板??梢栽贓SC上涂覆順服層,以提供減小的摩擦系數(shù),從而實質(zhì)上減少或消除ESC和基板(例如半導體晶片)背面之間的熱膨脹所產(chǎn)生的顆粒。順服層的表面構(gòu)形可加以圖案化,并且也可以順服于ESC的陶瓷的表面構(gòu)形。順服層可以包括任何柔軟、易撓而有彈性的材料,例如有機硅化物、含氟聚合物和/或TT-Kote 。為了完成前述和相關(guān)方面,本發(fā)明包括之后完整描述的以及權(quán)利要求所特別指出的特征。以下敘述和所附圖式則詳細列出了本發(fā)明特定的范例性實施例。然而,這些實施例只是指出本發(fā)明原理可以采用的各式各樣方式的一些而已。從本發(fā)明以下詳細描述和配合圖式,本發(fā)明的其他目的、優(yōu)點、新穎特征將會變得明顯。


圖1是范例性現(xiàn)有技術(shù)靜電夾盤的部分截面圖。圖2是根據(jù)本發(fā)明一范例性方面的靜電夾盤的部分截面圖。圖3是根據(jù)本發(fā)明一范例性方面的范例性夾箝板的平面圖。圖4是根據(jù)本發(fā)明一方面的范例性突出物的部分截面圖。圖5是根據(jù)本發(fā)明一范例性方面的范例性夾箝板的部分截面圖。圖6是示范根據(jù)本發(fā)明的形成基于半導體的靜電夾盤的范例性方法的流程圖。
具體實施例方式本發(fā)明針對靜電夾盤(ESC,例如多極ESC)和形成夾箝板的相關(guān)聯(lián)的方法,其并入了多個發(fā)明特征。具體地,本發(fā)明的靜電夾盤通過減小的摩擦系數(shù)減少顆粒的產(chǎn)生,并提高均勻冷卻晶片基板的能力。由此,本發(fā)明現(xiàn)在將參考圖式來描述,其中全篇使用類似的參考數(shù)字來指稱類似的構(gòu)件。應該理解這些方面的敘述僅僅是示范性的,而不應以限制性意味來看待。在以下敘述中,為了解釋起見,列出了許多特定的細節(jié)以便提供對本發(fā)明的徹底了解。然而,本領(lǐng)域技術(shù)人員顯然知道沒有這些特定細節(jié)也可以實施本發(fā)明。本公開所克服的一項挑戰(zhàn)是達到減小ESC的表面的摩擦,而同時允許ESC具有多極和/或單極夾盤(例如其中整個ESC就是一個電極)。ESC表面可以涂覆柔軟的/順服的材料,例如TT-Kote ,如此可以消除來自熱膨脹的摩擦效應。ESC表面上的該涂覆可以是在ESC上的順服層,以提供晶片背面所接觸的、實質(zhì)不粘或低摩擦的表面。本公開所克服的另一項挑戰(zhàn)是實現(xiàn)靜電夾盤(ESC),其在基板(例如硅晶片)和與ESC相關(guān)聯(lián)的半導體夾箝板之間展現(xiàn)顯著的空間均勻的熱傳遞系數(shù)(heat transfer coefficient, HTC)。實現(xiàn)顯著均勻HTC的一種方法是利用基板和夾箝板之間的熱接觸傳導,其中施加于夾箝板的電壓一般決定了基板和夾箝板之間的接觸力的大小。然而,HTC的均勻性典型而言依賴于接觸壓力的均勻性。維持均勻HTC的一種方法是提供均勻的夾箝表面。然而,固體的夾箝表面一般需要在整個基板上的大的接觸壓力,因此需要大量電力施加于ESC,以便達到顯著的高HTC。 依據(jù)本發(fā)明,移除一部份的夾箝表面則允許減少電力,同時減少晶片上的力。舉例而言,移除夾箝板表面的一部分面積,其中剩余的部分一般定義讓基板停留于其上的多個突出物。依據(jù)本公開的一方面,利用了夾箝板的接觸表面積和基板表面積之間的面積比例,其中可以經(jīng)由多個突出物來進行最大化的熱傳遞,同時對基板的應力減到最少。圖2是靜電夾盤100的框圖,并且示范了根據(jù)本公開某些方面的相關(guān)系統(tǒng)230。根據(jù)本發(fā)明一范例性方面,用于控制靜電夾盤100的系統(tǒng)230可以包括控制器235,其操作上耦合于電壓供應器對0??刂破?35可操作為控制電壓供應器M0,以控制供應至ESC 100 的極131A、131B的電壓V,其中由于電壓感應的靜電力,電壓V正比于基板105所受到的夾箝力的大小。根據(jù)一范例,控制器235可以通過增加或減少電壓V而進一步控制ESC 100 的接觸熱傳遞系數(shù)(HTC)的大小,因此靜電力和夾箝力分別增加或減少。根據(jù)上述范例,控制施加于圖2靜電夾盤100的電壓V則有利地控制了經(jīng)由夾箝板的熱傳導的量。在低接觸壓力下,雖然基板105仍被夾箝或固定,但是基板105和靜電夾盤100之間僅轉(zhuǎn)移最少量的熱能,其中夾盤的熱部分實質(zhì)上是“關(guān)閉的”(off)。當較大的電壓V(例如大約100伏特) 施加于ESC 100時,基板105和夾箝板110之間的接觸壓力便實質(zhì)上增加,從而快速增加基板105和夾箝板110之間的HTC,所以有效地將夾盤的熱部分“開啟”(on)以加熱或冷卻基板。在該范例中,控制器235可以操作為通過快速控制施加于ESC 100的電壓V來控制接觸壓力,從而允許ESC快速改變狀態(tài)(例如從加熱狀態(tài)變成冷卻狀態(tài))。舉例而言,控制器235可以進一步操作以反饋來自與ESC 100相關(guān)聯(lián)的溫度傳感器245的晶片溫度數(shù)據(jù) T,其中可以控制電壓供應器240成閉環(huán)反饋布置。備選地,當達到預定溫度時,控制器235 操作成大體上限制基板105和ESC 100之間的HTC。根據(jù)另一范例性方面,圖2的系統(tǒng)230可以進一步包括一或多個閥250A 250C, 其中該一或多個閥可操作為選擇性地允許一個或多個真空泵255將冷卻氣體260以各式各樣的模式泵動經(jīng)過靜電夾盤100,以用于基板105和ESC之間的氣體熱傳導。舉例而言,一個或多個閥250A 250C包括一個或多個自動閥(例如闊250A),例如快速動作的螺線管閥 (solenoid valve)或提動閥(poppet valve)。根據(jù)另一范例性方面,控制器235可以操作上耦合于一個或多個真空泵255A 255B、氣體供應器沈5、電壓供應器M0、一個或多個閥250A 250C。在本范例中控制施加于靜電夾盤100的真空則有利地控制經(jīng)由冷卻氣體的熱傳遞導量。因而控制背面壓力的閥 250A允許靜電夾盤100快速改變狀態(tài)(例如從加熱狀態(tài)變成冷卻狀態(tài))。控制器235因而可進一步操作為經(jīng)由控制一個或多個自動閥250來控制基板105和靜電夾盤100之間的氣體壓力。在另一實施例中,以放大的部分截面圖來看,順服層106示出為沉積在ESC 100 上。順服層106被放大而未依比例來顯示,以便于了解其結(jié)構(gòu)和操作。順服層106可以涂覆于ESC 100上,并且可以包括任何柔軟/順服的彈性表面,以減少在上面夾箝半導體基板時的背面顆粒。在一實施例中,順服層106可以包括柔軟的順服材料,例如有機硅化物,并且厚度可以是從大約1微米到大約5微米,譬如1微米。厚度可以根據(jù)在ESC 100上夾箝基板105所需夾箝力而預定。舉例而言,隨著厚度增加或減少,靜電力也可以依據(jù)順服層106 的電阻率而增加或減少。在另一實施例中,順服層106可以包括任何柔軟的、易撓的彈性材料,例如有機硅化物。在另一實施例中,順服層106可以包括ΓΓ-Kote (NxEdge的產(chǎn)品)以提供易撓的表面。順服層106可操作為減少夾箝半導體晶片或基板時的背面顆粒。在另一實施例中,順服層106可以包括含氟聚合物(例如PTFE、類似PTFE的涂覆),例如teflon 。對ESC 100涂覆順服層106 JUESC 100的表面可以展現(xiàn)減小的摩擦系數(shù),所以可以消除或減少夾箝所產(chǎn)生的顆粒和熱膨脹造成的摩擦效應。再者,順服層106可以包括實質(zhì)上不粘的或低摩擦/低黏附的夾箝表面,基板背面可以接觸在該夾箝表面上。在一實施例中,夾箝表面可以是實質(zhì)平坦的,如圖2所示。順服層106可以順服于ESC 100的表面,因此覆蓋ESC 100的適合夾箝基板105的各式各樣表面構(gòu)形(topography)。舉例而言,ESC 100可以包括提供表面特征的陶瓷元件,該表面特征例如是島狀突出物、纖維狀圖案、或者任何適合接觸基板105的表面構(gòu)形。在另一實施例中,順服層106可被成形以提供相對于ESC 100表面而言非共平面的表面。順服層可以是易撓而有彈性的,使得用于接觸基板105的各式各樣的特征可以成形于其中。舉例而言,成形出島狀突出物、纖維狀圖案或任何適合接觸基板105的表面構(gòu)形。移除一部分表面以提供非共平面的夾箝表面(通過成形順服層或成形要涂覆順服層以順服于其上的陶瓷表面),則減少了順服層的背面顆粒。此外,因為減少與晶片背面接觸的面積而會典型地減少冷卻,但是此典型而言也可以改善晶片背后的氣體分布和冷卻均勻性?,F(xiàn)在參見圖3,示出了一實施例,其中多個突出物140包括已形成于ESC夾箝板 110頂表面117上之多個實質(zhì)圓柱形或矩形的島狀物147。多個突出物140可操作為大體上接觸圖2所示基板105的底表面,從而定義了突出物接觸面積。雖然從夾箝板110的頂表面117延伸的多個突出物140示出為均勻的形狀且以有序的方式排列,但是也可構(gòu)思多個突出物的其他排列,并且突出物的任何形狀或次序或者其他此種替代方案亦落入本發(fā)明范圍內(nèi)。夾箝板110舉例而言包括半導體平臺120,其中包括低摩擦/低黏附表面的順服層1 形成于半導體平臺120的頂表面上。順服層IM可以包括含氟聚合物、有機硅化物或TT-Kote 。順服層可以是易撓的以順服于ESC表面和/或成形以在其中提供表面特征。圖4示出了范例性突出物140,其中順服層148大體上順服于多個突出物140,并且具有大體上圓化的一或多個尖銳邊緣146A,從而界定出突出物140的一或多個圓化的邊緣146B。舉例而言,在基板105相對于夾箝板110的熱運動(例如熱膨脹或收縮)期間,順服層148可以提供有利的滑動特性。舉例來說,基板105相對于突出物140的熱運動158 可以通過突出物140來在基板105上產(chǎn)生力F。舉例而言,順服層148可以具有低發(fā)射性,其中在基板加熱期間,從基板105朝向夾箝板110發(fā)射的熱(未顯示)可以從保護性涂層被反射,從而促進經(jīng)由間隙中的氣體傳導(當利用氣體傳導時)而進行熱傳導。根據(jù)另一范例,順服層148在夾箝板110和基板 105之間提供實質(zhì)順服的界面149,其中順服層大體上減少摩擦造成污染的可能性,該污染使夾箝板和基板105背面劣化。因為順服層148的可撓性(pliability),順服層148因而允許以更均勻的方式發(fā)生膨脹。根據(jù)又一范例,順服層148可操作為大體上允許基板105 側(cè)向滑動于夾箝板110和基板105之間的界面149上。順服層148大體上順服于多個突出物140,從而圓化其一或多個尖銳邊緣146A,并且可以提供低摩擦/低黏附的表面以減小基板和界面149之間的摩擦系數(shù)。現(xiàn)在參見圖5,示出的靜電夾盤500包括靜電夾盤陶瓷元件510、金屬元件512。 靜電夾盤陶瓷元件510可以由陶瓷材料所構(gòu)成,舉例而言如氮化鋁(AlN)、氧化鋁(Al2O3)、 鈦酸鈣(CaTiO3)或鈦酸鋇(BaTiO3),也可以由氮化鋁(AlN)所構(gòu)成。例如可以通過燒結(jié) (sintering)或本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所獲知的其他方法,將靜電夾盤電極518埋嵌于靜電夾盤陶瓷元件510中??梢越?jīng)由端子520施加電壓至靜電電極518來使靜電夾盤元件510 的表面帶電,導致產(chǎn)生靜電吸弓丨,利用該靜電吸引,將硅晶片516吸附于吸附表面上,即靜電夾盤陶瓷元件510的上表面。此外,正在具有結(jié)合(bonded)結(jié)構(gòu)514的靜電夾盤的靜電夾盤元件510和靜電夾盤金屬元件512中,可以制作孔洞524以使冷卻介質(zhì)522通過,冷卻介質(zhì)522譬如氬氣(Ar氣體)、氮氣( 氣體)和類似者。再者,若不采用此做法或者附加于此做法,可以為金屬元件512提供以另一種冷卻機制,譬如水冷卻機制和/或本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所獲知的任何其他方法。此外,在一實施例中,涂覆或順服層523可以提供比晶片516背面還大的表面積。 例如,面積的差異可以允許氣體分子在特征例如熱沉表面的皺摺)里統(tǒng)計上彈跳多次。順服層523的表面構(gòu)形可被圖案化,以包括表面構(gòu)形,表面構(gòu)形使該層523對基板的接觸比例小于100%。順服層523的表面構(gòu)形也可以包括特征M8,特征548包括皺摺、溝槽、 微點和/或島狀突出物M8以供接觸,這使順服層523相對于晶片516背面的接觸比例小于100%。島狀物幾何上可以是實質(zhì)圓柱形和/或?qū)嵸|(zhì)矩形,并且可以是由順服層523形成的。在另一實施例中,順服層523可被成形為提供相對于陶瓷元件510的表面的非共平面的表面,例如圖5所示。舉例而言,順服層523的表面構(gòu)形可被成形為在其中形成各式各樣的特征M8,例如皺摺、島狀突出物、微點和/或纖維網(wǎng)狀圖案,以支持晶片516的背面。 順服層523可以順服于陶瓷元件510的表面以提供特征M8,并且本身也可被成形為提供各式各樣的特征M8,例如皺摺、溝槽、微點和/或島狀突出物M8。任何適合接觸晶片516背面的特征M8皆設想成落入本公開的范圍里。再者,順服層523可以包括低摩擦的夾箝表面,基板背面可以接觸于夾箝表面上。 在一實施例中,相對于陶瓷元件510表面所形成的表面特征548而言,夾箝表面可以是實質(zhì)平坦的,并且本身內(nèi)部沒有任何突出物或圖案,而是成形為底下的陶瓷元件510的各式各樣的表面構(gòu)形。舉例而言,陶瓷元件510中例如溝槽、島狀突出物、微點和/或皺摺的特征 548可以被涂覆順服層523,并且以此將順服層523成形。在另一實施例中,特征548可以由陶瓷元件510所形成,此外上面還具有在順服層 523內(nèi)成形的特征。舉例而言,表面特征555的放大圖550可見于圖5。特征555可以由順服層510的材料所形成,并且停留在可以由陶瓷元件510所形成的特征548上。例如,順服層523可以包括微點,微點散布于可以由陶瓷元件510所形成的特征548上。如上所討論, 特征548可以由陶瓷元件510和/或順服層523材料所形成,并且是任何適合接觸基板以減少晶片516對ESC的接觸面積(在該接觸面積上可以產(chǎn)生顆粒)的特征。在一實施例中,順服層的厚度范圍可以是大約1 5微米,例如,可以利用大約2 微米。厚度可以是根據(jù)在ESC 500上夾箝基板所需夾箝力而預定的。隨著厚度增加或減少, 靜電力也可以依據(jù)順服層523的電阻率而增加或減少。
在一實施例中,順服層523可以包括teflon或類似PTFE的涂覆。順服層523可以包括柔軟的順服材料,例如有機硅化物或TT-Kote ,以提供易撓的表面,當夾箝半導體晶片或基板時能減少背面顆粒。在另一實施例中,順服層523可以包括含氟聚合物(例如 PTFE、類似PTFE的涂覆),例如teflon c^iESC 500涂覆順服層523,則ESC 500的表面可以展現(xiàn)減小的摩擦系數(shù),所以可以消除或減少初始夾箝所產(chǎn)生的顆粒和熱膨脹所造成的摩擦效應。在一實施例中,順服層523可以包括納米纖維,納米纖維被涂覆有機硅化物或 TT-Kote ,以在上面提供較大的表面積和/或夾箝力以及整體的可撓性。皺摺或島狀突出物548可以是分散的納米纖維,其在層523內(nèi)形成類似網(wǎng)狀的圖案。任何適合接觸晶片516 背面的圖案皆可以在此實施。本公開也針對用于形成基于半導體的多極靜電夾盤的方法。雖然范例性方法在此示范和描述成一系列的動作或事件,但是將體會本發(fā)明并不受限于此等動作或事件所示范的次序,因為依據(jù)本發(fā)明,某些步驟可以不同次序來發(fā)生和/或與在此所示和敘述的其他步驟同時發(fā)生。此外,并非需要所有示范的步驟才可以實施依據(jù)本發(fā)明的方法。再者,將體會本方法可以相關(guān)于在此示范和描述的系統(tǒng)來實施,也可以相關(guān)于未示范的其他系統(tǒng)來實施?,F(xiàn)在參見圖6,示出了形成用于靜電夾盤的夾箝板的方法600,其中夾箝板包括順服層,其具有彈性以允許半導體晶片背面和ESC的陶瓷元件之間的熱傳遞,以及減少其上所產(chǎn)生的顆粒。表面包括低摩擦表面,它是易撓而順服于晶片和陶瓷元件的表面的。順服層足以減小摩擦系數(shù),這是因為它具有足夠的可撓性以減少熱膨脹所產(chǎn)生的摩擦。因此,減少或?qū)嵸|(zhì)消除了顆粒的產(chǎn)生。開始于動作601,形成ESC的夾箝元件,其可以包括陶瓷元件,而陶瓷元件可以包括各式各樣的陶瓷(例如AlN)和材料(例如有或沒有納米纖維的金屬電極),以用于夾箝晶片至其表面。在603,涂覆順服層(如上所討論),其覆蓋陶瓷(例如陶瓷元件)的表面。 對于陶瓷表面而言,順服層可以是實質(zhì)平坦、均勻的,并且可以順服于陶瓷表面內(nèi)圖案化的各式各樣的表面構(gòu)形。在另一實施例中,順服層本身被圖案化,以具有足以接觸晶片背面的各式各樣的突出物、島狀物和/或纖維形狀。在另一范例中,順服層可以包括有機硅化物或 TT-Kote 。以造成低摩擦的彈性表面來接觸晶片背面。納米纖維可以涂覆于順服層內(nèi),以提供整體上較大的表面積和更多的柔順度。在605,將晶片握持于ESC表面。雖然已相對于特定較佳的實施例來顯示和敘述本發(fā)明,但是在閱讀和理解說明書和所附圖式后,本領(lǐng)域技術(shù)人員顯然可以想到等效的變化和修改。尤其關(guān)于上述元件(組件、裝置、電路等)所進行的各式各樣的功能,用于描述此種元件的詞匯(包括參考于“裝置”(means)),除非另有所指,否則對應于執(zhí)行所述元件的特定功能的任何元件(亦即功能上相等),即使結(jié)構(gòu)上并未等同于執(zhí)行本發(fā)明此處示范的范例性實施例功能所揭示的結(jié)構(gòu)。 另外,雖然本發(fā)明的特征可能已相對于數(shù)種實施例中的僅僅一種而揭露,但是若對于任何給定的或特殊的用途可以是想要的而有利的話,則此種特征可以結(jié)合其他實施例的一或多種其他特征。
權(quán)利要求
1.一種靜電夾盤,用于夾箝基板和控制相關(guān)聯(lián)的熱傳遞,該靜電夾盤包括陶瓷元件,包括陶瓷表面;以及順服層,包括低摩擦表面,所述低摩擦表面覆蓋陶瓷表面并提供用于夾箝基板的夾箝表面。
2.如權(quán)利要求1所述的靜電夾盤,其中順服層包括有機硅化物。
3.如權(quán)利要求1所述的靜電夾盤,其中順服層包括TT-Kote 。
4.如權(quán)利要求1所述的靜電夾盤,其中順服層包括1微米到大約5微米的寬度。
5.如權(quán)利要求1所述的靜電夾盤,其中陶瓷元件包括基于氮化鋁的材料。
6.如權(quán)利要求1所述的靜電夾盤,其中順服層包括使順服層對基板的接觸比例小于 100%的表面構(gòu)形圖案,以及其中在順服層下的陶瓷表面包括實質(zhì)上平坦的表面。
7.如權(quán)利要求1所述的靜電夾盤,其中順服層的表面構(gòu)形包括以接觸島狀物而加以圖案化的表面構(gòu)形,接觸島狀物使順服層的接觸比例小于100%。
8.如權(quán)利要求1所述的靜電夾盤,其中順服層符合陶瓷元件的陶瓷表面,以及其中陶瓷表面位于順服層下,該陶瓷表面不包括平坦的表面,而是包括使順服層對基板的接觸比例小于100%的表面構(gòu)形圖案。
9.如權(quán)利要求1所述的靜電夾盤,其中順服層包括涂覆有TT-Kote 或有機硅化物的層的納米纖維。
10.如權(quán)利要求1所述的靜電夾盤,其中根據(jù)足以夾箝基板的夾箝力,順服層包括1微米到5微米的厚度。
11.如權(quán)利要求1所述的靜電夾盤,其中陶瓷元件包括溝槽,而順服層符合陶瓷元件的溝槽。
12.如權(quán)利要求1所述的靜電夾盤,其中順服層包括Teflon 。
13.如權(quán)利要求1所述的靜電夾盤,其中順服層包括含氟聚合物涂層。
14.一種靜電夾盤,用于夾箝基板和控制相關(guān)聯(lián)的熱傳遞,該靜電夾盤包括夾箝元件;以及順服層,包括順服材料和用于夾箝基板的低摩擦夾箝表面。
15.如權(quán)利要求14所述的靜電夾盤,其中順服層材料包括TT-Kote 或有機硅化物。
16.如權(quán)利要求14所述的靜電夾盤,其中根據(jù)足以夾箝基板的夾箝力,順服層包括1微米到5微米的厚度;其中順服層的表面構(gòu)形包括多個特征,該多個特征從順服層開始在順服層下延伸以用于接觸基板;其中該多個特征包括陶瓷材料、順服層材料、或陶瓷材料和順服層材料二者;并且其中該多個特征包括彼此分開的皺摺、溝槽、微點和/或島狀特征以用于接觸基板。
17.一種形成靜電夾盤的方法,包括形成用于基板的夾箝元件,夾箝元件包括陶瓷材料和陶瓷表面;以及以順服層材料涂覆陶瓷表面而覆蓋陶瓷元件。
18.如權(quán)利要求17所述的方法,其中順服層的表面構(gòu)形包括多個特征,該多個特征從順服層開始在順服層材料下延伸以用于接觸基板;其中該多個特征包括陶瓷材料、順服層材料、或陶瓷材料和順服層材料二者。
19.如權(quán)利要求17所述的方法,其中順服層材料包括TT-Kote 或有機硅化物。
20.如權(quán)利要求17所述的方法,其中順服層的表面構(gòu)形包括特征,該特征包括彼此分開的皺摺、溝槽、微點和/或島狀特征以用于接觸基板。
全文摘要
本發(fā)明針對靜電夾盤(ESC),其具有以形成的順服層;以及針對用于形成ESC的夾箝板的方法。該ESC包括具有低摩擦表面的順服層,以減少或消除由于熱膨脹所產(chǎn)生的顆粒。該方法包括形成用于基板的夾箝元件,其包括陶瓷材料和陶瓷表面,以及以包括有機硅化物或的順服層來涂覆陶瓷表面。
文檔編號H01L21/683GK102246288SQ200980149401
公開日2011年11月16日 申請日期2009年12月10日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月10日
發(fā)明者威廉·D·李, 理查德·澤祖特, 阿施文·普魯黑特, 馬文·拉封丹 申請人:艾克塞利斯科技公司
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