專(zhuān)利名稱(chēng)：：靜電涂層和包含聚噻吩的制品的制作方法靜電涂層和包含聚噻吩的制品
背景技術(shù)：
：靜電放電或消散(ESD)是在包括正在變得更小和更復(fù)雜的電子器件的許多應(yīng)用中共同的問(wèn)題。在很多情況下，需要能夠起到靜電放電涂層功能的涂層，特別是在需要高度的結(jié)構(gòu)控制的精細(xì)結(jié)構(gòu)的應(yīng)用中。然而，對(duì)于這些l爭(zhēng)電》文電涂層存在局限性，需要能夠滿(mǎn)足特定性能需求的多功能涂層。因此，需要多功能且能夠?qū)⑵湔{(diào)整至特別應(yīng)用的涂層體系。雖然能夠?qū)?dǎo)電polymer(ICP))、固有型導(dǎo)電聚合物(intrinsicallyconductingpolymer)和共輒聚合物等用于這些應(yīng)用中，在4艮多情況下，它們不提供充分的多功能性。例如，在很多情況下，它們受到處理和不穩(wěn)定性問(wèn)題的限制。例如，固有型導(dǎo)電性聚合物的溶解性的缺乏會(huì)限制性能。難以實(shí)現(xiàn)良好的涂覆特性。多數(shù)體系不能使導(dǎo)電聚合物的量最小化以致其能夠提供對(duì)于給定應(yīng)用所需的期望的多功能性、相容性和靜電特性。許多導(dǎo)電性聚合物在導(dǎo)電狀態(tài)下是不溶的。在有些情況下，可將不溶的導(dǎo)電性聚合物分散在有機(jī)溶劑中或配混入可塑的涂層中。然而，這些涂層可具有通常低的ICP負(fù)載水平、有限的透光度和低的電導(dǎo)率。對(duì)于靜電放電涂層，需要更好的導(dǎo)電聚合物體系。此外，需要基于有機(jī)溶劑(非水性溶劑)的良好涂層體系。只于于止匕點(diǎn),在7Tze￡>zc_yc/opet//ao/Sc/ewce五wg/"eeh"g，Wiley，1990,298-300頁(yè)中，描述了包括聚乙炔、聚對(duì)亞苯基、聚對(duì)苯硫醚、聚吡咯和聚噻吩的導(dǎo)電性聚合物，，在此將其整體引入以作參考。此參考文獻(xiàn)也描述了聚合物的共混和共聚，包括嵌段共聚物的形成。例如在S/oACo/7o(yme^，(9ve廠(chǎng)Wewaw<iCVz7/ca/Swrvey，Noshay和McGrath，AcademicPress,1977中，描述了嵌段共聚物。例如，此文描述了A-B二嵌段共聚物(第5章)、A-B-A三嵌段共聚物(第6章)和-(AB)n-多嵌段共聚物(第7章)。例如在美國(guó)專(zhuān)利6,099,757(Kulkarni，Americhem)中描述了靜電應(yīng)用。美國(guó)專(zhuān)利6，528，572(Patel，GE)要求保護(hù)嵌段共聚物靜電應(yīng)用。
發(fā)明內(nèi)容此處提供能夠用于靜電放電應(yīng)用的多功能聚合物涂層體系。該體系基于區(qū)域規(guī)整(regioregular)聚噻吩。與其他ICP相比，區(qū)域規(guī)整聚p塞吩能夠提供許多優(yōu)點(diǎn)，因?yàn)樗鼈兡軌蚓哂?l)高的溶解性、(2)良好的電特性如高的電導(dǎo)率、(3)穩(wěn)定的摻雜和(4)與各種結(jié)構(gòu)和合成聚合物的化學(xué)相容性。本發(fā)明尤其涉及涂布的制品、涂層、制作方法和將組合物用作靜電消散涂層的方法。例如，一實(shí)施方案提供一種制品，其包含至少一基板，至少一層在該基板上的靜電消散涂層，其中該涂層包含至少一種聚合物共混物，該聚合物共混物包括至少一種包含區(qū)域規(guī)整聚瘞吩的聚合物和至少一種不包含區(qū)域規(guī)整聚噻吩的聚合物。該所得的EDS涂層能夠具有如通過(guò)UV/可見(jiàn)光"i普測(cè)量的在38nm膜厚度下>80%的透光度。該包含區(qū)域規(guī)整聚噻吩的聚合物可為均聚物或共聚物。如果該包含區(qū)域規(guī)整聚噻吩的聚合物為嵌段共聚物，該嵌段的一段可包含區(qū)域規(guī)整聚噻吩。該區(qū)域規(guī)整度可為例如至少85%,或作為選擇，為至少95%。另一實(shí)施方案提供一種制品，其包含至少一基板，至少一層在該基板上具有約100nm以下涂層厚度的靜電消散涂層，其中該涂層包含(l)至少一種聚合物共混物，該聚合物共混物包含至少一種包含摻雜的有機(jī)溶劑可溶的區(qū)域規(guī)整聚。塞吩的聚合物，和(2)至少一種不包含區(qū)域規(guī)整聚噻吩的有機(jī)溶劑可溶的聚合物，其中該涂層透光度對(duì)于38nm的涂層厚度為至少80。/"該涂層透光度在300nm至800nm的波長(zhǎng)范圍內(nèi)為至少90%。透光度也可在525nm處測(cè)量。還提供一種制品，其包含至少一基板，至少一層在該基板上的靜電消散涂層，其中該涂層包含至少一種包含區(qū)域規(guī)整聚噻吩的嵌段聚合物，和該涂層，其中該涂層透光度對(duì)于38nm的涂層厚度為至少8()%。另一實(shí)施方案提供配制為靜電消散涂層并且當(dāng)干燥時(shí)在38nm厚度下具有至少8()%透光度的涂層，該靜電消散涂層包括至少一種聚合物共混物，該聚合物共混物包含至少一種包含區(qū)域規(guī)整聚噻吩的聚合物和至少一種不包含區(qū)域規(guī)整聚p塞吩的聚合物。還提供能夠施涂至表面并干燥的涂層溶液或涂料。能夠獲得許多重要的優(yōu)點(diǎn)，例如包括良好的多功能性，這是因?yàn)樾枰嬖谙鄬?duì)少量的導(dǎo)電聚合物以產(chǎn)生足夠的電導(dǎo)率。能夠?qū)崿F(xiàn)良好的滲濾行為。此外，能夠制造良好相容性的共混結(jié)構(gòu)，其顯示良好的耐久性、耐熱性和耐水性以及良好透光度。能夠?qū)崿F(xiàn)優(yōu)良的特性組合，包括例如膜形成、透光度和良好電導(dǎo)率的良好組合。其它導(dǎo)電聚合物不能提供相同程度的多功能性。具體實(shí)施例方式由此將所有在此引用的參考文獻(xiàn)整體引入以作參考。一個(gè)實(shí)施方案提供制品，其包含至少一基板，至少一層在該基板上的靜電消散涂層，其中該涂層包括至少一種聚合物共混物，該聚合物共混物包含至少一種含區(qū)域規(guī)整聚虔吩的聚合物的和至少一種不包含區(qū)域規(guī)整聚瘞吩的聚合物。該所得的EDS涂層能夠具有如通過(guò)UV/可見(jiàn)光i普測(cè)量的在約38nm膜厚度下大于約80%的透光度。該透光度可大于約90%,或大于約95%。對(duì)于^l蓋300nm至800nm，或更具體地400至700nm的波長(zhǎng)可實(shí)現(xiàn)該透光度值。雖然優(yōu)選絕緣基板，但該基板不特別限定?？墒褂迷馐莒o電放電問(wèn)題的任何表面?？墒褂猛ǔ５墓腆w材料，包括玻璃、金屬、陶瓷、聚合物、復(fù)合材料等。該基板的形狀不特別限定。其它基板包括例如已用聚合物、結(jié)構(gòu)碳、無(wú)機(jī)氧化物、金屬、有機(jī)或無(wú)機(jī)化合物以及這些材料的納米復(fù)合材料涂布的硅片或通常的固體材料。該基板可為絕緣基板，包括玻璃或聚合物基板。在本領(lǐng)域中已知靜電消散涂層，并可配制該涂層用于具體的靜電消散的應(yīng)用。在基板上的靜電消散涂層可為包含在本領(lǐng)域中已知的多種聚合物組分的聚合物共混物。例如，第一聚合物組分可為至少一種包含區(qū)域規(guī)整聚噻吩的聚合物。第二聚合物組分可為至少一種不包含區(qū)域規(guī)整聚噻吩的聚合物。該第一和第二聚合物為不同的聚合物。在本領(lǐng)域熟練技術(shù)人員知道具體的聚合物包含聚合物鏈的不同集合(collection),仍為一種聚合物。例如在美國(guó)專(zhuān)利6，602，974和6，166，172中描述了包括嵌段共聚物的區(qū)域規(guī)整聚p塞吩聚合物和共聚物，在此將其整體引入以作參考。該包含區(qū)域規(guī)整聚p塞吩的聚合物可為均聚物或共聚物。該共聚物可為嵌段共聚物，該嵌段的一段可包含區(qū)域規(guī)整聚噻吩。可使用可溶的聚合物，或至少將其充分分散以使它們起到可溶聚合物功能的聚合物。在本領(lǐng)域中已知制備、純化、共混、配制、摻雜和制成可用形狀的方法。例如，在例如Sheina等人(HoleInjectionLayerCompositions)在2005年2月10日提交的臨時(shí)專(zhuān)利申請(qǐng)60/651，211中描述了額外的區(qū)域規(guī)整聚p塞吩組合物，包括共混物。這些配方用于薄膜應(yīng)用是特別好的。在例如2005年9月26日提交的關(guān)于用于電致發(fā)光器件的雜原子區(qū)域規(guī)整聚(3-取代的噻吩)的美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)11/234，374及在2005年9月26日提交的用于光伏電池的雜原子區(qū)域規(guī)整聚(3-取代的p塞吩)的11/234，373中描述了額外的區(qū)域規(guī)整聚瘞吩組合物，在此將其整體引入以作參考。在2005年3月15日提交的具有改進(jìn)電性能的可溶聚瘞吩的共聚物的美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)60/661，934中描述了額外的區(qū)域規(guī)整聚瘞吩組合物，在此將其整體引入以作參考。在2005年8月1日提交的關(guān)于區(qū)域規(guī)整聚噻吩的溶劑抑制摻雜的美國(guó)臨時(shí)專(zhuān)利申請(qǐng)60/703,890中描述了另外的區(qū)域規(guī)整聚p塞吩組合物，在此將其整體引入以作參考。更具體i也，在例如McCullough等人的美國(guó)專(zhuān)利6，602，974和McCullough等人的6，166,172中提供了合成方法、摻雜和聚合物表征，包括具有側(cè)基的區(qū)域規(guī)整聚噻吩，在此將其整體引入以作參考。在文章"TheChemistryofConductingPolythiophenes"作者RichardD.McCullough,廟.Mab.1998,10，No.2，pages93-116，和其中引用的參考文獻(xiàn)中可得到另外的描述，在此將其整體引入以作參考。本領(lǐng)域的熟練技術(shù)人員能夠使用的另一參考文南大為//鼎J6ooA:CowJw"/wg尸o/戸e",2"五d.1998，Chapter9，作者M(jìn)cCullough等人，"Regioregular,Head-to-TailCoupledPoly(3-alkylthiophene)anditsDerivatives,"第225-258頁(yè)，在此將其整體引入以作參考。此參考文獻(xiàn)在第29章中在第823-846頁(yè)還描述了"ElectroluminescenceinConjugatedPolymers",在此將其整體引入以作參考?？墒褂妹恳恢貜?fù)單元包含一個(gè)以上亞烷基氧側(cè)基的區(qū)域規(guī)整聚噻吩。例^口，在Roncali，J.，iev.1992,92,711;Schopf等人，Po/j^/zz'op/zewef五/e"r/ca〃yCcw^M"/vePo(y廳rs,Springer-Berlin,1997中描述了聚p塞吩。然而，區(qū)域規(guī)整聚噻吩提供超過(guò)非區(qū)域規(guī)整聚噻吩的優(yōu)點(diǎn)。例如，在F腦cois等，臉/1995，69,463-466(在此將其整體引入以作參考)；Yang等，M"crawo/ec"/w1993,26,1188-1190;Widawski等，淑訓(xùn)("丄o油",vol.369，June2，1994,387-389;Jenekhe等，Sc/e歸，279,March20，1998,1903-1907;Wang等，j附.C/zem.2000，122，6855-6861;Li等，M釘頻o/,/"1999，32，3034-3044;Hempenius等，>/j附.C/e附.Soc.1998，120，2798-2804中描述了包括聚噻吩的嵌段共聚物。區(qū)域規(guī)整度可為例如至少85%，或至少90%,或至少95%,或至少99%?？?吏用在本領(lǐng)域已知的方法例如NMR將其測(cè)量。包含區(qū)域規(guī)整聚噻吩的聚合物的量可適合于提供對(duì)于特定應(yīng)用的期望特性，并可低于約50重量％,或低于約30重量％,或更具體地，約10重量％至約30重量％,或約20重量％。通常，其可為低于約10重量％,更具體地，低于約5重量％。如果該聚合物為共聚物如嵌段共聚物，該量只基于區(qū)域規(guī)整聚噻吩組分，而不是其它不為區(qū)域規(guī)整聚噻吩的組分。此處，例如，該區(qū)域規(guī)整聚噻吩的量可為低于約30重量％。該不包含區(qū)域規(guī)整聚瘞吩的聚合物可為合成聚合物，并不特定限定。其可為熱塑性的。實(shí)例包括有機(jī)聚合物、合成聚合物或低聚體，例如具有聚合物側(cè)基的聚乙烯基聚合物、聚苯乙烯或聚苯乙烯衍生物、聚乙酸乙烯酯或其衍生物、聚乙二醇或其衍生物例如聚(乙烯-CO-乙酸乙婦酯)、聚吡咯烷酮或其書(shū)1"生物例如聚(l-乙烯基吡咯烷酮-co-乙酸乙烯酯)、聚乙烯基吡啶或其衍生物、聚曱基丙烯酸曱酯或其衍生物、聚丙烯酸丁酯或其衍生物。更一般地，其可包含從單體例如CH2CHAr建立的聚合物或低聚體，其中A"任何的芳基或官能化的芳基、異氰酸酯、環(huán)氧乙烷、共軛二烯、CH2CHRiR(此處，Ri-烷基、芳基或烷基/芳基官能度且11=H、烷基、Cl、Br、F、OH、酯、酸或醚)、內(nèi)酰胺、內(nèi)酯、硅氧烷和ATRP大分子引發(fā)劑。優(yōu)選實(shí)例包括聚苯乙烯和聚(4-乙烯基吡啶)。該共混物可為相容的共混物而非不相容的共混物。然而，該共混物不需要為易混合的共混物。這些相可很好的混合在一起并提供良好的長(zhǎng)期穩(wěn)定性和結(jié)構(gòu)完整性。在聚合物領(lǐng)域中通常已^口的共'混物，參見(jiàn)例3口(l)Cow&mpor"^yC7ze附/5^r乂AllcockandLamp,PrenticeHall,1981,禾口(2)Texf6ooA:0/尸0/ywer/SWewce,3rdEd.,Billmeyer，Wiley-Interscience,1984?？赏ㄟ^(guò)將兩種以上聚合物混合在一起來(lái)制備聚合物共混物，包括二元或三元共混物。在一些情況下，可使用低分子量聚合物或低聚體，但是通常優(yōu)選較高分子量的成膜自支持聚合物來(lái)制備共混物。在本發(fā)明中，可配制共混物，以提供高質(zhì)量的薄膜、涂層或?qū)?。該聚合物可為多種形式，例如包括均聚物、共聚物、交聯(lián)聚合物、網(wǎng)絡(luò)聚合物、短鏈或長(zhǎng)鏈分支聚合物、互穿聚合物網(wǎng)絡(luò)和其他類(lèi)型的在聚合物領(lǐng)域中已知的混合體系?？墒褂们抖喂簿畚镆在嗬艄不煳锵嗳?。在共混物中的聚合物的分子量不特別限定。例如，對(duì)于包含區(qū)域規(guī)整聚p塞吩的聚合物，其可為約5，000至約50,000,或約10,000至約25,000的數(shù)均分子量。如果期望，可使該聚合物材料交聯(lián)。該聚合物在有機(jī)溶劑中是可溶的?？稍谌軇┲信渲平M合物，并流延成膜和涂層?？墒褂靡阎姆椒▉?lái)共混、過(guò)濾和攪拌?？墒褂迷诒绢I(lǐng)域中已知的摻雜處理，包括有機(jī)摻雜和無(wú)機(jī)摻雜，以及環(huán)境摻雜。在靜電應(yīng)用中使用本征型導(dǎo)電聚合物可涉及聚合物的控制氧化或"摻雜"，以獲得能夠改進(jìn)性能的期望的導(dǎo)電狀態(tài)。在氧化時(shí)，電子從價(jià)帶移去。在氧化態(tài)中的此變化導(dǎo)致新能態(tài)的形成。該能級(jí)使價(jià)帶中的一些剩余電子易于進(jìn)入，使該聚合物起到導(dǎo)體的作用。在靜電放電應(yīng)用中，電子電導(dǎo)率可從約10-、/cm至約l(T13S/cm范圍變動(dòng)，但最典型地，其在約l(T4S/cm至約l(T1()S/cm,或至少約l(T"S/cm范圍內(nèi)。該涂層的重要特性為它們?cè)谡Ｊ褂脳l件下保持?jǐn)?shù)千小時(shí)的電導(dǎo)率，并在升高溫度和/或濕度下滿(mǎn)足適當(dāng)?shù)脑O(shè)備壓力測(cè)試。這有利于強(qiáng)(robust)電荷遷移率的操作范圍并使得通過(guò)控制摻雜種類(lèi)的量和同一'性調(diào)整特性，并補(bǔ)充了通過(guò)改變ICP的初始結(jié)構(gòu)來(lái)調(diào)整這些特性的能力。存在很多可用于調(diào)整導(dǎo)電特性的氧化劑。分子鹵素如澳、碘和氯提供一些優(yōu)點(diǎn)。通過(guò)控制聚合物膜對(duì)摻雜劑的暴露量，可控制該薄膜的所得電導(dǎo)率。因?yàn)樗鼈兊母叩恼魵鈮汉驮谟袡C(jī)溶劑中的溶解性，可將囟素在氣相或在溶液中使用。該聚合物的氧化極大地降低了該材料相對(duì)于中性狀態(tài)的溶解性。然而，可制備一些溶液并將其涂覆至器件上。其它實(shí)例包括三氯化鐵、三氯化金、五氟化砷、次氯酸鹽的堿金屬鹽、質(zhì)子酸如苯磺酸及其衍生物、丙酸和其它有機(jī)象酸和石黃酸、亞硝総鹽如NOPF6或NOBF4，或有才幾氧化劑如四氰醌、二氯二氰醌，和超^介石典氧化劑如亞石典酰苯和二乙酸石典苯。也可通過(guò)添加含有酸或氧化或酸官能度的聚合物如聚苯乙烯磺酸使聚合物氧化。已使用一些路易斯酸氧化劑如三氯化鐵、三氯化金和五氟定的導(dǎo)電膜的形成。這通過(guò)在金屬氯化物溶液中處理流延膜來(lái)初步完成，雖然流延該摻雜膜是可能的，但是很少報(bào)道?？墒褂觅|(zhì)子有機(jī)和無(wú)機(jī)酸如苯磺酸及其衍生物、丙酸、其它有機(jī)羧酸和磺酸，和礦物酸如硝酸、硫酸和鹽酸以摻雜ICP。可使用亞硝鐵鹽如NOPF6和NOBF4通過(guò)在不可逆氧化還原反應(yīng)中產(chǎn)生穩(wěn)定的一氧化氮分子的反應(yīng)來(lái)?yè)诫sICP。也可使用有機(jī)氧化劑如四氰醌、二氯二氰醌，和超價(jià)碘氧化劑如亞碘酰苯和二乙酸珙苯來(lái)?yè)诫sICP。這些摻雜劑可為固體、液體或氣體，取決于它們具體的化學(xué)特性。在一些情況下，這些摻雜劑可形成為與配方或涂層的熱塑性組分的配合物，或這些摻雜劑以與配料或涂層的熱塑性組分的配合物的形式加入。另一實(shí)施方案為環(huán)境摻雜，其中該摻雜劑從氧氣、二氧化碳、濕氣、雜散酸(strayacid)、雜散堿或在環(huán)境氣體或聚合物環(huán)境中的一些其它試劑中產(chǎn)生。環(huán)境摻雜可依賴(lài)于因素，例如溶劑的存在和雜質(zhì)的量?？蛇M(jìn)行非水摻雜。非水性溶劑不特別限定，可使用在本領(lǐng)域已知的溶劑?？墒褂糜袡C(jī)溶劑，包括閨化的溶劑、酮、醚、烷烴、芳香族化合物、醇、酯等。可使用溶劑的混合物。例如，一種溶劑可能容易溶解一種組分，另一溶劑可能容易溶解不同的組分。此外，由通常的有機(jī)溶劑處理該組分導(dǎo)致抑制不必要的依賴(lài)于水的副反應(yīng)，該副反應(yīng)能夠潛在地降解有機(jī)試劑，因此極大地影響器件的性能和縮短其壽命。雖然水通常是不利的，但在一些情況下可以存在有限量的水，從而穩(wěn)定期望的摻雜劑特性。例如，水能夠以5wt。/。以下、lwt。/。以下或0.1wty。以下的量存在?？蓽y(cè)試該組合物以確定在這些濃度下水的影響。此外，由于酸組分有助于降解的能力，因此，在酸是不期望的一些實(shí)施方案中通常不期望使用它們(Kugler，T.;Salaneck,W.R.;RostH.;Holmes,A.B.CTzem.尸/zj^.1999,391)。許多聚合物溶解溶劑是非常親水的、極性的和質(zhì)子性的。然而，在一些情況下，除了在非水性溶劑中溶解這些組分之外(雖然本發(fā)明不限于理論)，溶劑可能只高度地分散該組分中的一種或全部。例如，與在非水性溶劑中形成真溶液相反，可能只將固有型導(dǎo)電聚合物高度地分散。與另一聚合物和摻雜劑共混的或共聚的ICP的均相懸浮固體可形成可容易地處理并施涂以制作新的靜電消散涂層的非水體系。由于不存在水-有機(jī)溶劑界面，可消除基板和其它組分兩者的擴(kuò)散限制。此外，允許控制組分的濃度或操縱/調(diào)節(jié)該范圍，或建立共混實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)庫(kù)，以實(shí)現(xiàn)最佳靜電消散性能。例如，該ICP能夠以0.5。/。至25wt。/。的量存在，該不包含區(qū)域規(guī)整聚瘞吩的聚合物能夠以0.5。/。至70wt。/o的量存在，以及該摻雜劑能夠以0.5。/。至5wto/()的量存在，在有機(jī)溶劑中固體含量為1.50/o至5wt。/。。特性在許多情況下，配制該涂層，以提供對(duì)要涂布的材料具有良好粘附性能的薄的和/或透明的膜。其還可配制為耐刮擦、耐久且堅(jiān)韌的?？膳渲圃撃ぃ允巩?dāng)暴露于溶劑如水和包括清潔劑的清潔材料時(shí)保持它們的傳導(dǎo)。其他重要的特性包括通過(guò)旋涂、噴墨或輥涂法易于施涂。膜厚度也是重要的，并且重要的是配制聚合物組合物以允許用于薄的涂層?？赏ㄟ^(guò)本領(lǐng)域已知的方法進(jìn)行透光度和電導(dǎo)率測(cè)量。可在將其從它們所涂布的制品上分離和物理隔離的膜上進(jìn)行測(cè)試。用途用途包括，例如用于顯示器、投影儀、航空器或車(chē)輛風(fēng)檔玻璃和遮蓬以及CRT屏幕的電子部件、半導(dǎo)體部件以及抗靜電涂飾劑。其它用途包括抗靜電地板蠟和涂飾劑、航空器體用ESD涂層、地毯纖維和紡織品用ESD涂層等。以下非限定性的工作實(shí)施例進(jìn)一步說(shuō)明本發(fā)明。工作實(shí)施例實(shí)施例1A:ESD涂料的配制將60mgPlexcoreMP(購(gòu)自Plextronics，Pittsburgh,PA的可溶性區(qū)域規(guī)整聚漆吩)通過(guò)加熱和攪拌溶解于7.44gDMF中。將該溶液劇烈攪拌30分鐘。加入57mg對(duì)甲苯磺酸，將該溶液再劇烈攪拌30分鐘。將210mg聚(4-乙烯基吡啶)溶解于7.23gDMF中并劇烈攪拌30分鐘。將該兩種溶液混合并將其劇烈攪拌30分鐘。將該溶液通過(guò)0.45微米注射器式過(guò)濾器。用注射器將17mg溶解于O.lmlDMF中的二氯二氫醌注入該混合物中。實(shí)施例1B:ESD涂料的配制將60mg可溶性區(qū)域規(guī)整聚噻吩通過(guò)加熱和攪拌溶解于7.44gDMF中。將該溶液劇烈攪拌30分鐘。加入44mg對(duì)甲苯石黃酸，將該溶液再劇烈攪拌30分鐘。將210mg聚(4-乙烯基吡啶)溶解于7.25gDMF中并劇烈攪拌30分鐘。將該兩溶液混合并將其劇烈攪拌30分鐘。將該溶液通過(guò)0.45微米注射器式過(guò)濾器。用注射器將13,mg溶解于0.1mlDMF中的二氯二氫醌注入該混合物中。實(shí)施例2:涂料的施涂通過(guò)旋轉(zhuǎn)流延在臭氧處理過(guò)的玻璃基板上制備膜。將該膜在35Orpm下旋轉(zhuǎn)5秒以鋪展，并在2000rpm下旋轉(zhuǎn)60秒以變薄，使用1275裝料臺(tái)。將該膜在80至17(TC的溫度下退火10至40分鐘，但典型地，將膜典型地在11(TC下退火10分鐘。觀(guān)察到的典型的膜厚度為約4()nm。實(shí)施例3:<table>tableseeoriginaldocumentpage16</column></row><table>'通過(guò)4侖4"p4義(VeecoInstruments,ModelDektak8000)觀(guān)寸量厚度并以三次讀數(shù)的平均值報(bào)告。2相對(duì)于指定為等于100%的未涂布的玻璃基板測(cè)量％透射率。3以,Q/口為單位報(bào)告電阻率，通過(guò)同心環(huán)(ProstatCorporationModelPRS-812)測(cè)量并以三次讀數(shù)的平均值凈艮道。4以西門(mén)子/c.m報(bào)告并通過(guò)l/(電阻率(Q/口^厚度(cm))計(jì)算電導(dǎo)率。權(quán)利要求1.一種制品，其包含至少一基板，至少一層在該基板上的靜電消散涂層，其中該涂層包含至少一種聚合物共混物，該聚合物共混物包括至少一種包含區(qū)域規(guī)整聚噻吩的聚合物和至少一種不包含區(qū)域規(guī)整聚噻吩的聚合物，其中該涂層透光度對(duì)于38nm涂層厚度為至少80％。2.根據(jù)權(quán)利要求l所述的制品，其中該包含區(qū)域規(guī)整聚噻吩的聚合物為均聚物。3.根據(jù)權(quán)利要求l所述的制品，其中該包含區(qū)域規(guī)整聚噻吩的聚合物為共聚物。4.根據(jù)權(quán)利要求l所述的制品，其中該包含區(qū)域規(guī)整聚噻吩的聚合物為嵌段共聚物，而且該嵌段的一段包含區(qū)域規(guī)整聚p塞吩。5.根據(jù)權(quán)利要求l所述的制品，有至少85%的區(qū)域規(guī)整度。6.根據(jù)權(quán)利要求l所述的制品，有至少95%的區(qū)域規(guī)整度。7.根據(jù)權(quán)利要求l所述的制品，量為低于約30重量％。8.根據(jù)權(quán)利要求l所述的制品，混物。9.根據(jù)權(quán)利要求l所述的制品，噻吩的聚合物為合成聚合物。10.根據(jù)權(quán)利要求l所述的制品規(guī)整聚噻吩的聚合物和至少一種不包含區(qū)域規(guī)整聚噻吩的聚合物各自在有機(jī)溶劑中是可溶的。11.根據(jù)權(quán)利要求l所述的制品，其中將該至少一種包含區(qū)其中該區(qū)域規(guī)整聚瘞吩具其中該區(qū)域規(guī)整聚漆吩具其中該區(qū)域規(guī)整聚瘞吩的其中該共混物為相容的共其中該不包含區(qū)域規(guī)整聚，其中該至少一種包含區(qū)域域規(guī)整聚噻吩的聚合物充分地?fù)诫s，以提供至少約1o-1G西門(mén)子/cm的電導(dǎo)率。12.根據(jù)權(quán)利要求l所述的制品，其中該涂層的電子電導(dǎo)率為約10—13西門(mén)子/cm至約10—3西門(mén)子/cm。13.根據(jù)權(quán)利要求l所述的制品，其中該基板為絕緣基板。14.根據(jù)權(quán)利要求l所述的制品，其中該基板包含玻璃、二氧化硅或聚合物。15.根據(jù)權(quán)利要求l所述的制品，其中將該區(qū)域規(guī)整聚p塞吩用有機(jī)摻雜劑摻雜并用雜原子取代。16.根據(jù)權(quán)利要求l所述的制品，其中將該區(qū)域規(guī)整聚噻吩用醌化合物摻雜且該涂層具有約10nm至約100nm的厚度，其中該不包含區(qū)域規(guī)整聚噻吩的聚合物包含聚苯乙烯、聚苯乙烯衍生物、聚氨酯、聚丙烯酸酯、聚吡啶或聚乙烯基苯酚。17.根據(jù)權(quán)利要求l所述的制品，其中該透光度在300nm至800nm的波長(zhǎng)區(qū)i或內(nèi)為至少90%。18.—種制品，其包含至少一基才反，至少一層在該基板上具有約100nm以下的涂層厚度的靜電消散涂層，其中該涂層包含(l)至少一種聚合物共混物，該聚合物共混物包含至少一種含摻雜的有機(jī)溶劑可溶的區(qū)域規(guī)整聚瘞吩的聚合物，和(2)至少一種不包含區(qū)域規(guī)整聚瘞吩的有機(jī)溶劑可溶的聚合物，其中該涂層透光度對(duì)于38nm的涂層厚度為至少80%。19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的制品，其中該涂層透光度在300nm至800nm的波長(zhǎng)區(qū)域內(nèi)為至少90%。20.—種制品，其包含至少一基板，至少一層在該基板上的靜電消散涂層，其中該涂層包含至少一種包含區(qū)域規(guī)整聚噻吩的聚合物，和該涂層，其中該涂層透光度對(duì)于38nm的涂層厚度為至少80%。21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的制品，其中該聚合物為嵌段共聚物。全文摘要基于包括共混物和嵌段共聚物的區(qū)域規(guī)整聚噻吩的靜電消散涂層。該組合物在有機(jī)溶劑中是可溶的。能夠?qū)崿F(xiàn)優(yōu)良的膜形成、透光度、穩(wěn)定性和電導(dǎo)率控制。文檔編號(hào)C08G75/00GK101370853SQ200780002496公開(kāi)日2009年2月18日申請(qǐng)日期2007年1月18日優(yōu)先權(quán)日2006年1月20日發(fā)明者克里斯托弗·格雷科,布萊恩·伍德沃斯,格倫·H·湯普森,肖恩·P·威廉姆斯申請(qǐng)人:普雷克托尼克斯公司