一種光伏多晶硅片的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種光伏多晶硅片，包括多晶硅片，所述多晶硅片的四端通過弧角連接，所述多晶硅片的外側(cè)設(shè)有安裝套片，所述多晶硅片表面設(shè)有第一柵線，所述多晶硅片表面均勻設(shè)有第二柵線，所述多晶硅片內(nèi)部均勻設(shè)有硼雜質(zhì)，所述多晶硅片的上表面設(shè)有氮化硅薄膜，所述氮化硅薄膜上端設(shè)有減反射層，所述減反射層上側(cè)與多晶硅片的下側(cè)均設(shè)有保護(hù)膜，所述多晶硅片下端固定連接有電極。該提高了硅片的硬度，減反射層減少了光的反射，從而提升了光能的利用率，防止了多晶硅片被腐蝕，增加了使用壽命。
【專利說明】
一種光伏多晶硅片
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型涉及光伏發(fā)電技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種光伏多晶硅片。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著全世界環(huán)境保護(hù)意識(shí)的高漲，地球升溫所造成的自然災(zāi)害日益嚴(yán)重，和全世界十億以上住在無電或缺電地區(qū)的人口用電量需求日益迫切，太陽能電池市場將會(huì)繼續(xù)快速地成長，目前全世界太陽能電池的發(fā)電量還不到傳統(tǒng)能源發(fā)電量的萬分之一，主要因?yàn)樘柲茈姵匕l(fā)電的成本是傳統(tǒng)能源發(fā)電成本的2-3倍，從太陽能電池光電轉(zhuǎn)換效率來看，近幾年來，隨著工藝技術(shù)水平的不斷提高，也有重大的突破，目前，單晶硅太陽能電池轉(zhuǎn)換效率已從3年前的14%提高到17%，多晶硅太陽能電池轉(zhuǎn)換效率也從3年前的10%提高到15%，超高效率的太陽能電池轉(zhuǎn)換效率已超過50%，世界光伏組件產(chǎn)量上世紀(jì)末最后10年的平均增長率為20%，從1991年的55兆瓦增長到2000年的287兆瓦，而進(jìn)入2000年后，全球光伏組件的年均增長率更是高達(dá)30%以上，2003年全球的產(chǎn)量達(dá)到了744兆瓦，光伏產(chǎn)業(yè)成為全球發(fā)展最快的新興行業(yè)之一，太陽能電池需求年均增長率高達(dá)30%，可預(yù)見的高速增長將持續(xù)40年以上，但反射率仍然較高，從而導(dǎo)致光能的利用率較低，且多晶硅片容易被腐蝕，因此，提出了一種光伏多晶硅片。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]本實(shí)用新型的目的在于提供一種光伏多晶硅片，以解決上述【背景技術(shù)】中提出的問題。
[0004]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供如下技術(shù)方案:一種光伏多晶硅片，包括多晶硅片，所述多晶硅片的四端通過弧角連接，所述多晶硅片的外側(cè)設(shè)有安裝套片，所述多晶硅片表面設(shè)有第一柵線，所述多晶硅片表面均勻設(shè)有第二柵線，所述多晶硅片內(nèi)部均勻設(shè)有硼雜質(zhì)，所述多晶硅片的上表面設(shè)有氮化硅薄膜，所述氮化硅薄膜上端設(shè)有減反射層，所述減反射層上側(cè)與多晶硅片的下側(cè)均設(shè)有保護(hù)膜，所述多晶硅片下端固定連接有電極。
[0005]優(yōu)選的，所述第一柵線的數(shù)量不少于4個(gè)，且第一柵線之間相互平行。
[0006]優(yōu)選的，所述第二柵線之間相互平行。
[0007]優(yōu)選的，所述第一柵線與第二柵線之間相互垂直。
[0008]優(yōu)選的，所述電極的數(shù)量為2個(gè)，且電極分別設(shè)在多晶硅片下表面的兩側(cè)。
[0009]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的有益效果是:該光伏多晶硅片通過摻雜在多晶硅片中的硼雜質(zhì)，從而提高了硅片的硬度，且提升了導(dǎo)電效率，通過安裝套片實(shí)現(xiàn)了對多晶硅片的固定，而不影響光照率，減反射層減少了光的反射，從而提升了光能的利用率，防止了多晶硅片被腐蝕，增加了使用壽命。
【附圖說明】
[00?0]圖1為本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)不意圖；
[0011]圖2為本實(shí)用新型多晶娃片結(jié)構(gòu)不意圖。
[0012]圖中:I多晶硅片、11硼雜質(zhì)、2安裝套片、3第一柵線、4第二柵線、5弧角、6電極、7保護(hù)膜、8氮化硅薄膜、9減反射層。
【具體實(shí)施方式】
[0013]下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
[0014]請參閱圖1-2，本實(shí)用新型提供一種技術(shù)方案:一種光伏多晶硅片，包括多晶硅片I，所述多晶硅片I的四端通過弧角5連接，所述多晶硅片I的外側(cè)設(shè)有安裝套片2，所述多晶硅片I表面設(shè)有第一柵線3，所述多晶硅片I表面均勻設(shè)有第二柵線4，所述多晶硅片I內(nèi)部均勻設(shè)有硼雜質(zhì)11，所述多晶硅片I的上表面設(shè)有氮化硅薄膜8，所述氮化硅薄膜8上端設(shè)有減反射層9，所述減反射層9上側(cè)與多晶硅片I的下側(cè)均設(shè)有保護(hù)膜7，所述多晶硅片I下端固定連接有電極6，所述第一柵線3的數(shù)量不少于4個(gè)，且第一柵線3之間相互平行，所述第二柵線4之間相互平行，所述第一柵線3與第二柵線4之間相互垂直，所述電極6的數(shù)量為2個(gè)，且電極6分別設(shè)在多晶硅片I下表面的兩側(cè)。
[0015]工作原理:工作時(shí)，通過多晶硅片I外側(cè)的安裝套片2使得與相鄰多晶硅片I實(shí)現(xiàn)連接，將電極6接到相近多晶硅片I的電極上6，通過第一柵線3與第二柵線4對多晶硅片I進(jìn)行隔離，摻雜在多晶硅片I中的硼雜質(zhì)U，從而提高了硅片的硬度，減反射層9與氮化硅薄膜8減少了光的反射，從而提升了光能的利用率，在多晶硅片的外側(cè)設(shè)有保護(hù)膜7，防止了多晶硅片I被腐蝕。
[0016]盡管已經(jīng)示出和描述了本實(shí)用新型的實(shí)施例，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以理解在不脫離本實(shí)用新型的原理和精神的情況下可以對這些實(shí)施例進(jìn)行多種變化、修改、替換和變型，本實(shí)用新型的范圍由所附權(quán)利要求及其等同物限定。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種光伏多晶硅片，包括多晶硅片(1)，其特征在于:所述多晶硅片(I)的四端通過弧角(5)連接，所述多晶硅片(I)的外側(cè)設(shè)有安裝套片(2)，所述多晶硅片(I)表面設(shè)有第一柵線(3)，所述多晶硅片(I)表面均勻設(shè)有第二柵線(4)，所述多晶硅片(I)內(nèi)部均勻設(shè)有硼雜質(zhì)(11)，所述多晶硅片(I)的上表面設(shè)有氮化硅薄膜(8)，所述氮化硅薄膜(8)上端設(shè)有減反射層(9)，所述減反射層(9)上側(cè)與多晶硅片(I)的下側(cè)均設(shè)有保護(hù)膜(7)，所述多晶硅片(I)下端固定連接有電極(6)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種光伏多晶硅片，其特征在于:所述第一柵線(3)的數(shù)量不少于4個(gè)，且第一柵線(3 )之間相互平行。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種光伏多晶硅片，其特征在于:所述第二柵線(4)之間相互平行。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種光伏多晶硅片，其特征在于:所述第一柵線(3)與第二柵線(4)之間相互垂直。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種光伏多晶硅片，其特征在于:所述電極(6)的數(shù)量為2個(gè)，且電極(6)分別設(shè)在多晶硅片(I)下表面的兩側(cè)。
【文檔編號(hào)】H01L31/0288GK205542813SQ201620333021
【公開日】2016年8月31日
【申請日】2016年4月19日
【發(fā)明人】蔡倫
【申請人】溫州巨亮光伏科技有限公司