專利名稱：制造配線基板的方法、制造半導(dǎo)體器件的方法及配線基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及制造配線基板的方法、制造半導(dǎo)體器件的方法以及 配線基板，更具體地涉及制造構(gòu)造為提高多層基板的電極片形成部分 的可靠性的配線基板的方法，制造半導(dǎo)體器件的方法以及配線基板。
背景技術(shù)：
例如，作為形成用于連接裸芯片和基板或者連接封裝基板和母板的BGA(球柵陣列)的球狀物的方法，己知這樣一種制造方法在基板上形成多個電極，然后形成具有與電極連通的孔的阻焊層并通過 熱處理(回流)熔化焊球，以在將焊球加裝在孔的開口上的狀態(tài)下將 熔化的焊球結(jié)合在孔中的電極上，并且在阻焊層的表面上形成焊料凸 點作為凸出部。另一方面，用于在縮減尺寸和增加裸芯片中的集成度的情況下 將裸芯片安裝在多層基板上的封裝件的研究已經(jīng)取得進(jìn)展(例如參見曰本專利No. 3635219 (JP-A-2000-323613公開文獻(xiàn)))。圖1示出了常規(guī)配線基板的結(jié)構(gòu)的實例。對于圖1所示基板的 結(jié)構(gòu)來說，以這樣的方式層疊各個層，即用第一絕緣層12覆蓋電 極片10的外周，并用第二絕緣層13覆蓋電極片10的上表面。從電 極片10的上表面的中心向上延伸的導(dǎo)通部14穿透第二絕緣層13并 與上部的配線部16連接。電極片IO具有金層17和鎳層18層疊在一 起的結(jié)構(gòu)，并以這樣的方式來設(shè)置，即金層17的表面從第一絕緣 層12露出并且導(dǎo)通部14與鎳層18連接。此外，在一些情況下，通過焊料凸點將半導(dǎo)體芯片安裝在電極 片10上，在另一些情況下，結(jié)合有焊球或管腳。這樣，在具有多層結(jié)構(gòu)的配線基板中，電極片io用作裸芯片加裝片或外部連接片。然而，在圖l所示配線基板中，電極片10的外周比較光滑。因此，對第一絕緣層12的附著力較小。當(dāng)通過回流處理進(jìn)行加熱時， 由于第一絕緣層12和電極片IO之間的熱膨脹差異而引起的熱應(yīng)力， 在設(shè)置為與電極片10的外周接觸的邊界部分中產(chǎn)生分層，從而第一 絕緣層12的一部分會斷開。此外，在第一絕緣層12的設(shè)置為與電極片10的角部(B部分) 外周接觸的部分由于通過回流處理進(jìn)行的加熱而斷開的情況下，存在 這樣的問題，即從電極片10的角部(A部分)朝向第二絕緣層13 產(chǎn)生裂紋20。此外，在裂紋20擴(kuò)大的情況下，存在這樣的可能性，即設(shè)置 在第二絕緣層13上的配線部16會被截斷。發(fā)明內(nèi)容因此，考慮到上述情況，本發(fā)明的目的在于提供可以解決上述 問題的制造配線基板的方法、制造半導(dǎo)體器件的方法及配線基板。 為了解決上述問題，本發(fā)明具有下列手段。根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供一種制造配線基板的方法，該方法包括以下步驟第一步驟，在支撐基板上形成第一電極片；第二步驟，在所述支撐基板的表面上層疊第一絕緣層，所述第一絕緣層包圍所述第一電極片的外周；第三步驟，在所述第一電極片的表面和所述第一絕緣層的表面 上形成第二電極片，所述第二電極片在平面方向上比所述第一電極片 的外周更寬；第四步驟，在所述第二電極片和所述第一絕緣層的表面上層疊 第二絕緣層；第五步驟，在所述第二絕緣層的表面上形成配線層，所述配線 層與所述第二電極片電連接；以及第六步驟，去除所述支撐基板以露出所述第一電極片。這樣可 以解決上述問題。根據(jù)本發(fā)明的第二方面，提供根據(jù)第一方面的方法，其中，所述第二步驟包括這樣的步驟在層疊所述第一絕緣層之前粗 糙化所述第一電極片的表面。這樣可以解決上述問題。根據(jù)本發(fā)明的第三方面，提供一種根據(jù)第一或第二方面的方法，其中，所述支撐基板由金屬形成，所述第一步驟包括這樣的步驟在所述支撐基板和所述第一電 極片之間形成與所述支撐基板類型相同的金屬層，并且所述第六步驟包括這樣的步驟去除所述支撐基板，去除所述 金屬層以及利用所述第一電極片的端面形成凹部。這樣可以解決上述 問題。根據(jù)本發(fā)明的第四方面，提供一種使用根據(jù)本發(fā)明的第一至第 三方面中的任一方面的制造配線基板的方法制造半導(dǎo)體器件的方法， 包括以下步驟通過焊料凸點將半導(dǎo)體芯片安裝在所述第一電極片上。這樣可 以解決上述問題。 —根據(jù)本發(fā)明的第五方面，提供一種配線基板，該配線基板包括 第一電極片；第一絕緣層，其包圍所述第一電極片的外周；第二絕緣層，其層疊在所述第一電極片和所述第一絕緣層的表面上，其中，在所述第一電極片和所述第二絕緣層之間設(shè)置有第二電 極片，所述第二電極片在平面方向上比所述第一電極片的外周更寬。 這樣可以解決上述問題。根據(jù)本發(fā)明，從第一電極片的表面到第一絕緣層的表面形成在 平面方向上比第一電極片的外周更寬的第二電極片。因此，可以防止 比第一電極片更寬的第二電極片從第一電極片的外周角部到第二絕 緣層產(chǎn)生裂紋。


圖1是示出常規(guī)配線基板的結(jié)構(gòu)的實例的視圖。圖2是示出根據(jù)本發(fā)明的配線基板的第一實施例適用的半導(dǎo)體 器件的縱向剖視圖。圖3A是說明根據(jù)第一實施例的制造配線基板的方法(第l部分) 的視圖。圖3B是說明根據(jù)第一實施例的制造配線基板的方法(第2部分) 的視圖。圖3C是說明根據(jù)第一實施例的制造配線基板的方法(第3部分) 的視圖。圖3D是說明根據(jù)第一實施例的制造配線基板的方法(第4部分) 的視圖。圖3E是說明根據(jù)第一實施例的制造配線基板的方法(第5部分) 的視圖。圖3F是說明根據(jù)第一實施例的制造配線基板的方法(第6部分) 的視圖。圖3G是說明根據(jù)第一實施例的制造配線基板的方法(第7部分) 的視圖。圖3H是說明根據(jù)第一實施例的制造配線基板的方法(第8部分) 的視圖。圖3I是說明根據(jù)第一實施例的制造配線基板的方法(第9部分) 的視圖。圖3J是說明根據(jù)第一實施例的制造配線基板的方法(第10部 分)的視圖。圖3K是說明根據(jù)第一實施例的制造配線基板的方法(第11部 分)的視圖。圖3L是說明根據(jù)第一實施例的制造配線基板的方法(第12部 分)的視圖。圖3M是說明根據(jù)第一實施例的制造配線基板的方法(第13部 分)的視圖。圖3N是說明根據(jù)第一實施例的制造配線基板的方法(第14部 分)的視圖。圖30是說明根據(jù)第一實施例的制造配線基板的方法(第15部 分)的視圖。圖3P是說明根據(jù)第一實施例的制造配線基板的方法(第16部 分)的視圖。圖3Q是說明根據(jù)第一實施例的制造配線基板的方法(第17部 分)的視圖。圖3R是說明根據(jù)第一實施例的制造配線基板的方法(第18部 分)的視圖。圖3S是說明根據(jù)第一實施例的制造配線基板的方法(第19部 分)的視圖。圖3T是說明根據(jù)第一實施例的制造配線基板的方法(第20部 分)的視圖。圖4是示出第一實施例的變型的視圖。圖5是示出配線基板的第二實施例適用的半導(dǎo)體器件的縱向剖視圖。圖6A是說明根據(jù)第二實施例的制造配線基板的方法(第1部分) 的視圖。圖6B是說明根據(jù)第二實施例的制造配線基板的方法(第2部分) 的視圖。圖6C是說明根據(jù)第二實施例的制造配線基板的方法(第3部分) 的視圖。圖6D是說明根據(jù)第二實施例的制造配線基板的方法(第4部分) 的視圖。圖6E是說明根據(jù)第二實施例的制造配線基板的方法(第5部分) 的視圖。圖6F是說明根據(jù)第二實施例的制造配線基板的方法(第6部分) 的視圖。圖6G是說明根據(jù)第二實施例的制造配線基板的方法(第7部分) 的視圖。圖6H是說明根據(jù)第二實施例的制造配線基板的方法(第8部分)的視圖。圖61是說明根據(jù)第二實施例的制造配線基板的方法(第9部分) 的視圖。圖6J是說明根據(jù)第二實施例的制造配線基板的方法(第10部 分)的視圖。圖6K是說明根據(jù)第二實施例的制造配線基板的方法(第11部 分)的視圖。圖6L是說明根據(jù)第二實施例的制造配線基板的方法(第12部 分)的視圖。圖6M是說明根據(jù)第二實施例的制造配線基板的方法(第13部 分)的視圖。圖6N是說明根據(jù)第二實施例的制造配線基板的方法(第14部 分)的視圖。圖60是說明根據(jù)第二實施例的制造配線基板的方法(第15部 分)的視圖。
圖6P是說明根據(jù)第二實施例的制造配線基板的方法(第16部 分)的視圖。圖6Q是說明根據(jù)第二實施例的制造配線基板的方法(第17部 分)的視圖。圖6R是說明根據(jù)第二實施例的制造配線基板的方法(第18部 分)的視圖。圖6S是說明根據(jù)第二實施例的制造配線基板的方法(第19部 分)的視圖。圖6T是說明根據(jù)第二實施例的制造配線基板的方法(第20部 分)的視圖。圖7是示出第二實施例的變型的視圖。
具體實施方式
下面，參考

本發(fā)明的最佳實施方式。(第一實施例)圖2是示出根據(jù)本發(fā)明的配線基板的第一實施例適用的半導(dǎo)體 器件的縱向剖視圖。如圖2所示，半導(dǎo)體器件100例如具有這樣的結(jié) 構(gòu)，即半導(dǎo)體芯片110以倒裝芯片的形式安裝在配線基板120上。 配線基板120具有多個配線層和多個絕緣層層疊在一起的多層結(jié)構(gòu)。 在本實施例中，作為具有配線層的第一層122、第二層124、第三層 126和第四層128的絕緣層在豎直方向上層疊在一起。此外，第一層 122具有這樣的結(jié)構(gòu)，g卩第一絕緣層121和第二絕緣層123層疊在 一起，以便執(zhí)行在第一電極片130上設(shè)置第二寬電極片132的步驟。 各個絕緣層由例如環(huán)氧樹脂或聚酰亞胺樹脂等絕緣樹脂形成。經(jīng)受焊料連接的第一絕緣層121和第四層128可以由作為阻焊 劑(由丙烯酸樹脂或環(huán)氧樹脂形成)的絕緣樹脂形成。此外，在半導(dǎo) 體器件100中，可以在半導(dǎo)體芯片110和配線基板120之間填充具有 絕緣性的底部填料樹脂。處于最上面一級的第一層122設(shè)置有第一電極片130、第二電極 片132和導(dǎo)通部134，半導(dǎo)體芯片110的端子以倒裝芯片的形式與第 一電極片130、第二電極片132和導(dǎo)通部134連接。此外，層疊在第 一層122下面的第二層124設(shè)置有與導(dǎo)通部134導(dǎo)通的配線層140 和導(dǎo)通部142。此外，層疊在第二層124下面的第三層126具有與導(dǎo) 通部142導(dǎo)通的配線層150和導(dǎo)通部152。另外，設(shè)置在第三層126 下面的第四層128具有與導(dǎo)通部152導(dǎo)通的第三電極片160。此外，在第一層122中，第一絕緣層121形成為包圍第一電極 片130的外周，并且第二電極片132形成于第一絕緣層121和第二絕 緣層123之間。第一電極片130具有三層結(jié)構(gòu)，其中設(shè)置有對焊料具有良好結(jié) 合性的金層170、鎳層172和銅層174。金層170從配線基板120的 上表面一側(cè)(半導(dǎo)體芯片安裝側(cè))露出，并且半導(dǎo)體芯片110的焊料 凸點180與金層170連接。半導(dǎo)體芯片110的端子通過焊料凸點180焊接到金層170上從 而與第一電極片130導(dǎo)通。通過將焊球加裝到第一電極片130上并進(jìn)行回流(熱處理)來形成焊料凸點180。比第一電極片130更寬的第二電極片132形成于第一絕緣層121 和第二絕緣層123之間的邊界面上。第二電極片132較寬，從而從第 一電極片130的外徑沿著徑向(平面方向)凸出。在本實施例中，如 果第一電極片130具有約70" m到100 ix m的直徑和約15 y m (±10的厚度，則第二電極片132例如具有比第一電極片130的直徑 大大約20%到90% (較合適的是50%到80%)的直徑并具有約2" m到15ixm (較合適的是5um)的厚度。比第一電極片130更寬的第二電極片132設(shè)置在第一電極片130 和導(dǎo)通部134之間。從而，通過回流處理而引起的熱應(yīng)力的前進(jìn)方向 被第二電極片132阻擋，并且熱應(yīng)力在例如沿著第一絕緣層121和第 二絕緣層123之間的邊界面的方向上被吸收。因此，即使在第一絕緣 層121的覆蓋第一電極片130外周的部分中產(chǎn)生分層從而使第一絕緣 層121斷開，也可以防止在第二絕緣層123上產(chǎn)生裂紋。對于第一電極片130，也可以采用這樣的結(jié)構(gòu)，即只層疊金層 170和鎳層172，并且金層170和鎳層172層疊為使金層170從配線 基板120的表面露出。此外，第一電極片130可以具有另一種電鍍結(jié) 構(gòu)，例如這樣的結(jié)構(gòu)，即以使金層170從配線基板120的表面露出 的方式按照金層、鈀層、鎳層和銅層的順序或者金層、鈀層和鎳層的 順序進(jìn)行層疊。參照圖3A至3T說明制造用于半導(dǎo)體器件100中的配線基板120 的方法。圖3A至3T是說明根據(jù)第一實施例的制造配線基板120的方 法(第1部分到第20部分)的視圖。在圖3A至3T中，各個層設(shè)置 為面朝下(圖2所示層疊結(jié)構(gòu)的豎直翻轉(zhuǎn)方向)，第一電極片130 設(shè)置在配線基板120的下表面一側(cè)。在圖3A中，首先，制備由具有預(yù)定厚度的平坦銅板或銅箔形成 的支撐基板200。然后，將干膜抗蝕劑210作為電鍍抗蝕劑層疊在支 撐基板200的上表面上。在圖3B中，通過曝光在干膜抗蝕劑210上形成用于露出支撐基 板200 —部分的第一電極片形成開口 220。第一電極片形成開口 220的內(nèi)徑與第一電極片130的外徑相等。 '在圖3C中，通過將支撐基板200設(shè)置為饋電層來進(jìn)行電解電鍍， 以將金沉積在第一電極片形成開口 220中的支撐基板200上，從而形 成金層170，此外，將鎳沉積在金層170的表面上，從而層疊鎳層172。此外，在圖3D中，通過將支撐基板200設(shè)置為饋電層來進(jìn)行電 解電鍍，以將銅沉積在第一電極片形成開口 220中的鎳層172上，從 而層疊銅層174。這樣就形成了第一鬼極片130。從而，將具有由金 層170、鎳層172和銅層174形成的三層結(jié)構(gòu)的第一電極片130設(shè)置 在第一電極片形成開口 220中。在圖3E中，從支撐基板200上剝離干膜抗蝕劑210，以便使第 一電極片130在層疊狀態(tài)下留在支撐基板200上。在圖3F中，對支撐基板200和第一電極片130的表面進(jìn)行粗糙 化處理(例如半蝕刻處理)，以粗糙化支撐基板200和第一電極片 130的表面。優(yōu)選的是，通過粗糙化處理而獲得的表面粗糙度應(yīng)當(dāng)具 有例如等于約0. 25y m到0. 75" ra的Ra。在圖3G中，在支撐基板200和第一電極片130的經(jīng)過粗糙化處 理的表面上層疊例如環(huán)氧樹脂或聚酰亞胺樹脂等樹脂膜，以便形成絕 緣層230。由于支撐基板200和第一電極片130的表面已粗糙化，所 以增強了絕緣層230對第一電極片130的附著力，從而可以防止由于 熱應(yīng)力而產(chǎn)生分層。在圖3H中，對結(jié)合在支撐基板200和第一電極片130的表面上 的絕緣層230的上表面進(jìn)行拋光。進(jìn)行拋光處理，直到露出第一電極 片130的表面為止。從而，獲得覆蓋第一電極片130外周的第一絕緣 層121。在圖31中，通過無電鍍銅，在第一絕緣層121和第一電極片130 的平坦化表面上形成種晶層190。作為形成種晶層190的方法，可以 使用其它薄膜形成方法(濺射法或CVD法)，或者也可以形成除銅之 外的導(dǎo)電金屬。此外，為了增強結(jié)合性，也可以在第一絕緣層121 和第一電極片130的表面上迸行粗糙化處理，然后形成種晶層。在圖3J中，將干膜抗蝕劑240作為電鍍抗蝕劑層疊在第一絕緣層121和第一電極片130的形成有種晶層190的表面(上表面)上。 然后，在干膜抗蝕劑240上進(jìn)行圖案化(曝光和顯影)，以形成用于 露出一部分種晶層190的第二電極片形成開口 250。第二電極片形成 開口 250的內(nèi)徑與第二電極片132的外徑相等，而第二電極片形成開 口 250的深度限定第二電極片132的高度(厚度)。在圖3K中，通過從種晶層190供電來進(jìn)行電解鍍銅以將銅沉積 在第二電極片形成開口 250中，從而形成直徑比第一電極片130大的 第二電極片132。從而，在第一電極片130的表面上層疊在徑向(平 面方向)上直徑更大的第二電極片132。在圖3L中，從種晶層190上去除干膜抗蝕劑240，此外，從第 一絕緣層121上去除種晶層190的除設(shè)置在第二電極片132下面的部 分之外的部分。從而，第二電極片132留在第一絕緣層121上。在圖 3L所示及之后的步驟中，銅結(jié)合在設(shè)置在第二電極片132下面的種 晶層190中，因此省略種晶層190。在圖3M中，在第二電極片132的表面上進(jìn)行粗糙化處理(例如 半蝕刻處理)，然后層疊例如環(huán)氧樹脂或聚酰亞胺樹脂等樹脂膜以形 成第二絕緣層123。從而，獲得具有第一電極片130和第二電極片132 的第一層122。然后，例如在第二絕緣層123上照射激光束，以便以 使第二電極片132的表面的中心露出的方式形成導(dǎo)通孔260。在圖3N中，通過無電鍍銅，在第二絕緣層123的表面和導(dǎo)通孔 260的內(nèi)表面上形成種晶層282。隨后，將干膜抗蝕劑270作為電鍍 抗蝕劑層疊在第二絕緣層123的表面(上表面)上。然后，在干膜抗 蝕劑270的表面上進(jìn)行圖案化(曝光和顯影)，以形成用于露出種晶 層282 —部分的配線圖案形成開口 280。在圖30中，通過從種晶層282供電來進(jìn)行電解鍍銅，以將銅沉 積在導(dǎo)通孔260和配線圖案形成開口 280中的種晶層282上，以便形 成導(dǎo)通部134和配線圖案層140。在圖3P中，從種晶層282上去除干膜抗蝕劑270，此外，從第 二絕緣層123上去除種晶層282的除設(shè)置在配線圖案層140下面的部 分之外的部分。從而，配線圖案層140留在第二絕緣層123上。在圖3P及之后的附圖中，未示出種晶層282。在圖3Q中，在第二絕緣層123和配線圖案層140的表面上進(jìn)行 粗糙化處理(例如半蝕刻處理)，并且層疊所謂的增層樹脂284以形 成作為第二層124的絕緣層(第三絕緣層)，該增層樹脂采取膜的形 狀并包含環(huán)氧樹脂作為主要成分(可以根據(jù)需要的硬度或撓性適當(dāng)?shù)?改變填料的含量)。例如，照射激光束以便以使配線圖案層140的表面露出的方式形成導(dǎo)通孔290。隨后，通過重復(fù)圖3M至3Q所示的步驟來形成第二層124的導(dǎo) 通部142和第三層126的配線圖案層150。此外，在配線基板120具 有四層或更多層的層疊結(jié)構(gòu)的情況下，優(yōu)選相應(yīng)地重復(fù)圖3M至3Q 所示的步驟。在圖3R中，通過無電鍍銅，在作為第三層126的絕緣層的表面 (上表面)上形成種晶層314，隨后層疊干膜抗蝕剤300作為電鍍抗 蝕劑。對于形成種晶層314的方法來說，也可以使用除無電鍍銅之外 的薄膜形成方法，或者可以由除銅之外的導(dǎo)電金屬形成種晶層314。然后，在干膜抗蝕劑300上進(jìn)行圖案化(曝光和顯影)，以形 成用于露出種晶層314—部分的電極形成開口 310。接下來，通過向 種晶層314供電來進(jìn)行電解鍍銅，以將銅沉積在導(dǎo)通孔312和電極形 成開口310中，以便形成導(dǎo)通部152和第三電極片160。此后，從種 晶層314上去除干膜抗蝕劑300，此外，去除種晶層314的除設(shè)置在 第三電極片160下面的部分之外的部分。在圖3S所示及之后的步驟 中，銅結(jié)合在設(shè)置在第三電極片160下面的種晶層314中，因此省略 種晶層314。在圖3S中，在作為第三層126的絕緣層的表面(上表面)上層 疊阻焊層320，從而形成作為第四層128的絕緣層，然后以使第三電 極片160的中央部分露出的方式形成開口 330。在圖3 T中，通過濕式蝕刻法去除支撐基板200.以獲得配線基板 120。也可以使用沿著豎直方向彼此粘貼的兩個支撐基板200作為支 撐基板200，并將配線基板120層疊在該支撐基板的上表面?zhèn)群拖卤?面?zhèn)?。在這種情況下，將兩個支撐基板200分割成兩個部分，然后通過濕式蝕刻法去除支撐基板200。此后，如圖2所示，將焊球加裝在配線基板120的第一電極片 130上并進(jìn)行回流，以便使半導(dǎo)體芯片110的每一個端子通過焊料凸 點180與第一電極片130連接，從而將半導(dǎo)體芯片IIO安裝在配線基 板120上。例如，可以適當(dāng)?shù)剡x擇將半導(dǎo)體芯片110安裝在配線基板 120上的步驟，在一些情況下，將半導(dǎo)體芯片110安裝在配線基板120 上以滿足客戶的要求，而在另一些情況下，將配線基板120交付給客 戶并在客戶那里將半導(dǎo)體芯片IIO安裝在配線基板120上。此外，在由于形成焊料凸點180而在回流時產(chǎn)生熱應(yīng)力的情況 下，由于第二電極片132形成為從第一電極片130的外徑沿著徑向(平 面方向)凸出，所以熱應(yīng)力的前進(jìn)方向被第二電極片132阻擋，并且 熱應(yīng)力在沿著第一絕緣層121和第二絕緣層123之間的邊界面的方向 上被吸收。因此，在根據(jù)第一實施例的配線基板120中，可以防止在 覆蓋第二電極片132外周的第二絕緣層123中產(chǎn)生裂紋。圖4是示出第一實施例的變型的視圖。在該變型中，如圖4所 示，以相對于第一實施例反轉(zhuǎn)的豎直方向來使用配線基板120。更具 體來說，通過焊料凸點180將半導(dǎo)體芯片110安裝在第三電極片160 上，并且使焊球經(jīng)受回流以在第一電極片130上形成焊料凸點340。如圖2和圖4所示，半導(dǎo)體芯片110可以安裝在配線基板120 中的第一電極片130或第三電極片160上。在該變型中，第三電極片160可以設(shè)置具有層疊金層和鎳層的 電鍍層(金層層疊為從表面露出)。在該變型中，在圖3S所示步驟，可以將半導(dǎo)體芯片IIO加裝在配線基板120上，然后可以去除支撐基板200以完成半導(dǎo)體器件。此外，同樣在該變型中，可以在半導(dǎo)體芯片110和配線基板120 之間填充具有絕緣性的底部填料樹脂。此外，可以通過引線接合來安裝加裝在根據(jù)該變型的配線基板 120上的半導(dǎo)體芯片110。(第二實施例)圖5是示出配線基板的第二實施例適用的半導(dǎo)體器件的縱向剖 視圖。在圖5中，與第一實施例相同的部分具有相同的附圖標(biāo)記并省 略其說明。如圖5所示，在用于根據(jù)第二實施例的半導(dǎo)體器件400中的配 線基板420中，在從第一絕緣層121的表面凹進(jìn)的電極開口 430上形 成第一電極片130的表面(位于金層170 —側(cè)的端面)。然后，在將 焊球插入電極開口 430中的狀態(tài)下進(jìn)行回流(熱處理)，從而在金層 170 —側(cè)形成焊料凸點180。在根據(jù)第二實施例的半導(dǎo)體器件400中， 可以在半導(dǎo)體芯片110和配線基板420之間填充具有絕緣性的底部填 料樹脂。參照圖6A至6T說明制造用于半導(dǎo)體器件400中的配線基板420 的方法。圖6A至6T是說明根據(jù)第二實施例的制造配線基板420的方 法(第1部分到第20部分)的視圖。在圖6A至6T中，各個層設(shè)置 為面朝下(圖5所示層疊結(jié)構(gòu)的豎直反轉(zhuǎn)方向)，第一電極片130 設(shè)置在配線基板420的下表面一側(cè)。 —在圖6A中，首先，制備由具有預(yù)定厚度的平坦銅板或銅箔形成 的支撐基板200。然后，將干膜抗蝕劑210作為電鍍抗蝕劑層疊在支 撐基板200的上表面上。在圖6B中，通過曝光在干膜抗蝕劑210上形成用于露出支撐基 板200 —部分的第一電極片形成開口 220。第一電極片形成開口 220 的內(nèi)徑與第一電極片130的外徑相等。隨后，通過將支撐基板200設(shè)置為饋電層對第一電極片形成開 口 220的內(nèi)部進(jìn)行電解鍍銅，以將銅沉積在第一電極片形成開口 220 中的支撐基板200上，以便形成銅層440。在圖6C中，通過將支撐基板200設(shè)置為饋電層來進(jìn)行電解電鍍， 以將金沉積在第一電極片形成開口 220中的銅層440上，從而形成金 層170，此外，將鎳沉積在金層170的表面上，從而層疊鎳層172。此外，在圖6D中，通過將支撐基板200設(shè)置為饋電層來進(jìn)行電 解電鍍，以將銅沉積在第一電極片形成開口 220中的鎳層172上，從 而層疊銅層174。從而，將銅層440和由金層170"鎳層172和銅層174形成的第一電極片130設(shè)置在第一電極片形成開口 220中。在圖6E中，從支撐基板200上剝離干膜抗蝕劑210，以便使銅 層440和第一電極片130在層疊狀態(tài)下留在支撐基板200上。由于在圖6F至6S所示步驟中進(jìn)行與根據(jù)第一實施例的圖3F至 3S所示步驟相同的處理，所以省略其說明。在圖6T中，通過濕式蝕刻法去除支撐基板200，此外，還去除 銅層440以獲得配線基板420。在根據(jù)第二實施例的配線基板420中， 去除銅層440，以便在下表面一側(cè)(芯片安裝側(cè))形成電極開口 430。也可以使用沿著豎直方向彼此粘貼的兩個支撐基板200作為支 撐基板200，并將配線基板420層疊在該支撐基板的上表面?zhèn)群拖卤?面?zhèn)?。在這種情況下，將兩個支撐基板200分割成兩個部分，然后通 過濕式蝕刻法去除支撐基板200。此后，如圖5所示，將焊球加裝在電極開口 4 0的金層170上 并隨后進(jìn)行回流，以便使半導(dǎo)體芯片110的每一個端子通過焊料凸點 180與第一電極片130連接，從而將半導(dǎo)體芯片110安裝在配線基板 420上。例如，可以適當(dāng)?shù)剡x擇將半導(dǎo)體芯片110安裝在配線基板420 上的步驟，在一些情況下，將半導(dǎo)體芯片110安裝在配線基板420 上以滿足客戶的要求，而在另一些情況下，將配線基板420交付給客 戶并在客戶那里將半導(dǎo)體芯片110安裝在配線基板420上。這樣，在根據(jù)第二實施例的配線基板420中，庫極開口 430形 成于下表面一側(cè)(芯片安裝側(cè))。因此，當(dāng)要安裝半導(dǎo)體芯片110 時，使電極開口 430經(jīng)受回流(熱處理)，以便將焊料凸點180結(jié)合 在第一電極片130的金層170—側(cè)。從而，將焊料凸點180可靠地結(jié) 合在第一電極片130上，并且還通過電極開口 430的周緣部分增大徑 向結(jié)合強度。此外，在由于形成焊料凸點180而在回流時產(chǎn)生熱應(yīng)力的情況 下，由于第二電極片132較寬并形成為從第一電極片130的外徑沿著 徑向(平面方向)凸出，所以熱應(yīng)力的前進(jìn)方向被第二電極片132 阻擋，并且熱應(yīng)力在沿著第一絕緣層121和第二絕緣層123之間的邊 界面的方向上被吸收。因此，在根據(jù)第二實施例的配線基板420中，可以以與第一實施例相同的方式防止在覆蓋第二電極片132外周的 第二絕緣層123中產(chǎn)生裂紋。圖7是示出第二實施例的變型的視圖。在該變型中，如圖7所 示，以相對于第二實施例反轉(zhuǎn)的豎直方向來使用配線基板420。更具 體來說，通過焊料凸點180將半導(dǎo)體芯片IIO安裝在第三電極片160 上，并且使焊球經(jīng)受回流以在第一電極片130上形成焊料凸點340。 在這種情況下，焊料凸點340具有通過電極開口 430的周緣部分增大 的徑向結(jié)合強度。如圖5和圖7所示，半導(dǎo)體芯片110可以安裝在配線基板420 中的第一電極片130或第三電極片160上。在該變型中，第三電極片160可以設(shè)置具有層疊金層和鎳層的 電鍍層(金層層疊為從表面露出)。在該變型中，在圖6S所示步驟，可以將半導(dǎo)體芯片ilO加裝在 配線基板420上，然后可以去除支撐基板200以完成半導(dǎo)體器件。此外，同樣在該變型中，可以在半導(dǎo)體芯片110和配線基板420 之間填充具有絕緣性的底部填料樹脂。此外，可以通過引線接合來安裝加裝在根據(jù)該變型的配線基板 420上的半導(dǎo)體芯片110。[工業(yè)實用性]除用于半導(dǎo)體芯片安裝的電極片以外，根據(jù)本發(fā)明的電極片顯 然還可以適用于例如BGA (球柵陣列)、PGA (針柵陣列)和LGA (矩 柵陣列)等用于外部連接的電極片。本發(fā)明不局限于具有形成焊料凸點180的結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件， 而是也可以采用將電子元件加裝在基板上的結(jié)構(gòu)或在基板上形成配 線圖案的結(jié)構(gòu)。因此，本發(fā)明顯然還可以適用于例如通過焊料凸點結(jié) 合在基板上的倒裝芯片或多層基板或通過焊料凸點與電路板結(jié)合的 插入件。
權(quán)利要求
1.一種制造配線基板的方法，包括以下步驟第一步驟，在支撐基板上形成第一電極片；第二步驟，在所述支撐基板的表面上層疊第一絕緣層，所述第一絕緣層包圍所述第一電極片的外周；第三步驟，在所述第一電極片的表面和所述第一絕緣層的表面上形成第二電極片，所述第二電極片在平面方向上比所述第一電極片的外周更寬；第四步驟，在所述第二電極片和所述第一絕緣層的表面上層疊第二絕緣層；第五步驟，在所述第二絕緣層的表面上形成配線層，所述配線層與所述第二電極片電連接；以及第六步驟，去除所述支撐基板以露出所述第一電極片。
全文摘要
本發(fā)明公開一種制造配線基板的方法、一種制造半導(dǎo)體器件的方法以及一種配線基板。半導(dǎo)體器件(100)具有這樣的結(jié)構(gòu)，即半導(dǎo)體芯片(110)以倒裝芯片的形式安裝在配線基板(120)上。配線基板(120)具有多層結(jié)構(gòu)，其中，多個配線層和多個絕緣層層疊在一起，并且絕緣層層疊為第一層(122)、第二層(124)、第三層(126)和第四層(128)。第二電極片(132)在第一絕緣層(121)和第二絕緣層(123)之間的邊界面上形成為在徑向(平面方向)上比第一電極片(130)的外徑更寬。形成為比第一電極片(130)更寬的第二電極片(132)設(shè)置在第一電極片(130)和導(dǎo)通部(134)之間。
文檔編號H01L21/60GK101276761SQ20081008912
公開日2008年10月1日 申請日期2008年3月28日 優(yōu)先權(quán)日2007年3月29日
發(fā)明者小林和弘 申請人:新光電氣工業(yè)株式會社