專利名稱：：R-Fe-B系各向異性燒結磁鐵的制作方法
技術領域：
：本發(fā)明涉及具有R2FewB型化合物(R為稀土類元素)作為主相的R—Fe—B系各向異性燒結磁鐵，尤其涉及含有輕稀土類元素RL(Nd和Pr中的至少1種)作為主要的稀土類元素R、并且輕稀土類元素RL的一部分由重稀土類元素RH(選自Dy和Tb中的至少1種)置換的R一Fe—B系各向異性燒結磁鐵。
背景技術：
：以Nd2Fe14B型化合物作為主相的R—Fe—B系的各向異性燒結磁鐵，作為永久磁鐵中最高性能的磁鐵為人所知，用于硬盤驅動器的音圈電動機(VCM)、混合動力車搭載用電動機等各種電動機和家電制品等。在將R—Fe—B系各向異性燒結磁鐵用于電動機等各種裝置的情況下，為了應對高溫下的使用環(huán)境，要求耐熱性優(yōu)異、并具有高矯頑力特性。作為提高R—Fe—B系各向異性燒結磁鐵的矯頑力的手段，使用配合重稀土類元素RH作為原料、并熔煉而得到的合金。根據該方法，用重稀土類元素RH置換含有輕稀土類元素RL作為主要的稀土類元素R的R2FewB相的輕稀土類元素RL，因此，R2Fe14B相的結晶磁各向異性(決定矯頑力的本質性的物理量)提高。但是，R2Fe"B相中的輕稀土類元素RL的磁矩與Fe的磁矩為同一方向，而重稀土類元素RH的磁矩與Fe的磁矩為相反方向，因此，越用重稀土類元素RH置換輕稀土類元素RL，殘留磁通密度Br越降低。R—Fe—B系各向異性燒結磁鐵的金屬組織主要由作為主相的R2FewB相、和R濃度高的低熔點的被稱為富R相(也包括R—Co化合物)的相構成，此外，存在R氧化物相、富B相(RuFe4B4相)等，一般將主相以外的相統(tǒng)稱為晶界相。在此，通過重稀土類元素RH的置換而有助于矯頑力提高的為主相，在晶界相中存在的重稀土類元素4RH不直接影響磁鐵的矯頑力提高。另一方面，重稀土類元素RH為稀缺資源，因此，希望削減其使用量。根據這些理由，不優(yōu)選將磁鐵整體、即包括主相整體和晶界相在內一律用重稀土類元素RH置換輕稀土類元素RL的一部分的方法。已提出以下的方法通過添加比較少的量的重稀土類元素RH，來表現(xiàn)重稀土類元素RH的矯頑力提高效果，因此，在較多地含有輕稀土類元素RL的主相系母合金粉末中添加較多地含有重稀土類元素RH的合金、化合物等的粉末，使其成形、燒結。根據該方法，重稀土類元素RH較多地分布在主相外殼部，因此，能夠高效地提高R2Fe14B相的結晶磁各向異性。R—Fe—B系各向異性燒結磁鐵的矯頑力產生機理為核生成型(成核型)，因此，只要重稀土類元素RH能夠不是較多地分布在主相的整體而只是較多地分布在主相外殼部(晶界附近)，就可提高結晶磁各向異性，并妨礙逆磁疇的核生成，其結果，矯頑力提高。另外，在主相晶粒的中心部，不產生重稀土類元素RH的置換，因此也能夠抑制殘留磁通密度Br的降低。這樣的技術在例如專利文獻1中有記載。但是，實際上，當實施該方法時，在燒結工序(在工業(yè)規(guī)模中，在100(TC120(TC下執(zhí)行)中，重稀土類元素RH的擴散速度大，因此，重稀土類元素RH也會擴散到主相晶粒的中心部，結果，不容易得到只在主相的外殼部重稀土類元素RH濃縮的那樣的組織結構。另外，作為提高R—Fe—B系各向異性燒結磁鐵的矯頑力的另一種手段，研究了以下的技術在燒結磁鐵的階段將包含重稀土類元素RH的金屬、合金、化合物等覆蓋在磁鐵表面后，進行熱處理、使其擴散，由此，不怎么使殘留磁通密度Br降低而使矯頑力恢復或提高。專利文獻2公開了在燒結磁體的被研磨加工面上形成由R'(R'為Nd、Pr、Dy和Tb中的至少l種)構成的薄膜層，其后，在真空或惰性氣氛中實施熱處理，由此，利用薄膜層與變質層的擴散反應使研磨加工面的變質層成為改性層，使矯頑力恢復。專利文獻3公開了在小型磁鐵的最表面露出的相當于晶粒的半徑的深度以上，使金屬元素R(該R為Y和選自Nd、Dy、Pr、Tb中的1種或2種以上的稀土類元素)一邊成膜一邊擴散，由此，對加工5變質損傷部進行改性，使(BH)max提高。專利文獻4公開了在厚度2mm以下的磁鐵的表面形成以稀土類元素為主體的化學氣相生長膜后，進行熱處理，由此，稀土類元素向磁鐵內部擴散，將表面附近的加工劣化層改性，磁鐵特性恢復。專利文獻5為了恢復R—Fe—B系微小燒結磁鐵或粉末的矯頑力而公開了稀土類元素的吸附法。在該方法中，將吸附金屬(Yb、Eu、Sm等沸點較低且蒸氣壓高的稀土類金屬)與R—Fe—B系微小燒結磁鐵或粉末混合后，一邊攪拌，一邊在真空中進行用于均勻地加熱的熱處理。通過該熱處理，稀土類金屬覆蓋在燒結磁體表面，并且向內部擴散。另外，在段落0014中也記載有吸附沸點高的稀土類金屬(例如Dy)的實施方式。在該使用Dy等的實施方式中記載有，通過高頻加熱方式，選擇性地將Dy等加熱到高溫(溫度條件沒有記載)，Dy的沸點為2560°C,將沸點1193'C的Yb加熱到800850'C,在通常的電阻加熱中不能充分地加熱，因此，可認為Dy已加熱到非常高溫。例如，為了得到與作為吸附良好地進行而例示的Yb的加熱條件(800850°C)的蒸氣壓同等的Dy的蒸氣壓，需要將Dy加熱到大約1S00210(TC。另夕卜，在Yb的情況下，表明在55(TC下能夠進行吸附，此時的Yb的蒸氣壓大約為10Pa。該值相當于Dy在1200。C下的飽和蒸氣壓。g卩，可認為在假設利用專利文獻5所公開的技術吸附Dy的情況下，需要將Dy加熱到1200'C以上、優(yōu)選180(TC以上。另外，各元素的飽和蒸氣壓作為物性值是公知的。另外，記載有在任一加熱條件下，R—Fe—B系微小燒結磁鐵或粉末的溫度均優(yōu)選保持在700850°C。另外，專利文獻6公開有以下技術通過將Dy濃度相對高的原料合金粉末與Dy濃度相對低的原料合金粉末混合并進行燒結，降低Dy的使用量，同時使磁化特性提高。專利文獻l:特開2002—299110號公報專利文獻2:特開昭62—74048號公報專利文獻3:特開2004—304038號公報專利文獻4:特開2005—285859號公報專利文獻5:特開2004_296973號公報專利文獻6:特開2002—356701號公報
發(fā)明內容專利文獻2、專利文獻3和專利文獻4公開的現(xiàn)有技術都是在燒結磁體表面成膜稀土類金屬的覆膜，通過熱處理使稀土類金屬擴散到燒結磁體內部。其結果，在燒結磁體表層區(qū)域(從表面到幾十^im深度的區(qū)域)，不能避免以稀土類金屬膜與燒結磁體的界面的稀土類金屬濃度的大的濃度差作為驅動力，稀土類金屬也向主相中心部擴散，導致殘留磁通密度Br降低。另外，稀土類金屬膜的成分會變得過剩，在無助于矯頑力提高的晶界相中也會大量殘留。另外，在專利文獻5所公開的現(xiàn)有技術中，也將稀土類金屬加熱到充分氣化的溫度，并進行成膜，因此，與專利文獻24同樣，在燒結磁體表面形成稀土類金屬膜。因為對燒結磁體自身進行加熱，所以，雖然同時也產生向燒結磁體內部的擴散，但在燒結磁體表層區(qū)域，不能避免稀土類金屬膜成分也向主相中心部擴散，導致殘留磁通密度Br降低。另外，與上述同樣，在晶界相中也大量殘留膜成分。另外，為了吸附Dy等沸點高的稀土類金屬，通過高頻將吸附原料與燒結磁體兩者加熱，因此，不容易只將稀土類金屬加熱到充分的溫度而將燒結磁體保持在不影響磁特性的程度的低溫，燒結磁體被限定在難以被感應加熱的粉末狀態(tài)或極微小的燒結磁體。另外，在專利文獻25的方法中，在成膜處理時，在裝置內部的燒結磁體以外的部分(例如，真空腔室的內壁和處理容器的內壁)也大量堆積稀土類金屬，因此，與節(jié)省作為貴重資源的重稀土類元素相違背。在專利文獻6中，在燒結工序時，Dy從Dy濃度高的原料合金粉末向Dy濃度低的原料合金粉末擴散，但粉末顆粒進行聚結等，產生晶粒生長，因此Dy廣泛分布于主相內，由Dy添加所產生的矯頑力提高效果是不是有效率的。本發(fā)明為了解決上述課題而作出，其目的在于，提供以少的Dy添加量有效地提高矯頑力的R—Fe—B系各向異性燒結磁鐵。本發(fā)明的R—Fe—B系各向異性燒結磁鐵具有R2Fei4B型化合物作為主相，該R2Fe14B型化合物含有輕稀土類元素RL(Nd和Pr中的至7少1種)作為主要的稀土類元素R，并且該R—Fe—B系各向異性燒結磁鐵含有重稀土類元素RH(選自Dy和Tb中的至少l種)，該R—Fe一B系各向異性燒結磁鐵包括:在使用CuKa射線對位于從上述磁鐵的磁極面起深度500拜以內的區(qū)域的與上述磁極面平行的面進行的X射線衍射測定中，在20為60.561.5。的范圍內觀察到至少2個衍射峰的部分。在優(yōu)選的實施方式中，在X射線衍射測定中在20為60.561.5°的范圍內觀察到至少2個衍射峰的上述部分，占與上述磁極面平行的面中的一部分。在優(yōu)選的實施方式中，在X射線衍射測定中在20為60.561.5°的范圍內觀察到至少2個衍射峰的上述部分，在與上述磁極面平行的面中具有l(wèi)mn^以上的面積。在優(yōu)選的實施方式中，當設Nd、Pr、Dy、Tb的濃度分別為MNd、mpr、mdy、mtb(原子％)，并設mnd+mpr=mrl、mdy+mtb=mrh、Mrl+Mri^Mk吋，在上述觀察到2個衍射峰的部分，主相的c軸長Lc(A)滿足Lc》12.05、Lc+(0.18—0.05xMTb/MRH)xMrh/MR_0.03xMP/M虹《12.18(其中，0<Mrh/Mr《0.4)的關系式。發(fā)明效果在本發(fā)明中，在從燒結體表面(磁極面)到深度500pm的區(qū)域，與磁極面平行的面包括在使用CuKa射線的X射線衍射測定中，在29為60.561.5°的范圍內觀察到至少2個峰的部分。2個峰分別是由重稀土類元素RH的濃度明顯不同的區(qū)域引起的，意味著在距燒結體表面比較淺的區(qū)域(表層區(qū)域)，在主相內存在有重稀土類元素RH的濃度高的區(qū)域(主相外殼部)和重稀土類元素RH的濃度低的區(qū)域(主相中心部)。通過實現(xiàn)這樣的組織結構，可優(yōu)先地提高主相外殼部的結晶磁各向異性，矯頑力Ha提高。S卩，通過使用很少的重稀土類元素RH，在主相外殼部有效地形成有RH濃化層，因此，殘留磁通密度B,的降低被抑制，矯頑力Hcj提高。圖l是示意性地表示本發(fā)明的R—Fe—B系各向異性燒結磁鐵的表層附近的結構的剖面圖。圖2是表示對圖1的AA'面進行的X射線衍射的測定結果的圖。圖3(a)是將圖2的圖中的(008)面的衍射峰放大顯示的圖，(b)是將比較例中的(008)面的衍射峰放大顯示的圖，(c)是將另一個比較例中的(008)面的衍射峰放大顯示的圖。圖4(a)是表示重稀土類元素RH濃度與c軸長(A)的關系的圖，(b)是表示本發(fā)明的優(yōu)選的實施方式中的c軸長與Dy濃度的關系(范圍)的圖。圖5是表示本發(fā)明的實施例中的距燒結體表面的深度與c軸長的關系的圖。圖6是示意性地表示適合用于制造本發(fā)明的R—Fe—B系各向異性燒結磁鐵的處理容器的結構、和處理容器內的RH塊體與燒結磁體的配置關系的一個例子的剖面圖。符號說明2燒結磁體4RH塊體6處理室8Nb制的網具體實施例方式本發(fā)明的R—Fe—B系各向異性燒結磁鐵具有R2Fei4B型化合物作為主相，該R2Fe14B型化合物含有輕稀土類元素RL(Nd和Pr中的至少1種)作為主要的稀土類元素R，且該R—Fe—B系各向異性燒結磁鐵含有重稀土類元素RH(選自Dy和Tb中的至少l種)。另外，本發(fā)明的R—Fe—B系各向異性燒結磁鐵的主相的易磁化軸(c軸)已取向，與該取向方向大致正交的燒結體表面作為磁極面起作用。本發(fā)明的特征在于，在從該磁極面到深度500Kim的區(qū)域中，與磁極面平行的面包括在由使用CuKa射線的e—2e法進行的x射線衍射測定中在2e為60.561.5°的范圍內觀察到至少2個衍射峰的部分。9本發(fā)明的R—Fe—B系各向異性燒結磁鐵具有使重稀土類元素RH從R—Fe—B系各向異性燒結磁鐵的表面擴散到內部的組織，例如可利用使晶界擴散比晶內擴散優(yōu)先進行的擴散方法來適當實現(xiàn)。另外，在本說明書中，晶內擴散表示主相晶粒內的擴散，晶界擴散表示以富R相為代表的晶界相內的擴散。重稀土類元素RH的擴散不需要從整個燒結體表面進行，重稀土類元素RH可以從表面的一部分進行擴散。當在燒結磁體的特定部分進行擴散的情況下，在X射線衍射測定中在20為60.561.5°的范圍內觀察到至少2個衍射峰的部分僅占與磁極面平行的面中的一部分。不需要在整個燒結磁體產生矯頑力的提高，根據用途的不同，只要僅在燒結磁體的特定部分矯頑力提高即可。另外，在X射線衍射測定中在2e為60.561.5。的范圍內觀察到至少2個衍射峰的部分，在與磁極面平行的面中具有l(wèi)mm2以上的面積。首先，參照圖1圖3對本發(fā)明的R—Fe—B系各向異性燒結磁鐵的結晶組織的詳細情況進行說明。圖1是示意性地表示本發(fā)明的R—Fe—B系各向異性燒結磁鐵的表層附近的結構的剖面圖。圖1所示的磁鐵為在晶界擴散比晶內擴散優(yōu)先發(fā)生的條件下使重稀土類元素RH從燒結體表面擴散到燒結體內部的R—Fe—B系各向異性燒結磁鐵。在圖1中表示了主相R2Fe14B型化合物的易磁化軸c軸、和與c軸正交且彼此正交的a、b軸。在本發(fā)明中，R2FewB型化合物的各顆粒的c軸在由箭頭X表示的方向取向，圖示的燒結體表面相當于磁極面，且與該取向方向大致正交。通常，將與c軸正交的面稱為c面。磁極面與c面大致平行。圖1所示的圓(球)表示作為主相的R2FewB型化合物的晶粒，斜線部表示擴散有重稀土類元素RH的部分。在圖1所示的例子中，從左側的磁極面向右側的燒結體內部以晶界為中心擴散有重稀土類元素RH。在磁鐵的表層附近，重稀土類元素RH僅在主相的外殼部濃化，重稀土類元素RH未到達主相中心部。因此，在1個主相(顆粒)的外殼部和中心部，重稀土類元素RH的濃度不同，具有與其濃度相應的主相的晶格常數。在R2Fe^B型化合物中，當將R從輕稀土類元素RL置換為重稀土類元素RH時，結晶的c軸尤其顯著收縮，因此，如10果測定c軸長，則也能夠估算主相中的RH置換量。圖1所示的AA'面和BB'面均位于從磁極面到深度500pm的區(qū)域，并與磁極面平行。另一方面，圖1所示的CC'面與磁極面平行，但位于距燒結體表面超過深度500pm的位置。圖2是表示對圖i的AA'面進行的基于e—2e法的X射線衍射的測定結果的圖。該圖為將圖1所示的燒結磁鐵從磁極面開始研磨使圖1的AA'面露出后，使用CuKa射線對AA'面進行X射線衍射而得到的結果，表示20從20。到70°的范圍的數據。圖2中表明觀察到由主相結晶的(004)面、(006)面、(008)面產生的強的衍射峰，并在作為主相的易磁化軸的c軸方向取向。圖3(a)是將圖2中的(008)面的衍射峰放大顯示的圖。由圖3(a)可知，在26為60.561.5。的范圍內，觀察到2個峰。這是因為如圖1所示，在主相中存在重稀土類元素RH的濃度明顯不同的2個區(qū)域。例如，在圖1所示的AA'面的位置，AA'面橫穿在主相中擴散有Dy的部分和未擴散有Dy的部分兩者。X射線衍射的檢測區(qū)域具有例如lmm2程度以上的大小，因此在衍射區(qū)域存在有許多主相晶粒?？烧J為衍射數據中出現(xiàn)的(008)面的2個衍射峰中，2e相對較大的位置的衍射峰為由主相的外殼部(RH濃化區(qū)域)產生的衍射峰，20相對較小的位置的衍射峰為由中心部(RH未擴散部)產生的衍射峰。2e越大，晶格的面間隔d越小，因此，意味著c軸長越短。另外，RH濃度越高，結晶的c軸長越短。當主相的輕稀土類元素RL由重稀土類元素RH置換時，主相的c軸長變短。另外，當假設在主相內重稀土類元素RH的濃度具有連續(xù)的分布時，c軸長也具有連續(xù)的分布，因此，由(008)面產生的衍射峰寬闊，衍射峰未分離為2個以上。由于c軸長不同的區(qū)域存在多個而產生的衍射峰的分裂，在(004)面和(006)面中難以觀察到，在(008)中容易觀察到。這是因為(008)面與(004)面、(006)面相比，在2e大的位置出現(xiàn)衍射峰，因此，X射線衍射的分辨率高?？墒?，圖1中，為了簡化而例示了磁鐵形狀為矩形、并且c面與磁極面大致平行地取向的磁鐵，但在特殊的取向、例如放射狀各向異性或極各向異性的磁鐵或集中取向的矩形磁鐵等中，有磁極面與c面不一定大致平行的情況。即使在該情況下，在X射線衍射測定中，只要是與磁極面平行的面，就能夠較強地觀察到來自C面的衍射峰，因此，能夠進行與圖2、圖3的例子同樣的評價。另外，圖1的BB'面僅橫穿擴散有重稀土類元素RH的部分，因此，即使對BB'面進行X射線衍射測定，在26為60.561.5。的范圍內也幾乎不出現(xiàn)由未擴散部產生的衍射峰。因此，即使是優(yōu)先進行晶界擴散的燒結磁鐵，在BB'面中，在20為60.561.5°的范圍內也只觀察到1個衍射峰。這樣，如果是從磁極面到深度500pm的區(qū)域，則在20為60.561.5°的范圍內，不一定總是觀察到2個衍射峰，也可能產生只觀察到1個衍射峰的情況。對于本發(fā)明來說，重要點在于，在從燒結體表面起深度500^im(典型地，深度200pm)以內的區(qū)域，可觀察到圖1的AA'面那樣的面。如上所述，可認為在R—Fe—B系各向異性燒結磁鐵中，分布在主相外殼部(晶界附近)的重稀土類元素RH有助于矯頑力的提高，在該RH濃縮部，由于結晶磁各向異性的提高，有助于矯頑力的大幅提高，但是重稀土類元素RH的磁矩與Fe的磁矩方向相反，因此，殘留磁通密度Br降低。因此，最終得到的磁鐵的整體的殘留磁通密度Br也會降低若干。R—Fe—B系各向異性燒結磁鐵，當如圖1所示，在燒結體的表層附近具有重稀土類元素RH未擴散到主相的中心部的結晶組織時，能夠將殘留磁通密度Br的降低抑制到最小限度，同時有效地提高矯頑力Ha。另外，也能夠降低所需要的重稀土類元素RH的量。另一方面，在利用晶界擴散與晶內擴散相比不是特別優(yōu)先發(fā)生的方法、例如形成重稀土類元素RH的覆膜并使其擴散的方法使重稀土類元素RH擴散而得到的R—Fe—B系各向異性燒結磁鐵(比較例)中，在表層附近，重稀土類元素RH擴散到主相中心部，因此，難以得到如圖1所示的結晶組織。其結果，在從磁極面到深度500拜的區(qū)域內，當在與c軸正交的面內進行X射線衍射測定時，在20為60.561.5°的范圍內不會觀察到2個以上的衍射峰。圖3(b)是表示在比較例中對于與磁極面平行的面得到的X射線衍射測定的結果的圖。表示在該比較例中，準備在燒結磁體的表面堆12積Dy膜之后、使Dy從Dy膜擴散到燒結磁體而得到的樣品，并進行從該樣品的燒結體表面起深度40pm位置的X射線衍射測定的結果。如圖3(b)所示，在20為60.561.5。的范圍內，只能確認l個寬的衍射峰?？烧J為在該比較例中，重稀土類元素RH不僅擴散到晶界，而且擴散到主相中心部，并且重稀土類元素RH的濃度在己擴散的區(qū)域中連續(xù)地變化。這樣，當重稀土類元素RH擴散到主相內部時，與重稀土類元素RH的添加量和殘留磁通密度Br的降低的大小相比，Ha的提高幅度極小，重稀土類元素RH也會浪費地消耗。另外，已知有以下的技術將重稀土類元素RH的含量不同的2種合金的粉末混合，在燒結工序時，使Dy從Dy濃度高的粉末顆粒向Dy濃度低的粉末顆粒擴散，由此，與主相的中心部相比，在主相的外殼部相對地提高Dy濃度(2合金混合法)。但是，根據2合金混合法，Dy濃度不同的粉末顆粒在燒結時形成1個大的顆粒，在該大的顆粒內部會產生Dy的擴散。其結果，在主相顆粒中，重稀土類元素RH的濃度緩慢地變化，在Dy濃度明顯不同的區(qū)域中無法區(qū)分。尤其是，燒結工序通常在高達1000120(TC的溫度下進行，因此，在燒結時會顯著地產生Dy的晶內擴散。因此，根據2合金混合法，不能得到圖l的表層區(qū)域具有的那樣的組織結構。圖3(c)是表示利用2合金混合法制作的燒結磁鐵(比較例)的X射線衍射結果的圖。由該圖可知，在利用2合金混合法的情況下，也只能確認1個衍射峰。根據圖2所示的X射線衍射結果，能夠求出主相的c軸長。根據X射線測定結果，例如根據(004)面、(006)面、(008)面的衍射峰，能夠求出衍射角e，從而算出主相c面的面間隔d值。另外，在存在由(008)面引起的2個衍射峰的情況下，與2個衍射峰對應而存在2個面間隔d值，在此，選擇與2e相對較大的衍射峰對應的面間隔d值。以下，將(004)面、(006)面、(008)面的d值分別記為d(004)、d(006)、d(008)，主相的平均的c軸長能夠由以下的公式(1)表示。,長_d(004)x4+1/(006)x6+^(008)x8(公式j)圖4(a)是表示重稀土類元素RH濃度與c軸長度(A)的關系的圖。圖4(a)是為了簡化，作為稀土類元素只考慮Nd和Dy的圖。圖的橫軸為將Dy量(原子％)除以總稀土類元素量R(原子％)而得到的值，在該情況下，R量為Nd量+Dy量。縱軸為c軸長(埃)。c軸長通過將由X射線衍射測定求出的d(004)、d(006)、d(008)代入上述的(公式l)而求出。為了得到圖4(a)的數據，首先，使用均勻地添加有Dy的原料合金準備Dy濃度不同的Nd—Dy—Fe—B系燒結磁鐵(比較例)，測定主相的c軸長。另外，準備使Dy從使用不含Dy的原料合金制作的Nd一Fe—B系燒結磁體的表面向內部擴散、并使Dy濃度為0.4原子％的Nd—Fe—B系燒結磁鐵(本發(fā)明的實施例)，測定從該燒結體表面起深度80^im的位置的主相外殼部的c軸長(-RH擴散部)。在實施例中，在Dy的晶界擴散比晶內擴散優(yōu)先發(fā)生的條件下進行。在圖4(a)中，用令的點表示Dy濃度不同的比較例的c軸長，實施例(Dy濃度0.4原子％)的c軸長用B的點表示。在圖4(a)中，比較例的c軸長能夠用以下的(公式2)所示的一次式近似。y=-0.2x+12.20(公式2)在此，y為c軸長(埃)，x為Dy/R。這樣，在Dy濃度與c軸長之間存在線性關系，隨著Dy濃度的增加，c軸長變短。另外，這樣的線性關系在添加有Pr、Tb等稀土類元素的情況下也成立。另一方面，實施例的情況下，如圖4(a)所示，盡管燒結磁鐵整體的RH(Dy)量少到0.4原子％(Dy/R為0.028)，但c軸長與比較例相比變短。這意味著由于重稀土類元素RH(Dy)在主相外殼部濃化，在相對少的Dy量下表現(xiàn)出c軸長的縮短效果?？芍?，在這樣使得優(yōu)先進行晶界擴散并將重稀土類元素RH即Dy從表面導入內部而得到的燒結磁鐵中，與上述的比較例相比，重稀土類元素RH(Dy)在主相外殼部有效地濃化。另外，也可知，作為其結果，實施例的矯頑力Hcj比添加有同量的Dy的比較例提高。換言之，與以往相比，能夠減少為了達到必要的矯頑力Hcj所需要的重稀土類元素RH(Dy)量。對RH擴散部的c軸長與磁特性的關系進行研究的結果表明，在主14相的晶格的C軸長與稀土類元素濃度滿足規(guī)定的關系式的情況下，可得到高的磁特性(矯頑力Hcj)。在此，設位于表層(從磁極面到深度500pm的范圍)的主相的c軸長為Lc(A)，設Nd、Pr、Dy、Tb的濃度分別為MNd、MPr、MDy、Mxb(原子°/。)。其中，MPr》0、MDy》0、MxbX)，但MDy+MTbX)。g口，Pr、Dy、Tb的各濃度可以為零，但Dy濃度和Tb濃度兩者不都為零。另外，按照以下公式定文Mrl、Mrh、Mr。MNd+Mpr=MRL，MDy+MfMRH,Mrl+Mrh=Mr此時，在滿足以下的關系式的區(qū)域存在的情況下，即使Mrh少也可達到特別高的矯頑力Hcj。D12.05,Lc+(0.18—0.05xMTb/MRH)xMrh/Mr—0.03xMpr/MRL《12.18(其中，0<Mrh/Mr《0.4)圖4(b)是用由Mp尸O、MTb=0的上述關系式規(guī)定的范圍(梯形區(qū)域)表示的圖。另外，圖4(b)所示的傾斜的虛線表示比較例的R一Fe—B燒結磁鐵的c軸長與MDy/MR的關系。參照圖4(b)對由上述關系式規(guī)定的范圍進行說明。首先，對0〈MRH/MK《0.4的關系式進行說明。如上所述，隨著重稀土類元素RH的置換量相對于稀土類元素R的總量變大，矯頑力Ho提高，但當重稀土類元素RH的置換量變得過大時，矯頑力Ho的提高效果飽和。因此，優(yōu)選重稀土類元素RH的濃度相對于稀土類元素R的合計濃度的比例為0.4以下。接著，對Lc》12.05的關系式進行說明。進行了使大量重稀土類元素RH從燒結磁體表面擴散、在表層的主相外殼形成高濃度的RH擴散部、以使矯頑力Ha提高的研究，結果表明，即使是大量擴散，RH擴散部也不會濃化到一定量以上，另外，矯頑力Hcj也不會提高。矯頑力Hcj的提高效果飽和時的RH擴散部的c軸長也未達到一定值以下，在0<Mrh/MR《0.4的范圍內，c軸長度的下限值為12.05A。接著，對Lc十(0.18-0.05xMTb/MRH)xMrh/MR-0.03xMPr/M虹《12.18的關系式進行說明。如上所述，在以往的燒結磁鐵中，能夠用y=—0.2x+12.20的一次式來近似c軸長與重稀土類元素RH的關系。另一方面，在如本發(fā)明那樣使重稀土類元素RH從燒結磁體表面擴散、在主相外殼部高效地使重稀土類元素RH濃化從而使矯頑力Hcj提高的組織中，即使是相同的RH量(RH比Mrh/MR)，其c軸長也小于以往的燒結磁鐵的c軸長。根據本申請發(fā)明人的研究，希望c軸長相對于以往例至少相差0.01A以上、優(yōu)選相差0.02A以上?？芍谠撉闆r下，Mp產0、Mxb-O的c軸長的上限能夠用y=—0.18x+12.18來一次近似。以往的磁鐵的直線的傾斜度(一0.2)與實施例的傾斜度(一0.18)不同的理由是因為y截距(Mrh/Mr=0)不同，而將全部稀土類元素R用重稀土類元素RH置換時(Mrh/Mr=1)的c軸長相同。根據以上的理由，在表層附近存在2個峰的部分的c軸長滿足上述的關系式。另外，對c軸長變短的部分的深度進行調查。圖5是表示距實施例的燒結磁鐵表面的深度與該深度的主相的c軸長的關系的圖。通過對為了求出圖4(a)所示的實施例的c軸長而準備的樣品的表面進行研磨，在距燒結磁鐵表面深度不同的位置依次進行X射線衍射測定，求出c軸長。由圖5可知，在燒結磁鐵表面(=深度0^1!11)，c軸長相當短，由此可推測重稀土類元素RH已充分濃化。另一方面，可知，在距燒結磁鐵表面的深度為IOmhi左右200pim左右的范圍內，c軸長幾乎不變化?？烧J為該范圍相當于重稀土類元素RH未到達主相的中心而在主相外殼部濃化的區(qū)域。另外，在從燒結磁鐵表面到深度200mhi的區(qū)域，存在有在使用CuKa射線的X射線衍射測定中在20為60.561.5°的范圍內能夠觀測到由(008)面引起的2個峰值的部分。因照射CuKa射線的部位的不同，也有只觀察到1個峰的情況，但這可認為是因為觀察到了與圖1的BB'面相當的面。在此使用的樣品中，在距燒結體表面的深度從200pm左右到16300pm左右的區(qū)域，c軸長增加，但當深度達到300^im左右時，c軸長未發(fā)現(xiàn)有變化?？烧J為在該樣品中，在深度為300pm以上的區(qū)域，Dy幾乎未擴散到主相內，觀察到圖1的CC'面。但是，在對超過深度200,的區(qū)域評價磁鐵特性時，確認了矯頑力Hc;j提高。由此可推測即使在超過深度200pm的區(qū)域，雖然極少但是Dy也擴散到主相內，有助于矯頑力增加。c軸長的變化可被看到的區(qū)域的深度，在圖5的例子中為200pm，但該深度根據擴散處理的條件、例如處理時間和溫度而變化。例如，如果將擴散處理進行更長時間，則也可能直到500pm的深度才改變c軸長。但是，在超過50(Him的條件下，處理時間達到長時間，大量消耗被擴散的重稀土類元素，并且與500^im以內的情況相比，得不到顯著的特性改善，因此有效的深度為500^im以內。在本發(fā)明中，使重稀土類元素RH擴散并導入燒結磁體內部的方法只要是晶界擴散優(yōu)先進行的方法，就沒有特別限定，例如可舉出后述的蒸鍍擴散法。該蒸鍍擴散法在以下方面特別優(yōu)選燒結磁體表層部分的晶內擴散難以發(fā)生，另外，附著在蒸鍍裝置內的壁面等上的浪費的重稀土類元素RH少，能以低成本進行擴散處理。以下，對蒸鍍擴散法進行詳細說明。在蒸鍍擴散法中，將難以氣化(升華)的重稀土類元素RH的塊體、和稀土類燒結磁體在處理室內極近距離地配置，并將兩者加熱到70(TC以上IIO(TC以下，由此，將RH塊體的氣化(升華)抑制為RH膜的生長速度與RH向燒結磁體內部的擴散速度相比不會非常大的程度，同時使飛到燒結磁體表面的重稀土類元素RH迅速地擴散到燒結磁體內部。70(TC以上110(TC以下的溫度范圍是幾乎不發(fā)生重稀土類元素RH的氣化(升華)的溫度，也是R—Fe—B系稀土類燒結磁體內部的稀土類元素的通過晶界相的擴散活躍地發(fā)生的溫度。因此，飛到磁體表面的重稀土類元素RH，與在磁體表面形成膜相比，能夠優(yōu)先地促進向磁體內部的晶界擴散。根據蒸鍍擴散法，與重稀土類元素RH向位于燒結磁體表面附近的主相的內部擴散的速度(速率)相比，重稀土類元素RH以更高的速度向磁體內部進行晶界擴散、滲透。17以往，認為Dy等重稀土類元素RH的氣化(升華)需要加熱到超過1200。C的高溫，在700。C以上1200。C以下的加熱中，Dy的飽和蒸氣壓為大氣壓的10萬分之一(大約lPa)以下，因此，可認為不可能使Dy在燒結磁體表面析出。但是，根據本發(fā)明人的實驗可知，與以往的預測相反，即使在700'C以上IIO(TC以下也能夠向相對配置的稀土類磁體供給重稀土類元素RH并使其擴散。在燒結磁體的表面形成重稀土類元素RH的膜(RH膜)之后、通過熱處理使其擴散到燒結磁體的內部的技術中，在與RH膜相接的磁體表層部分的區(qū)域，RH元素的濃度差非常大，因此，晶內擴散顯著地進行，殘留磁通密度降低。與此相對，在蒸鍍擴散法中，在將RH膜的生長速率抑制得較低的狀態(tài)下，向燒結磁體的表面供給重稀土類元素RH，同時將燒結磁體的溫度保持在適合擴散的水平，因此，飛到磁體表面的重稀土類元素RH通過晶界擴散迅速地向燒結磁體內部滲透。此時，晶界相的RH元素的濃度比較低，因此，RH元素向主相晶粒內的擴散不怎么發(fā)生。因此，即使在磁體表層部分的區(qū)域，也比晶內擴散更優(yōu)先地發(fā)生晶界擴散，RH元素濃縮后的主相外殼部的厚度小，能夠抑制殘留磁通密度Br的降低，有效地提高矯頑力HCJ。R_Fe—B系各向異性燒結磁鐵的矯頑力產生機理為成核型，因此，當提高主相外殼部的結晶磁各向異性時，在主相外殼部，逆磁疇的核生成被抑制，結果，主相整體的矯頑力Hcj有效地提高。在蒸鍍擴散法中，不僅在接近燒結磁體表面的區(qū)域，能夠在主相外殼部形成重稀土類置換層，而且在自燒結磁體表面起較深的區(qū)域，也能夠在主相外殼部形成重稀土類置換層，因此，燒結磁體整體的矯頑力Hc;充分地提高。作為要在主相外殼部與輕稀土類元素RL置換的重稀土類元素RH，當考慮蒸鍍擴散的發(fā)生容易度、成本等時，最優(yōu)選Dy。但是，Tb2Fe14B的結晶磁各向異性比Dy2Fe14B的結晶磁各向異性高，具有Nd2F^B的結晶磁各向異性的約3倍的大小，因此，當使Tb蒸鍍擴散時，能夠最有效地實現(xiàn)不使燒結磁鐵的殘留磁通密度降低而使矯頑力提高。在使用Tb的情況下，Tb的飽和蒸氣壓比Dy的飽和蒸氣壓低，因此，優(yōu)選與使用Dy的情況相比，在高溫高真空度下進行蒸鍍擴散。由上述說明可知，在本發(fā)明中，不一定需要在原料合金的階段添加重稀土類元素RH。g卩，準備含有輕稀土類元素RL(Nd和Pr中的至少1種)作為稀土類元素R的公知的R—Fe—B系稀土類燒結磁鐵，將重稀土類元素RH從其表面擴散到磁鐵內部。當在磁鐵表面形成有以往的重稀土類元素RH的覆膜情況下，即使提高擴散處理溫度，也難以抑制向主相內部的擴散同時使重稀土類元素RH向磁鐵內部的深處擴散，但根據本發(fā)明，利用重稀土類元素RH的晶界擴散，能夠有效地向位于燒結磁鐵內部的主相的外殼部供給重稀土類元素RH。當然，本發(fā)明也可以應用于在原料合金的階段添加有重稀土類元素RH的R—Fe—B系各向異性燒結磁鐵。但是，在原料合金的階段添加有大量的重稀土類元素RH的R—Fe—B系各向異性燒結磁鐵中，不能充分地得到本發(fā)明的效果，因此，可添加相對少量的重稀土類元素RH。接著，參照圖6對蒸鍍擴散法的優(yōu)選例子進行說明。圖6表示燒結磁體2與RH塊體4的配置例。在圖6所示的例子中，在由高熔點金屬材料構成的處理室6的內部，燒結磁體2與RH塊體4隔開規(guī)定間隔相對配置。圖6的處理室6包括保持多個燒結磁體2的部件、和保持RH塊體4的部件。在圖6的例子中，燒結磁體2和上方的RH塊體4由Nb制的網8保持。保持燒結磁體2和RH塊體4的結構并不限定于上述的例子，是任意的。但是，不應該采用將燒結磁體2與RH塊體4之間遮斷的那樣的結構。本申請中的"相對"是指燒結磁體與RH塊體之間未被遮斷而相對。另夕卜，"相對配置"不需要配置成主要的表面彼此平行。通過利用未圖示的加熱裝置對處理室6進行加熱，使處理室6的溫度上升。此時，將處理室6的溫度調整為例如700"C110(TC、優(yōu)選850°C1000°C、更優(yōu)選850。C95(TC的范圍。在該溫度區(qū)域，重稀土類元素RH的蒸氣壓很小，幾乎不氣化。根據以往的技術常識，可認為在這樣的溫度范圍，無法將從RH塊體4蒸發(fā)的重稀土類元素RH供給燒結磁體2的表面并進行成膜。但是，本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)通過使燒結磁體2與RH塊體4不接觸而接近配置，能夠使重稀土類元素RH在燒結磁體2的表面以相當于每小時幾pm(例如0.55pm/Hr)的低速率析出，而且，通過將燒結磁體2的溫度調節(jié)到與RH塊體4的溫度相同或比其高的適當的溫度范圍內，能夠將從氣相析出的重稀土類元素RH照原樣地深深地擴散到燒結磁體2的內部。該溫度范圍為重稀土類元素RH沿著燒結磁體2的晶界相向內部擴散的優(yōu)選的溫度區(qū)域，可有效地進行重稀土類元素RH的緩慢的析出和向磁體內部的快速的擴散。在蒸鍍擴散法中，如上述那樣使稍微氣化的RH在燒結磁體表面以低速率析出，因此，不需要像以往的基于氣相成膜的RH的析出那樣，將處理室內加熱到高溫、或對燒結磁體和RH塊體施加電壓。在蒸鍍擴散法中，如上所述，一邊抑制RH塊體的氣化、升華，一邊使飛到燒結磁體表面的重稀土類元素RH迅速地擴散到磁體內部。為此，優(yōu)選RH塊體的溫度設定在70(TC以上110(rC以下的范圍內，并且燒結磁體的溫度設定在700°C以上1100°C以下的范圍內。燒結磁體2與RH塊體4的間隔設定為0.1mm300mm。該間隔優(yōu)選為lmm以上50mm以下，更優(yōu)選為20mm以下，進一步優(yōu)選為10mm以下。只要能維持以這樣的距離分離的狀態(tài)，則燒結磁體2與RH塊體4的配置關系可以是上下，也可以是左右，還可以是相互相對地移動的那樣的配置。但是，優(yōu)選蒸鍍擴散處理中的燒結磁體2和RH塊體4的距離不變化。不優(yōu)選例如將燒結磁體收納在旋轉滾筒中一邊攪拌一邊進行處理的那樣的方式。另外，只要是上述那樣的距離范圍內，氣化后的RH就會形成均勻的RH氣氛，因此，相對的面的面積不限，彼此的面積最小的面相對也可以。在以往的蒸鍍裝置的情況下，蒸鍍材料供給部分的周圍的機構成為障礙，或需要使電子束、離子與蒸鍍材料供給部分碰撞，因此，需要在蒸鍍材料供給部分與被處理物之間設置相當的距離。因此，不像蒸鍍擴散法那樣使蒸鍍材料供給部分(RH塊體4)與被處理物(燒結磁體2)接近配置。其結果，可認為只要不將蒸鍍材料加熱到充分高的溫度，并使其充分氣化，就不能向被處理物上充分地供給蒸鍍材料。與此相對，在蒸鍍擴散法中，不需要用于使蒸鍍材料氣化(升華)的特別的機構，通過控制處理室整體的溫度，能夠使重稀土類元素RH在燒結磁體表面析出。另外，本說明書中的處理室為寬闊地包含配置有燒結磁體2和RH塊體4的空間的處理室，既有指熱處理爐的處理20室的情況，也有指收納在那樣的處理室內的處理容器的情況。另外，在蒸鍍擴散法中，RH元素的氣化量少，但因為將燒結磁體與RH塊體4非接觸并且極近距離地配置，所以，氣化后的RH元素高效地在燒結磁體表面析出，畢竟是在RH元素的蒸氣壓低的溫度區(qū)域進行處理，因此很少附著在處理室內的壁面等上。另外，如果處理室的壁面由Nb等耐熱合金或陶瓷等不與RH反應的材質制作，則附著在壁面上的重稀土類元素RH再次氣化，最終在燒結磁體表面析出。因此，能夠抑制作為貴重資源的重稀土類元素RH的浪費的消耗。另外，盡管RH元素的蒸氣壓低但也能夠供給磁體內部的主相外殼部，可認為是因為磁體的主相與RH元素的親和力強。在用蒸鍍擴散法進行的擴散工序的處理溫度范圍，RH塊體難以熔融軟化，重稀土類元素RH從其表面氣化(升華)，因此，在一次處理工序中，RH塊體的外觀形狀不會發(fā)生大的變化，能夠重復使用。另外，因為將RH塊體與燒結磁體接近配置，所以，在具有相同容積的處理室內能夠搭載的燒結磁體的量增加，裝載效率高。另外，因為不需要大規(guī)模的裝置，所以，能夠有效地利用通常的真空熱處理爐，從而能夠避免制造成本的上升，是實用的。優(yōu)選熱處理時的處理室內為惰性氣氛。本說明書中的惰性氣氛包括真空、或充滿惰性氣體的狀態(tài)。另外，惰性氣體為例如氬(Ar)等稀有氣體，只要是與RH塊體和燒結磁體之間不發(fā)生化學反應的氣體，就能包括在惰性氣體中。惰性氣體的壓力被減壓為低于大氣壓的值。當處理室內的氣氛壓力接近大氣壓時，難以從RH塊體向燒結磁體的表面供給重稀土類元素RH，但擴散量由從燒結磁體表面向內部的擴散速度控制，因此，處理室內的氣氛壓力只要為例如10Spa以下即充分，在其以上，即使降低處理室內的氣氛壓力，重稀土類元素RH的擴散量(矯頑力的提高度)也不會受大的影響。擴散量對燒結磁體的溫度比對壓力更敏感。飛到燒結磁體的表面并析出的重稀土類元素RH，以氣氛的熱和燒結磁體界面的RH濃度的差作為驅動力，在晶界相中向燒結磁體內部擴散。此時，R2FewB相中的輕稀土類元素RL的一部分由從燒結磁體表面擴散滲透來的重稀土類元素RH置換。其結果，在R2FewB相的外殼部形成重稀土類元素RH被濃縮的層。通過形成這樣的RH濃縮層，主相外殼部的結晶磁各向異性提高，矯頑力Ha提高。g卩，通過使用很少的重稀土類元素RH，使重稀土類元素RH擴散滲透到燒結磁體內部的深處，在主相外殼部有效地形成RH濃化層，因此，能夠抑制殘留磁通密度Br的降低，同時對磁鐵整體使矯頑力Hcj提高。根據在燒結磁體的表面形成重稀土類元素RH的膜(RH膜)之后、通過熱處理使其擴散到燒結磁體的內部的方法，Dy等重稀土類元素RH在燒結磁體的表面堆積的速度(膜的生長速率)與重稀土類元素RH向燒結磁體的內部擴散的速度(擴散速度)相比非常高。因此，在燒結磁體的表面形成厚度幾拜以上的RH膜之后，重稀土類元素RH從該RH膜向燒結磁體的內部擴散。不是從氣相而是從作為固相的RH膜供給的重稀土類元素RH，不僅在晶界擴散，而且容易產生向位于燒結磁體表層部分的區(qū)域的主相的內部的晶內擴散，使殘留磁通密度Br大大地降低。在主相內部重稀土類元素RH也進行晶內擴散、使殘留磁通密度Br降低的區(qū)域成為燒結磁體的表層部分的例如厚度100幾百pm左右的區(qū)域。但是，根據蒸鍍擴散法，從氣相供給的Dy等重稀土類元素RH與燒結磁體的表面碰撞后，迅速地向燒結磁體的內部擴散。這意味著在重稀土類元素RH擴散到位于磁體表層部分的區(qū)域的主相的內部之前，以更高的擴散速度通過晶界相而深深地滲透到燒結磁體的內部。艮P，在蒸鍍擴散法中，即使在燒結磁體表層部分的區(qū)域，也難以進行晶內擴散。擴散而導入的RH的含量，以磁鐵整體的重量比計，優(yōu)選設定為0.05%以上1.5%以下的范圍。這是因為當超過1.5%時，在燒結磁體內部的晶粒中也進行晶內擴散，有可能無法抑制殘留磁通密度Br的降低，當小于0.05%時，矯頑力Hcj的提高效果小。通過在上述的溫度區(qū)域和壓力區(qū)域進行10180分鐘的熱處理，能夠達到0.1%1%的擴散量。處理時間是指RH塊體和燒結磁體的溫度在70(TC以上1100"C以下且壓力在l(T5Pa以上500Pa以下的時間，不一定只表示特定的溫度、壓力被保持為一定的時間。22進行RH擴散導入之前的燒結磁體的表面狀態(tài)優(yōu)選更接近金屬狀態(tài)，以使RH容易擴散滲透，最好在事前進行酸清洗、噴砂處理等活化處理。尤其是在蒸鍍擴散法以外的現(xiàn)有技術中，需要進行上述活化處理將燒結磁體表面的氧化層除去。但是，在蒸鍍擴散法中，當重稀土類元素RH氣化、并以活性的狀態(tài)附著在燒結磁體的表面時，以比形成固體的層更高的速度向燒結磁體的內部擴散，因此，燒結磁體的表面也可以處于例如燒結工序后或切斷加工完成后的氧化進行后的狀態(tài)。另外，根據蒸鍍擴散，處理后的晶界相的重稀土類元素RH的濃度比較低。通過擴散而導入的重稀土類元素RH在主相外殼部被濃化，主相外殼部的RH濃度呈現(xiàn)比晶界的RH濃度高的值。這可認為因為是供給晶界相的重稀土類元素RH的量比較少的處理方法，并且主相與重稀土類元素RH的親和力大于晶界相與重稀土類元素RH的親和力而產生。這樣的濃度分布不能通過在燒結體表面堆積Dy膜、并利用此后的擴散熱處理使Dy從Dy膜向燒結體內部擴散的方法、或2合金混合法實現(xiàn)?？烧J為是因為在這些方法中，重稀土類元素RH向晶界相的供給量過多。根據蒸鍍擴散法，能夠使重稀土類元素RH主要經由晶界相擴散，因此，通過調節(jié)處理時間，能夠使重稀土類元素RH有效地向燒結磁體內部的更深的位置擴散。RH塊體的形狀、大小沒有特別限定，可以為板狀，也可以為不定形(石塊狀)。在RH塊體上可以存在多個微小孔(直徑幾lOpm左右)。優(yōu)選RH塊體由至少包括1種重稀土類元素RH的重稀土類元素RH或包括RH的合金形成。另外，RH塊體的材料的蒸氣壓越高，每單位時間的RH導入量越大，越有效。含有重稀土類元素RH的氧化物、氟化物、氮化物等的蒸氣壓非常低，在本條件范圍(溫度、真空度)內，幾乎不發(fā)生蒸鍍擴散。因此，即使由含有重稀土類元素RH的氧化物、氟化物、氮化物等形成RH塊體，也不能得到矯頑力提高效果。當對經過本發(fā)明的蒸鍍擴散工序的磁鐵進一步進行追加熱處理時，能夠使矯頑力(Hcj)和矩形比(Hk/Ha)進一步提高。追加熱處理的條件(處理溫度、時間)可以為與蒸鍍擴散條件同樣的條件。23追加熱處理可以在擴散工序結束后，將Ar分壓提高到1()Spa左右以使重稀土類元素RH不蒸發(fā)，直接僅進行熱處理，也可以在結束一次擴散工序后，不配置RH蒸發(fā)源而在與再次擴散工序相同的條件下僅進行熱處理。在本發(fā)明中，可以使重稀土類元素RH從燒結磁體的整個表面擴散滲透，也可以使重稀土類元素RH從燒結磁體表面的一部分擴散滲透。為了使RH從燒結磁體表面的一部分擴散滲透，例如，能夠釆用在燒結磁體中不希望使RH擴散滲透的部分用Nb等的耐熱合金等難以與燒結磁體反應的材質的箔包住的方法、和將不希望使其擴散的部分與RH塊體之間用耐熱性的板等遮蔽的方法，然后，只要利用上述的方法進行熱處理即可。在進行遮蔽的情況下，可以使燒結磁體與遮蔽物接觸，但在該情況下，優(yōu)選使用遮蔽物與燒結磁體不發(fā)生反應的物質。根據這樣的方法，能夠得到部分地提高了矯頑力Hcj的磁鐵。另外，通過遮蔽物的適當的選擇，幾乎不發(fā)生RH元素向遮蔽物的析出，不會浪費地消耗RH元素。部分地提高了矯頑力H。的燒結磁鐵，在單體中得不到大的效果，但在應用于轉子和定子等永久磁鐵式旋轉機等應用制品的情況下，能夠期待高的效果。例如，可認為在永久磁鐵式的旋轉機中，在電動機等工作時，燒結磁鐵會受到退磁場的作用，但該退磁場在大多情況下，不會均勻地作用于燒結磁鐵整體。在這樣的情況下，利用模擬等進行解析，掌握大的退磁場起作用的部分，僅在該部分使重稀土類元素RH擴散以提高矯頑力Hcj，由此，能夠抑制燒結磁鐵的不可逆退磁。通過使重稀土類元素RH只擴散退磁場起作用的部分所需要的量，與簡單地向燒結磁鐵整體擴散的情況相比，能夠進一步減少RH的使用量，成為大的優(yōu)點。另外，擴散有重稀土類元素RH的表層，即使在使晶界擴散優(yōu)先進行的情況下，殘留磁通密度Br也會降低雖然降低得很少，但是，通過這樣部分地使RH擴散，未使其擴散的部分增加，作為結果，殘留磁通密度Br幾乎不下降。據推測在這樣部分地使重稀土類元素RH擴散以提高矯頑力HCJ的燒結磁鐵中，擴散的面與未擴散的面的晶格常數不同。因此，進行使用CuKa射線的X射線衍射測定的結果表明，當設擴散有重稀土類元素RH的表面與未擴散有重稀土類元素RH的表面各自的主相的晶格的c軸長為Ld(A)、LC2(A)時，存在LC2—LC1>0.02(A)的關系。例如，由圖5可知，擴散有重稀土類元素RH的面，至少從表面到200pm的深度能夠確認c軸長的變化，因此，可認為在這樣部分地使重稀土類元素RH擴散的燒結磁鐵，在l2mm左右的小件磁鐵上效果(抑制殘留磁通密度降低的效果)小，倒不如適合用于具有2mm以上、優(yōu)選3mm以上的厚度的磁鐵。另外，對于厚度小于2mm的磁鐵，c軸長發(fā)生變化的深度小于20(Him就充分，例如在磁鐵厚度為lmm的情況下，例如通過較短地設定擴散處理的時間，能夠使c軸長發(fā)生變化的深度為距表面lOOpm左右。以下，對制造本發(fā)明的R—Fe—B系稀土類燒結磁鐵的方法的優(yōu)選實施方式進行說明。(實施方式)準備包含25質量％以上40質量％以下的稀土類元素R和0.6質量%1.6質量％的8(硼)、其余部分為Fe和不可避的雜質的合金。在此，R的一部分(10質量％以下)可以用重稀土類元素RH置換。另外，B的一部分可以由C(碳)置換，F(xiàn)e的一部分(50質量％以下)可以由其它的過渡金屬元素(例如，Co或Ni)置換。根據各種目的，該合金可以含有0.011.0質量％左右的選自Al、Si、Ti、V、Cr、Mn、Ni、Cu、Zn、Ga、Zr、Nb、Mo、Ag、In、Sn、Hf、Ta、W、Pb禾口Bi中的至少1種添加元素M。上述的合金可通過例如帶鑄法將原料合金的熔液急冷而適當地制作。以下，對利用帶鑄法進行的急冷凝固合金的制作進行說明。首先，將具有上述組成的原料合金在氬氣氛中通過高頻熔化而熔化，形成原料合金的熔液。接著，將該熔液保持在135(TC左右之后，利用單輥法進行急冷，得到例如厚度約0.3mm的片狀合金鑄塊。將這樣制作的合金鑄片在接下來的氫粉碎前粉碎成例如110mm的片狀。另外，基于帶鑄法的原料合金的制造方法，在例如美國專利第538397825號說明書中有公開。[粗粉碎工序]將上述的粗粉碎為片狀的合金鑄片收容在氫爐的內部。接著，在氫爐的內部進行氫脆化處理(以下，有時稱為"氫粉碎處理")工序。在將氫粉碎后的粗粉碎粉合金粉末從氫爐中取出時，優(yōu)選在惰性氣氛下執(zhí)行取出動作，以使粗粉碎粉不與大氣接觸。因為那樣的話，能夠防止粗粉碎粉氧化、發(fā)熱，能夠抑制磁鐵的磁特性的降低。通過氫粉碎，稀土類合金被粉碎為0.1mm幾mm左右的大小，其平均粒徑成為500pm以下。優(yōu)選在氫粉碎后，將已脆化的原料合金更細地粉碎并且冷卻。當在比較高的溫度狀態(tài)下取出原料的情況下，只要相對地延長冷卻處理的時間即可。接著，使用噴射式粉碎裝置對粗粉碎粉執(zhí)行微粉碎。在本實施方式中使用的噴射式粉碎裝置，連接有旋流分級機。噴射式粉碎裝置接收在粗粉碎工序中被粗粉碎的稀土類合金(粗粉碎粉)的供給，在粉碎機內進行粉碎。在粉碎機內被粉碎后的粉末經過旋流分級機而被收集在回收罐中。這樣，能夠得到0.120jim左右(典型地，平均粒徑35pm)的微粉末。在這樣的微粉碎中使用的粉碎裝置并不限定于噴射式粉碎裝置，也可以是超微磨碎機或球磨機。在粉碎時，可以使用硬脂酸鋅等潤滑劑作為粉碎助劑。在本實施方式中，對用上述方法制作的合金粉末，在例如搖擺式混合機內添加、混合例如0.3wtQ/。的潤滑劑，用潤滑劑包覆合金粉末顆粒的表面。接著，使用公知的壓制裝置將用上述方法制作的合金粉末在取向磁場中進行成形。施加的磁場的強度為例如1.51.7特斯拉(T)。另外，成形壓力設定為使得成形體的生材密度(greendensity)為例如44.5g/cm3左右。優(yōu)選對上述的粉末成形體依次進行在650100(TC的溫度下保持10240分鐘的工序；和然后，在比上述保持溫度高的溫度(例如，10001200°C)下進一步進行燒結的工序。在燒結時，尤其是生成液26相時(溫度在6501OO(TC的范圍內時)，晶界相中的富R相開始熔融，形成液相。然后，燒結進行，形成燒結磁體。如上所述，即使在燒結磁體的表面被氧化的狀態(tài)下，也能夠實施蒸鍍擴散處理，因此，可以在燒結工序之后，進行時效處理(400'C70(TC)和用于尺寸調整的磨削。接著，使重稀土類元素RH高效地向這樣制作的燒結磁體擴散。具體而言，將包含重稀土類元素RH的RH塊體與燒結磁體配置在圖6所示的處理室內，通過加熱，從RH塊體向燒結磁體表面供給重稀土類元素RH，同時使其向燒結磁體的內部擴散。另外，可以在蒸鍍擴散工序后，根據需要進行時效處理(400°C700°C)。在本實施方式的蒸鍍擴散工序中，優(yōu)選使燒結磁體的溫度與RH塊體的溫度相同或為其以上。在此，燒結磁體的溫度與RH塊體的溫度相同，是指兩者的溫度差在2(TC以內。具體而言，將RH塊體的溫度設定在70(TC以上1100。C以下的范圍內，并且將燒結磁體的溫度設定在700°C以上1100°C以下的范圍內。上述RH塊體的溫度和燒結磁體的溫度優(yōu)選為大于等于85(TC小于1000°C，更優(yōu)選為850°C950°C。另夕卜，燒結磁體與RH塊體的間隔，如上所述，設定為0.1mm300mm。另外，蒸鍍擴散工序時的氣氛氣體的壓力如果為l(T5500Pa，則RH塊體的氣化(升華)適當地進行，能夠進行蒸鍍擴散處理。為了有效地進行蒸鍍擴散處理，優(yōu)選將氣氛氣體的壓力設定在l(T3lPa的范圍內。另外，優(yōu)選將RH塊體和燒結磁體的溫度保持在70(TC以上1100"C以下的范圍內的時間設定為10分鐘600分鐘的范圍。但是，保持時間是指RH塊體和燒結磁體的溫度在70(TC以上IIO(TC以下且壓力在10-Spa以上500Pa以下的時間，并不一定只表示特定的溫度、壓力被保持為一定的時間。擴散層的深度能夠利用溫度與時間的組合進行各種改變。例如，如果設定為高溫或長時間，則擴散層變深。另外，RH塊體不需要由1種元素構成，可以含有重稀土類元素RH和元素X(選自Nd、Pr、La、Ce、Al、Zn、Sn、Cu、Co、Fe、Ag和In中的至少l種)的合金。這樣的元素X使晶界相的熔點降低，因此，能夠期待促進重稀土類元素RH的晶界擴散的效果。另外，在蒸鍍擴散時，晶界相的Nd、Pr雖然微量但會氣化，因此，如果元素X為Nd和/或Pr，則能夠補償已蒸發(fā)的Nd和/或Pr，優(yōu)選?？梢栽跀U散處理之后，進行上述的追加熱處理(700°C1100°C)。另外，根據需要進行時效處理(400°C700°C)，但在進行追加熱處理(700°C1100°C)的情況下，優(yōu)選在其后進行時效處理。追加熱處理與時效處理可以在同一處理室內進行。在實際應用中，優(yōu)選對蒸鍍擴散后的燒結磁鐵實施表面處理。表面處理可以為公知的表面處理，例如，可以進行A1蒸鍍、Ni電鍍、樹脂涂裝等表面處理?？梢栽谶M行表面處理之前進行噴砂處理、滾筒拋光處理、蝕刻處理、機械磨削等公知的前處理。另外，可以在擴散處理后進行用于尺寸調整的磨削。即使經過這樣的工序，矯頑力提高效果也幾乎不變。用于尺寸調整的磨削量為1300pm，更優(yōu)選為5100pm，進一步優(yōu)選為1030pm。但是，擴散層的深度與在X射線衍射中觀察到2個(008)面的衍射峰的區(qū)域的深度、c軸長變化的區(qū)域的深度并不一定相同，通常，擴散層較深。這是因為在RH擴散層為極微量時，X射線衍射的衍射強度弱，因此，不能觀察到衍射峰。實施例(實施例1)首先，如表l(單位質量％)所示，利用帶鑄法制作具有Dy為010質量％的組成的、平均厚度0.20.3mm的合金薄片。[表l]A全a五NdDyBCoAlCuFea32.00b29.52.5c27.05.01.000.900.150.10余量d24.57.5622.010.028接著，將這些合金薄片填充到容器中，收容在氫處理裝置內。然后，用壓力500kPa的氫氣充滿氫處理裝置內，由此，在室溫下使合金薄片吸藏氫之后，使氫放出。通過進行這樣的氫處理，將合金薄片脆化，制作出大小約0.150.2mm的不定形粉末。在通過上述的氫處理制作出的粗粉碎粉末中添加0.04wtM的硬脂酸鋅作為粉碎助劑并進行混合后，進行由噴射式粉碎裝置進行的粉碎工序，由此制作出粉末粒徑約3pm的微粉末。利用壓制裝置對這樣制作出的微粉末進行成形，制作出粉末成形體。具體而言，在施加磁場中以使粉末顆粒磁場取向后的狀態(tài)進行壓縮，進行壓制成形。然后，將成形體從壓制裝置中拔出，利用真空爐在1020106(TC下進行4小時的燒結工序。這樣，制作出燒結體塊之后，對該燒結體塊進行機械加工，由此得到厚3mmx長10mmx寬10mm的燒結磁體。這樣，得到與表1的合金ae分別對應的燒結磁體a'e'。接著，將燒結磁體a'e'用0.3%硝酸水溶液進行酸洗，并使其干燥后，將其配置在具有圖6所示的結構的處理容器內。本實施例中使用的處理容器由Mo形成，包括支撐多個燒結體的部件、和保持2塊RH塊體的部件。燒結磁體與RH塊體的間隔設定為59mm左右。RH塊體由純度99.9%的Dy形成，并具有30mmx30mmx5mm的尺寸。接著，將圖6的處理容器放置在真空熱處理爐中進行蒸鍍擴散處理。處理條件為在lxl(^Pa的壓力下進行升溫、并在90(TC下保持35小時，調節(jié)成使得向燒結磁體a'e'的Dy擴散(導入)量成為1.0質量％，得到蒸鍍擴散材料AE。將它們的組成示于表2(單位為質量％)。<table>tableseeoriginaldocumentpage29</column></row><table>對燒結體a'e'、和蒸鍍擴散材料AE分別進行了X射線衍射測定。在x射線衍射測定中，使用(日本)理學電機株式會社制的x射線衍射裝置(RINT2400)。將測定條件示于表3。<table>tableseeoriginaldocumentpage30</column></row><table>另外，為了測定與磁極面平行的面，樣品以與尺寸為10mmxlOmm的磁極面平行的面呈現(xiàn)在表面的狀態(tài)固定在樣品夾上。對該表面的基于e—2e法的x射線衍射測定的結果,根據主相結晶的(004)面、(006)面、(008)面的衍射峰求出0，根據2dxsine=X的關系式，計算出面間隔d值。在此，X為X射線波長。另外，在觀察到由(008)面引起的2個峰值的情況下，將相對較小的d值用于c軸長的計算。在計算時，使用上述的公式。對于進行了蒸鍍擴散的樣品，不僅對燒結體表面進行X射線衍射測定，而且從表面進行研磨，而且對距最初的燒結體表面的深度分別為40pm、80pm、120pm、200pm、300nm位置的與磁極面平行的研磨面(尺寸10mmxlOmm)也進行X射線衍射測定。另外，作為基于2合金混合法的比較例，將合金a的粉末與合金e的粉末以1:1的比進行配合，制作出作為整體與燒結磁體c'的組成相等的燒結磁體"f'"。對該樣品也同樣地進行了X射線衍射測定。將進行了Dy的蒸鍍擴散的實施例的測定結果示于表4。另外，將未進行Dy的蒸鍍擴散的樣品(比較例)的測定結果示于表5。另夕卜，MDy和Mr分別表示Dy量和R量。這些量由ICP分析求出。蒸鍍擴散后的樣品的MDy、MDy/MK的值為進行蒸鍍擴散后的燒結磁鐵整體的濃度(原子％)的平均值。[表4]<table>tableseeoriginaldocumentpage31</column></row><table>[表5]<table>tableseeoriginaldocumentpage32</column></row><table>另外，表4、表5中的"峰數"表示在X射線衍射測定中在20為60.561.5°的范圍內觀察到的衍射峰的數量。由表4可知，在進行了蒸鍍擴散的實施例中，在從燒結體表面到深度500|am的區(qū)域內的與磁極面平行的面中，存在有在26為60.561.5°的范圍內觀察到2個衍射峰的面。另外，確認了在從燒結體表面(=0pm)到某深度200pm的區(qū)域內，c軸長變短。另一方面，由表5可知，在未進行蒸鍍擴散的比較例的樣品a'e'、和將Dy量不同的2種合金粉末混合并進行燒結而得到的比較例的樣品f'中，在從燒結體表面到深度500,的區(qū)域內，未確認在20為60.561.5°的范圍內觀察到2個衍射峰的面。(實施例2)利用帶鑄法制作出配合成具有表6所示的組成(單位為質量％)的平均厚度0.20.3mm的合金薄片gi。[表6]合仝<table>tableseeoriginaldocumentpage32</column></row><table>接著，將這些合金薄片填充到容器中，收容在氫處理裝置內。然后，用壓力500kPa的氫氣充滿氫處理裝置內，由此，在室溫下使合金薄片吸藏氫之后，使氫放出。通過進行這樣的氫處理，將合金薄片脆化，制作出大小約0.150.2mm的不定形粉末。在通過上述的氫處理制作出的粗粉碎粉末中添加0.04wt。/。的硬脂酸鋅作為粉碎助劑并進行混合后，進行由噴射式粉碎裝置進行的粉碎工序，由此制作出粉末粒徑約3pm的微粉末。利用壓制裝置對這樣制作出的微粉末進行成形，制作出粉末成形體。具體而言，在施加磁場中以使粉末顆粒磁場取向后的狀態(tài)進行壓縮，進行壓制成形。然后，將成形體從壓制裝置中拔出，利用真空爐在10201040'C下進行4小時的燒結工序。這樣，制作出燒結體塊之后，對該燒結體塊進行機械加工，由此得到厚3mmx長10mmx寬10mm的燒結磁體。將分別由表6所示的合金gi制作出的燒結磁體g'i'用0.3%石肖酸水溶液進行酸洗，并使其干燥后，將其配置在具有圖6所示的結構的處理容器內。使用的處理容器由Mo形成，包括支撐多個燒結體的部件、和保持2塊RH塊體的部件。燒結磁體與RH塊體的間隔設定為59mm左右。RH塊體由純度99.9%的Dy形成，并具有30mmx30mmx5mm的尺寸。接著，將圖6的處理容器放置在真空熱處理爐中進行蒸鍍擴散處理。處理條件為在lxlO々Pa的壓力下進行升溫、并在900。C下保持34小時，調節(jié)成使得向燒結磁體g'i'的Dy擴散(導入)量成為1.0質量％，得到蒸鍍擴散材料GI。將它們的組成示于表7(單位為質量％)。然后，對未進行蒸鍍擴散的燒結磁體g'、h'、i'、以及進行了蒸鍍擴散的樣品G、H、I分別進行X射線衍射測定。對進行了蒸鍍擴散的樣品G、H、I，在燒結體表面(=深度O,)和深度100|im的位置進行X射線衍射測定。將這些結果示于表8。<table>tableseeoriginaldocumentpage33</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage34</column></row><table>在此，表8中的"峰數"也表示在X射線衍射測定中在20為60.561.5°的范圍內觀察到的衍射峰的數量。另外，表8中的MRH為重稀土類元素RH的濃度，用原子％表示Dy濃度和Tb濃度的合計值。由表8可知，即使在原料合金中添加有Nd、Dy以外的稀土類元素(Pr、Tb)，在實施例中，在20為60.561.5°的范圍內也可觀察到2個衍射峰。(實施例3)利用帶鑄法制作具有Nd:32.0、B:1.00、Co:0.9、Cu:0.1、Al:0.2、余量Fe(單位為質量％)的組成、且厚度0.20.3mm的合金薄片j。接著，將該合金薄片填充到容器中，收容在氫處理裝置內。然后，用壓力500kPa的氫氣充滿氫處理裝置內，由此，在室溫下使合金薄片吸藏氫之后，使氫放出。通過進行這樣的氫處理，將合金薄片脆化，制作出大小約0.150.2mm的不定形粉末。在通過上述的氫處理制作出的粗粉碎粉末中添加0.04wtM的硬脂酸鋅作為粉碎助劑并進行混合后，進行由噴射式粉碎裝置進行的粉碎工序，由此制作出粉末粒徑約3pm的微粉末。34利用壓制裝置對這樣制作出的微粉末進行成形，制作出粉末成形體。具體而言，在施加磁場中以使粉末顆粒磁場取向后的狀態(tài)進行壓縮，進行壓制成形。然后，將成形體從壓制裝置中拔出，利用真空爐在1020'C下進行4小時的燒結工序。這樣，制作出燒結體塊之后，對該燒結體塊進行機械加工，由此得到厚3mmx長10mmx寬10mm的燒結磁體j'。將燒結磁體j'用0.3%硝酸水溶液進行酸洗，并使其干燥后，將其配置在具有圖6所示的結構的處理容器內。處理容器由Mo形成，包括支撐多個燒結體的部件、和保持2塊RH塊體的部件。燒結磁體與RH塊體的間隔設定為59mm左右。RH塊體由純度99.9%的Dy形成，并具有30mmx30mmx5mm的尺寸。接著，將圖6的處理容器放置在真空熱處理爐中進行蒸鍍擴散處理。處理條件為在lxl(^Pa的壓力下進行升溫、并在90(TC下保持12小時，制作出向燒結磁體j'的Dy擴散(導入)量為0.25質量％(Jl)、0.5質量％(J2)的2種樣品。另外，作為比較例，制作出在燒結磁體j'上進行Dy的成膜，并進行擴散熱處理后的樣品。具體而言，進行以下的工序。首先，進行濺射裝置的成膜室內的真空排氣，使其壓力降低到6xlO"Pa之后，將高純度Ar氣體導入成膜室內，將壓力維持在1Pa。接著，通過向成膜室內的電極間提供RF輸出300W的高頻電力，對燒結磁體的表面進行5分鐘的逆濺射。該逆濺射是為了使燒結磁體的表面清潔而進行的，除去了在燒結磁體表面存在的自然氧化膜。接著，通過向成膜室內的電極間施加DC輸出500W和RF輸出30W的電力，濺射Dy耙的表面，由此，在燒結磁體表面形成厚度3.75pm(J3)、7.5pm(J4)的Dy層。然后，對在表面形成有Dy膜的燒結磁體，在lxlO々Pa的減壓氣氛下，在卯O。下進行2小時的擴散熱處理。對未進行蒸鍍擴散的燒結磁體j'、進行了蒸鍍擴散的樣品J1、J2、在Dy成膜后進行了擴散熱處理的樣品J3、J4，分別在1Pa的壓力、500t:下進行2小時的時效處理。對這些樣品進行3MA/m的脈沖磁化后，測定磁鐵特性(殘留磁通密度Bf、矯頑力Hcj)。另外，從表面開始研磨10xl0mm的面，在深度0、40、80、120pm位置進行X射線衍射測定，觀察各深度的c軸長和60.561.5。的(008)面的衍射峰。將這些結果示于表9。<table>tableseeoriginaldocumentpage36</column></row><table>由表9可知，在燒結體的表面堆積Dy膜、然后進行了擴散熱處理的樣品J3、J4中，在29為60.561.5°的范圍內，未觀察到2個衍射峰。另外，可知，當將擴散有相同量Dy的樣品彼此進行比較時，與進行了Dy成膜+擴散熱處理的樣品J3、J4相比，進行了蒸鍍擴散的實施例的樣品J1、J2的矯頑力Hcj的提高比例大。這意味著在蒸鍍擴散法中，Dy容易擴散到燒結磁體的內部，在表層附近未擴散到主相內部，因此，矯頑力Hcj高效地提高。產業(yè)上的可利用性本發(fā)明的R—Fe—B系各向異性燒結磁鐵，在主相外殼部高效地濃縮有重稀土類元素RH，因此，殘留磁通密度和矯頑力兩者都優(yōu)異，適合利用于各種用途。權利要求1.一種R-Fe-B系各向異性燒結磁鐵，其中R為包括Y的稀土類元素，該R-Fe-B系各向異性燒結磁鐵具有R2Fe14B型化合物作為主相，該R2Fe14B型化合物含有輕稀土類元素RL作為主要的稀土類元素R，其中輕稀土類元素RL為Nd和Pr中的至少1種，并且該R-Fe-B系各向異性燒結磁鐵含有重稀土類元素RH，其中重稀土類元素RH為選自Dy和Tb中的至少1種，該R-Fe-B系各向異性燒結磁鐵的特征在于，包括在使用CuKα射線對位于從所述磁鐵的磁極面起深度500μm以內的區(qū)域的與所述磁極面平行的面進行的X射線衍射測定中，在2θ為60.5～61.5°的范圍內觀察到至少2個衍射峰的部分。2.如權利要求1所述的R—Fe—B系各向異性燒結磁鐵，其特征在于在X射線衍射測定中在20為60.561.5°的范圍內觀察到至少2個衍射峰的所述部分，僅占與所述磁極面平行的面中的一部分。3.如權利要求1所述的R—Fe—B系各向異性燒結磁鐵，其特征在于-在X射線衍射測定中在26為60.561.5°的范圍內觀察到至少2個衍射峰的所述部分，在與所述磁極面平行的面中具有1mm2以上的面積。4.如權利要求1所述的R—Fe—B系各向異性燒結磁鐵，其特征在于-當設Nd、Pr、Dy、Tb的濃度分別為MNd、MPr、MDy、Mxb，其中濃度單位為原子％，并設MNd+MPr=MRL，MDy+MTb=MRH,Mrl+Mrh=Mr時，在所述觀察到2個衍射峰的部分，主相的c軸長Lc滿足Lc》12.05'Lc+(0.18—0.05xMTb/MRH)xMrh/Mr—0.03xMp/Mrl《12.18的關系式，其中，Lc的單位為A，0<Mrh/Mr《0.4。全文摘要本發(fā)明提供R-Fe-B系各向異性燒結磁鐵。本發(fā)明的R-Fe-B系各向異性燒結磁鐵具有R₂Fe₁₄B型化合物作為主相，該R₂Fe₁₄B型化合物含有輕稀土類元素RL(Nd和Pr中的至少1種)作為主要的稀土類元素R，并且該R-Fe-B系各向異性燒結磁鐵含有重稀土類元素RH(選自Dy和Tb中的至少1種)，其中，主相的晶格的c軸在規(guī)定方向取向，該各向異性燒結磁鐵包括在使用CuKα射線對從磁鐵的磁極面到深度500μm的區(qū)域中與上述磁極面平行的面進行的X射線衍射測定中，在2θ為60.5～61.5°的范圍內觀察到至少2個衍射峰的部分。文檔編號H01F1/053GK101652820SQ20088001106公開日2010年2月17日申請日期2008年9月2日優(yōu)先權日2007年9月4日發(fā)明者吉村公志,小高智織,森本英幸,高木繁申請人:日立金屬株式會社