專利名稱：發(fā)光裝置、電子設(shè)備以及成膜方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及通過電致發(fā)光(electroluminescence)進(jìn)行發(fā)光的發(fā)光 裝置、電子設(shè)備及適用于它們的制造的優(yōu)選成膜方法。
背景技術(shù)：
作為薄型、輕量的發(fā)光源，提供有OLED (organic light emitting diode:有機(jī)發(fā)光二極管)，即有機(jī)EL ( electro luminescent:電致發(fā)光) 元件。有機(jī)EL元件具有將由有機(jī)材料形成的至少一層有機(jī)薄膜用像素 電極和對(duì)置電極夾持的結(jié)構(gòu)。在該情況下，像素電極例如作為陽極發(fā)揮 功能，對(duì)置電極作為陰極發(fā)揮功能。在電流流至兩者間的同時(shí)，電流還 流至上述有機(jī)薄膜，由此，該有機(jī)薄膜或有機(jī)EL元件發(fā)光。在該情況 下，由于其發(fā)光的強(qiáng)度與有機(jī)薄膜中流動(dòng)的電流的大小對(duì)應(yīng)，所以，關(guān) 于該電流的控制，換言之，關(guān)于針對(duì)像素電極及對(duì)置電極各自的電位設(shè) 定等，需要給予足夠的注意。
如果排列多個(gè)這樣的有機(jī)EL元件，并且對(duì)其中每個(gè)適當(dāng)控制發(fā)光 及非發(fā)光，則能夠顯示具有所希望的意義內(nèi)容的圖像等。
作為該有機(jī)EL元件或具備它的圖像顯示裝置，例如已知有專利文 獻(xiàn)l所公開的裝置。特開2001 - 284(M1號(hào)公報(bào)
但是，在上述那樣的圖像顯示裝置中，除了已經(jīng)描述的與電流控制 相關(guān)的問題之外，還存在與有機(jī)EL元件的壽命相關(guān)的問題。即，上述 的有機(jī)薄膜當(dāng)然不具有永遠(yuǎn)不變地持續(xù)發(fā)光的性質(zhì)，在使用時(shí)間等經(jīng)過 了很長(zhǎng)時(shí)期等情況下，最終會(huì)耗盡其壽命而變得不能發(fā)光。
但是，關(guān)于有機(jī)EL元件的壽命，成為最大問題的不是這樣的自然 壽命，而是導(dǎo)致該壽命縮短的因素。該因素的代表是大氣中的水分或氧 的存在。即，如果它們進(jìn)入到有機(jī)薄膜中，則會(huì)降低其導(dǎo)電性等、促使其特性劣化，或者降低該有機(jī)薄膜與上述電極之間的密接性，造成惡劣 影響。
為了應(yīng)對(duì)這樣的問題，以前利用了所謂"薄膜密封"這一技術(shù)。該
技術(shù)通過以覆蓋有機(jī)EL元件的方式，形成例如氮化硅等在上述氧及水 分等的密封功能方面出色的陶瓷薄膜等，來防止它們進(jìn)入到該有機(jī)EL 元件。
但是，在這樣的薄膜密封技術(shù)中存在以下問題。即，如上所述，起 到上述密封功能的材料大多利用氮化硅、氧氮化硅等，其性質(zhì)為硬度比 較大的材料，因此存在著容易產(chǎn)生裂縫這樣的問題。如果實(shí)際產(chǎn)生了裂 縫，則雖然已成膜，但結(jié)果會(huì)導(dǎo)致通過該裂縫允許水分、氧進(jìn)入，從而 無法期待該膜的密封功能的充分發(fā)揮。
另外，上述專利文獻(xiàn)l公開了這樣的"薄膜密封"技術(shù)的一種應(yīng)用 形式。在該專利文獻(xiàn)1中，"無機(jī)鈍化膜"被賦予具有水分阻斷功能(專 利文獻(xiàn)l的
等)。即，該文獻(xiàn)公開的技術(shù)的要點(diǎn)如下(以下，[]內(nèi) 的記載都表示與專利文獻(xiàn)1有關(guān)的權(quán)利要求項(xiàng)編號(hào)或段落編號(hào))。
即，(i),在有機(jī)EL元件間形成"設(shè)置且…從基板突出的""覆蓋 隔壁的兩個(gè)側(cè)面的密封膜"(權(quán)利要求l)， (ii)以覆蓋上述密封膜的方 式形成上述無機(jī)鈍化膜([權(quán)利要求l、
)形成。(iv)關(guān)于該"隔壁的兩個(gè)側(cè)面"， 在"隔壁的兩個(gè)側(cè)面的倒錐形部分"，"認(rèn)為水分、氧容易通過"(
的表達(dá)，形成"覆蓋隔壁的兩個(gè)側(cè)面的密封 膜，，)，與解決上述問題在邏輯上沒有任何關(guān)系。
另外，在專利文獻(xiàn)1的技術(shù)中，根據(jù)該文獻(xiàn)的[權(quán)利要求l]中的記 載，且從前面所述的內(nèi)容也可以看出，"密封膜"的形成本來就是必須 的，相應(yīng)地需要多余的制造步驟，而且還存在成本增高的問題(從實(shí)現(xiàn) "薄膜密封"這一點(diǎn)來說，只要有"無機(jī)鈍化膜，，便可)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明鑒于上述問題而提出，其課題是提供一種以有機(jī)EL元件的 長(zhǎng)壽命化為中心，能夠解決上述多個(gè)課題的全部或一部分的發(fā)光裝置及 電子設(shè)備、以及適用于它們的制造的優(yōu)選成膜方法。
而且，本發(fā)明還以解決與之相伴或相關(guān)的問題為課題。
為了解決上述課題，本發(fā)明的發(fā)光裝置具備基板；包含在上述基 板上按順序依次形成的下層側(cè)電極、發(fā)光功能層以及上層側(cè)電極的發(fā)光 元件；形成在上述上層側(cè)電極上且具有與該上層側(cè)電極的直接接點(diǎn)的輔 助電極；和以覆蓋上述輔助電極及上述上層側(cè)電極的方式形成、防止水 及氧的至少一方進(jìn)入上述發(fā)光元件的屏障層；上述輔助電極包含一個(gè)以 上俯視下沿第一方向延伸的線狀輔助電極，該線狀輔助電極的與上述第 一方向相交的方向的剖面形狀包含錐形形狀。
根據(jù)本發(fā)明，第一、能夠穩(wěn)定地進(jìn)行流至發(fā)光功能層的電流控制。 這是因?yàn)楸景l(fā)明中，在上層側(cè)電極上按照具有和上層側(cè)電極的直接接點(diǎn) 的方式形成輔助電極(或線狀輔助電極)。例如，如果上層側(cè)電極由具 有較高電阻值的材料制成或者必須由其制成，則輔助電極由具有較低電 阻值的材料制成即可，由此，可實(shí)現(xiàn)該上層側(cè)電極的電位穩(wěn)定等。這樣， 能夠非常穩(wěn)定地進(jìn)行上述電流控制，因此根據(jù)本發(fā)明，能夠最佳地進(jìn)行 上述發(fā)光元件的發(fā)光強(qiáng)度的控制(以下有時(shí)稱為效果[I])。
而且，根據(jù)本發(fā)明，第二、能夠更好地享受對(duì)發(fā)光元件的水及氧等 密封功能的發(fā)揮。這是因?yàn)樵诒景l(fā)明中，作為屏障層的基底膜的上述輔
6助電極包含俯視下沿第一方向延伸的線狀輔助電極，同時(shí)該線狀輔助電 極的剖面形狀包含錐形形狀。該情況下，該屏障層能夠以具有較平滑的 表面的狀態(tài)制成，因此其表面或內(nèi)部不容易產(chǎn)生裂縫等缺陷。由此，根 據(jù)本發(fā)明，例如即使該屏障層由硬度比較大的材料制成，也能很好地發(fā) 揮其密封功能的實(shí)際效果(以下有時(shí)稱為效果[IIl )。
在該發(fā)明的發(fā)光裝置中，可以構(gòu)成為上述線狀輔助電極的厚度大于 上述屏障層的厚度。
根據(jù)該方式，能更有效地享受本發(fā)明涉及的上述效果[i及效果[ni。 這是因?yàn)?，第一、由于輔助電極的厚度相對(duì)較大，即其截面積相對(duì)較大， 所以能夠使其電阻值變得更小。由此，參照前面所述的例子可知，能夠 更為穩(wěn)定地控制上層側(cè)電極的電位。
而且，第二、由于屏障層的厚度相對(duì)較小，因此能夠防止由于其自 身的內(nèi)部應(yīng)力而產(chǎn)生裂縫等。特別是如果該屏障層由硬度比較大的材料 制成，則這樣的擔(dān)心會(huì)更多，但根據(jù)本方式，能夠在很大程度上降低發(fā) 生這種情況的可能性。
如上所述，根據(jù)本方式，能夠更有效地享受本發(fā)明涉及的上述效果i]及效果[ii。
另外，在本發(fā)明的發(fā)光裝置中，還具備形成于上述基板、將上述上
層側(cè)電極以及上述輔助電極設(shè)定為規(guī)定電位的電源線；和介于上述上層 側(cè)電極及上述輔助電極與上述電源線之間，且形成為確保分別與兩者的 至少一部分電接觸的接觸薄膜；上述接觸薄膜的至少上述第一方向的剖 面形狀包含錐形形狀。
根據(jù)該方式，能夠更有效地享受本發(fā)明涉及的上述效果[I及效果 [II]。這是因?yàn)?，第一、基于上述接觸薄膜的存在，電源線與線狀輔助 電極之間的電氣流通變得順暢。如果不存在這樣的接觸薄膜，則上層側(cè) 電極或輔助電極需要直接與電源線聯(lián)絡(luò)，該情況下，由于兩者間的膜厚 度的差異(特別是前者一側(cè)的膜厚相對(duì)較小等)等，會(huì)發(fā)生物理上的斷 開等。本方式在很大程度上降低了發(fā)生這樣的不良情況的可能性。
而且，第二、這樣的接觸薄膜也與上述線狀輔助電極相同，其剖面
7形狀包含錐形形狀。由此，即使上述屏障層以覆蓋該接觸薄膜的方式形 成，其表面或內(nèi)部也不容易產(chǎn)生裂縫等缺陷。
如上所述，根據(jù)本方式，能夠更有效地享受上述效果[i及效果[n。
此外，在本發(fā)明的發(fā)光裝置中，形成上述錐形形狀的斜邊、與和該 斜邊的一端連接且與該斜邊形成銳角的該錐形形狀的一邊所構(gòu)成的角
度為20度以上60度以下。
根據(jù)該方式，作為線狀輔助電極或接觸薄膜的剖面形狀的錐形形狀 被設(shè)定為一種最佳的方式。
另外，上述的上限值及下限值具有以下的意義。首先，上面所述的
"角度"如果超過60度，則上述斜邊與和該斜邊構(gòu)成"鈍角"的一邊
所成的角度變得接近卯度，這樣，覆蓋在它上面的屏障層以跨越陡峭 階梯差的方式成膜，其表面或內(nèi)部容易產(chǎn)生裂縫等缺陷。另一方面，上
面所述的"角度"如果小于20度，則線狀輔助電極的剖面面積變得非 常小，從而無法使其電阻值足夠低。
而且，在本發(fā)明的發(fā)光裝置中，上述屏障層的厚度為30nm以上、 500nm以下。
根據(jù)該方式，屏障層的膜厚被設(shè)定為一種最佳的方式。
另外，該上限值及下限值具有以下的意義。首先，上面所述的"厚 度"如果超過500nm，則會(huì)擔(dān)心由于該屏障層自身的內(nèi)部應(yīng)力而產(chǎn)生裂 縫等。另一方面，上面所述的"厚度"如果小于30nm，則無法充分密 封水或氧。
另一方面，為了解決上述問題，本發(fā)明的電子設(shè)備具備上述各種發(fā) 光裝置。
由于本發(fā)明的電子設(shè)備具備上述各種發(fā)光裝置，即發(fā)揮上述效果1
及效果[II的發(fā)光裝置，所以能夠?qū)崿F(xiàn)它的長(zhǎng)壽命化，而且如果該電子 設(shè)備具備圖像顯示裝置，則能顯示高品質(zhì)的圖像。
另一方面，為了解決上述問題，本發(fā)明的成膜方法使用了其剖面形狀包含梯形、且以規(guī)定間隔排列設(shè)置了多個(gè)具有規(guī)定的高度及長(zhǎng)度的梯
形掩模的薄膜形成用掩模，該成膜方法包含在上述薄膜形成用掩模的 背面配置基板的步驟；和在上述梯形掩模間的空隙處露出的上述基板的 表面上，通過堆積規(guī)定的物質(zhì)，形成按上述空隙的數(shù)目排列設(shè)置了多個(gè)、 且其剖面形狀包含錐形形狀的薄膜的薄膜形成步驟。
根據(jù)本發(fā)明，能夠一舉最佳地形成其剖面形狀包含梯形形狀且以適 當(dāng)?shù)拈g隔排列設(shè)置了多個(gè)的線狀掩模。關(guān)于其功能，在后面說明實(shí)施方 式時(shí)會(huì)再次提到。
另外，該成膜方法如果應(yīng)用于上述線狀輔助電極的形成，則能夠最 佳地制造該線狀輔助電極，這一點(diǎn)自不待言。
在該發(fā)明的成膜方法中，上述規(guī)定的物質(zhì)相對(duì)所述空隙處露出的所 述基板的整個(gè)表面傾斜飛散。
根據(jù)該方式，能夠更好地制作剖面形狀所包含的錐形形狀。
此外，本發(fā)明的成膜方法中，包括在所述薄膜形成步驟之前，形成 發(fā)光元件的步驟，該步驟包括在所述基板上，第一、形成下層側(cè)電極的 步驟，第二、形成發(fā)光功能層的步驟，第三、形成上層側(cè)電極的步驟； 上述薄膜形成步驟包括實(shí)施在上述空隙處露出的所述上層側(cè)電極的表 面，形成輔助電極作為上述薄膜的步驟；并且，包括在該薄膜形成步驟 之后，在上述輔助電極上進(jìn)一步形成防止水及氧的至少一方進(jìn)入到上述 發(fā)光元件的屏障層的步驟。
根據(jù)該方式，能夠最佳地制造上述的本發(fā)明涉及的發(fā)光裝置。


圖1是表示本發(fā)明的本實(shí)施方式涉及的有機(jī)EL裝置的概略結(jié)構(gòu)的 俯視圖。
圖2是表示圖1的單位電路P的詳細(xì)情況的電路圖。
圖3是面對(duì)圖1所示的有機(jī)EL裝置的適當(dāng)破斷面的剖面圖，特別 是基于為了表示輔助電極及與之相關(guān)的部件的形成方式而選擇的破斷面的剖面圖。
圖4是圖1所示的有機(jī)EL裝置的局部放大俯視圖，特別是為了表 示輔助電極及與之相關(guān)的部件的形成方式而選擇的視點(diǎn)所相關(guān)的圖。
圖5是輔助電極的剖面圖。
圖6是圖5的比較例1。
圖7是圖5的比較例2。
圖8是為了形成本實(shí)施方式的輔助電極而使用的掩模的俯視圖。 圖9是圖8的AA'剖面圖。
圖IO是表示圖8所示的掩模的制造步驟的圖(其一)。
圖ll是表示圖8所示的掩模的制造步驟的圖(其二)。
圖12是表示利用圖7及圖8所示的掩模形成輔助電極的一個(gè)場(chǎng)面 (其一)的說明圖。
圖13是表示利用圖7及圖8所示的掩模形成輔助電極的一個(gè)場(chǎng)面 (其二)的說明圖。
圖14是表示應(yīng)用了本發(fā)明的有機(jī)EL裝置的電子設(shè)備的立體圖。 圖15是表示應(yīng)用了本發(fā)明的有機(jī)EL裝置的另一電子設(shè)備的立體圖。
圖16是表示應(yīng)用了本發(fā)明的有機(jī)EL裝置的又一電子設(shè)備的立體圖。
附圖標(biāo)記說明7-元件基板，7a-圖像顯示區(qū)域，8 -有機(jī)EL元 件，13-像素電極，18-發(fā)光功能層，5-對(duì)置電極，501-輔助電極， W- (輔助電極的)寬度，T-(輔助電極的)厚度，6-(形成錐形 形狀的)角度，40-屏障層(barrier layer), 11 -電路元件薄膜，301 -第一層間絕緣膜，302-第二層間絕緣膜，34-反射層，340-隔壁， 103A、 103B-掃描線驅(qū)動(dòng)電路，106-數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路，106A-預(yù)充電電路，201-電源線，551-接觸薄膜，701-薄膜形成用掩模，702 -梯 形掩模。
具體實(shí)施例方式
以下參照?qǐng)D1至圖5說明本發(fā)明的實(shí)施方式。另外，在這些圖以及 后面參照的圖6以后的各附圖中，有時(shí)使各部分的尺寸比例與實(shí)際部件 適當(dāng)?shù)赜兴煌?br> 圖1是表示本實(shí)施方式的有機(jī)EL裝置的一個(gè)例子的俯視圖。
在該圖1中，有機(jī)EL裝置具備元件基板7和在該元件基板7上形 成的各種要素。這里，各種要素是指有機(jī)EL元件8、掃描線3及數(shù)據(jù) 線6、掃描線驅(qū)動(dòng)電路103A及103B、數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路106、預(yù)充電電 路106A和對(duì)置電極用電源線201。
如圖l所示，元件基板7上具備多個(gè)有機(jī)EL元件(發(fā)光元件)8, 該多個(gè)有機(jī)EL元件8排列為矩陣狀。有機(jī)EL元件8的每一個(gè)由像素 電極、發(fā)光功能層及對(duì)置電極構(gòu)成。其中，對(duì)置電極中設(shè)置有用于輔助 其功能的輔助電極。關(guān)于該各要素將在后面再次提到。
圖像顯示區(qū)域7a是元件基板7上排列有該多個(gè)有機(jī)EL元件8的 區(qū)域。在圖像顯示區(qū)域7a中，基于各有機(jī)EL元件8各自的發(fā)光及非 發(fā)光，能夠顯示所希望的圖像。另外，以下將元件基板7的面中除了該 圖像顯示區(qū)域7a之外的區(qū)域稱為"周邊區(qū)域"。
掃描線3及數(shù)據(jù)線6分別被排列成與排列為矩陣狀的有機(jī)EL元件 8的各行及各列對(duì)應(yīng)。更詳細(xì)而言，如圖1所示，掃描線3沿著圖中左 右方向延伸，并且與周邊區(qū)域上形成的掃描線驅(qū)動(dòng)電路103A及103B 連接。另一方面，數(shù)據(jù)線6沿著圖中上下方向延伸，并且與周邊區(qū)域上 形成的數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路106連接。在該各掃描線3及各數(shù)據(jù)線6的各交 點(diǎn)附近，設(shè)置有包含上述有機(jī)EL元件8等的單位電路(像素電路)P。
如圖2所示，該單位電路P除了包含上述有機(jī)EL元件8之外，還 包含n溝道型第一晶體管68、 p溝道型第二晶體管9及電容元件69。
單位電路P從電流供給線113接受供電。多條電流供給線113與未圖示的電源連接。
而且，p溝道型第二晶體管9的源電極與電流供給線113連接，而 其漏電極與有機(jī)EL元件8的像素電極連接。該第二晶體管9的源電極 與柵電極之間設(shè)置有電容元件69。另一方面，n溝道型第一晶體管68 的柵電極與掃描線3連接，其源電極與數(shù)據(jù)線6連接，其漏電極與第二 晶體管9的柵電極連接。
如果掃描線驅(qū)動(dòng)電路103A及103B選擇了與單位電路P對(duì)應(yīng)的掃 描線3，則該單位電路P導(dǎo)通第一晶體管68，將經(jīng)由數(shù)據(jù)線6供給的數(shù) 據(jù)信號(hào)保持在內(nèi)部的電容元件69中。然后，第二晶體管9將與數(shù)據(jù)信 號(hào)的電平對(duì)應(yīng)的電流向有機(jī)EL元件8供給。由此，有機(jī)EL元件8以 與數(shù)據(jù)信號(hào)的電平對(duì)應(yīng)的亮度進(jìn)行發(fā)光。
元件基板7上的周邊區(qū)域中具有預(yù)充電電路106A。該預(yù)充電電路 106A是用于在向有機(jī)EL元件8寫入數(shù)據(jù)信號(hào)的動(dòng)作之前，將數(shù)據(jù)線6 設(shè)定為規(guī)定電位的電路。
而且，對(duì)置電極用電源線201 (以下筒稱為"電源線201")大致沿 著元件基板7的外形輪廓線，具有俯視為n字形的形狀。該電源線201 向有機(jī)EL元件8的對(duì)置電極供給例如接地電平等的電源電壓。
另外，前面以掃描線驅(qū)動(dòng)電路103A及103B、數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路106 和預(yù)充電電路106A全部形成在元件基板7上為例進(jìn)行了說明，但根據(jù) 情況，也可以將其中的全部或一部分在柔性基板上形成。該情況下，通 過在該柔性基板與元件基板7的兩抵接部分設(shè)置適當(dāng)?shù)亩俗樱軌驅(qū)崿F(xiàn) 兩者間的電氣連接。
俯視時(shí)具有上述結(jié)構(gòu)的有機(jī)EL裝置具備圖3所示的層疊構(gòu)造物 250。如圖3所示，該層疊構(gòu)造物250以元件基板7為基礎(chǔ)，從圖中下 側(cè)起依次包含電路元件薄膜ll、第一層間絕緣膜301、反射層34、第二 層間絕緣膜302、像素電極13、發(fā)光功能層18、對(duì)置電極5、輔助電極 501以及屏障層40。
其中，第一及第二層間絕緣膜301及302 (以下有時(shí)簡(jiǎn)稱"絕緣膜 301及302")有助于其他剩余的導(dǎo)電性要素間不發(fā)生短路，或者有助于實(shí)現(xiàn)這些導(dǎo)電性要素在層疊構(gòu)造物250中的最佳配置等。上述絕緣膜 301及302可由具有各種厚度的各種絕緣性材料制成，但優(yōu)選根據(jù)各絕 緣膜在層疊構(gòu)造物250中的配置位置、作用等而選擇適當(dāng)?shù)暮穸燃安牧稀?br> 更具體而言，例如，絕緣膜301及302優(yōu)選由Si02、 SiN、 SiON 等制成。
電路元件薄膜11包含上述單位電路P中含有的第一晶體管68和第 二晶體管9等。雖然圖中的描繪非常簡(jiǎn)略，但該電路元件薄膜ll由構(gòu) 成上述各種晶體管的半導(dǎo)體層、柵極絕緣膜、柵極金屬等和構(gòu)成電容元 件69的電極用薄膜(均未圖示)、其他的金屬薄膜構(gòu)成。其中，在圖3 所示的層疊構(gòu)造物250中，當(dāng)然也構(gòu)造有上述的掃描線3及數(shù)據(jù)線6， 但省略了其圖示。
另一方面，如圖3所示，上述有機(jī)EL元件8的每一個(gè)由構(gòu)成層疊 構(gòu)造物的上述各種要素中的像素電極13、發(fā)光功能層18及對(duì)置電極5 構(gòu)成。
其中，像素電極13在元件基板7上以排列為矩陣形狀的方式形成。 有機(jī)EL元件8排列為矩陣狀與如上所述將像素電極13排列為矩陣狀 對(duì)應(yīng)(參照?qǐng)Dl及圖3)。
該像素電極13經(jīng)由接觸孔360與上述的電路元件薄膜11電連接。 由此，該像素電極13能夠?qū)⒔?jīng)由圖2所示的第二晶體管9從電流供給 線113供給的電流施加給發(fā)光功能層18。其中，接觸孔360以貫穿第一 及第二層間絕緣膜301及302的方式形成。
這樣的l象素電極13例如由ITO (Indium Tin Oxide,銦錫氧化物) 等具有透光性和導(dǎo)電性的材料制成。
反射層34按照與這樣的像素電極13的形成區(qū)域?qū)?yīng)的方式，形成 在第一層間絕緣膜301上、第二層間絕緣膜302下。如圖3所示，反射 層34對(duì)從發(fā)光功能層18發(fā)出的光進(jìn)行反射。該反射光向圖中上方行進(jìn)。 這樣，本實(shí)施方式涉及的有機(jī)EL裝置是所謂的頂發(fā)射型。另外，根據(jù) 這一情況，元件基板7可以由陶瓷、金屬等不透明材料制成(與之相反， 在底發(fā)射型的情況下，元件基板7需要由透光性材料制成。)為了更好地發(fā)揮上述的反射功能，這樣的反射層34可以由光反射 性能比較高的材料制成。例如可以利用鋁、銀等金屬。
另一方面，如圖3或圖4所示，隔壁(圍堰(bank)) 340形成在上 述的像素電極13中俯視時(shí)相鄰的像素電極13間的區(qū)域。該隔壁340在 圖3中上下方向的實(shí)際高度大致為l~2|im。該隔壁340起到劃分各有 機(jī)EL元件8的作用。
這樣的隔壁340優(yōu)選例如由絕緣性的透明樹脂材料，其中特別是具 有疏液性的材料制成。更具體而言，可以舉出例如含氟系樹脂、或者丙 烯酸樹脂、環(huán)氧樹脂或聚酰亞胺等。
另外，在隔壁340由上述各種樹脂材料制成的情況下，其基層可以 使用例如Si02等無機(jī)材料制成(即，在該情況下，隔壁340具有下層 側(cè)為無機(jī)物質(zhì)、上層側(cè)為有機(jī)物質(zhì)這樣的層疊結(jié)構(gòu))。由此，即使在像 素電極13以上述方式由ITO等制成的情況下，也能提高該^像素電極13 與隔壁340的密接性。
如圖3所示，發(fā)光功能層18形成在像素電極13之上。該發(fā)光功能 層18至少含有有機(jī)發(fā)光層，有機(jī)發(fā)光層由空穴與電子結(jié)合進(jìn)行發(fā)光的 有機(jī)EL物質(zhì)構(gòu)成。在該有機(jī)EL物質(zhì)例如為高分子材料的情況下，該 有機(jī)EL物質(zhì)例如通過液滴涂敷法(噴墨法)，僅向由上述隔壁340劃 分的各空間內(nèi)(即每個(gè)像素)供給。
這樣，根據(jù)僅向由隔壁340劃分的空間供給有機(jī)EL物質(zhì)的方式， 如圖4所示，能夠按每種顏色區(qū)別設(shè)置發(fā)光功能層18。圖4中表示了沿 著圖中的橫向方向，含有紅色光、綠色光及藍(lán)色光各專用的有機(jī)EL物 質(zhì)的發(fā)光功能層18R、 18G及18B以該順序形成的例子。另外，沿著圖 中縱向，分別排列設(shè)置了僅排列發(fā)光功能層18R的列、僅排列發(fā)光功能 層18G的列以及僅排列發(fā)光功能層18B的列。
作為構(gòu)成發(fā)光功能層18的其他層，可以包括電子阻擋層、空穴注 入層、空穴運(yùn)輸層、電子運(yùn)輸層、電子注入層及空穴阻擋層的一部分或 全部。
如圖3所示，對(duì)置電極5與多個(gè)有機(jī)EL元件8的發(fā)光功能層18接
14觸。即，對(duì)置電極5按照在多個(gè)像素電極13中共用的方式在由隔壁340 劃分的發(fā)光功能層18的區(qū)域及隔壁340之上伸展。該對(duì)置電極5形成 為俯視呈矩形狀(其內(nèi)部沒有特別的開口、間隙等，所謂的實(shí)體)。對(duì) 置電極5的周圍與圖l所示的電源線201電連接(其連接形式未圖示)。
在該實(shí)施方式中，對(duì)置電極5為陰極，像素電極13為陽極，但也 可以與之相反。
這樣的對(duì)置電極5例如由ITO (Indium Tin Oxide，銦錫氧化物) 等具有透光性和導(dǎo)電性的材料制成。如上所述，本實(shí)施方式涉及的有機(jī) EL裝置為頂發(fā)射型，因此該材料選擇幾乎是必須的。
在以上結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，本實(shí)施方式涉及的有機(jī)EL裝置特別具備輔 助電極501及屏障層40。
其中，如圖3所示，輔助電極501形成在位于隔壁340上的對(duì)置電 極5的上面。由圖3也可以看出，由于該輔助電極501直接形成在對(duì)置 電極5上，所以可以認(rèn)為輔助電極501的圖中下面(與對(duì)置電極5相接 的面)的全體，由與該對(duì)置電極5的圖中上面之間的接點(diǎn)的集合構(gòu)成。 總之，兩者間的電氣通信幾乎是完全的。
該輔助電極501在俯視時(shí)的形狀如圖4所示大致為長(zhǎng)方形。其中， 該大致長(zhǎng)方形的短邊長(zhǎng)度與長(zhǎng)邊長(zhǎng)度相比是非常短的。因此，輔助電極 501具有幾乎可稱為"線狀"的形狀。如圖4所示，這樣的線狀輔助電 極501存在多個(gè)，該多個(gè)輔助電極501以分別穿過在圖中縱向上鄰接并 列的有機(jī)EL元件8之間的區(qū)域的方式延伸。并且，同樣如圖4所示， 上述多個(gè)輔助電極501的一端到達(dá)接觸薄膜551。
該接觸薄膜551是形成為其一部分與電源線201 (也參照?qǐng)D1)的 一部分重合的導(dǎo)電性薄膜。輔助電極501形成為其一端與該接觸薄膜 551的一部分相互重合。
接觸薄膜551及電源線201或者接觸薄膜551及輔助電極501與對(duì) 置電極5及輔助電極501的關(guān)系相同，兩者相互重合的部分幾乎具有完 全的電氣聯(lián)絡(luò)。另外，雖然在圖4中沒有圖示，但對(duì)置電極5也形成為 其一部分與接觸薄膜551的一部分相互重合，兩者間具有幾乎完全的電氣聯(lián)絡(luò)(如果在圖4上圖示對(duì)置電極5，則將其作為如覆蓋該圖整個(gè)面 的薄膜而描繪)。
另外，該輔助電極501的剖面形狀如圖3或圖5所示，包含錐形形 狀。該錐形形狀的斜邊和與該斜邊的一端連接的底邊形成的角度e被調(diào) 整為20度以上60度以下。
如圖3或圖5所示，屏障層40按照覆蓋元件基板7的整個(gè)面的方 式，形成為覆蓋輔助電極501及對(duì)置電極5，由于其中的輔助電極501 如上所述具有包含錐形形狀的剖面形狀，所以位于其上的屏障層40的 表面具有比較平滑的表面。另外，該屏障層40具有阻止水及氧進(jìn)入到 有機(jī)EL元件8的功能。
以上所述的輔助電極501優(yōu)選例如使用電阻值比較低的材料，更具 體而言使用鋁、銀、金、銅等制成。它們的電阻值分別為2.62[m Q/cm、 1.62[ji Q/cm、2.|i Q/cm、1.69卩n/cm]，每一個(gè)都非常低。另夕卜， 這樣的材料也能夠適用于上述的接觸薄膜551。
此外，具體規(guī)定本實(shí)施方式涉及的輔助電極501的形狀的各個(gè)數(shù)值 優(yōu)選用以下方式確定。即，優(yōu)選使其寬度W (參照?qǐng)D4)為30pm左 右，其厚度T (參照?qǐng)D5)為300nm左右。另外，實(shí)際上從圖4也能看 出，前者的寬度W還與將圖中上下方向上相鄰的有機(jī)EL元件8之間 的距離WA設(shè)定為怎樣的范圍有關(guān)。通常優(yōu)選釆用在確定了后者的"距 離WA"之后再確定前者的"寬度W"這一順序，如果寬度W為30nm， 則滿足距離WA為50nm左右這一關(guān)系(即，可以設(shè)定為從輔助電極501 的兩側(cè)端到其各自對(duì)置的有機(jī)EL元件8的端部的多巨離為15nm左右 (=(WA-W)/2 ))。如此使WA>W的理由是因?yàn)楸仨毧紤]與輔助電極501 的形成過程有關(guān)的位置交叉。
另外，上述寬度W及距離WA的具體值的釆用還與將上述角度6 的大小設(shè)定為怎樣的范圍有關(guān)，關(guān)于這一點(diǎn)后面將參照?qǐng)D7再次提到。
另 一方面，屏障層40優(yōu)選使用例如具有阻止水及氧進(jìn)入到有機(jī)EL 元件8的功能的材料，具體而言由SiN (氮化硅)、SiON(氮氧化硅)、 Si02 (氧化硅)等制成。而且，本實(shí)施方式涉及的屏障層40的厚度Tl (參照?qǐng)D5 )優(yōu)選為 30nm以上500nm以下，更優(yōu)選為lOOnm左右。該厚度Tl如果超過 500nm，則會(huì)擔(dān)心由于屏障層40自身的內(nèi)部應(yīng)力產(chǎn)生裂縫等，如果低 于30nm，則無法充分阻止水或氧。
下面，對(duì)上述的有機(jī)EL裝置所起的作用效果進(jìn)行說明。
首先，本實(shí)施方式涉及的有機(jī)EL裝置中，在電流流至像素電極13 及對(duì)置電極5之間的同時(shí)，電流流至發(fā)光功能層18。由此，發(fā)光功能層 18進(jìn)行發(fā)光(參照已經(jīng)參照?qǐng)D2進(jìn)行的說明)。
在產(chǎn)生以上的作用的前提下
(1) 首先，在本實(shí)施方式涉及的有機(jī)EL裝置中，能夠穩(wěn)定地進(jìn) 行流至發(fā)光功能層18的電流控制。這基于下述原因。
即，如上所述，由于對(duì)置電極5由ITO等制成、由具有比較高的 電阻值的材料制成，所以存在其電位的穩(wěn)定等比較困難的情況。另一方 面，如上所述，輔助電極501由具有極低的電阻值的鋁、銀等制成。因 此，從電源線201向?qū)χ秒姌O5供給電壓的同時(shí)，如果也向輔助電極501 供給電壓，則結(jié)合在上述對(duì)置電極5及輔助電極501之間確保了幾乎完 全的電氣聯(lián)絡(luò)，能實(shí)現(xiàn)對(duì)置電極5的電位的穩(wěn)定等。
這樣，可極為穩(wěn)定地進(jìn)行上述電流控制。而且，由此在本實(shí)施方式 中，能夠良好地進(jìn)行有機(jī)EL元件8的發(fā)光強(qiáng)度的控制。
為了實(shí)現(xiàn)該效果，輔助電極501及對(duì)置電極5與電源線201之間形 成了接觸薄膜551也起到很大作用。特別在本實(shí)施方式這樣以頂發(fā)射型 為前提的情況下，為了提高光取出效率，優(yōu)選使對(duì)置電極5的膜厚越薄 越好，但這樣做之后容易發(fā)生與電源線201之間的物理斷開?？墒?，如 果存在本實(shí)施方式涉及的接觸薄膜551,則能夠避開這樣的電源線201 與對(duì)置電極5之間不導(dǎo)通的不良情況的發(fā)生。
(2) 而且，在本實(shí)施方式涉及的有機(jī)EL裝置中，能夠更好地享受 對(duì)有機(jī)EL元件8的7JC及氧等阻止功能的發(fā)揮。這是由于如上所述，屏
障層40的作為基底膜的輔助電極501在其剖面形狀中包含錐形形狀，因此該屏障層40可形成為其表面具有平滑的狀態(tài)。由此，屏障層40的 表面或內(nèi)部不容易產(chǎn)生裂縫等缺陷，因此能夠很好地發(fā)揮其密封功能的 實(shí)際效果。
此外，如果上述的接觸薄膜551形成為其剖面形狀(例如輔助電極 501的延伸方向上的剖面形狀)包含錐形形狀，則上述(2)的效果能進(jìn) 一步起到實(shí)效。這是因?yàn)樵谠撉闆r下，屏障層40在跨越該接觸薄膜551 的形成區(qū)域和沒有形成該接觸薄膜551的區(qū)域的部分，也能以其表面平 滑的狀態(tài)制成。
通過參照?qǐng)D6及圖7所示的比較例，可以更清楚地把握以上所述效 果的實(shí)際情況。
首先，在圖6中，輔助電極590的剖面形狀為完全的矩陣狀。在該 情況下，若以覆蓋輔助電極5卯的方式形成屏障層40,則如圖6所示， 該輔助電極50的角部分附近很有可能產(chǎn)生斷絕部分Z。
對(duì)于這一點(diǎn)，在本實(shí)施方式中如已經(jīng)說明那樣，由于屏障層40以 覆蓋錐形形狀內(nèi)的鈍角的方式形成，因此其表面非常平滑。
圖6所示的現(xiàn)象尤其在輔助電極5卯的厚度比屏障層40的厚度大 的情況下(即T>T1成立的情況下)容易發(fā)生。但是，上述的(1)及 (2)的效果在這樣的關(guān)系成立的情況下會(huì)更好地被享受。這是因?yàn)椋?輔助電極的厚度越大，其電阻值越低，因此能夠更加穩(wěn)定地進(jìn)行發(fā)光功 能層18的電流控制，屏障層40的厚度越小，越能夠避免由于其自身的 內(nèi)部應(yīng)力產(chǎn)生的"裂縫，，(可以作為與前面所述的階梯覆蓋(step coverage)涉及的"裂縫"在原理上不同的對(duì)象進(jìn)行說明)，因此該屏障 層40的密封功能可更好地發(fā)揮實(shí)際效果。
這樣，圖6那樣的具有包含矩形狀的剖面形狀的輔助電極590顯然 是不利的。
但是，在本實(shí)施方式中，由于形成具有包含錐形形狀的剖面形狀的 輔助電極501,所以無須特別擔(dān)心產(chǎn)生圖6那樣的斷絕部分Z，能夠使 輔助電極501的厚度大于屏障層40的厚度(其中，在圖5與圖6中， 實(shí)際上將兩者的T及Tl分別描繪為相同的大小)。并且由此，如前文所述，能夠享受與它們分別對(duì)應(yīng)的效果。
這樣，在本實(shí)施方式中，從更為綜合的觀點(diǎn)出發(fā)，也能具有享受上
述的(1)及(2 )的效果的優(yōu)點(diǎn)。
另外，以上所述的情況要求應(yīng)該設(shè)定圖5的角度e的上限。上述的 角度e為6o度以下的表達(dá)具有作為最佳條件進(jìn)行設(shè)定的意義。
接著，在圖7中，雖然輔助電極591的剖面形狀包含錐形形狀，但 其角度6s(參照?qǐng)D7)比圖5的角度6小。在該情況下，對(duì)于享受上述 的(1)及(2 )的效果這一點(diǎn)，可以說該圖7與圖5之間沒有基本的差 別。反而，從能夠更好地享受上述的(2)的效果這一點(diǎn)來說，該圖7 能夠比圖5提供更好的方式。
但雖說如此，卻不能說對(duì)上述的(1)的效果沒有任何影響。如果 考慮原樣維持圖5所示的輔助電極501的寬度W，僅減小角度6以實(shí)現(xiàn) 角度6s的情況，由于其剖面形狀的面積明顯變小，所以其電阻值增大。 因此，在該情況下，對(duì)上述的(1)的效果，即對(duì)置電極5的電位穩(wěn)定 或發(fā)光功能層18的電流控制穩(wěn)定等效果會(huì)產(chǎn)生不良影響。
鑒于此，即使將角度設(shè)為6s (<6 )，如果仍要維持與以前相同的 剖面面積，則如圖7所示，將增大輔助電極的寬度(從寬度W到寬度 Wl)。但是，這會(huì)產(chǎn)生新的問題。即，如果輔助電極的寬度增大，則與 之相伴，還必須增大圖4所示的距離WA。這樣，有機(jī)EL元件8之間 的間隔變得更大，難免會(huì)降低開口率或影響圖像整體的精細(xì)度。
鑒于上述情況，角度e并不是越小越好。
綜上所述，從享受上述的(2)的效果這一點(diǎn)來說，角度6越小越 好，但考慮到享受上述的(1)的效果這一點(diǎn)、及伴隨角度減小而發(fā)生 的新問題，則角度減小的程度存在限度。并且，上述的角度6為20度 以上的表達(dá)具有作為最佳條件設(shè)定的意義。
最實(shí)際地發(fā)揮上述效果的實(shí)施例，在前面所述的各種數(shù)值等的范圍 內(nèi)，例如作為以下兩個(gè)組合而分別進(jìn)行提供。它們分別提供了本實(shí)施方 式的最佳實(shí)施例之一。輔助電極的寬度W =30 p m 輔助電極的厚度T =310nm 錐形形狀的角度6=45度 輔助電極的材料=鋁 屏障層40的厚度Tl =200nm 屏障層40的材料-SiON <實(shí)施例2>
輔助電極的寬度W =30 p m 輔助電極的厚度T =200nm 錐形形狀的角度6=30度 輔助電極的材料=銀 屏障層40的厚度Tl =200nm 屏障層40的材料=SiON
在上述實(shí)施例中，實(shí)施例2與實(shí)施例1相比，之所以能夠減小輔助 電極的厚度，是因?yàn)?銀"比"鋁"的電阻值小。此外，實(shí)施例2與實(shí) 施例l相比，之所以能夠減小角度6也是因?yàn)橥瑯拥睦碛伞?br> 無論如何，根據(jù)上述實(shí)施例1及2，上述本實(shí)施方式涉及的作用效 果被確認(rèn)為得到有效的發(fā)揮。
以下對(duì)上述的有機(jī)EL裝置的制造方法，特別是輔助電極501的成 膜方法進(jìn)行說明。
<本實(shí)施方式的成膜方法所使用的薄膜形成用掩模>
首先，參照?qǐng)D8及圖9對(duì)本實(shí)施方式的成膜方法所使用的薄膜形成用掩模進(jìn)行說明。
本實(shí)施方式涉及的薄膜形成用掩模701 (以下簡(jiǎn)稱"掩模701")如 圖8及圖9所示，其剖面形狀包含梯形，并且具備排列設(shè)置有多個(gè)具有 規(guī)定的高度及長(zhǎng)度的梯形掩模702的構(gòu)造。
更詳細(xì)而言，掩模701除了該梯形掩模702之外，還具有框部705。
如圖8所示，框部705大體上具有相框那樣的形狀。其整體的大小 可根據(jù)要使用該掩模701形成薄膜的基板的大小來適當(dāng)決定。
梯形掩模702在圖8中以在該框部705的圖中上邊及下邊之間聯(lián)絡(luò) 方式延伸。即，該梯形掩模702具有與構(gòu)成由框部705包圍的大致長(zhǎng)方 形的空間的一邊的長(zhǎng)度大致相等的長(zhǎng)度。如圖8所示，具有上述長(zhǎng)度的 梯形掩模702沿著圖中左右方向排列設(shè)置有多個(gè)。由此，在相鄰的梯形 掩模702之間形成空隙703。
該梯形掩模702如圖9所示，其剖面形狀具有如同將高度X的長(zhǎng)方 形與共用該長(zhǎng)方形的一邊(作為其底邊)的梯形相接合的形狀。在圖9 中，梯形部分的斜邊702T在圖中下方具有兩個(gè)。在剖面中，以上述方 式可看作斜邊702T的棱面702TF如圖8所示，遍及該梯形掩模702的 全部長(zhǎng)度而存在。
這樣的掩模701例如可以圖IO及圖ll所示的方式制造。在這些圖 中，掩模701以硅單晶體(110)基板作為母體基板。以此為前提，如 圖IO所示，第一、對(duì)該母體基板中的區(qū)域751的部分進(jìn)行第一階段的 蝕刻。由此，形成框部705的外形。接著，第二、對(duì)母體基板中的區(qū)域 752的部分進(jìn)行第二階段的蝕刻。由此，形成空隙703及梯形掩模702 的原型。
最后，第三、如圖11所示，對(duì)上述梯形掩模702的原型進(jìn)行第三 階段的蝕刻。這是各向異性蝕刻。如果是濕蝕刻，則作為蝕刻劑最好利 用例如KOH、異丙醇及水的混合物等。無論如何，通過這樣的各向異 性蝕刻，僅進(jìn)行對(duì)上述原型的角部的蝕刻(參照?qǐng)D11中的陰影部分)， 從而最終形成圖9所示那樣的梯形掩模702。本實(shí)施方式涉及的成膜方法可使用以上說明的薄膜形成用掩模，以 如下方式進(jìn)行實(shí)施。
<到輔助電極501的形成為止的步驟>
首先，在元件基板7上分別形成電路元件薄膜11、絕緣膜301及 302、反射層34、像素電極13、發(fā)光功能層18、隔壁340及對(duì)置電極5 (參照?qǐng)D3)。
其中，在絕緣膜301及302、像素電極13等的成膜中，可適當(dāng)利用 已知的例如CVD (Chemical Vapor Deposition,化學(xué)氣相沉積)法、賊 射法等成膜方法或光刻法等。此時(shí)，由于在電路元件薄膜11的成膜中 包含第一晶體管68等的TFT ( Thin Film Transistor,薄膜晶體管)的 制造，所以還進(jìn)行對(duì)該半導(dǎo)體層的摻雜步驟等，而在像素電極13的形 成過程中，為了在絕緣膜301及302中形成接觸孔360，還進(jìn)行適當(dāng)?shù)?蝕刻步驟等。
另外，上述隔壁340可通過如下過程制造例如在感光性聚酰亞胺 的涂敷后，經(jīng)過曝光步驟、顯像步驟，形成其外形形狀(未經(jīng)加工的隔 壁)后，對(duì)該未經(jīng)加工的隔壁的表面實(shí)施大氣壓等離子體處理等處理。 大氣壓等離子體處理是以使隔壁340的表面具有疏液性或疏墨性為目的 而進(jìn)行的。
此外，對(duì)于發(fā)光功能層18，在要使用低分子材料制成的情況下可利 用上述的各種成膜方法，在要使用高分子材料制成的情況下可利用噴墨 法(液滴吐出法)等。該情況下，如果如上所述隔壁340的表面具有疏 液性或疏墨性，則能夠?qū)行С煞值哪蛟摳舯?40所包圍的空 間準(zhǔn)確吐出。
<輔助電極501的形成步驟>
對(duì)于以上述方式完成了到對(duì)置電極5為止的制造的元件基板7，接 著，如圖12所示，進(jìn)行輔助電極501的形成。另外，以下為了簡(jiǎn)單， 將剛才所述的"完成了到對(duì)置電極5為止的制造的元件基板7"簡(jiǎn)稱為 "元件基板7 (11~5)"。其中，記號(hào)"(11 5)"的使用具有以下意圖， 即表示在元件基板7上從電路元件薄膜11到對(duì)置電極5已經(jīng)形成完畢。而且，在圖12中，為了使圖簡(jiǎn)化，將該"元件基板7 (11 ~ 5 )，，簡(jiǎn)單地 用長(zhǎng)方形表示(后面參照的圖13中也是同樣的)。
首先，準(zhǔn)備上述的掩模701,在其背面?zhèn)?在圖12中為上面?zhèn)?配 置元件基板7 (11 ~ 5 )。在該情況下，能夠從空隙703中觀察到的該元 件基板7(11~5)的部分必須與隔壁340所處的部分對(duì)應(yīng)，正如從圖3、 圖4或圖5所示的地方也可以看出的那樣。在這樣的對(duì)位中，可以清楚 地把握將圖4所示的寬度WA設(shè)定為比該圖中所示的寬度W大的重要 性。
由此，出現(xiàn)可從空隙703觀察到以覆蓋隔壁340的頂部的方式形成 的對(duì)置電極5的表面的狀態(tài)。
接著，將完成了這樣的對(duì)位的掩模701及元件基板7 (11~5)的一 體物封入到適當(dāng)?shù)那皇液螅O(shè)定為規(guī)定的溫度，并以貫穿該一體物的規(guī) 定軸AX為中心使之旋轉(zhuǎn)。
接著，對(duì)該旋轉(zhuǎn)的一體物，實(shí)施借助掩模701的成膜處理。作為這 里所說的成膜處理，除了可以利用上述的濺射法之外，還可以優(yōu)選利用 作為原料物質(zhì)的加熱源利用了坩堝加熱、激光加熱等的PVD (Physical Vapor Deposition,物理氣相沉積)法。由此，在從空隙703露出的元 件基板7 (11 ~ 5 )的部分，堆積了規(guī)定的物質(zhì)(優(yōu)選已經(jīng)描述那樣為鋁、 銀等)。
該情況下，該物質(zhì)例如經(jīng)過圖12中的箭頭所示的路徑FR1或FR2。 其中，經(jīng)過路徑FR1的物質(zhì)到達(dá)從空隙703露出的元件基板7 (11 ~ 5 ) 的表面部分。在此特別如圖12所示，由于該路徑FR1掠過梯形掩模702 的斜邊702T(或棱面702TF)，所以，該路徑FR1成為具有該物質(zhì)是否 能到達(dá)空隙703內(nèi)的界限的意義的路徑。即，經(jīng)過比該路徑FR1靠圖 中右側(cè)的路徑(例如路徑FR2)到達(dá)掩模701的物質(zhì)，被梯形掩模702 遮住其行進(jìn)，沒有到達(dá)空隙703內(nèi)(參照?qǐng)D中的虛線箭頭)。
如圖12所示也可以看出，在成為該梯形掩模702的影子部分處不 進(jìn)行物質(zhì)的堆積，因此最佳地形成錐形形狀。
結(jié)果，如圖12所示，輔助電極501按照上述空隙703的數(shù)目排列設(shè)置多個(gè)，并且作為其剖面形狀包含錐形形狀的薄膜而形成。
另外，在這樣的成膜方法中，本實(shí)施方式中特別要注意的是，通過
調(diào)整參照?qǐng)D9而說明的高度x，能夠調(diào)整與錐形形狀有關(guān)的上述角度e
(參照?qǐng)D5)或者其寬度W。即，如圖13所明顯示出那樣，如果與圖 12相比增大高度X，則輔助電極501的剖面形狀中的寬度W變小，而 角度6變大(62 (圖13) >61 (圖12))。
綜上所述，根據(jù)本實(shí)施方式的成膜方法，可以一舉最佳地形成線狀 的輔助電極501，其剖面形狀中包含錐形形狀，且多個(gè)該輔助電極501 以適當(dāng)?shù)拈g隔排列設(shè)置。
另外，在上述的成膜方法中，對(duì)上述物質(zhì)的發(fā)生源(例如，如果是 利用上述坩堝加熱的蒸鍍方法則為該坩堝，或蒸鍍?cè)吹囊馑?的位置未 設(shè)定特別的限制，但在本實(shí)施方式中，根據(jù)上述的錐形形狀的形成原理， 優(yōu)選在相對(duì)于從空隙703露出的基板7(11~5)的表面部分，該物質(zhì)斜 穿進(jìn)入的位置處設(shè)置該發(fā)生源。但該"斜穿"的程度如果過大，則飛散 的物質(zhì)幾乎全部被梯形掩模702遮擋，存在成膜效率顯著降低的問題， 因此需要注意這一點(diǎn)。在上述高度X過大的情況下也會(huì)產(chǎn)生同樣的問題 (將圖12所示的輔助電極501的大小同圖13中輔助電極501的大小進(jìn) 行對(duì)比也可看出這一點(diǎn))。
<應(yīng)用>
接著，對(duì)應(yīng)用了本發(fā)明的有機(jī)EL裝置的電子設(shè)備進(jìn)行說明。圖14 是表示將上述實(shí)施方式涉及的有機(jī)EL裝置利用到圖像顯示裝置中的移 動(dòng)型個(gè)人計(jì)算機(jī)的結(jié)構(gòu)的立體圖。個(gè)人計(jì)算機(jī)2000具備作為顯示裝置 的有機(jī)EL裝置和主體部2010。主體部2010中設(shè)置有電源開關(guān)2001及 鍵盤2002。
圖15表示應(yīng)用了上述實(shí)施方式的有機(jī)EL裝置的便攜式電話。便 攜式電話3000具備多個(gè)操作按鈕3001及滾動(dòng)按鈕3002、以及作為顯 示裝置的有機(jī)EL裝置100。通過操作滾動(dòng)按鈕3002滾動(dòng)，可拖動(dòng)在有 機(jī)EL裝置上顯示的畫面。
圖16中表示應(yīng)用了上述實(shí)施方式的有機(jī)EL裝置的便攜式信息終端(PDA: Personal Digital Assistant,個(gè)人數(shù)字助理)?！陡鼣y式信息終 端4000具備多個(gè)操作按鈕4001及電源開關(guān)4002、以及作為顯示裝置的 有機(jī)EL裝置。當(dāng)操作電源開關(guān)4002后，通信簿、日程表等各種的信 息在有機(jī)EL裝置上顯示。
作為應(yīng)用上述實(shí)施方式的有機(jī)EL裝置的電子設(shè)備，除了圖14至圖 16所示的設(shè)備之外，還可以舉出靜態(tài)數(shù)碼相機(jī)、電視機(jī)、攝像機(jī)、汽車 導(dǎo)航裝置、傳呼機(jī)、電子記事本、電子紙、電子計(jì)算器、文字處理器、 工作站、可視電話、POS終端、視頻播放器、具有觸摸屏的設(shè)備等。
權(quán)利要求
1. 一種發(fā)光裝置，其特征在于，具備基板；包含在所述基板上按順序依次形成的下層側(cè)電極、發(fā)光功能層以及上層側(cè)電極的發(fā)光元件；形成在所述上層側(cè)電極上且具有與該上層側(cè)電極的直接接點(diǎn)的輔助電極；和以覆蓋所述輔助電極及所述上層側(cè)電極的方式形成、防止水以及氧的至少一方進(jìn)入所述發(fā)光元件的屏障層；所述輔助電極包含一個(gè)以上俯視沿第一方向延伸的線狀輔助電極，該線狀輔助電極的與所述第一方向相交的方向的剖面形狀包含錐形形狀。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的發(fā)光裝置，其特征在于， 所述線狀輔助電極的厚度大于所述屏障層的厚度。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光裝置，其特征在于，還包括形成于所述基板、將所述上層側(cè)電極以及所述輔助電極設(shè)定為規(guī)定 電位的電源線；和介于所述上層側(cè)電極及所述輔助電極與所述電源線之間，且形成為 被確保分別與兩者的至少一部分電接觸的接觸薄膜；所述接觸薄膜的至少所述第一方向的剖面形狀包含錐形形狀。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其特征在于，形成所述錐形形狀的斜邊、與和該斜邊的一端連接且與該斜邊形成 銳角的該錐形形狀的一邊所構(gòu)成的角度為20度以上60度以下。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其特征在于， 所述屏障層的厚度為30nm以上500nm以下。
6. —種電子設(shè)備，其特征在于，具備權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述 的發(fā)光裝置。
7. —種成膜方法，使用了其剖面形狀包含梯形、且以規(guī)定間隔排 列設(shè)置有多個(gè)具有規(guī)定的高度及長(zhǎng)度的梯形掩模的薄膜形成用掩模，其特征在于，包括在所述薄膜形成用掩模的背面配置基板的步驟；和通過在所述梯形掩模間的空隙處露出的所述基板的表面，堆積規(guī)定 的物質(zhì)，形成按所述空隙的數(shù)目排列設(shè)置多個(gè)、且其剖面形狀包含錐形 形狀的薄膜的薄膜形成步驟。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的成膜方法，其特征在于，所述規(guī)定的物質(zhì)相對(duì)所述空隙處露出的所述基板的整個(gè)表面傾斜 飛散。
9. 根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的成膜方法，其特征在于，包括在所述薄膜形成步驟之前形成發(fā)光元件的步驟，該發(fā)光元件形 成步驟包括在所述基板上，第一、形成下層側(cè)電極的步驟，第二、形成發(fā)光功能層的步驟，第三、形成上層側(cè)電極的步驟；所述薄膜形成步驟包括實(shí)施在所述空隙處露出的所述上層側(cè)電極 的表面，形成輔助電極作為所述薄膜的步驟；并且包括在該薄膜形成步驟之后，在所述輔助電極上進(jìn)一步形成防止水 及氧的至少一方進(jìn)入到所述發(fā)光元件的屏障層的步驟。
全文摘要
本發(fā)明涉及發(fā)光裝置、電子設(shè)備以及成膜方法。發(fā)光裝置具備包含像素電極(13)、發(fā)光功能層(18)及對(duì)置電極(5)的有機(jī)EL元件(8)；形成在對(duì)置電極上且具有與該對(duì)置電極的直接接點(diǎn)的輔助電極(501)；和以覆蓋輔助電極及對(duì)置電極的方式形成、對(duì)有機(jī)EL元件防止水以及氧的進(jìn)入的屏障層(40)。并且，輔助電極俯視沿第一方向以線狀延伸，與該第一方向相交的方向的剖面形狀包含錐形形狀。由此，能夠使有機(jī)EL元件長(zhǎng)壽命化。
文檔編號(hào)H01L27/28GK101452947SQ20081018276
公開日2009年6月10日 申請(qǐng)日期2008年12月4日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月7日
發(fā)明者四谷真一, 新東晉 申請(qǐng)人:精工愛普生株式會(huì)社