專利名稱：光電半導(dǎo)體裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明關(guān)于一種半導(dǎo)體光電元件，尤其關(guān)于一種半導(dǎo)體光電元件的電極結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)發(fā)光二極管存在著電流密度分布不均的現(xiàn)象，稱的為電流擁塞(CurrentCrowding)。電流擁塞常常會(huì)造成元件局部熱累積，同時(shí)使得發(fā)光效率減低，情況嚴(yán)重者甚至還可能造成元件損壞。 發(fā)光二極管的電極結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)(layout)主要是為了解決電流擁塞現(xiàn)象，增加電流注入半導(dǎo)體層的均勻性。主要考慮的結(jié)構(gòu)參數(shù)包括P型電極與n型電極的間的距離以及打線墊(pad)與延伸線路(finger)的擺設(shè)位置。然而，隨著發(fā)光二極管的操作功率的增高，造成芯片尺寸的加大，使得在延伸線路末端的電流傳遞明顯受到電阻累積的影響而常發(fā)生注入不均勻的結(jié)果。 目前有些設(shè)計(jì)將p型與n型電極做在芯片的上下兩端，即所謂的垂直型芯片。但此法須要將外延基板去除使原本連接基板的第一電性層暴露出，以于此表面形成第一電極。另須在原本外延結(jié)構(gòu)表面的第二電性層之上形成反射層、第二電極、與永久基板，工藝頗為繁復(fù)致使良率不易維持與工藝成本偏高。

發(fā)明內(nèi)容
—種半導(dǎo)體光電元件，包含基板；半導(dǎo)體系統(tǒng)，包含有源層形成于基板之上；及電極結(jié)構(gòu)，形成于半導(dǎo)體系統(tǒng)之上，此電極結(jié)構(gòu)包含第一電性接觸區(qū)或第一電性打線墊，第二電性打線墊，第一電性延伸線路，及第二電性延伸線路，其中第一電性延伸線路與第二電性延伸線路以立體跨接方式交錯(cuò)，且部分第一電性延伸線路與第一電性接觸區(qū)或第一型打線墊位在有源層的相異兩側(cè)。 本發(fā)明乃利用立體交錯(cuò)的方法，使得發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)中兩種不同電性的電極結(jié)構(gòu)(包含打線墊與延伸線路)更有設(shè)計(jì)上的彈性空間，并且兼顧工藝穩(wěn)定性高與成本低的好處。


圖式簡單說明如下 圖1是依本發(fā)明設(shè)計(jì)第一實(shí)施例的一種半導(dǎo)體光電元件其電極結(jié)構(gòu)的俯視 圖2A是本發(fā)明第一實(shí)施例的半導(dǎo)體光電元件電極結(jié)構(gòu)于p型延伸線路與n型延伸線路交會(huì)跨接處A-A'的剖面圖； 圖2B是本發(fā)明第一實(shí)施例的半導(dǎo)體光電元件電極結(jié)構(gòu)于n型接觸區(qū)B-B'的剖面圖； 圖3是依本發(fā)明設(shè)計(jì)第二實(shí)施例的一種半導(dǎo)體光電元件其電極結(jié)構(gòu)的俯視 圖4是依本發(fā)明設(shè)計(jì)第三實(shí)施例的一種半導(dǎo)體光電元件其電極結(jié)構(gòu)的俯視 圖5是依本發(fā)明設(shè)計(jì)第四實(shí)施例的一種半導(dǎo)體光電元件其電極結(jié)構(gòu)的俯視圖； 圖6是本發(fā)明設(shè)計(jì)第五實(shí)施例的一種半導(dǎo)體光電元件其電極結(jié)構(gòu)的俯視圖。 主要元件符號說明 101、301、401、501、601 p型打線墊 102、206、302、402、502、602 p型延伸線路 103、208、303、403 n型接觸區(qū) 104、207、304、404、503 n型延伸線路 105、305、405、504、604 n型打線墊 201 基板 202 第一電性層 203有源層 204 第二電性層 205、505 絕緣層 5021、6021 直向p型延伸線路 5022、6022 橫向p型延伸線路 503K6031 直向n型延伸線路 605 橫向絕緣層 5032、6032 橫向n型延伸線路
具體實(shí)施例方式
為了更清楚地理解本發(fā)明的目的、特征和優(yōu)點(diǎn)，以下配合圖式說明本發(fā)明的實(shí)施例。但值得注意的是，為了清楚描述起見，本說明書所附的圖式并未按照比例尺加以繪示。
請參考圖l，是依本發(fā)明設(shè)計(jì)第一實(shí)施例的一種半導(dǎo)體光電元件其電極結(jié)構(gòu)的俯視圖，包括至少一個(gè)P型打線墊101 、多條p型延伸線路102、多個(gè)n型接觸區(qū)103、多條n型延伸線路104、及至少一個(gè)n型打線墊105。其中p型延伸線路102形成多個(gè)封閉對稱形狀，且有至少一個(gè)P型打線墊101形成在p型延伸線路之上。而n型接觸區(qū)103則設(shè)置在上述封閉對稱形狀之中，并以多條n型延伸線路104互相電性連接。此外，p型延伸線路102與n型延伸線路104分別電性連接至p型打線墊101與n型打線墊105。在本實(shí)施例中，p型延伸線路102與n型延伸線路104交會(huì)的立體跨接處106(stericcrossover)，以絕緣層分隔，形成立體交錯(cuò)設(shè)計(jì)。其中上述電極結(jié)構(gòu)材料可選自鉻(Cr)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、鉬(Pt)、銅(Cu)、金(Au)、鋁(Al)、或銀(Ag)等金屬材料。 以下以工藝流程配合圖1、圖2A與圖2B說明本發(fā)明第一實(shí)施例制作方法半導(dǎo)體光電元件包含一個(gè)形成于基板201上的半導(dǎo)體系統(tǒng)及形成在半導(dǎo)體系統(tǒng)之上的電極結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體系統(tǒng)包含可以進(jìn)行或誘發(fā)光電能轉(zhuǎn)換的半導(dǎo)體元件、裝置、產(chǎn)品、電路、或應(yīng)用。具體而言，半導(dǎo)體系統(tǒng)包含發(fā)光二極管(light-emitting diode ;LED)、激光二極管(laserdiode ;U))、太陽會(huì)她池(solar cell)、有機(jī)發(fā)光二極管(organic light-emitting diode)中至少其一。于本說明書中"半導(dǎo)體系統(tǒng)"一詞并非限制該系統(tǒng)內(nèi)所有次系統(tǒng)或單元皆以半導(dǎo)體材料制成，其他非半導(dǎo)體材料，例如金屬、氧化物、絕緣體等皆可選擇性地整合于此半導(dǎo)體系統(tǒng)之中。
4
于本發(fā)明的第一實(shí)施例中，半導(dǎo)體系統(tǒng)最少包含一第一電性層202、一有源層 (active layer) 203、以及一第二電性層204。第一電性層202及一第二電性層204彼此中 至少二個(gè)部分的電性、極性或摻雜物相異、或者分別用以提供電子與空穴的材料單層或多 層("多層"指二層或二層以上，以下同。)若第一電性層202及一第二電性層204由半導(dǎo) 導(dǎo)體材料構(gòu)成，則其電性選擇可以為P型、n型、及i型中至少任意二者的組合。有源層203 位于第一電性層202及第二電性層204之間，為電能與光能可能發(fā)生轉(zhuǎn)換或被誘發(fā)轉(zhuǎn)換的 區(qū)域。電能轉(zhuǎn)變或誘發(fā)光能者如發(fā)光二極管、有機(jī)發(fā)光二極管；光能轉(zhuǎn)變或誘發(fā)電能者如太 陽能電池、光電二極管。 以發(fā)光二極管而言，轉(zhuǎn)換后光的發(fā)光頻譜可以藉由改變半導(dǎo)體系統(tǒng)中一層或多 層的物理或化學(xué)配置進(jìn)行調(diào)整。常用的材料如磷化鋁鎵銦(AlGalnP)系列、氮化鋁鎵銦 (AlGalnN)系列、氧化鋅(ZnO)系列，半導(dǎo)體系統(tǒng)并包含一種或一種以上的物質(zhì)選自鎵 (Ga)、鋁(Al)、銦(In)、石串(As)、磷(P)、氮(N)以及硅(Si)所構(gòu)成群組。有源層203的結(jié) 構(gòu)如單異質(zhì)結(jié)構(gòu)(singleheterost潔ture ;SH)、雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)(double heterostructure ; DH)、雙側(cè)雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)(double-side double heterostructure ;DDH)、或多層量子阱 (multi-quantum well ;MQW)。再者，調(diào)整量子阱的對數(shù)亦可以改變發(fā)光波長。
基板201用以成長或承載半導(dǎo)體系統(tǒng)，適用的材料系包含但不限于鍺(Ge)、砷化 鎵(GaAs)、銦化磷(InP)、藍(lán)寶石(s即phire)、碳化硅(SiC)、硅(Si)、鋁酸鋰(LiA10》、氧 化鋅(ZnO)、氮化鎵(GaN)、氮化鋁(A1N)、玻璃、復(fù)合材料(composite)、鉆石、CVD鉆石、與 類鉆碳(diamond-like carbon ;DLC)等。 基板201與半導(dǎo)體系統(tǒng)之間還可選擇性地包含一過渡層(未顯示)。過渡層介于二 種材料系統(tǒng)之間，使基板的材料系統(tǒng)"過渡"至半導(dǎo)體系統(tǒng)的材料系統(tǒng)。對發(fā)光二極管的結(jié) 構(gòu)而言，一方面，過渡層是例如緩沖層(buffer layer)等用以降低二種材料間晶格不匹配 的材料層。另一方面，過渡層亦可以是用以結(jié)合二種材料或二個(gè)分離結(jié)構(gòu)的單層、多層或結(jié) 構(gòu)，其可選用的材料如有機(jī)材料、無機(jī)材料、金屬、及半導(dǎo)體等；其可選用的結(jié)構(gòu)如反射 層、導(dǎo)熱層、導(dǎo)電層、歐姆接觸(ohmic contact)層、抗形變層、應(yīng)力釋放(stressrelease)
層、應(yīng)力調(diào)整(stress adjustment)層、接合(bonding)層、波長轉(zhuǎn)換層、及機(jī)械固定構(gòu)造等。 第二電性層204上還可選擇性地形成一接觸層(未顯示)。接觸層設(shè)置于第二電 性層204遠(yuǎn)離有源層203的一側(cè)。具體而言，接觸層可以為光學(xué)層、電學(xué)層、或其二者的組 合。光學(xué)層可以改變來自于或進(jìn)入有源層203的電磁輻射或光線。在此所稱的"改變"是 指改變電磁輻射或光的至少一種光學(xué)特性，前述特性包含但不限于頻率、波長、強(qiáng)度、通量、 效率、色溫、演色性(rendering index)、光場(light field)、及可視角(angle of view)。 電學(xué)層可以使得接觸層的任一組相對側(cè)間的電壓、電阻、電流、電容中至少其一的數(shù)值、密 度、分布發(fā)生變化或有發(fā)生變化的趨勢。接觸層的構(gòu)成材料包含氧化物、導(dǎo)電氧化物、透明 氧化物、具有50%或以上穿透率的氧化物、金屬、相對透光金屬、具有50%或以上穿透率的 金屬、有機(jī)質(zhì)、無機(jī)質(zhì)、螢光物、磷光物、陶瓷、半導(dǎo)體、摻雜的半導(dǎo)體、及無摻雜的半導(dǎo)體中 至少其一。于某些應(yīng)用中，接觸層的材料為氧化銦錫、氧化鎘錫、氧化銻錫、氧化銦鋅、氧化 鋅鋁、與氧化鋅錫中至少其一。若為相對透光金屬，其厚度約為0. 005 ii m 0. 6 ii m。
蝕刻上述第二電性層204與有源層203至暴露出部分不連續(xù)的第一電性層202。然后在第二電性層上特定區(qū)域鋪蓋絕緣層205，以避免隨后要形成的n型接觸區(qū)直接與第二電性層204與有源層203接觸而造成電性短路。的后依電極結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，利用黃光法定義出n型接觸區(qū)208、 p型延伸線路206與p型打線墊(未顯示)的位置，使用蒸鍍或電鍍方式使金屬覆蓋于上述定義區(qū)域，形成n型接觸區(qū)208、 p型延伸線路206與p型打線墊(未顯示)。 接著利用高介電材料，例如SiOx、 SiNx、 A1203、 TiOx等無機(jī)氧化物或有機(jī)介電材料覆蓋絕緣層于整個(gè)元件表面后，再利用黃光、蝕刻等工藝暴露出已經(jīng)形成的n型接觸區(qū)208與P型打線墊(未顯示)。最后使用黃光工藝定義出n型打線墊208及n型延伸線路207的位置，再使用蒸鍍或電鍍方式使金屬覆蓋于上述定義的區(qū)域，形成n型打線墊208及n型延伸線路207，完成本發(fā)明所謂具有立體交錯(cuò)形式的電極結(jié)構(gòu)。 圖2A是本發(fā)明第一實(shí)施例的半導(dǎo)體光電元件的電極結(jié)構(gòu)于圖一的p型延伸線路102與n型延伸線路104的一交會(huì)跨接處A-A'的剖面圖。p型延伸線路206形成于第二電性層204之上， 一絕緣層205形成于p型延伸線路206與第二電性層204之上，最后再形成一 n型延伸線路207于絕緣層205之上，與p型延伸線路206電性隔絕，而形成立體交錯(cuò)形式。 圖2B是本發(fā)明第一實(shí)施例的半導(dǎo)體光電元件的電極結(jié)構(gòu)于n型接觸區(qū)B_B'的剖面圖。形成一絕緣層205包圍上述第二電性層204與有源層203之后，形成一 n型延伸線路207于絕緣層205之上與第二電性層204電性隔絕后，再以金屬形成一 n型接觸區(qū)208。其中n型接觸區(qū)208的金屬直接接觸第一電性層202，而n型延伸線路207則形成在有源層203的上方。 圖3與圖4是顯示依本發(fā)明設(shè)計(jì)第二與第三實(shí)施例的一種半導(dǎo)體光電元件其電極結(jié)構(gòu)的俯視圖包括至少一個(gè)p型打線墊301、401 ;多條p型延伸線路302、402 ;多個(gè)n型接觸區(qū)303、403 ;多條n型延伸線路304、404 ;及至少一個(gè)n型打線墊305、405。其中p型延伸線路形成多個(gè)封閉對稱形狀，而n型接觸區(qū)則設(shè)置在上述封閉對稱形狀之中，并以多條n型延伸線路互相電性連接；此外，p型延伸線路與n型延伸線路分別電連接至p型打線墊與n型打線墊。在本設(shè)計(jì)中，p型延伸線路與n型延伸線路交會(huì)的立體跨接處(stericcrossover)，以絕緣層分隔，形成立體交錯(cuò)設(shè)計(jì)。 圖5與圖6是顯示本發(fā)明電極結(jié)構(gòu)的另一種實(shí)施方式。圖5是顯示依本發(fā)明設(shè)計(jì)第四實(shí)施例的一種半導(dǎo)體光電元件其電極結(jié)構(gòu)的俯視圖，包括至少一個(gè)P型打線墊501、多條P型延伸線路502、多條n型延伸線路503、至少一個(gè)n型打線墊504及多個(gè)絕緣層505。
p型延伸線路502形成多個(gè)封閉形狀，包含多條直向p型延伸線路5021、及多條橫向P型延伸線路5022。多條直向n型延伸線路5031與橫向n型延伸線路5032則設(shè)置在上述p型延伸線路中，其中部分直向p型延伸線路5021與n型延伸線路5032形成立體交錯(cuò)跨接。至少一個(gè)P型打線墊501形成在直向p型延伸線路5021與橫向p型延伸線路5022交會(huì)處。 在本實(shí)施例中，直向n型延伸線路5031與橫向n型延伸線路5032皆以形成溝渠
(圖式包圍n型延伸線路的方框)的方式，蝕刻第二電性層與有源層至暴露出部分第一電性
層而與第一電性層電性連接，詳細(xì)實(shí)施方式與上述第一實(shí)施例相同，不再贅述。 在橫向n型延伸線路5032的溝渠形成后，于直向p型延伸線路5021與橫向n型延伸線路5032欲交錯(cuò)跨接的區(qū)域覆蓋絕緣層505，再形成直向p型延伸線路5021于上述絕緣層505上，以形成兩不同電性電極的立體跨接。 至少一個(gè)n型打線墊504設(shè)置在直向n型延伸線路5031與橫向n型延伸線路5032的交錯(cuò)區(qū)域，其形成是藉由絕緣層505覆蓋n型延伸線路溝渠區(qū)，而以導(dǎo)線(未顯示)電連接n型延伸線路至絕緣層之上，形成n型打線墊504于有源層之上。 圖6是顯示依本發(fā)明設(shè)計(jì)第五實(shí)施例的一種半導(dǎo)體光電元件其電極結(jié)構(gòu)的俯視圖，包括至少一個(gè)P型打線墊601 、多條p型延伸線路602、多條n型延伸線路603、至少一個(gè)n型打線墊604及至少一個(gè)橫向絕緣層605。 p型延伸線路602形成多個(gè)封閉形狀，包含多條直向p型延伸線路6021、及多條橫向P型延伸線路6022。多條直向n型延伸線路6031與橫向n型延伸線路6032則設(shè)置在上述P型延伸線路中，其中部分直向P型延伸線路6021與n型延伸線路6032形成立體交錯(cuò)跨接。至少一個(gè)P型打線墊601形成在直向p型延伸線路6021與橫向p型延伸線路6022交會(huì)處。 在本實(shí)施例中，直向的n型延伸線路6031以形成溝渠(圖式包圍n型延伸線路的方框)的方式，蝕刻第二電性層與有源層至暴露出部分第一電性層而與第一電性層電性連接，詳細(xì)實(shí)施方式與以上述第一實(shí)施例相同，不再贅述。 在形成直向n型延伸線路6031的溝渠后，形成一橫向絕緣層605，可隔絕直向p型延伸電路6021與的后形成的橫向n型延伸電路6032。再形成一橫向n型延伸線路6032電性連接直向n型延伸線路6031。其中橫向n型延伸線路6032與直向p型延伸線路6021交錯(cuò)的區(qū)域，藉由上述橫向絕緣層605形成兩不同電性電極的立體跨接。
至少一個(gè)n型打線墊604設(shè)置在直向n型延伸線路6031與橫向n型延伸線路6032的交錯(cuò)區(qū)域，直接與橫向n型延伸線路6032電性連接，不需形成溝渠，可直接暴露出而與其他打線連接。但n型打線墊604也可設(shè)置于溝渠區(qū)中，直接電性連接第一電性層及其他打線。 此外，本發(fā)明的半導(dǎo)體光電元件還可以進(jìn)一步地與其他元件組合連接以形成一發(fā)光裝置(light-emitting即paratus)。此發(fā)光裝置包含一具有至少一 電路的次載體(sub-mount);至少一焊料(solder)位于上述次載體上，藉由此焊料將半導(dǎo)體光電元件黏結(jié)固定于次載體上并使半導(dǎo)體光電元件的基板與次載體上的電路形成電連接；以及，一電性連接結(jié)構(gòu)，以電性連接半導(dǎo)體光電元件的電極結(jié)構(gòu)與次載體上的電路；其中，上述的次載體可以是導(dǎo)線架(leadframe)或大尺寸鑲嵌基底(mounting substrate)，以方便發(fā)光裝置的電路規(guī)劃并提高其散熱效果。 本發(fā)明的電極結(jié)構(gòu)較習(xí)用設(shè)計(jì)有更多優(yōu)點(diǎn)，例如p型延伸線路與n型延伸線路，不再需要受到彼此保持某個(gè)距離范圍的原則限制，而是可讓第二電性延伸線路獨(dú)自布置成半封閉或封閉圖案。而第一電性延伸線路則采取在封閉圖形中心點(diǎn)與第二電性層表面有跳躍式接觸的方式進(jìn)行布局。此種電極結(jié)構(gòu)將電流的分布區(qū)隔成數(shù)個(gè)次單元(半封閉或封閉圖案)并以幾何對稱的概念將電流均勻注入發(fā)光二極管。因此，本發(fā)明的電極結(jié)構(gòu)可以在芯片尺寸大幅增加時(shí)而簡單地利用增加次單元的數(shù)目而完成。 此外，本發(fā)明將部分n型延伸線路與n型接觸區(qū)或n型打線墊設(shè)置在有源層相異兩側(cè)，而與P型延伸線路做立體跨接，不須要像習(xí)知方式挖除過多的半導(dǎo)體面積，可以減少半導(dǎo)體光電元件的可用面積因設(shè)計(jì)上的損失進(jìn)而提升發(fā)光效率。 以上各圖式與說明雖僅分別對應(yīng)特定實(shí)施例，然而，各個(gè)實(shí)施例中所說明或揭露的元件、實(shí)施方式、設(shè)計(jì)準(zhǔn)則、及技術(shù)原理除在彼此顯相沖突、矛盾、或難以共同實(shí)施之外，可依其所需任意參照、交換、搭配、協(xié)調(diào)、或合并。 雖然本發(fā)明已說明如上，然其并非用以限制本發(fā)明的范圍、實(shí)施順序、或使用的材料與工藝方法。對于本發(fā)明所作的各種修飾與變更，皆不脫本發(fā)明的精神與范圍。
權(quán)利要求
一種半導(dǎo)體光電元件，包含基板；半導(dǎo)體系統(tǒng)形成于該基板之上，包含有源層；及電極結(jié)構(gòu)，形成于該半導(dǎo)體系統(tǒng)之上，該電極結(jié)構(gòu)包含第一電性接觸區(qū)及第一電性打線墊至少其一；第二電性打線墊；第一電性延伸線路；及第二電性延伸線路，其中該第一電性延伸線路與該第二電性延伸線路以立體跨接方式交錯(cuò)，且部分該第一電性延伸線路與該第一電性接觸區(qū)或該第一電性打線墊位在該有源層的相異兩側(cè)。
2. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體光電元件，其中該半導(dǎo)體系統(tǒng)還包含第一電性層及第二電性層。
3. 如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體光電元件，其中該第一電性延伸線路電性連接該第一電性接觸區(qū)或該第一電性打線墊，且該第二電性延伸線路電性連接該第二電性打線墊。
4. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體光電元件，其中該第二電性延伸線路形成封閉的對稱幾何結(jié)構(gòu)，包括三角形、四邊形、菱形、六角形或八角形。
5. 如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體光電元件，其中該第一電性接觸區(qū)或該第一電性打線墊形成于該第二電性延伸線路形成的對稱幾何結(jié)構(gòu)的中央或至少兩條該第一電性延伸線路交會(huì)處。
6. 如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體光電元件，其中該第二電性打線墊形成于該第二電性延伸線路形成的對稱幾何結(jié)構(gòu)之上。
7 如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體光電元件，其中該第二電性延伸線路形成于該第二電性層之上，并與該第二電性層電性連接。
8. 如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體光電元件，還包括絕緣層形成于該第二電性層之上或該第一電性延伸線路與該第二電性延伸線路的交會(huì)處。
9. 如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體光電元件，其中該第一電性延伸線路形成于該絕緣層之上。
10. 如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體光電元件，其中該第一電性接觸區(qū)與該第一電性層直接接觸且與該第一電性層電性連接。
11. 如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體光電元件，其中該第一電性延伸線路包含直向第一電性延伸線路與橫向第一電性延伸線路且該橫向第一電性延伸線路之下覆蓋橫向絕緣層。
12. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體光電元件，其中該半導(dǎo)體系統(tǒng)包含發(fā)光二極管、激光二極管、太陽能電池、有機(jī)發(fā)光二極管中至少其一。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體光電元件，包含基板；半導(dǎo)體系統(tǒng)，包含有源層形成于基板之上；及電極結(jié)構(gòu)，形成于半導(dǎo)體系統(tǒng)之上，此電極結(jié)構(gòu)包含第一電性接觸區(qū)或第一電性打線墊，第二電性打線墊，第一電性延伸線路，及第二電性延伸線路，其中第一電性延伸線路與第二電性延伸線路以立體跨接方式交錯(cuò)，且部分第一電性延伸線路與第一電性接觸區(qū)或第一型打線墊位于有源層的相異兩側(cè)。
文檔編號H01S5/00GK101752332SQ200810184859
公開日2010年6月23日 申請日期2008年12月5日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月5日
發(fā)明者王健源, 謝明勛, 陳威佑, 陳彥文, 陳澤澎 申請人:晶元光電股份有限公司