專利名稱：用于生長Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體層的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明主要涉及一種用于生長III族氮化物半導(dǎo)體層的方法，更具體而言，涉及一種采用大面積的薄藍(lán)寶石襯底制造III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法。所述III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件是指諸如包含由Al(X)fei(y)In(l-X-y) N(0彡χ彡1，0彡y彡1，0彡x+y彡1)構(gòu)成的III族氮化物半導(dǎo)體層的發(fā)光二極管等發(fā)光器件，所述III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件還可包含由其他族的元素構(gòu)成的材料(如SiC、 SiN, SiCN和CN)，或由這些材料制成的半導(dǎo)體層。
背景技術(shù)：
本部分提供了本發(fā)明相關(guān)的背景信息，其不一定是現(xiàn)有技術(shù)。圖1是示出了常規(guī)III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的一個(gè)實(shí)例的視圖。所述III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件包括襯底100、在襯底100上生長的緩沖層200、在緩沖層200上生長的η型III族氮化物半導(dǎo)體層300、在η型III族氮化物半導(dǎo)體層300上生長的有源層400、在有源層400上生長的ρ型III族氮化物半導(dǎo)體層500、在ρ型III族氮化物半導(dǎo)體層500上形成的ρ側(cè)電極600、在ρ側(cè)電極600上形成的ρ側(cè)焊盤700、在通過臺(tái)面刻蝕 P型III族氮化物半導(dǎo)體層500和有源層400而露出的η型III族氮化物半導(dǎo)體層300上形成的η側(cè)電極800，以及保護(hù)膜900。就襯底100而言，GaN類襯底可用作同質(zhì)襯底，而藍(lán)寶石襯底、SiC襯底或Si襯底可用作異質(zhì)襯底。不過，可以使用在其上能夠生長有III族氮化物半導(dǎo)體層的任何類型的襯底。在使用SiC襯底的情況下，可在SiC襯底一側(cè)上形成η側(cè)電極800。在襯底100上生長的III族氮化物半導(dǎo)體層一般通過金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積 (MOCVD)來生長。緩沖層200用來克服異質(zhì)襯底100和III族氮化物半導(dǎo)體之間的晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)的差異。美國專利第5，122，845號(hào)描述了一種在380°C 800°C的溫度下在藍(lán)寶石襯底上生長厚度為100 A 500 A的AlN緩沖層的技術(shù)。另外，美國專利第5，290, 393號(hào)描述了一種在200°C 900°C的溫度下在藍(lán)寶石襯底上生長厚度為10 A 5000 A的Al (x)Ga(l-x) Ν(0^χ< 1)緩沖層的技術(shù)。此外，美國專利公報(bào)第2006/1M4M號(hào)描述了一種在600°C 990°C的溫度下生長SiC緩沖層(晶種層)并在其上生長^i(X) Ga (1-x) N(0<x彡1)的技術(shù)。優(yōu)選的是，在η型III族氮化物半導(dǎo)體層300生長之前生長未摻雜的GaN層。所述GaN 層可視為緩沖層200的一部分或η型III族氮化物半導(dǎo)體層300的一部分。在η型III族氮化物半導(dǎo)體層300中，至少η側(cè)電極800區(qū)域(η型接觸層)摻雜有摻雜劑。優(yōu)選的是，所述η型接觸層由GaN制成并摻雜有Si。美國專利第5，733，796號(hào)描述了一種通過調(diào)節(jié)Si和其他源材料的混合比而以目標(biāo)摻雜濃度摻雜η型接觸層的技術(shù)。有源層400通過電子和空穴的復(fù)合產(chǎn)生光量子(光)。通常，有源層400包含h (χ) Ga(l-x)N(0 < χ彡1)并具有單量子阱或多量子阱。P型III族氮化物半導(dǎo)體層500摻雜有諸如Mg等合適的摻雜劑，并通過激活過程而具有P型導(dǎo)電性。美國專利第5，247, 533號(hào)描述了一種通過電子束輻照激活ρ型III族氮化物半導(dǎo)體層的技術(shù)。此外，美國專利第5，306，662號(hào)描述了一種通過至少400°C的退火來激活P型III族氮化物半導(dǎo)體層的技術(shù)。美國專利公報(bào)第2006/157714號(hào)描述了一種通過將氨和胼類源材料一起用作氮前體來生長P型III族氮化物半導(dǎo)體層，從而在無需激活過程的情況下提供具有P型導(dǎo)電性的P型III族氮化物半導(dǎo)體層的技術(shù)。提供P側(cè)電極600來促進(jìn)電流供應(yīng)給整個(gè)ρ型III族氮化物半導(dǎo)體層500。美國專利第5，563，422號(hào)描述了一種與透光性電極相關(guān)的技術(shù)，所述透光性電極由Ni和Au制成，并形成在P型III族氮化物半導(dǎo)體層500的幾乎整個(gè)表面上，與ρ型III族氮化物半導(dǎo)體層500歐姆接觸。另外，美國專利第6，515，306號(hào)描述了一種在ρ型III族氮化物半導(dǎo)體層上形成η型超晶格層并隨后在其上形成由ITO制成的透光性電極的技術(shù)。同時(shí)，ρ側(cè)電極600可足夠厚至不透光而使光向襯底反射。該技術(shù)稱為倒裝芯片技術(shù)。美國專利第6，194，743號(hào)描述了一種與電極結(jié)構(gòu)體相關(guān)的技術(shù)，所述電極結(jié)構(gòu)體包括厚度至少為20nm的Ag層、覆蓋所述Ag層的擴(kuò)散阻擋層和含有Au和Al并覆蓋所述擴(kuò)散阻擋層的結(jié)合層。提供ρ側(cè)焊盤700和η側(cè)電極800來用于電流供應(yīng)和外部引線接合。美國專利第 5，563，422號(hào)描述了一種用Ti和Al形成η側(cè)電極的技術(shù)。保護(hù)膜900由SW2制成，其也可以被省略。同時(shí)，η型III族氮化物半導(dǎo)體層300或ρ型III族氮化物半導(dǎo)體層500可由單層或多層構(gòu)成。近來，提出了一種通過采用激光或濕法刻蝕除去III族氮化物半導(dǎo)體層上的襯底100而制造立式發(fā)光器件的技術(shù)。圖2是示出了常規(guī)MOCVD裝置的一個(gè)實(shí)例的視圖。在反應(yīng)器1中，襯底100放置在基座2的凹坑3中。反應(yīng)器1的溫度由設(shè)置在基座2下的加熱器4控制，并且通過經(jīng)由供應(yīng)管5提供生長用原料(反應(yīng)氣體)來生長III族氮化物半導(dǎo)體層。美國專利第5，334，277 號(hào)提出了此類MOCVD裝置的實(shí)例。對于常規(guī)III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件而言，主要采用作為異質(zhì)襯底的藍(lán)寶石 (Al2O3)襯底。藍(lán)寶石襯底與III族氮化物半導(dǎo)體層在晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)上存在差異。 而且，在藍(lán)寶石襯底上生長III族氮化物半導(dǎo)體層時(shí)，因?yàn)榫Ц癯?shù)和熱膨脹系數(shù)的差異而可能會(huì)出現(xiàn)晶體缺陷和彎曲。一種用于消除這些晶體缺陷和彎曲的常規(guī)方法是引入如上所述的緩沖層200。近年來，襯底的面積變得更大(例如，從2英寸變?yōu)?英寸)以得到更好的生產(chǎn)率。 因此，諸如其上生長有III族氮化物半導(dǎo)體層的襯底(在下文中為“晶片”)的彎曲和難以控制整個(gè)彎曲晶片的發(fā)射波長等問題越來越顯著。為了解決這些問題，已經(jīng)提出的方案包括通過采用厚藍(lán)寶石襯底(例如，至少800μπι)或采用內(nèi)凹的基座凹坑來向彎曲襯底均勻供熱來抑制襯底的彎曲。然而，采用厚藍(lán)寶石襯底對后續(xù)工序施加了很多限制，而采用內(nèi)凹坑(concave pocket)不能構(gòu)成消除襯底彎曲的根本解決方案。

發(fā)明內(nèi)容
[技術(shù)問題]本發(fā)明要解決的問題將在下文實(shí)施本發(fā)明的具體實(shí)施方式
部分加以描述。
[技術(shù)方案]本部分提供了本發(fā)明的總體概要，而不是其全部范圍和全部特征的全面公開。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，用于在襯底上生長III族氮化物半導(dǎo)體層的方法包括 在至少一個(gè)方向上抑制襯底內(nèi)凹彎曲的抑制步驟；和當(dāng)襯底處于所述抑制步驟的同時(shí)生長 III族氮化物半導(dǎo)體層以與襯底結(jié)合的生長步驟。[有益效果]使用本發(fā)明用于生長III族氮化物半導(dǎo)體層的方法，可采用大面積的薄襯底。另外，使用本發(fā)明用于生長III族氮化物半導(dǎo)體層的另一方法，可采用大面積的薄襯底，同時(shí)防止破損。此外，使用本發(fā)明用于生長III族氮化物半導(dǎo)體層的又一方法，可采用大面積的薄襯底，所述薄襯底具有窄范圍的發(fā)射波長分布。


圖1是示出了常規(guī)III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的一個(gè)實(shí)例的視圖；圖2是示出了常規(guī)MOCVD裝置的一個(gè)實(shí)例的視圖；圖3是示出了根據(jù)本發(fā)明用于描述生長方法的失效例(failure)的一個(gè)實(shí)例的照片；圖4是示出了在III族氮化物半導(dǎo)體層生長期間晶片彎曲度的變化的一個(gè)實(shí)例的曲線圖；圖5是示出了在η型氮化物半導(dǎo)體層生長完成后晶片的厚度分布圖；圖6是示出了具有圖5所示輪廓的晶片的發(fā)射波長分布的一個(gè)實(shí)例圖；圖7是示出了本發(fā)明用于生長III族氮化物半導(dǎo)體層的MOCVD裝置的一個(gè)實(shí)例的視圖；圖8是示出了實(shí)際加熱器的一個(gè)實(shí)例的照片；圖9是示出了本發(fā)明的η型氮化物半導(dǎo)體層生長完成后晶片的厚度分布圖；和圖10是示出了具有圖9所示輪廓的晶片的發(fā)射波長分布的一個(gè)實(shí)例圖。
具體實(shí)施例方式現(xiàn)在參照附圖詳細(xì)地描述本發(fā)明。圖3是示出了根據(jù)本發(fā)明用于描述生長方法的失效例的一個(gè)實(shí)例的照片，其顯示了在約600 μ m厚的4英寸藍(lán)寶石襯底上生長III族氮化物半導(dǎo)體層后反應(yīng)器的內(nèi)部。襯底或晶片100原樣地位于基座2的凹坑3中，而襯底或晶片IOOa受到破損。晶片IOOa的破損由晶片在生長期間因藍(lán)寶石襯底和III族氮化物半導(dǎo)體之間的晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)的差異而發(fā)生的彎曲引起。圖4是示出了在III族氮化物半導(dǎo)體層生長期間晶片彎曲率的變化的一個(gè)實(shí)例的曲線圖。在III族氮化物半導(dǎo)體層生長之前，藍(lán)寶石襯底100在加熱(例如，在IlO(TC)時(shí)發(fā)生嚴(yán)重內(nèi)凹彎曲?？梢庾R(shí)到，這種內(nèi)凹彎曲由藍(lán)寶石襯底100的直接加熱底面與藍(lán)寶石襯底100的供氣頂面之間的溫度差引起。該預(yù)處理之后，降低溫度(例如，到550°C)以生長緩沖層200，這會(huì)減小晶片的彎曲。再次升高溫度以進(jìn)行由GaN和GaN制成的未摻雜η型氮化物半導(dǎo)體層300的生長。 在此過程中，晶片彎曲增大，并且晶片的內(nèi)凹彎曲量隨η型氮化物半導(dǎo)體層300的生長而增大。可意識(shí)到，晶片的內(nèi)凹彎曲由晶片的頂面和底面之間的溫差以及藍(lán)寶石襯底100和III 族氮化物半導(dǎo)體層300之間的晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)的差異引起。接下來，降低溫度(例如，到810°C)以進(jìn)行由hGaN制成的有源層400的生長，這會(huì)減小晶片的彎曲。再次升高溫度(例如，到900°C )以進(jìn)行由GaN制成的ρ型氮化物半導(dǎo)體層500的生長。在此過程中，在P型氮化物半導(dǎo)體層500的生長期間，晶片彎曲繼續(xù)增大。在III族氮化物半導(dǎo)體層的生長完成后，降低溫度。結(jié)果，晶片彎曲減小，并且晶片最終變得凸起。圖5是示出了 η型氮化物半導(dǎo)體層的生長完成后晶片的厚度分布圖。晶片整體上具有對稱內(nèi)凹形狀。這是III族氮化物半導(dǎo)體層在C面藍(lán)寶石襯底上生長時(shí)出現(xiàn)的一種常見的物理現(xiàn)象。另一方面，如果III族氮化物半導(dǎo)體層在A面藍(lán)寶石襯底上生長，晶片將不對稱彎曲。在低溫下生長有源層400時(shí)會(huì)使彎曲晶片的輪廓保持平坦。在由基座下設(shè)置的加熱器加熱晶片時(shí)，這將造成晶片中心和晶片邊緣之間的溫度不均勻(因?yàn)榫吘壸兊眠h(yuǎn)離基座)，并且最終導(dǎo)致最終生成的發(fā)光器件的發(fā)射波長不均勻。圖6是示出了具有圖5所示輪廓的晶片的發(fā)射波長分布的一個(gè)實(shí)例圖。該晶片具有寬范圍的發(fā)射波長分布，即420nm 457nm，因此，難以將該晶片用作批量產(chǎn)品(通常，發(fā)射波長分布應(yīng)小于20nm)。為了解決該問題，發(fā)明人研究了用于在生長期間抑制晶片彎曲和在有源層生長期間縮小有源層的發(fā)射波長分布的方法。如上所述，盡管采用至少800 μ m的較厚襯底能夠抑制襯底的彎曲，但是難以從晶片上分離出(singulating)發(fā)光器件。此外，在采用具有內(nèi)凹坑的基座的情況下，能夠使晶片得到均勻加熱，但其撓性仍然較差。在這種情況下，發(fā)明人研究了在采用較薄襯底的同時(shí)解決這些問題的方法，并通過在生長期間有力地抑制晶片的彎曲而解決該問題。圖7是示出了本發(fā)明用于生長III族氮化物半導(dǎo)體層的MOCVD裝置的一個(gè)實(shí)例的視圖。通過提供反應(yīng)氣體來實(shí)現(xiàn)在放置于基座2上的襯底或晶片100上生長III族氮化物半導(dǎo)體層。通過設(shè)置在基座2下并向襯底或晶片100供熱的加熱器如、仙和如來控制溫度。加熱器如、413和如可以不同的溫度加熱。此類MOCVD裝置的實(shí)例可包括由Aixtron制造的Thomas Swan Crius和CCS平臺(tái)。圖8是示出了實(shí)際加熱器構(gòu)造的一個(gè)實(shí)例的照片。如圖4所示，觀察到襯底或晶片100的彎曲度與MOCVD裝置的溫度成正比增加?；诖耍l(fā)明人通過將加熱器4b的溫度降低到低于加熱器如和如的溫度，由此抑制襯底或晶片100中心的熱膨脹，從而消除襯底或晶片100的彎曲(在襯底或晶片100的中心相對平坦時(shí)，整個(gè)襯底或晶片100的彎曲度會(huì)減小)。圖9是示出了本發(fā)明η型氮化物半導(dǎo)體層的生長完成后晶片的厚度分布圖。與圖 5所示的晶片相比，觀察到基座徑向上的晶片彎曲基本上得以消除(平坦區(qū)域位于MOCVD裝置中基座中心的相對側(cè)上)。此外，可意識(shí)到下述方法通過將晶片中心的溫度降低到低于晶片邊緣的溫度來消除基座的圓周方向上的晶片彎曲。然而，目前不存在本發(fā)明人訴求范圍內(nèi)的MOCVD裝置，該MOCVD裝置能夠改變基座圓周方向的溫度。因此，如果能夠?qū)崿F(xiàn)此類 MOCVD裝置，則能夠有力地(甚至)在基座的圓周方向上消除晶片彎曲。盡管存在此類限制，但是采用薄藍(lán)寶石襯底(例如，650μπι)并不會(huì)引起如圖3所示的襯底或晶片的破損。影響LED特性和影響通過MOCVD生長此類LED結(jié)構(gòu)時(shí)的晶片彎曲的要素可粗略地分為以下兩個(gè)=GaN層和有源層。在生長GaN層時(shí)MOCVD供電單元向加熱器4a、加熱器4b 和加熱器4c的供電率分別是80 %、51 %和78. 5 %。接下來，在生長有源層時(shí)該供電單元向加熱器乜、加熱器4b和加熱器如的供電率分別是77%、46%和78%。圖10是示出了具有圖9所示輪廓的晶片的發(fā)射波長分布的一個(gè)實(shí)例圖。同樣，在生長有源層時(shí)，使向加熱器4b提供的電功率保持為相對地低于向加熱器如和如提供的電功率，并由此降低晶片的彎曲。進(jìn)一步地，當(dāng)加熱器4a、4b和如連接在一起時(shí)，其適合于向晶片邊緣提供相對較大量的熱，從而解決在向與基座接觸的晶片中心提供較大量的熱的同時(shí)向晶片邊緣提供較小量的熱的問題(因此，提供電功率的方式可以使得加熱器如和4c 的溫度高于加熱器4b的溫度)。結(jié)果，可獲得具有窄范圍發(fā)射波長分布，即431nm 444nm 的晶片。在這種情況下，可在下述條件下生成III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件。將厚度為650 μ m的4英寸圓形藍(lán)寶石襯底設(shè)置在MOCVD反應(yīng)器內(nèi)部的基座上，并且使溫度升高到1100°c以除去襯底表面上的雜質(zhì)。接下來，如美國專利公報(bào)第2006/M4454號(hào)中公開的那樣在其上生長SiC/InGaN 緩沖層。生成緩沖層之后，在1050°C的生長溫度下通過采用NH3和TMGa作為原料氣體來生成厚度約3. 5 μ m的未摻雜GaN。在保持生長溫度為1050°C的同時(shí)形成厚度約2. 5μπι的η型GaN層。GaN層的生長速度約為6A/s，并且將DTBSi用作η型GaN層的Si源。為了生長有源層，將厚度約80 A的LxGiVxN阻擋層和厚度約20 A的InyGi^yN (χ > y)阱層的層疊重復(fù)進(jìn)行7個(gè)周期。生長速度設(shè)定在700°C 900°C。下面將描述本發(fā)明的多種實(shí)施方式(1) 一種采用薄襯底的用于生長III族氮化物半導(dǎo)體層的方法。盡管厚是一個(gè)相對概念，但是可認(rèn)為厚度約800 μ m以上的襯底是較厚的。不過，本發(fā)明用于生長III族氮化物半導(dǎo)體層的方法當(dāng)然可以用于厚度為800 μ m以上的藍(lán)寶石襯底。另外，有利的是本發(fā)明的生長方法能夠采用因破損和發(fā)射波長不均勻而不能在現(xiàn)有技術(shù)中利用的薄襯底。盡管厚度沒有特定的下限，但是應(yīng)該注意如果厚度過小則襯底可能會(huì)破損?？紤]到這種情況(破損、加工便利、成本等)，優(yōu)選的是厚度為500 μ m 800 μ m的襯底。特別地，優(yōu)選采用厚度約600μπι的藍(lán)寶石襯底。盡管對襯底的尺寸(或直徑)沒有特別限制，但是本發(fā)明的生長方法特別關(guān)注采用大面積襯底(超過2英寸)進(jìn)行生長時(shí)出現(xiàn)的問題。目前，2英寸藍(lán)寶石襯底的厚度一般不超過430 μ m。因此，本發(fā)明的生長方法可以與現(xiàn)有技術(shù)區(qū)分開。然而，無需多言，本發(fā)明的生長方法適用于2英寸藍(lán)寶石襯底。要注意的是，襯底的薄厚可相對于襯底的尺寸(或直徑)而言。例如，可認(rèn)為厚度為430μπι的2英寸藍(lán)寶石襯底較厚，而認(rèn)為厚度為430 μ m的4英寸藍(lán)寶石襯底過薄而不能使用。因此，就3英寸、5英寸和6英寸襯底而言，薄厚是相對概念。應(yīng)該注意，本發(fā)明的生長方法可進(jìn)行改變以與襯底的薄厚相適應(yīng)。 盡管通常采用圓形襯底，但是本發(fā)明的生長方法還適用于矩形和六邊形襯底。(2) 一種用于生長III族氮化物半導(dǎo)體層的方法，所述方法可抑制襯底或晶片中心的熱膨脹。本發(fā)明的生長方法提供了一種用于生長III族氮化物半導(dǎo)體層的方法，該方法考慮到襯底或晶片在低溫很少彎曲的事實(shí)而使襯底或晶片中心的溫度降低到低于襯底或晶片邊緣的溫度，并減小襯底或晶片中心的曲率半徑，從而減小整個(gè)襯底或晶片的彎曲。 隨著彎曲的減小，可以避免在生長期間襯底的破損，而且可以向襯底或晶片要與基座分離的邊緣提供足夠的熱，因而縮小了發(fā)射波長的分布。就C面藍(lán)寶石襯底而言，彎曲通常對稱地發(fā)生。在本發(fā)明的生長方法中，可在至少一個(gè)方向(例如，基座的徑向或與襯底的平坦區(qū)域垂直的方向)上抑制襯底或晶片的彎曲，并由此消除襯底或晶片的彎曲。進(jìn)一步地，本發(fā)明的生長方法表明，即使在一個(gè)方向上消除了襯底或晶片的彎曲，也可以制造出具有窄范圍發(fā)射波長分布的發(fā)光器件。盡管不能在根本上(primarily)限定出加熱器4b和加熱器 4a或加熱器如之間的溫差，但是至少10°C的溫差將給4英寸藍(lán)寶石襯底帶來令人滿意的效果。本文采用的術(shù)語“效果”指避免襯底或晶片在生長η型III族氮化物半導(dǎo)體層時(shí)的破損，也指在生長有源層時(shí)獲得產(chǎn)品規(guī)格中要求的發(fā)射波長范圍(例如，20nm)。(3) 一種用于生長III族氮化物半導(dǎo)體層的方法，所述方法采用具有窄范圍發(fā)射波長分布的大面積襯底。使用本發(fā)明的生長方法，可通過相對地降低襯底或晶片中心的加熱溫度來減小襯底或晶片的彎曲，同時(shí)升高因彎曲而變得遠(yuǎn)離基座的襯底或晶片邊緣的加熱溫度而制造具有窄范圍發(fā)射波長分布的發(fā)光器件。
權(quán)利要求
1.一種用于在襯底上生長III族氮化物半導(dǎo)體層的方法，所述方法包括 在至少一個(gè)方向上抑制所述襯底的內(nèi)凹彎曲的抑制步驟；和在所述襯底處于所述抑制步驟的同時(shí)生長III族氮化物半導(dǎo)體層以與襯底結(jié)合的生長步驟。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述抑制步驟通過抑制所述襯底的中心的彎曲來進(jìn)行。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其中，通過相對地降低所述襯底中心的加熱溫度來抑制所述襯底中心的彎曲。
4.如權(quán)利要求3所述的方法，其中，所述III族氮化物半導(dǎo)體層包含有源層，所述有源層通過電子和空穴的復(fù)合來發(fā)射光，而且所述生長步驟通過將所述襯底的邊緣的加熱溫度升高到高于所述襯底中心的加熱溫度來控制發(fā)射波長的分布。
5.如權(quán)利要求4所述的方法，其中，所述抑制步驟通過設(shè)置在基座下的多個(gè)加熱器來進(jìn)行，所述基座上放置有所述襯底。
6.如權(quán)利要求5所述的方法，其中，所述多個(gè)加熱器沿所述基座的徑向順次排列。
7.如權(quán)利要求1 6中任一項(xiàng)所述的方法，其中，所述襯底是藍(lán)寶石襯底。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其中，所述襯底是大于2英寸的大面積C面藍(lán)寶石襯底。
9.如權(quán)利要求7所述的方法，其中，所述藍(lán)寶石襯底的厚度為500μ m以上。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其中，所述襯底是厚度為800μ m以下的薄藍(lán)寶石襯底。
11.如權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述藍(lán)寶石襯底的厚度為約600μπι。
12.如權(quán)利要求9所述的方法，其中，所述襯底是4英寸藍(lán)寶石襯底。
13.如權(quán)利要求4所述的方法，其中，所述發(fā)射波長的分布小于20nm。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述襯底是大于2英寸的大面積C面藍(lán)寶石襯底。
15.如權(quán)利要求3所述的方法，其中，通過使所述襯底中心的加熱溫度相對地降低10°C 以上來抑制所述襯底中心的彎曲。
16.如權(quán)利要求4所述的方法，其中，所述生長步驟通過將所述襯底邊緣的加熱溫度升高到比所述襯底中心的加熱溫度高10°C以上來控制所述發(fā)射波長的分布。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種用于在襯底上生長III族氮化物半導(dǎo)體層的方法，所述方法包括在至少一個(gè)方向上抑制襯底下內(nèi)凹彎曲的抑制步驟；和在襯底處于抑制步驟的同時(shí)生長III族氮化物半導(dǎo)體層，使得該III族氮化物半導(dǎo)體層可與該襯底結(jié)合的生長步驟。
文檔編號(hào)H01L21/20GK102265382SQ200980148843
公開日2011年11月30日 申請日期2009年12月23日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月24日
發(fā)明者丁鐘弼, 樸仲緒, 李鎬相, 鄭泰勛 申請人:艾比維利股份有限公司