專利名稱：光電轉(zhuǎn)換元件及太陽能電池的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光電轉(zhuǎn)換組件及包含該光電轉(zhuǎn)換組件的太陽能電池。
背景技術(shù)：
通常，將太陽光能轉(zhuǎn)換為電能的太陽能電池提案有硅系、化合物系、及有機(jī)物系電池等各種太陽能電池。另外，硅系太陽能電池因?yàn)橐宰鳛榈厍蛏系馁Y源大量存在的硅作為原料，所以相比其它的化合物系及有機(jī)物系的太陽能電池，不用擔(dān)心出現(xiàn)資源枯竭等問題。另外，硅太陽能電池可以分類為單晶硅、多晶硅及非晶質(zhì)(amorphous)型，這些硅太陽能電池中，單晶硅及多晶硅為整體型，另一方面，非晶質(zhì)型太陽能電池為薄膜型。在此， 整體型硅太陽能電池需要成膜具有100 μ m左右的厚度的膜，另一方面，薄膜型硅太陽能電池只要成膜0. 5 μ m左右的厚度的膜即可。最近，上述的各種太陽能電池中，因整體型硅太陽能電池的能量轉(zhuǎn)換效率較高，制造費(fèi)用也較低，所以趨向于被越來越多的使用。但已知的是，伴隨整體型硅太陽能電池的需要急劇增加，需要大量的作為原料的單晶硅和多晶硅，導(dǎo)致成本大幅增加的同時(shí)，供應(yīng)問題本身都會陷入困難狀況。另一方面，提倡使用太陽能作為火力或水利的代替能源。為了將太陽能作為火力或水力的代替能源使用，需要具備一平方千米單位的大面積的可以供給大功率的太陽能電池。由于單晶型及多晶型硅太陽能電池需要成膜膜厚較厚的單晶硅或多晶硅膜，所以要構(gòu)成具有大面積且大功率的太陽能電池，如上所述在成本方面乃至資源方面都是困難的。與之相對，由于可將非晶質(zhì)型硅太陽能電池的非晶質(zhì)硅膜厚相比單晶型及多晶型硅太陽能電池設(shè)為1/100以下，所以適合現(xiàn)實(shí)情況下以低成本制造大功率及大面積太陽能電池。但是，非晶質(zhì)型硅太陽能電池的能量轉(zhuǎn)換效率為6% 7%左右，與具有20%左右的能量轉(zhuǎn)換效率的單晶型及多晶型硅太陽能電池相比顯著低下，另外，需要指出的是，非晶質(zhì)型硅太陽能電池存在面積越大，能量轉(zhuǎn)換效率越是降低的缺點(diǎn)。專利文獻(xiàn)1中，公開了一種技術(shù)，其為提高薄膜型太陽能電池的性能，而在基板上形成具有傾斜截面的透明電極，及將&10、SnO2、及ITO中的一種作為透明電極利用。另外，專利文獻(xiàn)2中，公開有具備SnA或ZnO作為透明電極層的非晶質(zhì)型硅太陽能電池?，F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1 日本特表2008-533737號公報(bào)專利文獻(xiàn)2 日本特開平5-1755 號公報(bào)
發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的課題專利文獻(xiàn)1中公開了通過使形成太陽能電池的單電池間的絕緣間隔最小化、力口寬有效面積，由此可降低制造單價(jià)的透明電極的加工方法，但是，對于改善形成非晶質(zhì)型硅太陽能電池的太陽能電池層的能量轉(zhuǎn)換效率沒有任何考慮。專利文獻(xiàn)2中公開有在由ZnO或SnA形成的透明電極上形成ρ型非晶質(zhì)(無定形)硅層(以下稱為a-Si層)，在該ρ型a-Si層上依次層疊有i型a-Si層、及η型a_Si 層的構(gòu)成的非晶質(zhì)硅太陽能電池。該情況下，在η型a-Si層上設(shè)有背面金屬電極。但是， 專利文獻(xiàn)2中表明上述構(gòu)成的非晶質(zhì)硅太陽能電池的能量轉(zhuǎn)換效率止于5. 5%。本發(fā)明的目的在于，提供一種富于量產(chǎn)性的適合大面積太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換元件結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的目的在于，提供一種使用能夠有效利用資源的aio電極和非晶質(zhì)硅系的適合于制造大面積的太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換元件結(jié)構(gòu)。另外，本發(fā)明的目的在于，得到具備超過6% (優(yōu)選為10%)的能量轉(zhuǎn)換效率的非晶質(zhì)型硅太陽能電池。解決課題的手段根據(jù)本發(fā)明的第1方面，可得到一種光電轉(zhuǎn)換元件，其特征在于，包含第一電極層、第二電極層、設(shè)于所述第一及第二電極層之間的一個(gè)或多個(gè)發(fā)電層疊體，所述發(fā)電層疊體包含ρ型半導(dǎo)體層、與該ρ型半導(dǎo)體層接觸形成的i型半導(dǎo)體層、 與所述i型半導(dǎo)體層接觸而形成的η型半導(dǎo)體層，所述一個(gè)發(fā)電層疊體或所述多個(gè)發(fā)電層疊體中的所述第一電極側(cè)的發(fā)電層疊體的所述η型半導(dǎo)體層與所述第一電極層接觸，所述一個(gè)發(fā)電層疊體或所述多個(gè)發(fā)電層疊體中的所述第二電極側(cè)的發(fā)電層疊體的所述P型半導(dǎo)體層與所述第二電極層接觸，所述第一電極層中，至少所述η型半導(dǎo)體層所接觸的部分含有&ι0。根據(jù)本發(fā)明第二方面，在第一方面的基礎(chǔ)上得到光電轉(zhuǎn)換元件，其特征在于，所述第一電極層的ZnO被摻雜Ga、Al或h而成為η型。根據(jù)本發(fā)明第三方面，在第一或第二方面的基礎(chǔ)上得到光電轉(zhuǎn)換元件，其特征在于，所述第一電極層為透明電極。根據(jù)本發(fā)明第四方面，在第一 第三方面中任一方面的基礎(chǔ)上，得到光電轉(zhuǎn)換元件，其特征在于，所述發(fā)電層疊體的至少一個(gè)中的所述i型半導(dǎo)體層由結(jié)晶硅、微晶非晶硅及非晶質(zhì)硅中的任一個(gè)形成。根據(jù)本發(fā)明第五方面，在第一方面的基礎(chǔ)上得到光電轉(zhuǎn)換元件，其特征在于，所述第一電極層的ZnO為η型，與所述第一電極層接觸的η型半導(dǎo)體層由非晶質(zhì)硅形成。根據(jù)本發(fā)明第六方面，在第一 第五方面中任一方面的基礎(chǔ)上得到光電轉(zhuǎn)換元件，其特征在于，所述一個(gè)發(fā)電層疊體或所述多個(gè)發(fā)電層疊體中的所述第一電極側(cè)的發(fā)電層疊體由非晶質(zhì)硅形成。根據(jù)本發(fā)明第七方面，在第一 第六方面中任一方面的基礎(chǔ)上得到光電轉(zhuǎn)換元件，其特征在于，與所述第二電極層接觸的所述P型半導(dǎo)體層由非晶質(zhì)硅形成，所述第二電極層中至少所述P型半導(dǎo)體層所接觸的部分由％或Pt形成。
根據(jù)本發(fā)明第八方面，在第一 第六方面中任一方面的基礎(chǔ)上得到光電轉(zhuǎn)換元件，其特征在于，所述發(fā)電層疊體存在多個(gè)，該多個(gè)發(fā)電層疊體中的所述第二電極側(cè)的發(fā)電層疊體由微晶硅形成。根據(jù)本發(fā)明第九方面，在第八方面的基礎(chǔ)上得到光電轉(zhuǎn)換元件，其特征在于，與所述第二電極層接觸的所述P型半導(dǎo)體層由微晶硅形成，所述第二電極層中至少所述P型半導(dǎo)體層所接觸的部分含有M而形成。根據(jù)本發(fā)明第十方面，在第七或第九方面的基礎(chǔ)上得到光電轉(zhuǎn)換元件，其特征在于，所述第二電極層還包含Al層。根據(jù)本發(fā)明第十一方面，可以得到一種太陽能電池，其包含第一 第十方面中任一方面所述的光電轉(zhuǎn)換元件。根據(jù)本發(fā)明，能夠容易且廉價(jià)地得到大量的即大面積的太陽能電池，而且，能夠得到能量轉(zhuǎn)換效率高的光電轉(zhuǎn)換元件及太陽能電池。另外，本發(fā)明中，可得到地球上的資源方面沒有問題且經(jīng)濟(jì)方面也有利的非晶質(zhì)硅光電轉(zhuǎn)換元件及太陽能電池。


圖1是說明本發(fā)明的光電轉(zhuǎn)換元件的原理的圖；圖2是說明本發(fā)明一實(shí)施方式的光電轉(zhuǎn)換元件及太陽能電池的結(jié)構(gòu)的概略圖；圖3A是按工序說明圖2所示的光電轉(zhuǎn)換元件的制造工序的圖；圖;3B是按工序說明圖2所示的光電轉(zhuǎn)換元件的制造工序的圖；圖3C是按工序說明圖2所示的光電轉(zhuǎn)換元件的制造工序的圖；圖3D是按工序說明圖2所示的光電轉(zhuǎn)換元件的制造工序的圖；圖3E是按工序說明圖2所示的光電轉(zhuǎn)換元件的制造工序的圖；圖3F是按工序說明圖2所示的光電轉(zhuǎn)換元件的制造工序的圖；圖3G是按工序說明圖2所示的光電轉(zhuǎn)換元件的制造工序的圖；圖3H是按工序說明圖2所示的光電轉(zhuǎn)換元件的制造工序的圖；圖4是說明本發(fā)明其它實(shí)施方式的光電轉(zhuǎn)換元件及太陽能電池的結(jié)構(gòu)的概略圖。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明的原理首先，本發(fā)明以實(shí)現(xiàn)使用非晶質(zhì)硅，擁有1. 3V以上的開放端電壓Voc且具有10% 以上的能量轉(zhuǎn)換效率的光電轉(zhuǎn)換元件及太陽能電池為目標(biāo)，由此，可以大面積化、大功率化
及量產(chǎn)化。目前，在具備pin結(jié)構(gòu)的非晶質(zhì)硅太陽能電池或光電轉(zhuǎn)換元件中，一般采用如下構(gòu)成P型非晶質(zhì)硅層與透明電極接觸設(shè)置，另一方面，η型非晶質(zhì)硅層與背面電極接觸。但是，在該結(jié)構(gòu)中，根據(jù)專利文獻(xiàn)2的提示可知，開放端電壓Voc為0. 94V及能量效率為5. 5%左右，在pin結(jié)構(gòu)的非晶質(zhì)硅太陽能電池中不能期望進(jìn)一步的改善。本發(fā)明人等獲知現(xiàn)有的非晶質(zhì)硅太陽能電池的上述的問題的一個(gè)原因在于，非晶質(zhì)硅膜是缺陷多的劣質(zhì)膜，通過利用優(yōu)良的自由基反應(yīng)的CVD法，可形成缺陷少的優(yōu)質(zhì)非晶質(zhì)硅膜。
另外，作為透明電極，不采用使用ITO(In)這樣的稀少材料的材料，而使用自然界中大量存在且枯竭憂慮小的材料(Zn)形成。通常，為形成透明電極而多使用銦，但銦本身作為資源是量少且昂貴的。因此，使用銦制造大面積、大功率的太陽能電池在經(jīng)濟(jì)性及資源的有效利用這一點(diǎn)上并不是上策?？紤]到上述情況，在本發(fā)明中，將作為資源也能夠充分確保的鋅，具體而言ZnO作為透明電極使用。發(fā)明人獲知下述見解通過向ZnO中摻雜雜質(zhì)可使其半導(dǎo)體化，但摻雜ρ 型雜質(zhì)是困難的，與之相對的是，摻雜fe、Al或等11型雜質(zhì)容易，現(xiàn)實(shí)中能夠使用的是η MZnO0另外，還獲知下述見解，目前，與ZnO透明電極接觸的非晶質(zhì)硅是ρ型非晶質(zhì)硅，但在P型非晶質(zhì)硅中，與η型SiO的功函數(shù)的差過大，難以流過大電流。另一方面，得到下述重要的見解，η型非晶質(zhì)硅的傳導(dǎo)帶和η型SiO的傳導(dǎo)帶的電子能量差小，電子易于流動(dòng)， 因此能夠流過大電流。參照圖1，表示了本發(fā)明的光電轉(zhuǎn)換元件的原理性的結(jié)構(gòu)。該例的情況下，將η型非晶質(zhì)硅(a-Si)層和通過在SiO中添加( 而得到的η型ZnO層接合。如圖1明確所示， 成為從η型非晶質(zhì)硅(a-Si)層側(cè)容易向η型ZnO層流過電子的構(gòu)成。另外，圖1表示η型非晶質(zhì)硅(a-Si)層和η型ZnO層(在此為η+型ZnO層)接合的情況下的能帶結(jié)構(gòu)。在圖示的能帶結(jié)構(gòu)中，右側(cè)表示的a-Si層的傳導(dǎo)帶Ec和價(jià)電子帶Ev之間的帶隙為1. 75eV。另一方面，圖中左側(cè)所示的η+型ZnO層的傳導(dǎo)帶Ec僅比a_Si 層的傳導(dǎo)帶Ec低0. 2eV,比費(fèi)米能級Ef低。因此，如圖所示，由于在a-Si層的傳導(dǎo)體Ec和η+型ZnO層的傳導(dǎo)帶Ec之間基本上沒有電子的障礙，所以電子以高的效率從a-Si層的傳導(dǎo)體Ec流入η+型ZnO層的傳導(dǎo)帶 Ec0這樣，由于在圖示的a-Si層和η+型SiO層之間基本上沒有障礙，所以能使電子從a_Si 層向η+型SiO層高效地移動(dòng)，在構(gòu)成光電轉(zhuǎn)換元件的情況下，能夠流過大電流，能改善能量效率。另一方面，如果使η型ZnO接觸ρ+型非晶質(zhì)硅，則傳導(dǎo)帶Ec的差也達(dá)到1. 6eV,電子難以從η型ZnO流入ρ+型非晶質(zhì)硅。參照圖2，表示了基于上述的本發(fā)明的原理的本發(fā)明的一實(shí)施方式的光電轉(zhuǎn)換元件10。圖示的光電轉(zhuǎn)換元件10被設(shè)于包括防護(hù)玻璃12及設(shè)置于該防護(hù)玻璃12上的玻璃基板14的基體上。圖示的玻璃基板14由含Na的廉價(jià)的鈉玻璃形成，為了防止從該鈉玻璃擴(kuò)散Na，污染元件，在光電轉(zhuǎn)換元件10和玻璃基板14之間設(shè)有鈉阻隔層16。鈉阻隔層16 通過例如涂布表面平坦化涂布液并干燥、燒結(jié)而形成。另外，也如圖明確所示，成為單電池的光電轉(zhuǎn)換元件10與相鄰的其它光電轉(zhuǎn)換元件(單電池)串聯(lián)電連接，構(gòu)成太陽能電池。具體地說，本發(fā)明一實(shí)施方式的光電轉(zhuǎn)換元件10具有第一電極層20、由a-Si形成的具備Pin結(jié)構(gòu)的發(fā)電層疊體22、及經(jīng)由硒層M成膜于該發(fā)電層疊體22上的Al的第二電極層26。構(gòu)成光電轉(zhuǎn)換元件10的第一電極20為透明導(dǎo)體電極CTransparent Conductive Oxide (TCO)層)，在此，由具有1 μ m膜厚的ZnO層形成。該情況下，作為第一電極20的ZnO 層為摻雜有( 的η+型ZnO層。另外，在構(gòu)成第一電極20的η+型ZnO層中，每隔規(guī)定的間隔設(shè)置有絕緣膜201 (在此為SiCN)，按電池單位區(qū)劃、區(qū)分。在該第一電極20上設(shè)置有構(gòu)成發(fā)電層疊體22的一部分的η+型a_Si層221，η+型a-Si層221與構(gòu)成第一電極20的透明電極接觸。圖示的η+型a-Si層221具有IOnm的膜厚。在η+型a-Si層221上依次形成有形成發(fā)電層疊體22的i型a_Si222及ρ型a_Si 層223。圖示的i型a-Si222及ρ型a_Si層223的膜厚分別為480n+m及IOnm的膜厚。在圖示的構(gòu)成發(fā)電層疊體22的η+型a-Si層221、i型a-Si層222及ρ+型a-Si層223上， 在與第一電極20的絕緣層201的位置不同的位置設(shè)有通孔224，且在該通孔的內(nèi)壁上形成有SiO2層。nip結(jié)構(gòu)的發(fā)電層疊體22整體具有500nm的厚度，與由單晶或多晶硅形成的光電轉(zhuǎn)換元件相比，具有其百分之一以下的厚度。然后，在ρ型a-Si層223上，經(jīng)由硒(Se)層M形成有第二電極層沈，形成該第二電極層26的Al也形成于發(fā)電層疊體22的通孔224(內(nèi)壁通過SiO2絕緣)內(nèi)。通孔224 內(nèi)的Al與相鄰的光電轉(zhuǎn)換元件的第一電極20電連接。另外，構(gòu)成與第二電極的ρ型a-Si 層的接觸部的硒(Se)層M是由于k的功函數(shù)(-6. OeV)接近于ρ型a_Si層的功函數(shù)而使用，同樣地也可以替換成功函數(shù)相似的Pt (-5. 7eV)。另外，在第二電極沈上形成SiCN的鈍化膜觀。形成鈍化膜觀的絕緣材料(在此為SiCN)也被埋設(shè)在經(jīng)第二電極沈· 24、ρ型a-Si層223達(dá)到i型a_Si層222的孔225 內(nèi)。在鈍化膜28上經(jīng)由由熱傳導(dǎo)性良好的材料形成的粘接劑層四安裝有散熱片30 (例如由Al形成)。另外，在形成第一電極層20的ZnO層中，代替( 摻雜Al、h等，由此也能夠形成 η+型SiO層。圖2所示的光電轉(zhuǎn)換元件10通過該光電轉(zhuǎn)換元件10的單體電池能獲得約20%的能量轉(zhuǎn)換效率。另外，將這些光電轉(zhuǎn)換元件10連接而構(gòu)成1. 15mX 1.40m的太陽能電池模塊的情況下，可獲得307W的電力，模塊中的能量轉(zhuǎn)換效率為18. 9%。下面，參照圖3A 圖3H說明圖2所示的光電轉(zhuǎn)換元件10及太陽能電池的制造方法。在該例中，使用本發(fā)明人等以前申請的日本特愿2008-153379號說明書中提出的 MSEP (Metal Surface-wave Excited Plasma)型等離子處理裝置(具備及不具備下段氣嘴或下段氣浴板的裝置中的任一個(gè))作為第一 第八等離子處理裝置，對使用將這些等離子處理裝置集群(cluster)型地配置的系統(tǒng)的情況進(jìn)行說明。如圖3A所示，首先，在由鈉玻璃形成的玻璃基板14上，通過5Τοπ·左右的低壓氛圍在玻璃基板14表面形成厚度為0. 2 μ m的鈉阻隔層16。然后，如圖:3B所示，將形成有鈉阻隔層16的玻璃基板14導(dǎo)入具備下段氣嘴或下段氣浴板的第一等離子處理裝置，作為第一電極20形成厚度為1 μ m的透明電極(TC0層)。 在第一等離子處理裝置中，通過摻雜( 而形成η+型ZnO層。摻雜( 的η+型ZnO層在第一等離子處理裝置中，從上段氣嘴向腔室供給Kr及O2的混合氣體而產(chǎn)生等離子，從下段氣嘴或下段氣浴板向在包括Kr及氧的氛圍下生成的等離子體中噴出Ar、Zn (CH3)2及Ga(CH3)3 的混合氣體，由此，在鈉阻隔層16上利用等離子CVD成膜η+型ZnO層。接著，在η+型ZnO層Q0)上涂布光致抗蝕劑后，使用光刻技術(shù)，將光致抗蝕劑圖案化。使光致抗蝕劑圖案化后，將其導(dǎo)入具備下段氣嘴或下段氣浴板的第二等離子處理裝置。在第二等離子處理裝置中，以圖案化的光致抗蝕劑為掩模選擇性地蝕刻η+型ZnO層， 如圖3C所示，在構(gòu)成第一電極20的η+型ZnO層上形成達(dá)到鈉阻隔層16的開口部。第二等離子處理裝置的蝕刻通過從上段氣嘴向腔室供給Ar氣體，再向該Ar氛圍下生成的等離子體中，從下段氣嘴或下段氣浴板向腔室供給Ar、Cl2, HBr的混合氣體而進(jìn)行。將具有開口部的η+型ZnO層及在該η+型ZnO層上涂布了光致抗蝕劑的狀態(tài)的玻璃基板14輸送到不具備下段氣嘴或下段氣浴板的第三等離子處理裝置，在第三等離子處理裝置中，在KrA)2等離子氛圍下灰化除去光致抗蝕劑。除去光致抗蝕劑后，將被覆了形成有開口部的η+型ZnO層(第一電極20)的玻璃基板14導(dǎo)入具備下段氣嘴或下段氣浴板的第四等離子處理裝置。在第四等離子處理裝置中，首先，在開口部內(nèi)及η+型ZnO層(20)表面，通過等離子CVD形成SiCN作為絕緣膜201 后，在相同的第四等離子處理裝置內(nèi)蝕刻除去η+型ZnO層00)表面的SiCN。其結(jié)果是， 僅在n+ZnO層O0)的開口部內(nèi)埋設(shè)絕緣膜201。第四等離子處理裝置內(nèi)的SiCN的成膜通過從上段氣嘴向腔室供給)(e及NH3氣體而產(chǎn)生等離子，且從下段氣嘴或下段氣浴板向腔室導(dǎo)入Ar、SiH4、SiH(CH3)J^g合氣體而通過CVD成膜來進(jìn)行，然后，在同腔室切換導(dǎo)入氣體， 從上段氣嘴向腔室供給Ar氣體使等離子產(chǎn)生，從下段氣嘴或下段氣浴板向腔室導(dǎo)入Ar和 CF4的混合氣體，蝕刻除去η+型ZnO層Q0)表面的SiCN。接著，在相同的第四等離子處理裝置內(nèi)依次切換導(dǎo)入氣體，由此，通過連續(xù)CVD形成具有nip結(jié)構(gòu)的發(fā)電層疊體22及％層M。如圖3D所示，在第四等離子處理裝置內(nèi)，依次成膜η+型a-Si層221、i型a-Si層222、ρ+型a-Si層223及硒(Se)層對。具體地說明，在第四等離子處理裝置中，從上段氣嘴向腔室供給Ar及H2的混合氣體使等離子產(chǎn)生， 從下段氣嘴或下段氣浴板向腔室導(dǎo)入41~、5讓4及？!13的混合氣體，等離子00)成膜11+型3^ 層221，然后，從上段氣嘴繼續(xù)向腔室供給Ar及吐的混合氣體使等離子產(chǎn)生，同時(shí)，將來自下段氣嘴或下段氣浴板的氣體從Ar、SiH4、PH3氣體切換為Ar+SiH4氣體導(dǎo)入，由此成膜i型 a-Si層222，進(jìn)而，從上段氣嘴繼續(xù)向腔室供給Ar及H2的混合氣體使等離子產(chǎn)生，同時(shí)將來自下段氣嘴或下段氣浴板的氣體由Ar、SiH4氣體置換為Ar+SiH4+B2H6氣體，由此成膜ρ+型 a-Si層223，然后，從上段氣嘴繼續(xù)向腔室供給Ar及吐的混合氣體使等離子產(chǎn)生，同時(shí)將來自下段氣嘴或下段氣浴板的氣體由Ar、SiH4, B2H6氣體置換為Ar、H2Se的混合氣體，由此 CVD成膜硒層24。通過這樣在同一個(gè)MSEP型等離子處理裝置中依次切換導(dǎo)入氣體，進(jìn)行6 層的成膜·蝕刻，因此，能夠形成缺陷少的優(yōu)質(zhì)膜，同時(shí)大幅降低制造成本。將搭載有硒層M及發(fā)電層疊體22的玻璃基板14從第四等離子處理裝置導(dǎo)入光致抗蝕劑涂布機(jī)(狹縫式涂布機(jī))，涂布光致抗蝕劑后，通過光刻技術(shù)對光致抗蝕劑實(shí)施圖案化。在圖案化光致抗蝕劑后，將搭載有硒層M及發(fā)電層疊體22的玻璃基板14與圖案化的光致抗蝕劑一同導(dǎo)入具備下段氣嘴或下段氣浴板的第五等離子處理裝置。在第五等離子處理裝置中，將光致抗蝕劑作為掩模選擇性地蝕刻硒層M及發(fā)電層疊體22，如圖3E所示，形成到達(dá)第一電極20的通孔224。即，在第五等離子處理裝置中，進(jìn)行4層連續(xù)蝕刻。具體地說明，硒層M的蝕刻通過從上段氣嘴向腔室供給Ar及H2的混合氣體使等離子產(chǎn)生，同時(shí)從下段氣嘴或下段氣浴板向等離子內(nèi)噴出Ar、CH4的混合氣體來進(jìn)行，接著， 從上段氣嘴繼續(xù)向腔室供給Ar使等離子產(chǎn)生，同時(shí)從下段氣嘴或下段氣浴板噴出Ar+HBr 氣體，由此進(jìn)行由nip的3層構(gòu)成的發(fā)電層疊體22的蝕刻。將形成有通過第五等離子處理裝置內(nèi)的蝕刻而形成從硒層M貫通至η+型ZnO層(第一電極20)并到達(dá)第一電極20的通孔224的玻璃基板14從第五等離子處理裝置移動(dòng)到上述的不具備下段氣嘴或下段氣浴板的第三等離子處理裝置，在從上段氣嘴導(dǎo)入腔室的 Kr/02氣體的氛圍下生成的等離子內(nèi)灰化除去光致抗蝕劑。將除去光致抗蝕劑后的玻璃基板14移至具備下段氣嘴或下段氣浴板的第六等離子處理裝置，如圖3F所示，在硒層M上作為第二電極沈成膜具有1 μ m厚度的Al層。 Al層也成膜于通孔224內(nèi)。該Al層的成膜通過從上段氣嘴向腔室供給Ar及壓的混合氣體使等離子產(chǎn)生，同時(shí)從下段氣嘴或下段氣浴板向在Ar/H2氛圍下生成的等離子中噴出 Ar+Al (CH3)3氣體來進(jìn)行。接著，在第二電極沈的Al層上涂布光致抗蝕劑后進(jìn)行圖案化，將其導(dǎo)入具備下段氣嘴或下段氣浴板的第七等離子處理裝置內(nèi)。在第七等離子處理裝置中，通過從上段氣嘴向腔室供給Ar氣體使等離子產(chǎn)生，同時(shí)從下段氣嘴或下段氣浴板向在Ar氛圍下生成的等離子內(nèi)噴出々!"+(^氣體，由此進(jìn)行Al 層的蝕刻，接著，通過從上段氣嘴向腔室供給Ar及H2的混合氣體使等離子產(chǎn)生，同時(shí)從下段氣嘴或下段氣浴板向在ArM2氛圍下生成的等離子內(nèi)導(dǎo)入Ar+CH4氣體，由此進(jìn)行硒層M 的蝕刻，接著，從上段氣嘴向腔室供給Ar氣體使等離子產(chǎn)生，同時(shí)將來自下段氣嘴或下段氣浴板的氣體切換為Ar+HBr氣體，蝕刻至ρ+型a_Si層223和到i型a_Si層222的中途。 其結(jié)果如圖3G所示，形成從Al層沈表面到達(dá)i型a-Si層222的中途的孔225。該工序也通過使用同一個(gè)MSEP型等離子處理裝置依次切換氣體來進(jìn)行4層連續(xù)蝕刻，大幅降低了處理時(shí)間和成本。然后，將圖3G所示的搭載有元件的玻璃基板14移動(dòng)到上述不具備下段氣嘴或下段氣浴板的第三等離子處理裝置，通過在從上段氣嘴導(dǎo)入腔室的Kr/02氣體的氛圍下生成的等離子灰化除去光致抗蝕劑。將含有除去了光致抗蝕劑的Al層作為第二電極沈的玻璃基板14導(dǎo)入具備下段氣嘴或下段氣浴板的第八等離子處理裝置，通過由CVD形成SiCN膜，在Al層沈上及孔225 內(nèi)成膜絕緣層觀，如圖3H所示，制成所期望的光電轉(zhuǎn)換元件及太陽能電池。SiCN的成膜通過從上段氣嘴向腔室供給)(e及NH3氣體使等離子產(chǎn)生，從下段氣嘴或下段氣浴板噴出Ar、 SiH4、SiH(CH3)3 氣體進(jìn)行。在上述的制造方法中，可將同一個(gè)等離子處理裝置用于多層成膜等。因此，能夠以除去大氣中的氧、雜質(zhì)等引起的污染的狀態(tài)，制成光電轉(zhuǎn)換元件及太陽能電池。其結(jié)果能夠?qū)我坏墓怆娹D(zhuǎn)換元件的能量轉(zhuǎn)換效率提高到20 %，將由多個(gè)光電轉(zhuǎn)換元件形成的模塊的能量效率提高到18. 9%。在上述的實(shí)施方式中，僅說明了 nip結(jié)構(gòu)的發(fā)電層疊體均由a-Si層形成的情況， 但i型a-Si層也可以由結(jié)晶硅或微晶非晶質(zhì)硅形成。另外，也可以在發(fā)電層疊體22上堆積另一個(gè)或其以上的發(fā)電層疊體。然后，以在發(fā)電層疊體22上堆積另一個(gè)發(fā)電層疊體為例，說明其它實(shí)施方式。參照圖4，表示基于上述的本發(fā)明原理的本發(fā)明的其它實(shí)施方式的光電轉(zhuǎn)換元件 40。另外，在圖4中，在與圖2的元件等同的部分標(biāo)注與圖2相同的參考數(shù)字。關(guān)于與圖2 相同的參考數(shù)字的部分省略詳細(xì)說明。圖4的光電轉(zhuǎn)換元件40具有具備nip結(jié)構(gòu)的發(fā)電層疊體22，該nip結(jié)構(gòu)在由含Na的廉價(jià)的鈉玻璃形成的玻璃基板14上隔著鈉阻隔層16及具有Iym膜厚的作為第一電極20的η+型SiO層，通過與前面的實(shí)施例相同的方法以a-Si 形成。圖4中，在其上設(shè)有具備由微晶硅(yc-Si)形成的nip結(jié)構(gòu)的第二發(fā)電層疊體42， 在該第二發(fā)電層疊體42上具有隔著鎳(Ni)層44成膜的Al的第二電極層26。具體而言，在發(fā)電層疊體22上設(shè)有構(gòu)成第二發(fā)電層疊體42的一部分的η+型 μ c-Si層421，其與ρ+型a-Si層223接觸。圖示的η+型μ c-Si層421具有20nm的膜厚。在η+型μ c-Si層421上依次形成有形成第二發(fā)電層疊體42的i型yc_Si422及ρ型 μ c-Si 層 423。對于各自的膜厚i 型 μ c_Si422 為 1. 86 μ m，ρ 型 μ c-Si 層 423 為 20nm。 設(shè)有貫穿構(gòu)成發(fā)電層疊體22的η+型a-Si層221、i型a_Si層222、ρ+型a_Si層223、及構(gòu)成第二發(fā)電層疊體42的η+型μ c-Si層421、i型μ c_Si422、ρ型μ c-Si層423及Ni 層44的從Al層沈到達(dá)第一電極20的通孔M4，該通孔的內(nèi)壁由SiO2層覆蓋，在其中設(shè)置 Al層，與鄰接一個(gè)光轉(zhuǎn)換元件的其它光電轉(zhuǎn)換元件串聯(lián)連接。由微晶硅制成的第二發(fā)電層疊體42整體具有2.沈μ m的厚度，吸收非晶硅制成的發(fā)電層疊體22不能吸收的波長的太陽光，提高整體的發(fā)電效率。其結(jié)果是，在圖示的結(jié)構(gòu)中發(fā)電效率達(dá)到30%。另外，構(gòu)成與第二電極的ρ型μ c-Si層423的接觸部的鎳(Ni)層44是由于功函數(shù)接近P型μ C-Si層的功函數(shù)而被采用的，另外，由SiCN構(gòu)成的絕緣孔245經(jīng)第二電極 26、Ni 層 44、ρ+型 μ c-Si 層 423、i 型 yc_Si422、n 型 μ c-Si 層 421、p 型 a-Si 層 223 到達(dá)i型a-Si層222，但由于μ c-Si為高電阻，所以也可以是終止于i型μ c_Si422的結(jié)構(gòu)。然后，說明圖4所示的光電轉(zhuǎn)換元件40及太陽能電池的制造方法。在該例中，使用本發(fā)明人等以前申請的日本特愿2008-153379號說明書中提出的MSEP (Metal Surface-wave Excited Plasma)型等離子處理裝置(具備及不具備下段氣嘴或下段氣浴板的裝置中的任一個(gè))作為第一 第八等離子處理裝置，對使用將這些等離子處理裝置集群 (cluster)型地配置的系統(tǒng)的情況進(jìn)行說明。首先，在由鈉玻璃形成的玻璃基板14上，通過5Τοπ·程度的低壓氛圍在玻璃基板 14表面形成厚度為0. 2 μ m的鈉阻隔層16。然后，將形成有鈉阻隔層16的玻璃基板14導(dǎo)入具備下段氣嘴或下段氣浴板的第一等離子處理裝置，形成厚度為Iym的透明電極(TC0層)作為第一電極20。在第一等離子處理裝置中，通過摻雜( 而形成η+型ZnO層。關(guān)于摻雜( 的η+型ZnO層，在第一等離子處理裝置中，從上段氣嘴向腔室供給Kr及&的混合氣體使等離子產(chǎn)生，且從下段氣嘴或下段氣浴板向在包含Kr及氧的氛圍下生成的等離子中噴出Ar、Zn(CH3)2及Ga(CH3)3的混合氣體，由此，在鈉阻隔層16上等離子CVD成膜η+型ZnO層。接著，在η+型ZnO層Q0)上涂布光致抗蝕劑后，利用光刻技術(shù)對光致抗蝕劑進(jìn)行圖案化。對光致抗蝕劑圖案化后，將其導(dǎo)入具備下段氣嘴或下段氣浴板的第二等離子處理裝置。在第二等離子處理裝置中，以圖案化的光致抗蝕劑作為掩模選擇性的蝕刻η+型ZnO 層，在作為第一電極20的η+型ZnO層形成到達(dá)鈉阻隔層16的開口部。第二等離子處理裝置的蝕刻通過從上段氣嘴向腔室供給Ar氣體，在該Ar氛圍下生成的等離子中從下段氣嘴或下段氣浴板向腔室供給Ar、Cl2, HBr的混合氣體來進(jìn)行。將具有開口部的η+型ZnO層及在該η+型ZnO層上涂布了光致抗蝕劑狀態(tài)的玻璃基板14輸送到不具備下段氣嘴或下段氣浴板的第三等離子處理裝置，在第三等離子處理裝置中，在KrA)2等離子氛圍下灰化除去光致抗蝕劑。除去光致抗蝕劑后，將被覆形成有開口部的第一電極20即η+型ZnO層的玻璃基板14導(dǎo)入具備下段氣嘴或下段氣浴板的第四等離子處理裝置。在第四等離子處理裝置中， 首先，在開口部內(nèi)及η+型ZnO層00)表面通過等離子CVD形成SiCN作為絕緣膜201后， 在相同的第四等離子處理裝置內(nèi)蝕刻除去η+型ZnO層00)表面的SiCN。其結(jié)果是，僅在 n+ZnO層O0)的開口部內(nèi)埋設(shè)絕緣膜201。第四等離子處理裝置內(nèi)的SiCN的成膜通過從上段氣嘴向腔室供給Xe及NH3氣體使等離子產(chǎn)生，且從下段氣嘴或下段氣浴板向腔室導(dǎo)入 Ar、SiH4、SiH(CH3)3的混合氣體進(jìn)行CVD成膜來進(jìn)行，其次，在同腔室切換導(dǎo)入氣體，從上段氣嘴向腔室供給Ar氣體使等離子產(chǎn)生，從下段氣嘴或下段氣浴板向腔室導(dǎo)入Ar和CF4的混合氣體，蝕刻除去η+型ZnO層Ο0)表面的SiCN。接著，在相同的第四等離子處理裝置內(nèi)依次切換導(dǎo)入氣體，由此，通過連續(xù)CVD依次成膜具有nip結(jié)構(gòu)的發(fā)電層疊體22、具有nip結(jié)構(gòu)的第二發(fā)電層疊體42及Ni層M。具體地說明，在第四等離子處理裝置中，從上段氣嘴向腔室供給Ar及H2的混合氣體使等離子產(chǎn)生，且從下段氣嘴或下段氣浴板向腔室導(dǎo)入Ar、SiH4及PH3的混合氣體，等離子CVD成膜 η+型a-Si層221，然后，通過從上段氣嘴繼續(xù)向腔室供給Ar及壓的混合氣體使等離子產(chǎn)生，同時(shí)將來自下段氣嘴或下段氣浴板的氣體由Ar、SiH4, PH3氣體切換為Ar+SiH4氣體導(dǎo)入，由此成膜i型a-Si層222，進(jìn)而，通過從上段氣嘴繼續(xù)向腔室供給Ar及吐的混合氣體使等離子產(chǎn)生，同時(shí)將來自下段氣嘴或下段氣浴板的氣體由Ar、SiH4氣體置換為Ar+SiH4+B2H6 氣體，成膜P+型a-Si層223。接著，從上段氣嘴向腔室供給Ar及吐的混合氣體使等離子產(chǎn)生，且從下段氣嘴或下段氣浴板向腔室導(dǎo)入Ar、SiH4及PH3的混合氣體，等離子CVD成膜η+型μ c-Si層421，然后，通過從上段氣嘴繼續(xù)向腔室供給Ar及H2的混合氣體使等離子產(chǎn)生，同時(shí)將來自下段氣嘴或下段氣浴板的氣體由Ar、SiH4、PH3氣體切換為Ar+SiH4氣體導(dǎo)入，由此成膜i型μ c-Si 層42，進(jìn)而，通過從上段氣嘴繼續(xù)向腔室供給Ar及吐的混合氣體使等離子產(chǎn)生，同時(shí)將來自下段氣嘴或下段氣浴板的氣體由Ar、SiH4氣體置換為Ar+SiH4+B2H6氣體，由此成膜ρ+型 μ c-Si層423，然后，通過從上段氣嘴繼續(xù)向腔室供給Ar及H2的混合氣體使等離子產(chǎn)生， 同時(shí)將來自下段氣嘴或下段氣浴板的氣體從Ar、SiH4、B2H6氣體置換為含有Ar和Ni的氣體的混合氣體，由此CVD成膜Ni層44。由于通過這樣在同一MSEP型等離子處理裝置中依次切換導(dǎo)入氣體，進(jìn)行9層的成膜·蝕刻，所以能夠形成缺陷少的優(yōu)質(zhì)膜，同時(shí)能夠大幅降低制造成本。將搭載有Ni層44及兩個(gè)發(fā)電層疊體22、42的玻璃基板14從第四等離子處理裝置導(dǎo)入光致抗蝕劑涂布機(jī)(狹縫式涂布機(jī))，涂布光致抗蝕劑后，通過光刻技術(shù)對光致抗蝕劑實(shí)施圖案化。在圖案化光致抗蝕劑后，將搭載有M層44及兩個(gè)發(fā)電層疊體22、42的玻璃基板 14與圖案化的光致抗蝕劑一同導(dǎo)入具備下段氣嘴或下段氣浴板的第五等離子處理裝置。在第五等離子處理裝置中，以光致抗蝕劑為掩模選擇性地蝕刻M層44及兩個(gè)發(fā)電層疊體22、 42，形成到達(dá)第一電極20的通孔224。即，在第五等離子處理裝置中，進(jìn)行7層連續(xù)蝕刻。具體地說明，Ni層44的蝕刻通過從上段氣嘴向腔室供給Ar及吐的混合氣體使等離子產(chǎn)生，同時(shí)從下段氣嘴或下段氣浴板向等離子內(nèi)噴出Ar、CH4的混合氣體來進(jìn)行，接著，通過從上段氣嘴繼續(xù)向腔室供給Ar使等離子產(chǎn)生，同時(shí)從下段氣嘴或下段氣浴板噴出 Ar+HBr氣體，由此進(jìn)行由nip-nip的6層構(gòu)成的兩個(gè)發(fā)電層疊體22、42的蝕刻。將通過第五等離子處理裝置內(nèi)的蝕刻而形成有從Ni層44貫通到η+型ZnO層Q0) 并到達(dá)第一電極20的通孔2M的玻璃基板14從第五等離子處理裝置移動(dòng)到上述的不具備下段氣嘴或下段氣浴板的第三等離子處理裝置，在從上段氣嘴導(dǎo)入腔室的KrA)2氣體的氛圍下生成的等離子內(nèi)灰化除去光致抗蝕劑。將除去光致抗蝕劑后的玻璃基板14移動(dòng)到具備下段氣嘴或下段氣浴板的第六等離子處理裝置中，在Ni層44上成膜具有1 μ m的厚度的Al層作為第二電極26。Al層也成膜于通孔224內(nèi)。該Al層的成膜通過從上段氣嘴向腔室供給Ar及壓的混合氣體使等離子產(chǎn)生，同時(shí)從下段氣嘴或下段氣浴板向在Ar/H2氛圍下生成的等離子中噴出Ar+Al (CH3)3 氣體來進(jìn)行。接著，在第二電極沈的Al層上涂布光致抗蝕劑后，進(jìn)行圖案化，且將其導(dǎo)入具備下段氣嘴或下段氣浴板的第七等離子處理裝置內(nèi)。在第七等離子處理裝置中，通過從上段氣嘴向腔室供給Ar氣體使等離子產(chǎn)生，同時(shí)從下段氣嘴或下段氣浴板向在Ar氛圍下生成的等離子內(nèi)噴出々!"+(^氣體，由此進(jìn)行Al 層的蝕刻，接著，通過從上段氣嘴向腔室供給Ar及H2的混合氣體使等離子產(chǎn)生，同時(shí)從下段氣嘴或下段氣浴板向在Ar/H2氛圍下生成的等離子內(nèi)導(dǎo)入々!"+(扎氣體，由此進(jìn)行Ni層44 的蝕刻，接著，從上段氣嘴向腔室供給Ar氣體使等離子產(chǎn)生，同時(shí)將來自下段氣嘴或下段氣浴板的氣體切換為Ar+HBr氣體，蝕刻ρ+型μ c_Si層423、i型μ c_Si422、η型μ c_Si 層421、ρ型a-Si層223直至i型a_Si層222的中途。其結(jié)果，形成從Al層沈表面到達(dá) i型a-Si層222的中途的絕緣孔M5。該工序也通過利用同一個(gè)MSEP型等離子處理裝置， 依次切換氣體而進(jìn)行7層連續(xù)蝕刻，從而大幅降低了處理時(shí)間和成本。然后，將搭載有元件的玻璃基板14移動(dòng)到上述不具備下段氣嘴或下段氣浴板的第三等離子處理裝置，通過在從上段氣嘴導(dǎo)入腔室的&/02氣體的氛圍下生成的等離子灰化除去光致抗蝕劑。將包含除去了光致抗蝕劑的Al層作為第二電極沈的玻璃基板14導(dǎo)入具備下段氣嘴或下段氣浴板的第八等離子處理裝置，通過CVD形成SiCN膜，由此，在Al層沈上及孔225內(nèi)成膜絕緣層觀，制成期望的光電轉(zhuǎn)換元件及太陽能電池。SiCN的成膜通過從上段氣嘴向腔室供給Xe及NH3氣體使等離子產(chǎn)生，且從下段氣嘴或下段氣浴板噴出Ar、SiH4、 SiH (CH3)3氣體來進(jìn)行。產(chǎn)業(yè)上的可利用性本發(fā)明使用埋藏量多的硅、ZnO,同時(shí)通過膜厚薄的非晶質(zhì)硅能夠構(gòu)成能量轉(zhuǎn)換效率高的光電轉(zhuǎn)換元件及太陽能電池。因此，能夠廉價(jià)地制作大面積、大功率的太陽能電池。上述的實(shí)施方式中，僅說明了使用一組nip結(jié)構(gòu)的光電轉(zhuǎn)換元件，但本發(fā)明不限于此，也可以適用于具備多組具有nip結(jié)構(gòu)的發(fā)電層疊體的光電轉(zhuǎn)換元件及太陽能電池。 該情況，透明的第一電極側(cè)的發(fā)電層疊體的η型a-Si層只要具有與作為第一電極的η+型 ZnO層接觸，另一方面，第二電極側(cè)的發(fā)電層疊體的ρ型a-Si層與第二電極接觸的結(jié)構(gòu)即可。符號說明
10光電轉(zhuǎn)換元件12防護(hù)玻璃14鈉玻璃16鈉阻隔膜20 第一電極(η+ 型 ZnO 層)22發(fā)電層疊體221η+型 a-Si 層222i 型 a-Si 層223p+型 a-Si 型24 硒層沈第二電極(Al層)觀絕緣層(SiCN層)201 絕緣層(SiCN 層)2245士02層30散熱片40光電轉(zhuǎn)換元素42第二發(fā)電層疊體421η+型 μ C-Si 層422iMyc-Sijf423p+Syc-Sijf44 鎳層244 通孔245絕緣孔
權(quán)利要求
1.一種光電轉(zhuǎn)換元件，其特征在于，包含第一電極層、第二電極層、和設(shè)于所述第一及第二電極層之間的一個(gè)或多個(gè)發(fā)電層疊體，所述發(fā)電層疊體包含ρ型半導(dǎo)體層、與該ρ型半導(dǎo)體層接觸形成的i型半導(dǎo)體層、和與所述i型半導(dǎo)體層接觸形成的η型半導(dǎo)體層，所述一個(gè)發(fā)電層疊體或所述多個(gè)發(fā)電層疊體中的所述第一電極側(cè)的發(fā)電層疊體的所述η型半導(dǎo)體層與所述第一電極層接觸，所述一個(gè)發(fā)電層疊體或所述多個(gè)發(fā)電層疊體中的所述第二電極側(cè)的發(fā)電層疊體的所述P型半導(dǎo)體層與所述第二電極層接觸， 所述第一電極層的至少所述η型半導(dǎo)體層所接觸的部分含有&ι0。
2.如權(quán)利要求1所述的光電轉(zhuǎn)換元件，其特征在于，所述第一電極層的SiO被摻雜(ia、 Al或h而成為η型。
3.如權(quán)利要求1或者2所述的光電轉(zhuǎn)換元件，其特征在于，所述第一電極層為透明電極。
4.如權(quán)項(xiàng)要求1 3中任一項(xiàng)所述的光電轉(zhuǎn)換元件，其特征在于，至少一個(gè)所述發(fā)電層疊體中的所述i型半導(dǎo)體層由結(jié)晶硅、微晶非晶質(zhì)硅及非晶質(zhì)硅中的任一種形成。
5.如權(quán)項(xiàng)要求1中所述的光電轉(zhuǎn)換元件，其特征在于，所述第一電極層的ZnO為η型， 與所述第一電極層接觸的η型半導(dǎo)體層由非晶質(zhì)硅形成。
6.如權(quán)項(xiàng)要求1 5中任一項(xiàng)所述的光電轉(zhuǎn)換元件，其特征在于，所述一個(gè)發(fā)電層疊體或所述多個(gè)發(fā)電層疊體中的所述第一電極側(cè)的發(fā)電層疊體由非晶質(zhì)硅形成。
7.如權(quán)利要求1 6中任一項(xiàng)所述的光電轉(zhuǎn)換元件，其特征在于，與所述第二電極層接觸的所述P型半導(dǎo)體層由非晶質(zhì)硅形成，所述第二電極層中至少所述P型半導(dǎo)體層所接觸的部分由％或？〖形成。
8.如權(quán)項(xiàng)要求1 6中任一項(xiàng)所述的光電轉(zhuǎn)換元件，其特征在于，所述發(fā)電層疊體存在多個(gè)，該多個(gè)發(fā)電層疊體中的所述第二電極側(cè)的發(fā)電層疊體由微晶硅形成。
9.如權(quán)利要求8所述的光電轉(zhuǎn)換元件，其特征在于，與所述第二電極層接觸的所述ρ型半導(dǎo)體層由微晶硅形成，所述第二電極層中至少所述P型半導(dǎo)體層所接觸的部分含有M而形成。
10.如權(quán)利要求7或9所述的光電轉(zhuǎn)換元件，其特征在于，所述第二電極層還包含Al層。
11.一種太陽能電池，其包含權(quán)利要求1 10中任一項(xiàng)所述的光電轉(zhuǎn)換元件。
全文摘要
本發(fā)明涉及光電轉(zhuǎn)換元件及太陽能電池，具備由非晶質(zhì)硅形成的nip結(jié)構(gòu)，利用使n+型a-Si層接觸由n+型ZnO層形成的透明電極的結(jié)構(gòu)，提高能量轉(zhuǎn)換效率。由此，能夠?qū)Φ厍蛸Y源的影響抑制在最小限，能夠?qū)崿F(xiàn)大面積、大功率的光電轉(zhuǎn)換元件及太陽能電池。
文檔編號H01L31/04GK102239566SQ20098014863
公開日2011年11月9日 申請日期2009年11月27日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月11日
發(fā)明者大見忠弘 申請人:國立大學(xué)法人東北大學(xué)