專利名稱：薄型發(fā)光二極管組件制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管組件制作方法，特別是一種薄型發(fā)光二極管組件制作
方法。
背景技術(shù)：
在日常生活中，為了能夠在黑暗或陰暗的環(huán)境中辨識(shí)物體與方位，通常需要使用 發(fā)光組件來提供照明。在這些發(fā)光組件中，由于發(fā)光二極管具備使用壽命長、低功率消耗等 優(yōu)點(diǎn)，所以在全球節(jié)能風(fēng)潮中，逐漸獨(dú)領(lǐng)風(fēng)騷，成為主流的照明組件。 然而，除了在大范圍的照明用途之外，由于發(fā)光二極管具備使用壽命長、低功率消 耗等優(yōu)點(diǎn)，所以常被組裝成一發(fā)光二極管組件而運(yùn)用于為電子裝置提供背光或其它相關(guān)用 途。由于在實(shí)踐運(yùn)用中，電子裝置普遍被要求必須具備輕薄短小等特性，所以在發(fā)光二極管 組件的應(yīng)用上，也逐漸朝向更為輕薄的方向發(fā)展。 以下將列舉具有代表性的一種發(fā)光二極管組件的制作技術(shù)加以具體說明。請(qǐng)參閱 圖l至圖1G，為顯示現(xiàn)有發(fā)光二極管組件的一系列制作過程示意圖。如圖所示，在此現(xiàn)有技 術(shù)中，必須先制備一金屬基板作為一基材層11 (如圖1所示)，并在基材層11上以鍍膜的方 式形成一介電層12 (如圖1A所示)。在實(shí)踐中，金屬基板通常可為鋁基板、銅基板或其合金 基板。此外，在其它現(xiàn)有技術(shù)中，也有采用非金屬的基板(如玻璃纖維基板或陶瓷基板)，因 其不在本現(xiàn)有技術(shù)的討論范圍內(nèi)，故不予贅述。 在完成基材層11的制備后，可依據(jù)電路搭接與散熱設(shè)計(jì)的需要，對(duì)介電層12加以 蝕刻，以形成一蝕刻介電層12'(如圖1B所示)。接著，可利用電鍍或真空鍍膜的方式在蝕 刻介電層12'上形成一金屬導(dǎo)電層13(如圖1C所示)，并可依據(jù)電路搭接與散熱設(shè)計(jì)的需 要，在金屬導(dǎo)電層13上蝕刻出一蝕刻電路(未標(biāo)示)，以形成一蝕刻金屬導(dǎo)電層13'(如圖 1D所示)。 接著，可在蝕刻金屬導(dǎo)電層13'上配置至少一發(fā)光二極管(Light EmittingDiode ; LED)芯片14 (如圖IE所示)，并通過打線的方式，利用弓I線(leadwire) 15將LED芯片14中 的各個(gè)腳位(electrode)與蝕刻金屬導(dǎo)電層13'上的蝕刻電路彼此電性連結(jié)(如圖IF所 示)。 最后，再利用一透光膠體壓覆LED芯片14，等透光封裝膠體固化時(shí)，便可形成一透
光封裝層16，以封裝LED芯片14，進(jìn)而制作出一 LED組件1 (如圖1G所示)。 然而，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，在以上所公開的現(xiàn)有技術(shù)中，雖然也能夠制作出
LED組件l，但是所制作出的LED組件1卻普遍存在以下兩個(gè)難以克服的缺點(diǎn)。 其一，由于在制作LED組件1的過程中，必須依序形成上述的基材層11、蝕刻介電
層12'、蝕刻金屬導(dǎo)電層13'與透光封裝層16，在制成LED組件1后，會(huì)使LED組件1的厚
度變厚。在實(shí)踐中，無法滿足前述輕薄的要求。 其二，由于在LED組件1中，LED芯片14配置在蝕刻金屬導(dǎo)電層13'上，在LED芯 片14的上下兩個(gè)出光面(未標(biāo)示)中，僅在上出光面可以順利出光，下出光面的出光路徑則被蝕刻金屬導(dǎo)電層13'、蝕刻介電層12'與基材層11等組件所阻擋而無法順利投射出光 束。因此，在整體出光效率上，會(huì)大打折扣。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種新的發(fā)光二極管制作方法，其利用一可剝 離的載板作為加工過渡組件，使導(dǎo)電層可以輕薄至薄膜等級(jí)的厚度，以減少發(fā)光二極管組 件的整體厚度。 同時(shí)，本發(fā)明的另一目的在于，通過上述方法，使LED芯片除了可以從上述的透光 封裝層投射出光束之外，還可以同時(shí)穿透導(dǎo)電層而投射出另一光束，以達(dá)到雙向出光的目 的。 為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種薄型發(fā)光二極管組件制作方法，該方法先將 一透光導(dǎo)電膜壓合于一載板；將該透光導(dǎo)電膜蝕刻出一蝕刻電路，以形成一蝕刻透光導(dǎo)電 膜；并將一發(fā)光二極管(LED)芯片打線固定在蝕刻透光導(dǎo)電膜，以使LED芯片電性連結(jié)于蝕 刻電路；接著，以一透光封裝層壓覆LED芯片與蝕刻透光導(dǎo)電膜，以封裝LED芯片；最后，裁 切載板，使載板自蝕刻透光導(dǎo)電膜板剝離，以形成LED組件。
本發(fā)明的技術(shù)效果在于 與現(xiàn)有的發(fā)光二極管制作技術(shù)相比較，由于在本發(fā)明中使用一可剝離式載板作為 加工的過渡組件，以使導(dǎo)電層(即蝕刻透光導(dǎo)電膜)厚度降低至薄膜等級(jí)，滿足發(fā)光二極管 組件薄型化的需求。因此，本發(fā)明所提供的薄型發(fā)光二極管組件制作方法可突破許多尺寸 規(guī)格的限制而擴(kuò)大運(yùn)用在多種輕薄型電子裝置的應(yīng)用領(lǐng)域。 通過上述的方法也能使LED芯片所發(fā)射的光束不僅由透光封裝層中出光，導(dǎo)電層 (即蝕刻透光導(dǎo)電膜)薄型化至可透光的結(jié)果，也能達(dá)到雙向出光的目的，大幅提升發(fā)光二 極管的整體發(fā)光效率。 以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述，但不作為對(duì)本發(fā)明的限定。


圖1至圖1G為現(xiàn)有發(fā)光二極管組件的制作過程示意圖； 圖2至圖2F為本發(fā)明實(shí)施例所提供的薄型發(fā)光二極管組件的制作過程與可雙向 出光的示意圖； 圖3為本發(fā)明實(shí)施例的簡易流程圖。 其中，附圖標(biāo)記 1LED組件 ll基材層 12介電層 12'蝕刻介電層 13金屬導(dǎo)電層 13'蝕刻金屬導(dǎo)電層 14發(fā)光二極管LED芯片 15引線
16透光封裝層 2載板 3LED組件 31透光導(dǎo)電膜 31'蝕刻透光導(dǎo)電膜 32發(fā)光二極管LED芯片 33引線 34透光封裝層 4裁刀 LB1、LB2光束 Il第一出光方向 12第二出光方向
具體實(shí)施例方式
下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的結(jié)構(gòu)原理和工作原理作具體的描述
請(qǐng)參閱圖2至圖2F，為本發(fā)明較佳實(shí)施例所提供的薄型發(fā)光二極管組件的制作過程與可雙向出光示意圖。如圖所示，在該較佳實(shí)施例中，必須先制備一載板2，并在載板2上以壓合的方式形成一透光導(dǎo)電膜31 (如圖2所示)。在實(shí)踐中，載板2可為一金屬板或一非金屬板，較好是載板2可為一鋼板。 在將透光導(dǎo)電膜31壓合于載板2后，可依據(jù)電路搭接與散熱設(shè)計(jì)的需要，在透光導(dǎo)電膜31上蝕刻出一蝕刻電路(未標(biāo)示)，以形成一蝕刻透光導(dǎo)電膜31'(如圖2A所示)。在實(shí)踐中，在對(duì)透光導(dǎo)電膜31進(jìn)行蝕刻時(shí)，可采用一化學(xué)蝕刻工藝或一光學(xué)蝕刻工藝在透光導(dǎo)電膜31蝕刻出上述的蝕刻電路。在實(shí)踐中，透光導(dǎo)電膜31為一導(dǎo)電金屬膜；較好是該導(dǎo)電金屬膜可為一銅箔。 緊接著，可在蝕刻透光導(dǎo)電膜31'上配置至少 一 發(fā)光二極管(LightEmittingDiode ;LED)芯片32，并通過打線的方式，利用引線(lead wire) 33將LED芯片32中的各個(gè)腳位(electrode)與蝕刻透光導(dǎo)電膜31'上的蝕刻電路彼此電性連結(jié)(如圖2B所示)。 然后，利用一透光膠體壓覆LED芯片32，待透光膠體固化時(shí)，便可形成一透光封裝層34，以封裝LED芯片32 (如圖2C所示)。在實(shí)踐中，上述的透光膠體為一透光聚合物；較好是該透光聚合物可為一環(huán)氧樹脂。在特定的應(yīng)用領(lǐng)域中，可進(jìn)一步在環(huán)氧樹脂中摻入熒光粉，以激發(fā)LED芯片32所投射的光束。例如當(dāng)LED芯片32為藍(lán)光LED芯片，熒光粉為黃色磷粉時(shí)，可將藍(lán)光LED芯片所發(fā)出的藍(lán)色光束激發(fā)為白色光束。 最后，可利用一裁刀4加以裁切載板2，以使該載板2自蝕刻透光導(dǎo)電膜31'剝離。至此完成本發(fā)明較佳實(shí)施例中的薄型發(fā)光二極管組件3(以下簡稱LED組件3)的制作。即本發(fā)明所提供的LED組件3由蝕刻透光導(dǎo)電膜31'、LED芯片32、引線(lead wire) 33與透光封裝層34等組件依照上述的連結(jié)關(guān)系所組成。 如圖2F所示，在完成LED組件3的制作后，由于透光封裝層34由透光膠體固化所制成；因此，LED芯片32所投射的其中一光束LB1可沿一第一出光方向II穿過透光封裝層
534而投射出。由于透光導(dǎo)電膜31的厚度達(dá)到薄膜等級(jí)，因此，在將透光導(dǎo)電膜31蝕刻成蝕刻透光導(dǎo)電膜31'后，LED芯片32所投射的另一光束LB2也可沿一第二出光方向12穿過蝕刻透光導(dǎo)電膜31'而投射出，以實(shí)現(xiàn)雙向出光的功能。 為了使本領(lǐng)域技術(shù)人員更容易理解本發(fā)明較佳實(shí)施例所提供的薄型發(fā)光二極管組件的制作方法，以下將進(jìn)一步將上述過程整理成一簡化的流程圖，以便于理解。請(qǐng)參閱圖3，為本發(fā)明較佳實(shí)施例的簡易流程圖。如圖所示，在制作本發(fā)明較佳實(shí)施例所提供的薄型發(fā)光二極管組件3時(shí)，必須先將一透光導(dǎo)電膜31壓合于載板2 (步驟110)，并將透光導(dǎo)電膜31蝕刻出蝕刻電路，以形成蝕刻透光導(dǎo)電膜31'(步驟120)。 然后，可將LED芯片32打線固定在蝕刻透光導(dǎo)電膜31'，以使LED芯片32的各個(gè)腳位(Pin)與蝕刻透光導(dǎo)電膜31'上的蝕刻電路彼此電性連結(jié)(步驟130)。接著，可以透光封裝層34壓覆LED芯片32與蝕刻透光導(dǎo)電膜31'，以封裝LED芯片32 (步驟140)。最后，可利用一裁刀4裁切載板2，使載板2自蝕刻透光導(dǎo)電膜31'剝離，以形成上述的LED組件3(步驟150)。 本領(lǐng)域技術(shù)人員在閱讀以上所公開的技術(shù)后，應(yīng)該都能理解，由于在本發(fā)明中使用一可剝離式載板2作為加工的過渡組件，故可使透光導(dǎo)電膜31的厚度降低至約20 100 ii m的薄膜等級(jí)，并將LED組件3的整體厚度控制在0. 2mm以下，可滿足LED組件薄型化的需求。因此，本發(fā)明所提供的LED組件3的制作方法確實(shí)可以有效突破許多尺寸規(guī)格的限制，進(jìn)而擴(kuò)大運(yùn)用在多種輕薄型電子裝置的應(yīng)用領(lǐng)域。 另外，通過上述的作法可使透光導(dǎo)電膜31的厚度降低至約20 100 ii m的薄膜等級(jí)，在將透光導(dǎo)電膜31蝕刻成蝕刻透光導(dǎo)電膜31'后，可使LED芯片32所發(fā)射的光束不僅止由透光封裝層34中出光，也能經(jīng)由蝕刻透光導(dǎo)電膜31'投射出，因此，可以達(dá)到雙向出光的目的，大幅提升發(fā)光二極管的整體發(fā)光效率。 最后，必須再次強(qiáng)調(diào)的是在本發(fā)明中所述的透光導(dǎo)電膜31至少包含兩種可能性；其一為透光導(dǎo)電膜31本身為透光率高的導(dǎo)電材料；其二則為盡管透光導(dǎo)電膜31本身可能為透光率不高的導(dǎo)電材料，但由于其厚度極薄，故也可達(dá)到透光的效果。此外，通過蝕刻工藝，可使蝕刻透光導(dǎo)電膜31'具有若干孔隙，也有助于提升透光率。 當(dāng)然，本發(fā)明還可有其它多種實(shí)施例，在不背離本發(fā)明精神及其實(shí)質(zhì)的情況下，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員當(dāng)可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應(yīng)的改變和變形，但這些相應(yīng)的改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明所附的權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
一種薄型發(fā)光二極管組件制作方法，其特征在于，包含以下步驟(a)將一透光導(dǎo)電膜壓合于一載板；(b)將該透光導(dǎo)電膜蝕刻出一蝕刻電路，以形成一蝕刻透光導(dǎo)電膜；(c)將一發(fā)光二極管LED芯片打線固定在該蝕刻透光導(dǎo)電膜，以使該LED芯片電性連結(jié)于該蝕刻電路；(d)以一透光封裝層壓覆該LED芯片與該蝕刻透光導(dǎo)電膜，以封裝該LED芯片；以及(e)裁切該載板，使該載板自該蝕刻透光導(dǎo)電膜板剝離，以形成該LED組件。
2. 如權(quán)利要求1所述的薄型發(fā)光二極管組件制作方法，其特征在于，所述的載板為一 金屬板。
3. 如權(quán)利要求2所述的薄型發(fā)光二極管組件制作方法，其特征在于，所述的金屬板為 一鋼板。
4. 如權(quán)利要求1所述的薄型發(fā)光二極管組件制作方法，其特征在于，所述的載板為一 非金屬板。
5. 如權(quán)利要求1所述的薄型發(fā)光二極管組件制作方法，其特征在于，所述的透光導(dǎo)電 膜為一導(dǎo)電金屬膜。
6. 如權(quán)利要求5所述的薄型發(fā)光二極管組件制作方法，其特征在于，所述的導(dǎo)電金屬 膜為一銅箔。
7. 如權(quán)利要求1所述的薄型發(fā)光二極管組件制作方法，其特征在于，在該步驟b中，利 用 一化學(xué)蝕刻工藝蝕刻出該蝕刻電路。
8. 如權(quán)利要求1所述的薄型發(fā)光二極管組件制作方法，其特征在于，在該步驟b中，利 用 一光學(xué)蝕刻工藝蝕刻出該蝕刻電路。
9. 如權(quán)利要求1所述的薄型發(fā)光二極管組件制作方法，其特征在于，在該步驟d中，所 述的透光封裝層由 一透光膠體固化所制成。
10. 如權(quán)利要求9所述的薄型發(fā)光二極管組件制作方法，其特征在于，所述的透光膠體 為一透光聚合物。
11. 如權(quán)利要求10所述的薄型發(fā)光二極管組件制作方法，其特征在于，所述的透光聚 合物為一環(huán)氧樹脂。
12. 如權(quán)利要求11所述的薄型發(fā)光二極管組件制作方法，其特征在于，所述的環(huán)氧樹 脂中含有至少一熒光粉。
13. 如權(quán)利要求1所述的薄型發(fā)光二極管組件制作方法，其特征在于，在該步驟e中，利 用一裁刀加以裁切，以使該載板自該蝕刻透光導(dǎo)電膜剝離。
全文摘要
本發(fā)明所公開的一種薄型發(fā)光二極管組件制作方法，先將一透光導(dǎo)電膜壓合于一載板；將該透光導(dǎo)電膜蝕刻出一蝕刻電路，以形成一蝕刻透光導(dǎo)電膜；并將一發(fā)光二極管LED芯片打線固定在蝕刻透光導(dǎo)電膜，以使LED芯片電性連結(jié)于蝕刻電路；接著，以一透光封裝層壓覆LED芯片與蝕刻透光導(dǎo)電膜，以封裝LED芯片；最后，裁切載板，使載板自蝕刻透光導(dǎo)電膜板剝離，以形成LED組件。因而可以減少發(fā)光二極管組件的整體厚度及達(dá)到雙向出光的目的。
文檔編號(hào)H01L33/00GK101789472SQ200910006068
公開日2010年7月28日 申請(qǐng)日期2009年1月22日 優(yōu)先權(quán)日2009年1月22日
發(fā)明者何立仁, 莊世岱 申請(qǐng)人:艾笛森光電股份有限公司