專利名稱：絕緣配線基板及其制造方法和使用了該基板的半導(dǎo)體封裝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種絕緣配線基板特別是可防止發(fā)生因吸收的水分受 熱而氣化膨脹所導(dǎo)致的缺陷的絕緣配線基板及其制造方法和使用了這 種絶緣配線基板的半導(dǎo)體封裝。
背景技術(shù)：
近年來，半導(dǎo)體封裝主要釆用了 QFP ( quad flat package:四方扁 平封裝)型、BGA ( ball grid array:球柵陣列)型、LGA (land grid array: 平面柵格陣列)型的CSP (chip size package / chip scale package:芯片級封裝)等。尤其在最近幾年，基于對半導(dǎo)體元件高集成化和信號處理高速化 的要求，半導(dǎo)體封裝大多采用了上迷芯片級封裝中BGA型、LGA型的 樹脂密封型半導(dǎo)體封裝。之所以采用上述BGA型、LGA型的樹脂密封 型半導(dǎo)體封裝，是因為下述結(jié)構(gòu)，即使一個半導(dǎo)體芯片的電路形成 面朝上進(jìn)行配置，以細(xì)金屬絲連接上迷半導(dǎo)體芯片和配線基板，并通 過配線圖形實現(xiàn)與外部端子之間的導(dǎo)通，由此，能夠配置大量的外部 端子。另外，關(guān)于上迷半導(dǎo)體封裝所使用的絕緣配線基板，也迫切要求 其實現(xiàn)薄型化。厚度為200 u m以下的由環(huán)氧樹脂制成的絕緣內(nèi)層基板 已成為主流，厚度為40nm-60|am的絕緣內(nèi)層基板也得到了較多的 應(yīng)用。關(guān)子采用了厚度為40)im-60iitn的內(nèi)層基板的絕緣配線基板， 包括阻焊層的厚度在內(nèi)其厚度達(dá)到100 jam左右。圖4是示意地說明BGA型半導(dǎo)體封裝的一個示例的剖面結(jié)構(gòu)圖。 BGA型半導(dǎo)體封裝主要由半導(dǎo)體芯片1、絕緣配線基板8、連接半導(dǎo)體 芯片1和絕緣配線基板8的細(xì)金屬絲7、金屬制的外部端子9構(gòu)成。絕緣配線基板在絕緣內(nèi)層基板的兩面具有配線圖形，該絕緣內(nèi)層 基板由環(huán)氧樹脂制成，該配線圖形由銅箔形成。借助于貫通孔(through hole)連接絕緣配線基板的上、下兩面的配線圖形，其中，在上迷絕緣
配線基板形成開口后在該開口內(nèi)部實施鍍銅而得到上述貫通孔。并且，在絕緣配線基板上，除引線鍵合端子部和島部 (land)之 外覆蓋有絕緣性阻焊層(solder resist)。其中，上述引線鍵合端子部用 于在配線上實施引線鍵合，上述配線在上述絕緣配線基板上形成電路， 上述島部用于形成外部端子。在BGA型半導(dǎo)體封裝中，利用粘合材料將半導(dǎo)體芯片搭載于絕緣 配線基板的與電路形成面相反一側(cè)的面上，并通過導(dǎo)電性的細(xì)金屬絲 電連接半導(dǎo)體芯片上面的焊盤部和絕緣配線基板的引線鍵合端子部。用于導(dǎo)通連接半導(dǎo)體芯片和絕緣配線基板的細(xì)金屬絲采用金、銅 等材料。較多采用剖面直徑為20jum~30Mm的金絲等。隨著電子設(shè)備多功能化的發(fā)展，也存在著層疊多個半導(dǎo)體芯片的 情況。半導(dǎo)體芯片的厚度也取決于搭載的層數(shù)等， 一般情況下使用厚 度為70|im~400|im的半導(dǎo)體芯片 作為用于粘合半導(dǎo)體芯片的粘合材料，采用銀膏、絕緣膏、片狀 的粘合材料等。為了提高半導(dǎo)體芯片和基板之間的密合性而較多地釆 用片狀的粘合材料。作為上述片狀粘合材料的供給方法，有下述兩種方法，即預(yù)先 在絕緣配線基板的半導(dǎo)體芯片搭載區(qū)域貼附片狀粘合材料的方法；以 及在半導(dǎo)體芯片的背面?zhèn)荣N附片狀粘合材料的方法。作為在半導(dǎo)體芯 片的背面?zhèn)荣N附片狀粘合材料的方法，有這樣一種方法，即在晶圓 狀態(tài)階段，將片狀粘合材料貼附于晶圓的背面?zhèn)?，然后將其切割為?片狀。另外，還有一種將切片的粘結(jié)材料成分轉(zhuǎn)印至半導(dǎo)體芯片的背 面?zhèn)?人而實現(xiàn)供給的方法。通過轉(zhuǎn)移成型(Transfer Molding)等方法，利用環(huán)氧系或聯(lián)苯系 樹脂進(jìn)行樹脂密封使得完全包覆半導(dǎo)體芯片和細(xì)金屬絲，從而形成封 裝。借助于回流焊技術(shù)將焊球等金屬制的外部端子連接在絕緣配線基 板的相反一側(cè)的面上。焊球的直徑因外部端子的間距等而不同。過去 一直采用共晶焊焊料，但是，出于對環(huán)境保護(hù)的考慮，近年來，上述 焊球的焊料從共晶焊發(fā)展到了無鉛焊。由于無鉛焊焊料的熔點高于共 晶焊焊料的熔點，因此，如果采用無鉛焊悍接，在連接時就需要將溫 度設(shè)定得高于共晶焊焊接的溫度。
另外，還有這樣一種結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體封裝，即在焊球端子的中心 部具備銅等的金屬球或樹脂等的樹脂球，在半導(dǎo)體封裝被搭載至基板 后，半導(dǎo)體封裝與基板之間保持一定值以上的間隙。以上是BGA型半導(dǎo)體封裝的結(jié)構(gòu)。即使是其尺寸較接近所謂CSP 的半導(dǎo)體芯片尺寸的半導(dǎo)體封裝，也有采用與上述相同的結(jié)構(gòu)。此外， 還有下述的半導(dǎo)體封裝，即在涂敷焊膏等后使其熔化并形成0.1mm 以下的外部端子，而并非用釬焊等的金屬球來形成外部端子的半導(dǎo)體 封裝；不提供焊料，僅由基板的金屬島部形成外部端子的LGA型半導(dǎo) 體封裝。在將上述半導(dǎo)體封裝搭載至配線基板時， 一般采用下述的方法， 即在對配線基板供給焊膏和焊劑后，栽放上述半導(dǎo)體封裝，并利用 回流爐等的加熱裝置來熔化由焊料形成的外部端子，從而連接上述半 導(dǎo)體封裝和配線基板。如上所述，近年來，出于對環(huán)境保護(hù)的考慮，上述焊球的焊料從 共晶焊發(fā)展到了無鉛焊。因此，在將上述半導(dǎo)體封裝搭載至配線基板 時的溫度存在上升的傾向。由于焊料從共晶焊發(fā)展為無鉛焊，基板安 裝時的回流焊溫度將上升20 -30度左右。根據(jù)上述方法，半導(dǎo)體封裝所吸收的水分由于受熱而發(fā)生氣化膨 脹，從而導(dǎo)致半導(dǎo)體封裝的基板部分膨脹。由此，可能導(dǎo)致半導(dǎo)體封 裝發(fā)生變形、損壞。因此，就要求半導(dǎo)體封裝不會因所賦予的熱量而出現(xiàn)上述缺陷。 具體而言，要求半導(dǎo)體封裝不會出現(xiàn)圖5所示的下述缺陷，即半導(dǎo) 體封裝內(nèi)部所吸收的水分因所賦予的熱量而發(fā)生氣化膨脹，由此，封 裝內(nèi)部突起從而導(dǎo)致半導(dǎo)體封裝外觀變形、不可安裝、內(nèi)部配線斷線 等。圖5是示意地表示半導(dǎo)體封裝內(nèi)部所吸收的水分因受熱而氣化膨 脹的示例的圖。特別是在配線基板較薄的半導(dǎo)體封裝中，配線基板的半導(dǎo)體芯片 搭載區(qū)域發(fā)生膨脹受損的可能性更大，這不利于實現(xiàn)半導(dǎo)體封裝的薄 型化和小型化。為了解決上述問題，已有具備用于釋放所吸收水分的結(jié)構(gòu)的半導(dǎo) 體封裝。即例如，在專利文獻(xiàn)l(日本國專利申請公開特開2005-72498， 2005年3月17日公開)中揭示了一種具有下迷結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體封裝，即
在配線基板的半導(dǎo)體芯片搭載區(qū)域的中央設(shè)置貫通孔，并在貫通孔的周圍配置芯片支持體，向外排出水分。另外，在專利文獻(xiàn)2(日本國專 利申請公開特開2007-12714, 2007年1月18日公開)中揭示了一種具 有下述結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體封裝，即在配線基板的半導(dǎo)體芯片搭載區(qū)域均 勻地設(shè)置貫通孔，向外排出水分。此外，還已知有一種圖6所示的結(jié) 構(gòu)的半導(dǎo)體封裝，即在配線基板的半導(dǎo)體芯片搭栽區(qū)域的一部分設(shè) 置用于釋放水分的貫通孔11,經(jīng)由該貫通孔11向外排出半導(dǎo)體封裝內(nèi) 積存的水分。圖6的(a)是在半導(dǎo)體芯片搭載區(qū)域的一部分設(shè)置有貫 通孔11的配線基板的俯視圖。圖6的(b)表示沿裁切線B進(jìn)行裁切 后的剖面圖。但是，上述專利文獻(xiàn)l、 2所示的結(jié)構(gòu)存在下述問題。即，根椐上 述專利文獻(xiàn)1所示的結(jié)構(gòu)，在設(shè)計絕緣配線基板的配線時，還需要在 配線之外的區(qū)域設(shè)置用于配置貫通孔和芯片支持體的區(qū)域，并且，還 需要一并考慮余量和間隙。所以，在配線基板上需要較大地確保不能配置配線的區(qū)域，這將制約配線的可配置區(qū)域。另外，根據(jù)上述專利文獻(xiàn)2所示的結(jié)構(gòu)，在設(shè)計絕緣配線基板的 配線時，還需要在配線之外的區(qū)域配置貫通孔和余量，并且，還需要 一并考慮間隙。所以，與上述專利文獻(xiàn)1的結(jié)構(gòu)同樣地，在配線基板 上需要確保不能配置配線的區(qū)域，這將制約配線的可配置區(qū)域。以具體數(shù)字表示如下，就目前可實現(xiàn)量產(chǎn)的水平而言，在貫通孔 的直徑為O.lmm時，不能實施配線的區(qū)域為自貫通孔中心起0.3mm的 區(qū)域范圍。這是在考慮下述三者的余量后得出的區(qū)域范圍，即貫通 孔的位置精度、阻焊層不會覆蓋貫通孔的距離、阻焊層能可靠地覆蓋 附近的配線的距離。根椐上述專利文獻(xiàn)1所示的結(jié)構(gòu)，還需要確保支 持體的配置區(qū)域，所以，不能實施配線的區(qū)域進(jìn)一步增加。另外，上述專利文獻(xiàn)l、 2均需要貫通孔加工步驟以設(shè)置上述貫通 孔，所以，這也將導(dǎo)致配線基板的制造成本上升。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明是鑒于上述問題而進(jìn)行開發(fā)的，其目的在于提供一種可減 小不能實施配線的區(qū)域并且可防止因所吸收的水分等受熱膨脹而發(fā)生 缺陷的絕緣配線基板及其制造方法以及使用了這種絕緣配線基板的半
導(dǎo)體封裝。為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的絕緣配線基板構(gòu)成為，其兩面形成 有導(dǎo)體層，并且，其中一面具有用于搭載半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體芯片搭載區(qū)域，該絕緣配線基;f反的特征在于上述兩面被阻焊層覆蓋，并且， 在半導(dǎo)體芯片搭載區(qū)域中至少有一個用于導(dǎo)通上述兩面的導(dǎo)體層的導(dǎo) 通孔貫通上述絕緣配線基板；上述絕緣配線基板的除上迷至少一個導(dǎo) 通孔部分之外的部分被阻焊層覆蓋。另外，為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種絕緣配線基板的制造 方法，其中，該絕緣配線基板的兩面形成有導(dǎo)體層，其中一面具有用 于搭載半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體芯片搭載區(qū)域，其特征在于，包括形成 導(dǎo)通孔的步驟，其中，該導(dǎo)通孔導(dǎo)通上述兩面的導(dǎo)體層；在形成有上 述導(dǎo)通孔的上述絕緣配線基板的兩面涂敷阻焊層的步驟；以及在上述 半導(dǎo)體芯片搭載區(qū)域中，至少除去一個上述導(dǎo)通孔部分的上述阻焊層 的步驟。根據(jù)上述絕緣配線基板及其制造方法，在絕緣配線基板的半導(dǎo)體 芯片搭載區(qū)域中，至少一個導(dǎo)通孔部分的阻焊層被除去，從而使得上 述至少一個導(dǎo)通孔貫通上述絕緣配線基板?；谏鲜?，本發(fā)明無需重新形成貫通孔，因此，不存在對絕緣配 線基板的配線區(qū)域的限制。并且，通過貫通孔排放水分，從而能夠防止絕緣配線基板因加熱 時吸收的水分氣化膨脹而發(fā)生基板損壞等的缺陷。另外，本發(fā)明無需重新形成貫通孔的步驟，因此，可縮短制造工 序的時間以及降4氐制造成本。本發(fā)明的其他目的、特征和優(yōu)點在以下的描述中會變得十分明了。 此外，以下參照附圖來明確本發(fā)明的優(yōu)點。


圖1是表示本發(fā)明的一個實施方式的圖，其中，圖l的(a)表示 絕緣配線基板的配線圖形，圖1的(b)表示沿圖1的(a)中的裁切 線A裁切后的剖面。圖2是對比說明上述實施方式的絕緣配線基板的制造流程和現(xiàn)有 技術(shù)的絕緣配線基板的制造流程的圖。
圖3 (a)是表示在上迷實施方式中導(dǎo)通孔(via hole)內(nèi)貫通孔的 配置示例的圖，表示在整個半導(dǎo)體芯片搭載區(qū)域中形成導(dǎo)通孔內(nèi)貫通 孔的情況。圖3 (b)是表示在上迷實施方式中導(dǎo)通孔內(nèi)貫通孔的配置示例的 圖，表示在半導(dǎo)體芯片搭載區(qū)域的中央部一處形成導(dǎo)通孔內(nèi)貫通孔的 情況。圖3 (c)是表示在上迷實施方式中導(dǎo)通孔內(nèi)貫通孔的配置示例的 圖，表示在半導(dǎo)體芯片搭載區(qū)域的四個角以及中央部一處分別形成導(dǎo) 通孔內(nèi)貫通孔的情況。圖4是表示BGA型半導(dǎo)體封裝的剖面的示意圖。 圖5是表示半導(dǎo)體封裝因加熱而產(chǎn)生的缺陷的圖。 圖6是表示現(xiàn)有技術(shù)中在絕緣配線基板中設(shè)置有用于排出水分的 貫通孔的結(jié)構(gòu)的圖，其中，圖6的(a)表示絕緣配線基板的配線圖形， 圖6的(b)表示沿圖6的(a)中的裁切線B裁切后的剖面。
具體實施方式
下面，根據(jù)圖1至圖3來說明本發(fā)明的一個實施方式。圖1的(a) 表示本實施方式的絕緣配線基板8的配線圖形，圖l的(b)表示在搭 栽半導(dǎo)體芯片1并沿圖1的(a)中的裁切線A裁切后的剖面。如圖1 的(a)和(b)所示，在絕緣配線基板8上設(shè)置有半導(dǎo)體芯片搭載區(qū) 域2，半導(dǎo)體芯片搭載區(qū)域2是用于搭栽半導(dǎo)體芯片1的區(qū)域。還設(shè)置 有作為配線圖形的信號配線3、導(dǎo)通孔4、引線鍵合端子5和導(dǎo)通孔內(nèi) 貫通孑L 6。半導(dǎo)體芯片搭栽區(qū)域2是絕緣配線基板8的用于搭栽半導(dǎo)體芯片1 的區(qū)域。在導(dǎo)通孔4的內(nèi)周部實施鍍銅，從而導(dǎo)通在絕緣配線基板8的上、 下表面形成的配線圖形。導(dǎo)通孔內(nèi)貫通孔6向外釋放水分，以防止所吸收的水分在加熱時 發(fā)生氣化膨脹。關(guān)于導(dǎo)通孔內(nèi)貫通孔6的具體情況，相見后述。引線鍵合端子5連接用于導(dǎo)通半導(dǎo)體芯片1和絕緣配線基板8的 細(xì)金屬絲。接著，根據(jù)圖2，說明絕緣配線基板8的制造方法。圖2是對比說明本實施方式的絕緣配線基板的制造流程和現(xiàn)有技術(shù)的絕緣配線基板 的制造流程的圖。首先，配線基板采用兩面覆銅基板，其中，上述兩面覆銅基板是通過在內(nèi)層基板20的兩面貼合銅箔21所得到的基板，上述內(nèi)層基板 20由浸漬環(huán)氧樹脂的玻璃纖維形成(S201)。在本實施方式中，采用 了厚度為0.07mm的內(nèi)層基板。另外，厚度為0.2mm以下的內(nèi)層基板 已成為主流。在上述配線基板上開口并形成用于導(dǎo)通配線基板的上、下兩面的 貫通孔23 (S202)。作為開口方法，可以考慮鉆頭加工法和激光加工 法。在本實施方式中，采用直徑為O.lmm的鉆頭的鉆頭加工法來形成 貫通孔。并且，將配線寬設(shè)定為50Mm，配線間的距離也設(shè)定為50m m。近年來，貫通孔已實現(xiàn)了小孔徑化，孔徑在0.2mm以下的貫通孔 已成為主流。在形成貫通孔23后，對其內(nèi)周部實施鍍銅22,從而導(dǎo)通配線基板 的上、下兩面的銅箔21 (S203 )。接著，在配線基板的上、下兩面的銅箔21上貼附用于形成圖形的 干膜24,借助于掩膜圖形實施定位并曝光，然后，通過蝕刻來形成干 膜24的圖形(S204)。之后，根據(jù)所貼附的干膜24的圖形，對配線基板的上、下兩面的 銅箔21進(jìn)行蝕刻加工從而形成配線圖形(S205 )。然后，剝離干膜24 (S206)。以上，i兌明了本實施方式通過減去法(subtractive method)由銅蕩 形成圖形的方法。在本實施方式中，圖形的厚度為15pm左右。另外， 厚度在10 y m ~ 20 jLi m左右的圖形已成為主流。另外，也可以是基于下述添加法(additive method)或半添加法 (semiadditive method)的基板，即對上、下兩面殘留有薄層銅箔的 基板或完全不存在銅箔的基板實施貫通孔加工，然后，通過實施鍍銅 來確保配線圖形和貫通孔內(nèi)部的導(dǎo)通。然后，對配線基板的上、下面全面涂敷阻焊層25 (S207)。在本 實施方式中，采用絲網(wǎng)印刷法涂敷上述阻焊層25。另外，也可以采用 滾涂法涂敷上述阻焊層25。接著，形成掩膜圖形(S208、 S209 )，利用光刻法除去阻焊層25(S210)。被除去阻焊層25的部分是用于實施引線鍵合的端子部分以 及相反一面的用于搭載外部端子的島部。同時除去導(dǎo)通孔(貫通孔23) 部分的阻焊層25，在導(dǎo)通孔的中央部形成導(dǎo)通孔內(nèi)貫通孔。最后，實施鍍鎳或鍍金，形成焊盤(S211)。如上所述，在本實施方式中，由于可利用導(dǎo)通孔制成用于釋放水 分的貫通孔，因此，無需在配線之外的區(qū)域另預(yù)留基于上述貫通孔、 余量、間隙等因素而不能實施配線的區(qū)域。并且，由于不存在區(qū)域的 限制，對配線布局的制約因素也因此得以克服。即，配線自由度得到 顯著提高。另外，根據(jù)本發(fā)明，不需要現(xiàn)有技術(shù)所必需的貫通孔形成步驟， 該貫通孔用于釋放水分(S212),因此，可有效降低成本。接著，說明上述所形成的配線基板的半導(dǎo)體芯片搭載區(qū)域下的導(dǎo) 通孔內(nèi)貫通孔6。導(dǎo)通孔4用于導(dǎo)通基板的半導(dǎo)體芯片搭載面?zhèn)群屯獠?連接端子搭載面?zhèn)鹊呐渚€圖形，除去導(dǎo)通孔4的中央部分的阻焊層從 而在導(dǎo)通孔4的中央部形成導(dǎo)通孔內(nèi)貫通孔6,以避免水分集中積存在 半導(dǎo)體芯片搭載區(qū)域下。更具體而言，如圖l所示，除去在半導(dǎo)體芯片搭載區(qū)域2內(nèi)形成 的導(dǎo)通孔4的中央部分的阻焊層，從而形成導(dǎo)通孔內(nèi)貫通孔6。由圖1可知，在本實施方式中，導(dǎo)通^5L內(nèi)貫通孔6形成在半導(dǎo)體 封裝實際使用的配線部分的導(dǎo)通孔4的中央部分。由此，水分不易于 局部地積存在搭載半導(dǎo)體芯片2的區(qū)域。所以，能夠釋放在搭載焊球 時或?qū)雽?dǎo)體封裝搭載至基板時因加熱而產(chǎn)生的水分，從而可防止半 導(dǎo)體封裝因水分氣化膨脹而發(fā)生膨脹等的缺陷。圖3表示導(dǎo)通孔內(nèi)貫通孔6的配置示例。其中，圖3(a)表示在 半導(dǎo)體芯片搭載區(qū)域2內(nèi)的所有導(dǎo)通孔4形成了導(dǎo)通孔內(nèi)貫通孔6的 情況，圖3 (b)表示在半導(dǎo)體芯片搭載區(qū)域2的中心部一處的導(dǎo)通孔 4形成了導(dǎo)通孔內(nèi)貫通孔6的情況，圖3 (c)表示在半導(dǎo)體芯片搭栽 區(qū)域2的四個角及中心部一處的導(dǎo)通孔4形成了導(dǎo)通孔內(nèi)貫通孔6的 情況。另外，在本實施方式中，導(dǎo)通孔內(nèi)貫通孔6的配置并不限于圖3 所示，在半導(dǎo)體芯片搭栽區(qū)域2內(nèi)的導(dǎo)通孔4形成的導(dǎo)通孔內(nèi)貫通孔6 并沒有數(shù)量上的限制。 用于釋放水分的貫通孔的數(shù)量越多，加熱時水分釋放的路徑就越 多，就越能有效地防止發(fā)生因加熱所導(dǎo)致的缺陷。還受半導(dǎo)體芯片搭載區(qū)域2的大小、半導(dǎo)體芯片搭栽區(qū)域2內(nèi)的導(dǎo)通孔4的數(shù)量、基板 厚度、配線圖形的影響。在形成導(dǎo)通孔內(nèi)貫通孔6時，也可以采用下述結(jié)構(gòu)進(jìn)行配置，即 除去50|im左右寬度的阻焊層而得到溝槽，以該溝槽來連接導(dǎo)通孔4 的被除去阻焊層的區(qū)域和其他導(dǎo)通孔4的^ 皮除去阻焊層的區(qū)域這樣的 結(jié)構(gòu)；自貫通孔起向周圍呈放射狀地除去阻焊層而得到溝槽，通過該 溝槽的區(qū)域來防止水分集中積存在半導(dǎo)體芯片搭載區(qū)域2下這樣的結(jié) 構(gòu)。另外，在本實施方式中，貫通孔徑在O.lmm以下。如果貫通孔徑 大于O.lmm,可能導(dǎo)致芯片負(fù)載增大并造成芯片出現(xiàn)裂紋。所以，貫 通孔徑優(yōu)選O.lmm以下。另外，就當(dāng)前的主流技術(shù)而言，貫通孔徑的 下限為O.lmm。在技術(shù)上也可實現(xiàn)0.07mm的貫通孔徑。但是，縮小孔 徑將導(dǎo)致成本的大幅度提高。如上所述，在本實施方式中，采用O.lmm 的貫通孔徑。接著，對半導(dǎo)體封裝進(jìn)行說明。在上述配線基板的半導(dǎo)體芯片搭 栽區(qū)域2上搭載半導(dǎo)體芯片。在該半導(dǎo)體芯片的與電路形成面相反的 面上具有片狀粘合材料。這種半導(dǎo)體芯片的形成方式為在晶圓研磨 后的晶圓背面貼附片狀粘合材料，對晶圓和片狀的粘合材料進(jìn)行切割 加工，從而在與電路形成面相反的面上得到具有片狀粘合材料的半導(dǎo) 體芯片。另外，在本實施方式中，半導(dǎo)體芯片的厚度為0.33mm,片狀粘合 材料的厚度為0.025 mm。但本發(fā)明并不限于此。另外，粘合材料也可以是液態(tài)粘合材料，但是，為避免粘合材料 從貫通孔泄漏，優(yōu)選非液態(tài)的片狀粘合材料。并且，半導(dǎo)體芯片1的焊盤部和配線基板的引線鍵合端子5之間 由細(xì)金屬絲連接。在本實施方式中，上述細(xì)金屬絲采用了直徑25 Mm 的金絲。接著，通過轉(zhuǎn)移成型法進(jìn)行樹脂密封以保護(hù)半導(dǎo)體芯片1和細(xì)金 屬絲。在本實施方式中，密封樹脂采用了環(huán)氧系樹脂。并且，對基板 的與樹脂密封面相反一側(cè)的面上的外部端子搭栽用島部涂敷焊劑，之
后，在各島部搭載焊球，通過回流爐進(jìn)行加熱以使焊球熔融并將其固 定在基板上從而形成外部端子。焊球采用無鉛焊球。另外，也可以對外部端子搭栽用島部涂敷焊膏以取代焊球，之后，通過回流爐進(jìn)行加熱從而形成外部端子。如果是LGA型半導(dǎo)體封裝， 也可以將外部端子搭載用島部直接用作為外部端子，在這種情況下， 在搭栽半導(dǎo)體封裝時，需要對基板側(cè)提供焊料。 最后，形成單片，完成半導(dǎo)體封裝的制作。如上所述，本發(fā)明的絕緣配線基板構(gòu)成為，其兩面形成有導(dǎo)體層， 并且，其中一面形成有用于搭載半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體芯片搭載區(qū)域， 該絕緣配線基板的特征在于上述兩面被阻焊層覆蓋，并且，在半導(dǎo) 體芯片搭栽區(qū)域中至少有一個用于導(dǎo)通上述兩面的導(dǎo)體層的導(dǎo)通孔貫 通上述絕緣配線基板；上述絕緣配線基板的除上述至少 一個導(dǎo)通孔部 分之外的部分被阻焊層覆蓋。另外，本發(fā)明絕緣配線基板的制造方法構(gòu)成為一種兩面形成有導(dǎo) 體層且其中一面具有用于搭載半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體芯片搭載區(qū)域的絕 緣配線基板的制造方法，其特征在于，包括形成導(dǎo)通孔的步驟，其 中，該導(dǎo)通孔導(dǎo)通上述兩面的導(dǎo)體層；在上述絕緣配線基板的兩面涂 敷阻焊層的步驟，其中，上述絕緣配線基板形成有上述導(dǎo)通孔；以及 在上述半導(dǎo)體芯片搭栽區(qū)域中，至少除去一個上述導(dǎo)通孔部分的上述 阻焊層的步驟。根椐上述絕緣配線基板及其制造方法，在絕緣配線基板的半導(dǎo)體 芯片搭載區(qū)域中，至少一個導(dǎo)通孔部分的阻焊層被除去，從而使得上 述至少一個導(dǎo)通孔貫通上述絕緣配線基板?；谏鲜觯景l(fā)明無需重新形成貫通孔，因此，不存在對絕緣配 線基板的配線區(qū)域的限制。并且，通過貫通孔排放水分，所以，能夠防止絕緣配線基板因加 熱時吸收的水分氣化膨脹而發(fā)生基板損壞等的缺陷。另外，本發(fā)明無需重新形成貫通孔的步驟，因此，可縮短制造工 序的時間以及降低制造成本。本發(fā)明的絕緣配線基板可以構(gòu)成為，至少形成有兩個貫通上述絕 緣配線基板的導(dǎo)通孔；按照預(yù)定幅寬除去上述至少兩個貫通的導(dǎo)通孔 之間的阻焊層。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，上述至少兩個導(dǎo)通孔之間由除去阻焊層所得到的 溝槽連接。由此，能夠防止水分集中積存在半導(dǎo)體芯片搭載區(qū)域下。其中，上述預(yù)定幅寬例如為50nm左右。另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝的特征在于，包括絕緣配線基板， 其兩面形成有導(dǎo)體層，其中一面具有用于搭栽半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體芯 片搭載區(qū)域，形成有導(dǎo)通上述兩面的導(dǎo)體層的導(dǎo)通孔，并且，在半導(dǎo) 體芯片搭栽區(qū)域的導(dǎo)通孔中至少有一個導(dǎo)通孔貫通上述絕緣配線基 板；以及半導(dǎo)體芯片，被搭栽于上述絕緣配線基板的半導(dǎo)體芯片搭載 區(qū)域，上述半導(dǎo)體芯片被樹脂密封。根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，在半導(dǎo)體封裝的絕緣配線基板的半導(dǎo)體芯片搭載 區(qū)域中，至少有一個導(dǎo)通孔貫通上述絕緣配線基板?；谏鲜?，本發(fā)明無需重新形成貫通孔，因此，不存在對絕緣配 線基板的配線區(qū)域的限制。并且，通過貫通孔排放水分，所以，能夠防止因制成半導(dǎo)體封裝 時進(jìn)行加熱所吸收的水分氣化膨脹而發(fā)生基板損壞等的缺陷。另外，本發(fā)明無需重新形成貫通孔的步驟，因此，可縮短制造工 序的時間以及降低制造成本。本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝還可以構(gòu)成為，包括上述絕緣配線基板以及述^導(dǎo)體芯片被樹脂;4。、' 。、,'"根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，也能取得上述效果。例。本發(fā)明不;于上:i:示例，不應(yīng)對本發(fā)明進(jìn)行狹義的解釋，可 在本發(fā)明的精神和權(quán)利要求的范圍內(nèi)進(jìn)行各種變更來實施之。
權(quán)利要求
1. 一種絕緣配線基板(8)，其兩面形成有導(dǎo)體層，并且，其中一面具有用于搭載半導(dǎo)體芯片(1)的半導(dǎo)體芯片搭載區(qū)域(2)，其特征在于上述兩面被阻焊層(25)覆蓋，并且，在半導(dǎo)體芯片搭載區(qū)域(2)中至少有一個導(dǎo)通孔(4)貫通上述絕緣配線基板(8)；上述絕緣配線基板(8)的除上述至少一個導(dǎo)通孔(4)部分之外的部分被阻焊層(25)覆蓋，其中，該導(dǎo)通孔(4)用于導(dǎo)通上述兩面的導(dǎo)體層。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的絕緣配線基板(8),其特征在于 至少形成有兩個貫通上述絕緣配線基板(8)的導(dǎo)通孔(4); 按照預(yù)定幅寬除去上述至少兩個貫通的導(dǎo)通孔(4)之間的阻焊層(25)。
3. —種半導(dǎo)體封裝，其特征在于，包括絕緣配線基板(8),其兩面形成有導(dǎo)體層，其中一面具有 用于搭載半導(dǎo)體芯片(1)的半導(dǎo)體芯片搭栽區(qū)域(2),形成有導(dǎo)通 上述兩面的導(dǎo)體層的導(dǎo)通孔(4)，并且，在半導(dǎo)體芯片搭載區(qū)域(2) 的導(dǎo)通孔(4)中至少有一個導(dǎo)通孔(4)貫通上述絕緣配線基板(8); 以及半導(dǎo)體芯片(1),被搭載于上述絕緣配線基板(8)的半導(dǎo)體芯 片搭載區(qū)域(2)，上述半導(dǎo)體芯片(1 )被樹脂密封。
4. 一種半導(dǎo)體封裝，其特征在于，包括權(quán)利要求1或2所述的絕緣配線基板(8 );以及半導(dǎo)體芯上述半恭體芯片'm被樹月 密封。、"& ' z
5. —種絕緣配線基板(8)的制造方法，其中，該絕緣配線基板 (8)的兩面形成有導(dǎo)體層，其中一面具有用于搭栽半導(dǎo)體芯片(1)的半導(dǎo)體芯片搭載區(qū)域(2),其特征在于，包括形成導(dǎo)通孔(4)的步驟，其中，該導(dǎo)通孔(4)導(dǎo)通上述兩面的 導(dǎo)體層；在上述絕緣配線基板(8)的兩面涂敷阻焊層(25)的步驟，其中， 上述絕緣配線基板(8)形成有上述導(dǎo)通孔(4);以及 在上述半導(dǎo)體芯片搭栽區(qū)域(2 )中，至少除去一個上述導(dǎo)通孔(4 ) 部分的上述阻焊層(25)的步驟。
全文摘要
本發(fā)明涉及絕緣配線基板及其制造方法和使用了該基板的半導(dǎo)體封裝。本發(fā)明提供一種絕緣配線基板。該絕緣配線基板的兩面被阻焊層覆蓋，并且，在半導(dǎo)體芯片搭載區(qū)域中至少有一個用于導(dǎo)通兩面的導(dǎo)體層的導(dǎo)通孔貫通絕緣配線基板，絕緣配線基板的除上述至少一個導(dǎo)通孔部分之外的部分被阻焊層覆蓋。因此，本發(fā)明能夠?qū)崿F(xiàn)一種可減小不能實施配線的區(qū)域并且可防止因所吸收的水分等受熱膨脹而發(fā)生缺陷的絕緣配線基板。
文檔編號H01L23/498GK101399249SQ20081021524
公開日2009年4月1日 申請日期2008年9月22日 優(yōu)先權(quán)日2007年9月25日
發(fā)明者曾田義樹, 龍見和亮 申請人:夏普株式會社