專利名稱：：印刷配線基板及印刷配線基板的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及印刷配線基板及其制造方法，更詳細(xì)地說，涉及在絕緣樹脂膜與銅被膜層之間，采用干式電鍍法依次形成蝕刻性良好的金屬層與耐蝕性高的金屬層，具有高的絕緣可靠性的印刷配線基板及其制造方法。
背景技術(shù)：
：撓性印刷配線基板，大致分為在絕緣樹脂膜上采用粘接劑粘貼有作為導(dǎo)體層的銅箔的3層樹脂膜金屬膜疊層基板(例如，參照專利文獻(xiàn)1)、和在絕緣樹脂膜上不采用粘接劑的干式電鍍法或濕式電鍍法直接形成的作為導(dǎo)體層的銅被膜層的2層樹脂膜金屬膜疊層基板。但是，近年來伴隨著電子儀器的高密度化，要求節(jié)距窄的配線基板，在上述3層樹脂膜金屬膜疊層基板的制造中，在絕緣樹脂膜上形成的銅被膜層，按照所希望的配線圖案，通過蝕刻形成導(dǎo)體配線部，該導(dǎo)體配線部的側(cè)面產(chǎn)生被過度蝕刻的所謂側(cè)蝕刻，結(jié)果產(chǎn)生配線部的斷面形狀易變成下部寬大時(shí)梯形的問題。因此，為了解決該問題，以2層樹脂膜金屬膜疊層基板代替原來的粘貼銅箔(3層樹脂膜金屬膜疊層基板)現(xiàn)己成為主流。該2層樹脂膜金屬膜疊層基板，在絕緣樹脂膜上形成均勻厚度的銅被膜層，作為其方法，通常采用電鍍法。而且，為了進(jìn)行電鍍，一般是在電鍍形成前，在絕緣樹脂膜上形成薄的金屬層，對整個(gè)表面賦予導(dǎo)電性，在其上進(jìn)行電鍍(例如，參照專利文獻(xiàn)2)。還有，在絕緣樹脂膜上形成薄的金屬層，可以采用真空蒸鍍法、離子鍍法等干式電鍍法來形成。其中，絕緣樹脂膜與銅被膜層的密合性，當(dāng)在其界面形成CuO或Cii20等層時(shí)變得非常弱，所以，為了保持印刷配線板要求的與銅被膜層的密合強(qiáng)度，在絕緣樹脂膜與銅被膜層之間，作為基底金屬層，設(shè)置鎳-鉻合金層(參照專利文獻(xiàn)3)。下面，把基底金屬層與銅被膜層構(gòu)成的疊層體作為金屬膜。2層樹脂膜金屬膜疊層基板的配線圖案，可采用減法(subtractiveprocess)形成。所謂該減法，意指把樹脂膜金屬膜疊層基板的金屬膜不要部分，通過化學(xué)蝕刻處理加以除去，制造印刷配線基板的制造方法。該化學(xué)蝕刻處理，由采用化學(xué)蝕刻液把不要的金屬膜進(jìn)行侵蝕和為了除去化學(xué)蝕刻液的水洗構(gòu)成，在化學(xué)蝕刻處理時(shí)，一般是把化學(xué)蝕刻液，水采用噴淋法等進(jìn)行噴射，或在化學(xué)蝕刻液等中浸漬來進(jìn)行的。與銅被膜層的蝕刻對應(yīng)的化學(xué)蝕刻液，例如，有氯化鐵(FeCl3.2H20)水溶液、鹽酸酸性氯化銅(CuCh2H20)水溶液，進(jìn)行使用這些的化學(xué)蝕刻處理，可以形成導(dǎo)體配線。采用這些化學(xué)蝕刻液的化學(xué)蝕刻法，作為基底金屬層從耐蝕性的觀點(diǎn)看，當(dāng)采用鉻含量高的鎳-鉻合金時(shí)，化學(xué)蝕刻不能充分進(jìn)行，在導(dǎo)體配線邊緣、導(dǎo)體配線間，溶解殘留基底金屬層，產(chǎn)生作為蝕刻殘?jiān)慕饘贇堅(jiān)?，有時(shí)得不到充分的蝕刻成果。另外，作為絕緣可靠性方面的問題點(diǎn)，在絕緣可靠性的指標(biāo)中，可以實(shí)施恒溫恒濕偏流試驗(yàn)(下面有時(shí)稱作HHBT試驗(yàn)HighTemperatureHighHumidityBiasTest)等。產(chǎn)生上述蝕刻殘?jiān)幕逡约安捎勉t含量低的基底金屬層的撓性印刷配線基板，在HHBT試驗(yàn)中明確顯示絕緣可靠性不充分。即，具有含鉻量高的基底金屬層的2層樹脂膜金屬膜疊層基板，進(jìn)行上述化學(xué)蝕刻處理時(shí)，鎳-鉻合金等基底金屬層由于蝕刻不足而溶解殘留時(shí)，當(dāng)進(jìn)行HHBT試驗(yàn)時(shí)，相鄰的導(dǎo)體配線，因配線間溶解殘留的基底金屬層成分構(gòu)成的金屬殘?jiān)?，產(chǎn)生短路的問題。另一方面，采用具有含鉻量低的基底金屬層的2層樹脂膜金屬膜疊層基板，無蝕刻殘?jiān)l(fā)生，但由于不能確保基底金屬層的耐蝕性，不能確保HHBT試驗(yàn)中的絕緣可靠性。因此，對基底金屬層要求蝕刻性及耐蝕性的相反特性。在此，作為實(shí)現(xiàn)絕緣可靠性的措施之一，必需把上述導(dǎo)體配線間殘留的蝕刻殘?jiān)ィ鳛樗婕暗脑撊秉c(diǎn)的改正辦法，例如，專利文獻(xiàn)4中提出采用對應(yīng)于銅被膜的化學(xué)蝕刻液，即氯化鐵溶液或鹽酸酸性氯化銅溶液進(jìn)行蝕刻處理后，并用含鹽酸的酸性蝕刻液、高錳酸鉀溶液等堿性蝕刻液的1種或2種以上進(jìn)行處理，溶解配線間的蝕刻殘?jiān)?。另外，專利文獻(xiàn)5中提出配線間的蝕刻殘?jiān)?，用含鹽酸與硫酸的溶液進(jìn)行化學(xué)蝕刻，再于高錳酸鉀與氫氧化鉀與氫氧化鈉的混合液中進(jìn)行浸漬處理。還有，專利文獻(xiàn)6中提出配線間的蝕刻殘?jiān)?，用含鹽酸的酸性化學(xué)蝕刻液溶解，再用含鐵氰化鉀或高錳酸鹽的堿性蝕刻液進(jìn)行處理。當(dāng)使用含鐵氰化鉀或高錳酸鹽的堿性蝕刻液時(shí)，采用銅配線的側(cè)蝕刻少的方法，把配線間溶解殘留的鎳鉻合金或鎳鉻鉬合金除去是可能的。特開平6-132628號公報(bào)特開平8-139448號公報(bào)特開平6-120630號公報(bào)特開2005-23340號公報(bào)特許第3888587號特開2008-28150號公報(bào)
發(fā)明內(nèi)容發(fā)明要解決的課題但是，最近的撓性印刷配線基板，伴隨著配線圖案的更加高密度化，進(jìn)行了配線的窄節(jié)距化，還有，或伴隨著高性能化要求在高電壓下使用，結(jié)果是所用的印刷配線基板的絕緣可靠性變得重要，為了耐高電壓，對基底金屬層要求更高的耐蝕性。在此，從耐蝕性的觀點(diǎn)考慮，可見設(shè)置鎳-鉻合金的鉻含量高的基底層的傾向，結(jié)果是通過化學(xué)蝕刻處理，在導(dǎo)體配線間，基底金屬層成分溶解殘留的蝕刻殘?jiān)陌l(fā)生有增高的傾向。還有，現(xiàn)有的2層樹脂膜金屬膜疊層基板，在采用減法形成導(dǎo)體配線圖案時(shí)，由于采用氯化鐵水溶液或鹽酸酸性氯化銅水溶液的l種化學(xué)蝕刻液進(jìn)行蝕刻處理，故在除去蝕刻殘?jiān)黾有碌奈g刻處理工序，必需嶄新導(dǎo)入設(shè)備，則產(chǎn)生設(shè)備成本及液體管理成本增大的問題以及因工序增加而導(dǎo)致生產(chǎn)效率降低的擔(dān)心。本發(fā)明是為了解決這些問題而提出的，其目的是提供在使用干式電鍍法及電鍍法的撓性印刷配線基板的制造中，在絕緣樹脂膜的至少單面上形成基底金屬層，在該基底金屬層上形成銅被膜層時(shí)，在導(dǎo)體配線形成時(shí)具有高蝕刻性，具體的是采用氯化鐵水溶液或鹽酸酸性氯化銅水溶液進(jìn)行蝕刻時(shí)，在導(dǎo)體配線間殘留的基底金屬層成分的蝕刻殘?jiān)?，對?dǎo)體配線間施加高電壓時(shí)，兼具有高的絕緣可靠性及耐蝕性的印刷配線基板及其制造方法。用于解決課題的手段鑒于上述狀況，本發(fā)明人進(jìn)行悉心研究的結(jié)果發(fā)現(xiàn)，在絕緣樹脂膜的單面或兩面上不通過粘接劑，疊層金屬層B、金屬層C、銅被膜層D，可以實(shí)現(xiàn)確保絕緣可靠性與耐蝕性的印刷配線基板。本發(fā)明的第1發(fā)明涉及印刷配線基板，印刷配線基板，其是通過化學(xué)蝕刻處理選擇性地除去不通過粘結(jié)劑而將金屬膜疊層在絕緣樹脂膜A的至少一個(gè)表面上而成的樹脂膜金屬膜疊層基板上的上述金屬膜的不需要部分而形成導(dǎo)體配線的，其特征在于，構(gòu)成上述導(dǎo)體配線的金屬膜包括在上述絕緣樹脂膜A的表面上疊層的金屬層B，該金屬層B由鎳或者含70質(zhì)量°/。以上的鎳和低于15質(zhì)量％鉻的鎳-鉻合金構(gòu)成；在上述金屬層B的表面疊層的金屬層C,該金屬層C包含含鎳、舍鉻15質(zhì)量％以上的合金；以及，在上述金屬層C的表面疊層的膜厚10nm~35jam的銅被膜層D，僅使用蝕刻上述銅被膜層D的化學(xué)蝕刻液來蝕刻所述金屬膜的不需要部分。本發(fā)明的第2發(fā)明涉及第1發(fā)明所述的印刷配線基板，其特征在于，對包含依次疊層有上述金屬層B、金屬層C及銅被膜層D的上述金屬膜的導(dǎo)體配線，采用氯化鐵水溶液或鹽酸酸性氯化銅水溶液進(jìn)行化學(xué)蝕刻處理后在上述絕緣樹脂膜A上殘留的金屬的殘?jiān)?，相對上述絕緣樹脂膜A的每單位面積為0.13jLig/cm2以下。第3發(fā)明涉及第l發(fā)明或第2發(fā)明所述的印刷配線基板，其特征在于，上述金屬層B包含含釩13質(zhì)量％以下、鈥8質(zhì)量％以下、鉬20質(zhì)量％以下，余量由鎳和1質(zhì)量％以下的不可避免的雜質(zhì)構(gòu)成，或者由含70質(zhì)量％以上的鎳和低于15質(zhì)量％鉻的鎳-鉻合金和1質(zhì)量％以下的不可避免的雜質(zhì)構(gòu)成膜厚為3~20nm。第4發(fā)明涉及第1發(fā)明~第3發(fā)明任何一項(xiàng)所述的印刷配線基板，其特征在于，上述金屬層C是含鉻15質(zhì)量％以上、鎳O.01~85質(zhì)量％，1質(zhì)量°/。以下的不可避免的雜質(zhì)的合金，或者是含鉻15質(zhì)量％以上、鎳0.01~85質(zhì)量％、鉬0.01~40質(zhì)量％和1質(zhì)量％以下的不可避免的雜質(zhì)的合金，膜厚為537nm，或膜厚5服以上且與金屬層B合計(jì)在40nm以下。第5發(fā)明涉及第1發(fā)明~第3發(fā)明任何一項(xiàng)所述的印刷配線基板，其特征在于，上述化學(xué)蝕刻液不含錳及氰化物。第6發(fā)明涉及第l發(fā)明第3發(fā)明任何一項(xiàng)所述的印刷配線基板，其特征在于，上述化學(xué)蝕刻液為氯化鐵水溶液或鹽酸酸性氯化銅水溶液。第7發(fā)明涉及第1發(fā)明或笫2發(fā)明所述的印刷配線基板，其特征在于，上述絕緣樹脂膜A是選自聚酰亞胺類膜、聚酰胺類膜、聚酯類膜、聚四氟乙烯類膜、聚苯硫醚類膜、聚萘二曱酸乙二醇酯類膜、液晶聚合物類膜的至少l種以上的樹脂膜。第8發(fā)明涉及印刷配線基板的制造方法，其是對于在絕緣樹脂膜A的至少1個(gè)表面上不通過粘接劑而疊層了金屬膜的樹脂膜金屬膜疊層基板的上述金屬膜，通過化學(xué)蝕刻選擇性地除去上述金屬膜的不要部分，形成導(dǎo)體配線的印刷配線基板的制造方法，其特征在于，如下形成上述樹脂膜金屬膜疊層基板在上述絕緣樹脂膜A的表面上，采用干式電鍍法形成鎳或以鎳作為主成分的金屬層B，然后，在該金屬層B的表面，采用干式電鍍法形成以含15質(zhì)量％以上的鉻及鎳的合金、或含15質(zhì)量％以上的鉻、鎳及鉬的合金構(gòu)成的金屬層C后，在該金屬層C的表面形成由膜厚10nm~35pm的銅被膜層D疊層成的金屬膜，該金屬膜采用l種蝕刻液進(jìn)行選擇性地除去，形成導(dǎo)體配線。第9發(fā)明涉及笫8發(fā)明所述的印刷配線基板的制造方法，其特征在于，上述化學(xué)蝕刻液不含錳及氰化物。第IO發(fā)明涉及第8發(fā)明所述的印刷配線基板的制造方法，其特征在于，上述化學(xué)蝕刻液為氯化鐵水溶液或鹽酸酸性氯化銅水溶液。第ll發(fā)明涉及第8發(fā)明所述的印刷配線基板的制造方法，其特征在于，上述銅被膜層D是在采用干式電鍍法形成的銅層表面上采用電鍍法形成銅層而得到的。第12發(fā)明涉及第8發(fā)明或第11發(fā)明所述的印刷配線基板的制造方法，其特征在于，上述干式電鍍法為真空蒸鍍法、濺射法或離子鍍法的任何一種。發(fā)明效果本發(fā)明的印刷配線板，在絕緣樹脂膜A與銅被膜層D之間配置含鉻15質(zhì)量。/。以上的金屬層C而具有優(yōu)良的耐蝕性，同時(shí)，在絕緣樹脂膜A與金屬層C之間配置包含鉻含量低于15質(zhì)量％的合金的金屬層B,金屬膜可采用1種化學(xué)蝕刻液無殘?jiān)爻?，可大大確保印刷配線基板的絕緣可靠性，其工業(yè)的利用價(jià)值極高。圖1是本發(fā)明的印刷配線板中使用的樹脂膜金屬膜疊層體的斷面圖。圖2是表示鎳-鉻合金的鉻量與蝕刻殘?jiān)康年P(guān)系圖。圖3是絕緣可靠性評價(jià)中使用的梳齒狀配線概略圖。[符號的說明]A絕緣樹脂膜AB金屬層BC金屬層CD銅被膜層Dla、lb短路棒(shortbar)2a、2b梳齒狀導(dǎo)體10a、10b梳型配線具體實(shí)施例方式本發(fā)明的印刷配線板，是在2層樹脂膜金屬膜疊層基板(下面稱作樹脂膜金屬膜疊層基板)上，實(shí)施采用減法或半加成法的加工而制造的。樹脂膜金屬膜疊層基板本發(fā)明的印刷配線基板中使用的樹脂膜金屬膜疊層體，在絕緣樹脂膜A的至少1個(gè)面上，不通過粘接劑形成依次疊層有金屬層B、金屬層C及銅被膜層D的金屬膜。在圖1中表示本發(fā)明的印刷配線基板中使用的樹脂膜金屬膜疊層體的斷面。金屬層B及金屬層C,相當(dāng)于2層樹脂膜金屬膜疊層基板的基底金屬層。還有，該樹脂膜金屬膜疊層體，是絕緣樹脂膜A與各金屬層疊層而成，由于不存在粘接劑層，所以，相當(dāng)于2層樹脂膜金屬膜疊層基板。下面，對本發(fā)明的樹脂膜金屬膜疊層基板的各構(gòu)成要素加以詳細(xì)說明。(金屬層B)金屬層B,在絕緣樹脂膜A的表面上不介由粘接劑疊層，包含含鎳、或含鎳70質(zhì)量％以上、鉻低于15質(zhì)量％的合金。該金屬層B的鉻含量優(yōu)選14.5質(zhì)量％以下，更優(yōu)選14質(zhì)量％以下。當(dāng)鉻含量達(dá)到15質(zhì)量％以上時(shí)，不能通過釆用氯化鐵水溶液或鹽酸酸性氯化銅水溶液的化學(xué)蝕刻來除去金屬層B,不能保持絕緣可靠性。還有，金屬層B可以含有釩13質(zhì)量％以下、鈦8質(zhì)量％以下、鉬20質(zhì)量％以下。這些釩、鈥、鉬的含有，既可將其選擇的1種元素添加至金屬層B,也可添加多種元素。即，金屬層B既可以是包含鎳與選自釩、鈦、鉬的l種元素的合金，也可以是包含鎳與選自釩、鈦、鉬的2種以上元素的合金。另外，既可以是包含鎳與鉻、以及選自釩、鈦、鉬的l種元素的合金，也可以是包含鎳、鉻、及選自釩、鈦、鉬的2種以上元素的合金。釩、鈦、鉬的各元素，可以提高金屬層B的耐蝕性，當(dāng)含釩13質(zhì)量％以下、鈦8質(zhì)量％以下、鉬20質(zhì)量％以下的含量時(shí)，在釆用氯化鐵水溶液或鹽酸酸性氯化銅水溶液的蝕刻工序中，不產(chǎn)生金屬層B的殘?jiān)?。還有，當(dāng)金屬層B的添加元素僅由鈦構(gòu)成時(shí)，在采用氯化鐵水溶液或鹽酸酸性氯化銅水溶液的蝕刻工序中，產(chǎn)生金屬層B的殘?jiān)?。因此，金屬層B為了提高耐熱性及耐蝕性，可以與目的特性一致地適當(dāng)添加過渡金屬元素。還有，金屬層B中除這些合金以外，還可以存在有制造耙時(shí)進(jìn)入等而含有的1質(zhì)量°/。以下的不可避免的雜質(zhì)。金屬層B的形成方法，可采用公知的蒸鍍法、濺射法、離子鍍法，特別是濺射法，因?yàn)榭刹灰饍?yōu)選的組成成分的合金發(fā)生變動(dòng)，因此優(yōu)選。當(dāng)金屬層B的膜厚小于3nm時(shí)，導(dǎo)體配線加工時(shí)釆用氯化鐵水溶液或鹽酸酸性氯化銅水溶液的化學(xué)蝕刻中，金屬層C與金屬層B—起未被溶解而溶解殘留在導(dǎo)體配線間。其理由，可以認(rèn)為是由于金屬層B未作為完整膜形成，局部在絕緣樹脂膜A上直接形成金屬層C，或金屬層C與金屬層B—起溶解的現(xiàn)象不易發(fā)生，當(dāng)考慮導(dǎo)體配線加工后的耐蝕性時(shí)，金屬層B盡可能薄為宜。當(dāng)膜厚大于20nm時(shí)，對導(dǎo)體配線施加電壓時(shí)，金屬層B的成分逐漸溶出，易成為短路不良的原因。還有，金屬層B的膜厚可從形成條件推定，例如，已知采用濺射法時(shí)，根據(jù)向?yàn)R射陰極投入的電力及濺射時(shí)間等形成條件，膜厚呈直線變化，能夠從條件求出金屬層B的膜厚。(金屬層c)金屬層C，是在絕緣樹脂膜A上的金屬層B的表面，不通過粘接劑而形成。金屬層C是以鎳與鉻作為主成分的合金，其鉻含量低于15質(zhì)量％時(shí)，配線加工后的耐蝕性不能充分保持，由于金屬層C或銅的溶出而絕緣可靠性降低。另一方面，當(dāng)鉻含量大于70質(zhì)量％時(shí)，鉻有可能在晶粒邊界析出，是不優(yōu)選的，另外，當(dāng)金屬層C僅由Cr構(gòu)成時(shí)，由于因鹽酸而溶解，因此耐酸性降低，所以當(dāng)經(jīng)過蝕刻工序及電鍍工序時(shí)，與絕緣可靠性有關(guān)，故優(yōu)選15~70質(zhì)量％。另外，金屬層C的鎳含量，在確保鉻含量之后，0.01~85質(zhì)量％為宜。還有，在金屬層C中還可以含鉬達(dá)到0.01~40質(zhì)量％。此時(shí)，不用說應(yīng)把鎳、鉻及不可避免的雜質(zhì)的含量加起來調(diào)整至100質(zhì)量％。鉬也具有提高耐蝕性的效果，當(dāng)鉬含量超過40質(zhì)量％時(shí)，耐熱剝離強(qiáng)度有極端降低的傾向，因此是不優(yōu)選的。當(dāng)金屬層C的膜厚低于5nm時(shí)，不能確保對銅的阻隔性，絕緣可靠性降低。還有，當(dāng)金屬層B與金屬層C的合計(jì)膜厚大于40nm時(shí)，膜的應(yīng)力變高，產(chǎn)生細(xì)裂紋及翹曲，密合強(qiáng)度有可能降低，優(yōu)選金屬層B與金屬層C的合計(jì)膜厚在40nm以下。還有，金屬層C的膜厚，可從形成條件求出，例如，已知采用濺射法時(shí)，根據(jù)向?yàn)R射陰極施加的電力、濺射時(shí)間等條件，膜厚呈直線變化，能夠從該條件求出膜厚。(銅被膜層D)其次，銅被膜層D，在形成較薄的銅被膜層時(shí)，采用干式電鍍法形成。另一方面，也可在采用干式電鍍法形成薄的銅被膜層后，在該薄的銅被膜層上采用濕式電鍍法疊層較厚的銅被膜層而形成。該銅被膜層的膜厚優(yōu)選10nm~35jam的厚度，當(dāng)膜厚低于IO諸時(shí)，配線部的導(dǎo)電性易產(chǎn)生問題，或有可能出現(xiàn)強(qiáng)度上的問題。另一方面，當(dāng)膜厚大于35jLim變厚時(shí)，產(chǎn)生細(xì)裂紋及翹曲等，密合強(qiáng)度有時(shí)降低，是不優(yōu)選的。采用干式電鍍法形成銅被膜層后，在該銅被膜層上采用濕式電鍍法疊層較厚的銅被膜層而形成時(shí)，可以采用干式電鍍法形成膜厚10nm~1jam左右的銅被膜層后，采用濕式電鍍法進(jìn)行疊層直到達(dá)到所希望膜厚的銅被膜層或?qū)w配線。(絕緣樹脂膜)絕緣樹脂膜，是選自聚酰亞胺類膜、聚酰胺類膜、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)及聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯類膜、聚四氟乙烯類膜、聚苯硫醚類膜、聚萘二甲酸乙二醇酯類膜或液晶聚合物類膜的絕緣樹脂膜，可考慮耐熱性、電介體特性、電絕緣性及印刷配線基板的制造工序及后續(xù)工序的耐藥品性等根據(jù)用途適當(dāng)選擇。例如，聚酰亞胺類膜，有東麗.Dupont(林)制備的Upton(注冊商標(biāo))、宇部興產(chǎn)(林)制造的--匕。k少夕義(注冊商標(biāo))、鐘淵化學(xué)工業(yè)(林)制造的7匕°力/"(注冊商標(biāo))、東洋紡(林)制造的XENO(注冊商標(biāo))等。另外，作為芳香族聚酰胺類膜的芳酰胺類膜，有東麗(抹)制造的；夕卜口y(注冊商標(biāo))、帝人7卜"、'》義卜"74A厶(株)制造的7，；、力(注冊商標(biāo))等。還有，本發(fā)明的印刷配線基板，除絕緣樹脂膜A的單面上形成有導(dǎo)體配線的印刷配線基板外，也可以采用絕緣樹脂膜A的兩面上形成有導(dǎo)體配線的印刷配線基板。另外，也可疊層多個(gè)本發(fā)明的印刷配線基板，用作多層印刷配線基板。(金屬的殘?jiān)?其次，對絕緣樹脂膜A上殘留的金屬殘?jiān)窟M(jìn)行說明。如配線間殘留包含金屬原子的層，在HHBT試驗(yàn)中，成為伴隨著配線間的經(jīng)時(shí)短路，絕緣可靠性大大降低的原因。已知還存在側(cè)重局部殘留的部分，絕緣樹脂膜的全部表面由1層金屬原子被膜時(shí)的金屬殘?jiān)浚喈?dāng)于約0.15ug/cm2。在此，為了了解鎳-鉻合金中的鉻含量與絕緣樹脂膜上的殘?jiān)康年P(guān)系，求出在預(yù)先干燥除去了水分的絕緣樹脂膜(聚酰亞胺膜)上用濺射形成鎳-鉻合金(相當(dāng)于金屬層B或金屬層C)，接著，把采用濺射及電鍍形成了銅被膜層的基板，用氯化鐵溶液進(jìn)行蝕刻，此時(shí)的鎳一鉻合金中的鉻濃度與聚酰亞胺膜上殘留的鎳-鉻合金層的成分的合計(jì)，即與蝕刻殘?jiān)亢嫌?jì)的關(guān)系。其結(jié)果示于圖2。在圖2中，當(dāng)鉻含量為15質(zhì)量％，對絕緣樹脂膜的蝕刻殘?jiān)慷鄷r(shí)，絕緣樹脂膜每lcm2為0.15jjg/cm2,該值如上所述，相當(dāng)于絕緣樹脂膜的全部表面被包含1層的金屬原子覆蓋的量，實(shí)際上，還存在側(cè)重局部殘留的部分，如在配線間殘留包含金屬原子的層，在HHBT試驗(yàn)中伴隨著配線間的經(jīng)時(shí)短路，使絕緣可靠性大大降低。特別是為了形成數(shù)十Um節(jié)距的高精細(xì)配線，要求把不要部分的金屬膜蝕刻除去，在將絕緣樹脂膜的表面上形成有耐蝕性高的鉻含量15質(zhì)量％以上的金屬膜的樹脂膜金屬膜疊層基板，用氯化鐵水溶液進(jìn)行化學(xué)蝕刻處理，加工成印刷配線基板時(shí)，除去不要的金屬膜，雖然肉眼觀察絕緣樹脂膜A表面露出，但由于配線間殘留l層以上金屬的原子層，故得不到充分的絕緣可靠性。反之，絕緣樹脂膜的表面上設(shè)置鉻含量小于15質(zhì)量％的金屬層，當(dāng)在該金屬層上設(shè)置鉻含量多的金屬層時(shí)，僅用作為蝕刻銅的化學(xué)蝕刻液的氯化鐵水溶液或鹽酸酸性氯化銅水溶液，也可以通過化學(xué)蝕刻處理除去不要部分的鉻含量多的金屬層。相反，在絕緣樹脂膜上設(shè)置鉻含量15質(zhì)量％以上的金屬層，在該金屬層上設(shè)置鉻含量少的金屬層時(shí)，僅用氯化鐵水溶液或鹽酸酸性氯化銅水溶液，不能除去不要部分的鉻含量為15質(zhì)量％以上的金屬層，當(dāng)不用高錳酸鉀或鐵氰化鉀等含錳或氰的化學(xué)蝕刻液時(shí)則除去困難。為此，本發(fā)明的印刷配線基板中，包含金屬層B、金屬層C及銅被膜層D的疊層的導(dǎo)體配線，用氯化鐵水溶液進(jìn)行蝕刻后在絕緣樹脂膜A上殘留的金屬殘?jiān)?，相對絕緣樹脂膜A的每單位面積為0.13ug/cm2以下、更優(yōu)選0.10lag/cm2以下。另外，當(dāng)除去疊層有金屬層B、金屬層C及銅被膜層D的導(dǎo)體配線時(shí)，絕緣樹脂膜A的表面露出，同時(shí)蝕刻所致的金屬殘?jiān)渤尸F(xiàn)在絕緣樹脂膜A的表面。測定去其表面露出的絕緣樹脂膜A上殘留的金屬量，可以求出蝕刻后的金屬殘?jiān)?，因此，可以推定絕緣可靠性。絕緣樹脂膜A上殘留的金屬殘?jiān)?，用下列方法進(jìn)行測定。印刷配線基板的導(dǎo)體配線，用氯化鐵水溶液或鹽酸酸性氯化銅水溶液進(jìn)行化學(xué)蝕刻處理來除去不要的部分，使絕緣樹脂膜A的表面露出，根據(jù)需要進(jìn)行洗滌乃至后處理。其次，在除去了導(dǎo)體配線的印刷配線基板的表層部分，即露出了的絕緣樹脂膜A的表層部分上殘留的金屬成分發(fā)生溶解，得到殘留金屬成分的溶解液。在該殘留金屬成分的溶解中采用酸，但在金屬成分定量分析時(shí)，不能使用含有妨礙檢測光傳的成分的酸。例如，為了容易溶解Ni、Cu、Mo、Ta、Ti、V、Cr、Fe、Co等殘留金屬，鹽酸是有效的，但鹽酸的Cl檢測光謙，有可能妨礙上述金屬成分的微小的檢測光譜，因此是不優(yōu)選的。另外，硝酸不妨礙上述檢測光譜，但用硝酸溶解后，在絕緣膜側(cè)，易發(fā)生金屬成分的溶解殘留，作為溶解液是不適合的。在此，本發(fā)明中，為了蝕刻后的絕緣樹脂膜的表層部分中殘留的金屬成分的溶解，使用硝酸70~90%與過氧化氫10~30%構(gòu)成的溶液，采用微波分解裝置進(jìn)行溶解處理。釆用該方法，定量分析時(shí)不妨礙檢測光鐠，并且可完全溶解絕緣膜上殘留的全部金屬成分。另外，通過采用該微波分解裝置，與釆用熱板等進(jìn)行間接加熱時(shí)不同，由于用微波直接加熱密閉容器內(nèi)的酸，故向外部泄漏的熱少，還有來自外部的污染也少。因此，殘留金屬成分可在短時(shí)間用少量酸分解，試樣的分解及測定時(shí)間約5~6小時(shí)左右，可極快地進(jìn)行評價(jià)。定量分析這樣得到的溶解液的金屬成分。作為分析方法，未作特別限定，采用可定量微量金屬成分的誘導(dǎo)結(jié)合的等離子體離子源質(zhì)量分析裝置(下面有時(shí)稱作ICP-MS)是優(yōu)選的。(化學(xué)蝕刻液)本發(fā)明中使用的化學(xué)蝕刻液，是對銅被膜層進(jìn)行蝕刻的化學(xué)蝕刻液，優(yōu)選氯化鐵水溶液或鹽酸酸性氯化銅水溶液的任何一種的化學(xué)蝕刻液。氯化鐵水溶液或鹽酸酸性氯化銅水溶液，在將銅氧化進(jìn)行蝕刻的同時(shí)，在本發(fā)明的金屬膜的疊層結(jié)構(gòu)中除去金屬層B及金屬層C。一般從耐蝕性的觀點(diǎn)看，對在絕緣樹脂膜的表面上設(shè)置有鉻含量高的鎳-鉻合金的基底金屬層(本發(fā)明中的金屬層C)的樹脂膜金屬膜疊層體，用對銅被膜層進(jìn)行蝕刻的氯化鐵水溶液或鹽酸酸性氯化銅水溶液進(jìn)行化學(xué)蝕刻處理，制造印刷配線基板時(shí)，由于基底金屬層的不要部分未完全蝕刻除去而殘留，有時(shí)成為蝕刻所致的金屬殘?jiān)Ｌ貏e是當(dāng)基底金屬層的的鉻含量在15質(zhì)量％以上時(shí)，可顯著看到蝕刻所致的金屬殘?jiān)漠a(chǎn)生，離絕緣樹脂膜表面以0.1數(shù)nm厚度殘留基底金屬層成分，為了將其除去，必需采用能溶解該金屬殘?jiān)蔫F氰化鉀水溶液或堿性高錳酸鹽水溶液等的溶解處理。還有，基底金屬層，也可采用氯化鐵水溶液使其鈍化，該基底金屬層的鈍化，成為蝕刻中的金屬殘?jiān)渤蔀榻^緣可靠性降低的原因。另一方面，本發(fā)明的印刷配線基板，是絕緣樹脂膜A的表面依次設(shè)置有金屬層B、金屬層C、銅被膜層D的疊層結(jié)構(gòu)，含鉻15質(zhì)量％以上的金屬層C設(shè)置在絕緣樹脂膜A與銅被膜層D之間，在金屬層C與絕緣樹脂膜A之間，由于介由采用蝕刻銅被膜層D的化學(xué)蝕刻液蝕刻的含鉻低于15質(zhì)量％的金屬層B，僅采用對應(yīng)于銅被膜層D的化學(xué)蝕刻液(例如，氯化鐵水溶液或鹽酸酸性氯化銅水溶液)進(jìn)行化學(xué)蝕刻處理，也可以除去含金屬層C的金屬膜的不要部分。在該絕緣樹脂膜A的表面設(shè)置的金屬膜，由于是按金屬層B、金屬層C、銅被膜層D的順序設(shè)置的疊層結(jié)構(gòu)，故即使不采用鐵氰化鉀水溶液或堿性高錳酸鹽水溶液進(jìn)行化學(xué)蝕刻處理，仍可以除去金屬層B、金屬層C、銅被膜層D的理由雖然不明，但在絕緣樹脂膜A的表面疊層的順序，當(dāng)改變成如金屬層C、金屬層B、銅被膜層D那樣時(shí)，采用氯化鐵水溶液或鹽酸酸性氯化銅水溶液進(jìn)行化學(xué)蝕刻處理時(shí)，產(chǎn)生金屬層c成分的金屬殘淹。(2)印刷配線基板的制造方法其次，對本發(fā)明的印刷配線基板的制造方法進(jìn)行詳細(xì)說明。樹脂膜金屬膜疊層基板，通過采用減法或半加成法的加工來制造印刷配線基板。即，該樹脂膜金屬膜疊層基板表面的包含由銅被膜層D、金屬層C及金屬層B的金屬膜，其不要部分采用化學(xué)蝕刻等加以除去，形成導(dǎo)體配線。下面，對本發(fā)明的印刷配線基板采用減法制造的情況進(jìn)行說明。所謂減法，意指樹脂膜金屬膜疊層基板的金屬膜不要部分通過化學(xué)蝕刻處理等加以除去，由此制造印刷配線基板的制造方法。本發(fā)明的印刷配線基板，在樹脂膜金屬膜疊層基板的金屬膜中的作為導(dǎo)體配線殘留處的表面設(shè)置抗蝕劑。即，抗蝕劑形成配線圖案的形狀。然后，經(jīng)過采用與銅被膜層對應(yīng)的化學(xué)蝕刻液的化學(xué)蝕刻處理，水洗，選擇性地除去金屬膜的不要部分，形成導(dǎo)體配線。該選擇性地除去，可采用蝕刻銅被膜層的化學(xué)蝕刻液的僅1種化學(xué)蝕刻液，對金屬膜進(jìn)行化學(xué)蝕刻處理，故不需新增加蝕刻處理工序，不必重新引進(jìn)設(shè)備，沒有設(shè)備成本、溶液管理成本及工作時(shí)間的增加。另外，抗蝕劑可采用公知的抗蝕劑，對化學(xué)蝕刻液具有耐受性，形成配線后，可除去就可以。抗蝕劑如果是在銅被膜層D的表面用絲網(wǎng)印刷形成，或用照射紫外線等而固化的感光性抗蝕劑即可，固化成規(guī)定形狀等加以配置。在本發(fā)明中，采用對銅被膜層進(jìn)行蝕刻的氯化鐵水溶液或鹽酸酸性氯化銅水溶液的任何一種化學(xué)蝕刻液的僅一種進(jìn)行金屬膜蝕刻，除去不要的部分。氯化鐵水溶液或鹽酸酸性氯化銅水溶液將銅氧化進(jìn)行蝕刻，同時(shí)在本發(fā)明的金屬膜的疊層結(jié)構(gòu)中，也具有除去金屬層B及金屬層C的作用。如此，化學(xué)蝕刻液不采用高錳酸鉀水溶液等高錳酸鹽水溶液或鐵氰化鉀水溶液等氰化物，故在蝕刻工序后也不必除去錳，由于化學(xué)蝕刻液中不含錳及氰化物，故在實(shí)施金電鍍工序前的印刷配線基板不含錳及氰化物，即使至金電鍍而實(shí)施的印刷配線基板也不含有錳。還有，不含錳及氰化物是指，作為不可避免雜質(zhì)的錳及氰化物被排除在外。還有，本發(fā)明的印刷配線基板，不采用與金屬層c的蝕刻對應(yīng)的化學(xué)蝕刻液進(jìn)行化學(xué)蝕刻處理。與金屬層c的蝕刻對應(yīng)的化學(xué)蝕刻液中堿性高錳酸鹽水溶液，會(huì)除去絕緣樹脂膜A的表層，但由于不采用堿性高錳酸鹽水溶液，即使金屬層C被除去，絕緣樹脂膜的表面未被除去。即，已知包含金屬層B、金屬層C及銅被膜層D的導(dǎo)體配線，采用氯化鐵水溶液除去，露出了的絕緣樹脂膜A的表面的凹凸，采用光學(xué)輪廓加工機(jī)進(jìn)行測定，在測定界限以下是平滑的。這意指露出了的絕緣樹脂膜A的表面不能被化學(xué)蝕刻液所溶解。形成導(dǎo)體配線后的導(dǎo)體配線表面上生成的氧化物膜的除去，也可采用公知的微蝕刻法，還有，印刷配線基板的導(dǎo)體配線形成后，采用銅被膜對應(yīng)的化學(xué)蝕刻液以外的化學(xué)蝕刻液，可通過下列工序適當(dāng)選擇。其次，對本發(fā)明的印刷配線基板，采用半加成法的制造的情況加以說明。所謂半加成法，意指在樹脂膜金屬膜疊層基板的金屬膜表面，在想要形成配線的場所使金屬膜附著，在確保作為配線的膜厚后，除去絕緣樹脂膜的表面不要的金屬膜，制造印刷配線基板的方法。詳細(xì)地說，在樹脂膜金屬膜疊層基板的金屬膜表面，在不希望形成配線的場所形成抗蝕劑膜，在露出了的金屬膜表面上采用電鍍等形成銅配線，在形成銅配線后除去抗蝕劑，露出了的上迷金屬膜，通過化學(xué)蝕刻處理除去，形成配線，制造印刷配線基板。這里所用的抗蝕劑，只要耐銅電鍍液即可，可以采用任何公知的抗蝕劑。另外，不要金屬膜的除去，由于表面為銅被膜層，采用與銅對應(yīng)的化學(xué)蝕刻液加以除去，采用與減法同樣的方法進(jìn)行。還有，此前對于采用撓性絕緣樹脂膜的撓性印刷配線基板，已經(jīng)說明了本發(fā)明，當(dāng)然，采用環(huán)氧樹脂或酚醛樹脂、Teflon(注冊商標(biāo))等材料的剛性印刷配線基板，也能夠?qū)嵤┍景l(fā)明。下面，用實(shí)施例說明本發(fā)明。絕緣樹脂膜A采用膜厚38jum的聚酰亞胺膜(東麗.Dupont(株)制造的"Kaptonl50EN"),依次疊層金屬層B、金屬層C、銅被膜層D，制成樹脂膜金屬膜疊層基板。對所得到的樹脂膜金屬膜疊層基板評價(jià)初期剝離強(qiáng)度、耐熱剝離強(qiáng)度、蝕刻性、蝕刻后的金屬殘?jiān)?、絕緣可靠性。對供作各特性的試樣未作特別限定，采用以下(a)、(b)、(c)所述的試樣。(a)剝離強(qiáng)度測定初期翹曲強(qiáng)度，按照其于IPC-TM-650、NUMBER2.4.9的測定方法來進(jìn)行。其測定條件為剝離的角度為90°。試樣用如下的減法形成導(dǎo)線寬度為lmm、樹脂膜金屬膜疊層基板的銅被膜層D的表面上涂布感光性抗蝕劑(東京應(yīng)化(林)制造，PMERP-RH30PM)，進(jìn)行曝光使形成寬l腿的圖案，用濃度0.3質(zhì)量％的碳酸鈉水溶液顯影，于氯化鐵溶液(比重40。波美，溫度43°C)中浸漬2分鐘后進(jìn)行水洗、干燥。抗蝕劑的剝離，采用濃度4質(zhì)量％的氫氧化鈉水溶液。還有，耐熱剝離強(qiáng)度，把與初期剝離強(qiáng)度同樣形狀的試樣于150。C保持168小時(shí)后取出，冷卻至室溫后，與初期剝離強(qiáng)度同樣，以剝離的角度為90。來測定該剝離強(qiáng)度。如初期剝離強(qiáng)度為600N/m以上、耐熱試驗(yàn)后的剝離強(qiáng)度(耐熱剝離強(qiáng)度)為400N/m以上，則判斷為良好。(b)蝕刻性及金屬殘?jiān)课g刻性的評價(jià)，是把樹脂膜金屬膜疊層基板切成3cmx3cm，于化學(xué)蝕刻液中浸漬2分鐘后進(jìn)行水洗，干燥。目測確認(rèn)絕緣樹脂膜上金屬層是否溶解殘留，當(dāng)有明顯殘留時(shí)，則判斷不可僅用上述化學(xué)蝕刻液進(jìn)行配線加工。另一方面，當(dāng)目測確認(rèn)判斷困難及無法確認(rèn)溶解殘留時(shí)，為了測定蝕刻后的金屬殘?jiān)浚ソ饘賹?，使表面露出了的絕緣樹脂膜A,采用微波分解裝置，用硝酸5ml與過氧化氫lml構(gòu)成的溶液進(jìn)行溶解，所得到的溶液中的金屬成分用ICP-MS(高頻感應(yīng)等離子體發(fā)光分光/質(zhì)量分析)進(jìn)行定量分析，測定金屬殘?jiān)?金屬層B及金屬層C的合計(jì)量)。(c)絕緣可靠性絕緣可靠性的評價(jià)，是按JPCA-ET04標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行。測定試樣，對樹脂膜金屬膜疊層基板，把圖3所示的40Mm節(jié)距(線寬20jam、間隔寬度20jaffl)的梳型配線，與剝離強(qiáng)度測定同樣用減法形成。梳型配線是，梳齒狀導(dǎo)體的重疊長度(10)為20rara，梳齒狀導(dǎo)體前端與短路棒(shortbar)的間隙(lla、lib)為5mm。對配線間施加電位差DC60V，于溫度85r、相對濕度85%放置1000小時(shí)，絕緣電阻值采用遷移試驗(yàn)機(jī)(IMV社制造，商品名MIG-87)進(jìn)行測定。把電阻值達(dá)到1060以下的時(shí)點(diǎn)判斷為短路不良，經(jīng)過1000小時(shí)后才達(dá)到1060以上，則判斷為合格。實(shí)施例1把厚38|am的聚酰亞胺膜(東麗.Dupont(抹)制造的"Kaptonl5隨，，)，設(shè)置在濺射裝置上，真空排氣至1x10—卞a后，用紅外線加熱器加熱聚酰亞胺膜，把膜中的水分除去后，真空排氣至1x10—4Pa。接著，導(dǎo)入Ar氣，把裝置內(nèi)壓力保持在0.3Pa，在聚酰亞胺膜的單面上用濺射法依次形成膜厚10nm的Ni—7質(zhì)量y。Cr層、膜厚10nm的Ni-18質(zhì)量。/aCr-10質(zhì)量y。Mo層、膜厚0.lMm的銅被膜層后，從濺射裝置中取出。接著，在銅被膜層上用電鍍法形成膜厚8um的銅層，得到絕緣膜金屬膜疊層體1。由所得到樹脂膜金屬膜疊層基板1制造剝離強(qiáng)度測定試樣及絕緣可靠性測定試樣，供給各試驗(yàn)。由于初始剝離強(qiáng)度為654N/ai、耐熱剝離強(qiáng)度為576N/m,為良好。還有，絕緣可靠性試驗(yàn)對3個(gè)試樣進(jìn)行試驗(yàn)，任何一個(gè)試樣經(jīng)過1000小時(shí)后仍保持1060以上的電阻，為良好。蝕刻性的評價(jià)，把樹脂膜金屬膜疊層基板1切成3cmx3cm，作為化學(xué)蝕刻液，采用氯化鐵水溶液(比重40。波美，溫度43。C)中進(jìn)行2分鐘蝕刻結(jié)果，用目測觀察絕緣樹脂膜上的金屬層全都溶解。另外，絕緣樹脂膜的表層部分上稍殘留的金屬成分，用微波分解裝置，用硝酸5ml與過氧化氫lml構(gòu)成的溶液進(jìn)行溶解，所得到的溶液中的金屬成分用ICP-MS進(jìn)行定量分析，結(jié)果是0.034jjg/cm2這樣少，為良好。其結(jié)果匯總于表l。實(shí)施例2除使用金屬層B采用膜厚3nm的Ni-7質(zhì)量^Cr、金屬層C采用膜厚10nm的Ni-20質(zhì)量。/。Cr,形成金屬膜而得到的樹脂膜金屬膜疊層基板2以外，與實(shí)施例l同樣制造試樣，進(jìn)行各試驗(yàn)，其結(jié)果示于表l。實(shí)施例3除使用金屬層B采用膜厚5nm的Ni、金屬層C采用膜厚20nm的Ni-20質(zhì)量。/。Cr形成金屬膜而得到的樹脂膜金屬膜疊層基板3以外，與實(shí)施例l同樣制造試樣，進(jìn)行各試驗(yàn)，其結(jié)果示于表l。實(shí)施例4除使用金屬層B采用膜厚20nm的Ni-7質(zhì)量％的Cr、金屬層C采用膜厚10nm的Ni-18質(zhì)量。/nCr-10質(zhì)量y。的Mo形成金屬膜而得到的樹脂膜金屬膜疊層基板4以外，與實(shí)施例1同樣制造試樣，進(jìn)行各試驗(yàn)，其結(jié)果示于表l。實(shí)施例5除使用金屬層B采用膜厚15nm的Ni-7質(zhì)量％的Cr、金屬層C采用膜厚5nm的Ni-18質(zhì)量％&-10質(zhì)量。/。Mo形成金屬膜而得到的樹脂膜金屬膜疊層基板5以外，與實(shí)施例l同樣制造試樣，進(jìn)行各試驗(yàn)，其結(jié)果示于表l。實(shí)施例6除使用金屬層B采用膜厚5nm的Ni-14質(zhì)量。/。Cr、金屬層C采用膜厚20nm的Ni-20質(zhì)量y。Cr形成金屬膜而得到的樹脂膜金屬膜疊層基板6以外，與實(shí)施例l同樣制造試樣，進(jìn)行各種試驗(yàn)，其結(jié)果示于表1。實(shí)施例7除使用金屬層B采用膜厚15nm的Ni-7質(zhì)量。/。Cr、金屬層C采用膜厚25nm的Ni-40質(zhì)量。/。Cr形成金屬膜而得到的樹脂膜金屬膜疊層基板7以外，與實(shí)施例l同樣制造試樣，進(jìn)行各試驗(yàn)，其結(jié)果示于表1。實(shí)施例8除使用金屬層B采用膜厚10nm的Ni-7質(zhì)量。/。Cr、金屬層C采用膜厚5nm的Ni-70質(zhì)量。/。Cr形成金屬膜而得到的樹脂膜金屬膜疊層基板8以外，與實(shí)施例l同樣制造試樣，進(jìn)行各試驗(yàn)，其結(jié)果示于表l。實(shí)施例9除使用金屬層B采用膜厚10nm的Ni-5.6質(zhì)量。/。Cr一20質(zhì)量，o、金屬層C采用膜厚lOrnn的Ni-20質(zhì)量。/。Cr形成金屬膜而得到的樹脂膜金屬膜疊層基板9以外，與實(shí)施例1同樣制造試樣，進(jìn)行各試驗(yàn)，其結(jié)果示于表l。實(shí)施例10除使用金屬層B采用膜厚10nm的Ni-13質(zhì)量。/。V、金屬層C采用膜厚10nm的Ni-20質(zhì)量。/。Cr形成金屬膜而得到的樹脂膜金屬膜疊層基板10以外，與實(shí)施例1同樣制造試樣，進(jìn)行各試驗(yàn)，其結(jié)果示于表1。實(shí)施例11除使用金屬層B釆用膜厚10nm的Ni-7.5質(zhì)量y。Ti、金屬層C采用膜厚lOnm的Ni-20質(zhì)量。/。Cr形成金屬膜而得到的樹脂膜金屬膜疊層基板ll以外，與實(shí)施例1同樣制造試樣，進(jìn)行各試驗(yàn)，其結(jié)果示于表1。實(shí)施例12除對樹脂膜金屬膜疊層基板1的蝕刻性進(jìn)行評價(jià)的化學(xué)蝕刻液，采用鹽酸酸性氯化銅水溶液(HC1濃度lmo1/1、CuCh:比重1.3、ORP:580mV、溫度40°C)以外，與實(shí)施例l同樣制造試樣，進(jìn)行各試驗(yàn)，其結(jié)果示于表l。比較例1除使用金屬層B采用膜厚10nm的Ni-18質(zhì)量％Cr-10質(zhì)量。/。Mo、金屬層C采用膜厚10nm的Ni-7質(zhì)量。/。Cr形成而得到的樹脂膜金屬膜疊層基板13以外，與實(shí)施例1同樣制造試樣，進(jìn)行各試驗(yàn)，其結(jié)果示于表l。比較例2除使用金屬層B采用膜厚20nm的Ni-18質(zhì)量。/。Cr-10質(zhì)量y。Mo、不設(shè)置金屬層C,形成銅被膜層D而得到的樹脂膜金屬膜疊層基板14以外，與實(shí)施例l同樣制造試樣，進(jìn)行各試驗(yàn)，其結(jié)果示于表l。比較例3除金屬層B采用膜厚20mn的Ni-20質(zhì)量。/。Cr、不設(shè)置金屬層C，形成銅被膜層D而得到的樹脂膜金屬膜疊層基板15以外，與實(shí)施例1同樣制造試樣，進(jìn)行各試驗(yàn)，其結(jié)果示于表l。比較例4除使用金屬層B采用膜厚10nra的Ni-7質(zhì)量^Cr、不設(shè)置金屬層C，形成銅被膜層D而得到的樹脂膜金屬膜疊層基板16以外，與實(shí)施例1同樣制造試樣，進(jìn)行各試驗(yàn)，其結(jié)果示于表l。比較例5除使用金屬層B采用膜厚2nm的Ni-7質(zhì)量"/。Cr、金屬層C釆用膜厚15nm的Ni-20質(zhì)量。/。Cr形成金屬膜而得到的樹脂膜金屬膜疊層基板17以外，與實(shí)施例1同樣制造試樣，進(jìn)行各試驗(yàn)，其結(jié)果示于表1。比較例6除使用金屬層B采用膜厚10nm的Ni-7質(zhì)量。/。Cr合金、金屬層C采用膜厚3rnn的Ni-18質(zhì)量。/。Cr-10質(zhì)量。/。Mo形成金屬膜而得到的樹脂膜金屬膜疊層基板18以外，與實(shí)施例1同樣制造試樣，進(jìn)行各試驗(yàn)，其結(jié)果示于表1。參考例除使用金屬層B采用膜厚5nm的Ni-7質(zhì)量。/。Cr合金、金屬層C采用膜厚100nm的Ni-20質(zhì)量。/。Cr形成金屬膜而得到的樹脂膜金屬膜疊層基板19以外，與實(shí)施例1同樣制作試樣，進(jìn)行蝕刻性試驗(yàn)，其結(jié)果示于表l。<table>tableseeoriginaldocumentpage26</column></row><table>如表l可知的那樣，實(shí)施例1~12制造的本發(fā)明例1~12，絕緣樹脂膜A的表面，疊層鉻含量低于15質(zhì)量％的金屬層B，在金屬層B的表面，疊層鉻含量15質(zhì)量％以上的金屬層C，在金屬層C的表面，疊層銅被膜層的印刷配線基板，具有良好的剝離強(qiáng)度，蝕刻后的金屬殘?jiān)采伲玫礁叩慕^緣可靠性。另一方面，比較例1，金屬層B的鉻含量超過15質(zhì)量。/。、金屬層C的鉻含量低于15質(zhì)量％。由于金屬層B的鉻舍量超過15質(zhì)量％，蝕刻后目測可以觀察到金屬殘?jiān)?，可知不能確保絕緣可靠性。比較例2，由于僅鉻含量超過15質(zhì)量y。的金屬層B為基底金屬層，與比較例l同樣，蝕刻后目測可以觀察到金屬殘?jiān)?，可知不能確保絕緣可靠性。而比較例3,與比較例2同樣，僅金屬層B形成基底金屬層，目測觀察蝕刻性，可以觀察到聚酰亞胺膜的表面露出，測定金屬殘?jiān)繒r(shí)超過0.15mg/cm2，可知不能確保絕緣可靠性。比較例4，金屬層B的鉻含量為7質(zhì)量％，蝕刻性及金屬殘?jiān)苛己?，但由于基底金屬層僅由金屬層B構(gòu)成，可知不能確保絕緣可靠性。比較例5，金屬層B及金屬層C的鉻含量處于本發(fā)明的權(quán)利要求內(nèi)，但由于金屬層B的膜厚為2nm，即使可滿足目測的蝕刻性，但金屬殘?jiān)繛?.15Mg/cffl2,可知不能確保絕緣可靠性，比較例6，金屬層B及金屬層C的鉻含量處于本發(fā)明的權(quán)利要求內(nèi)，但金屬層C的膜厚為3nm，可知不能確保絕緣可靠性。參考例中，金屬層B及金屬層C的鉻含量處于本發(fā)明的權(quán)利要求內(nèi)，僅金屬層C的厚度達(dá)到100nm，比一般的厚很多，但目測的蝕刻性良好，金屬殘?jiān)恳矠镺.035pg/cm2這樣少，是良好的。權(quán)利要求1.印刷配線基板，其是通過化學(xué)蝕刻處理選擇性地除去不通過粘結(jié)劑而將金屬膜疊層在絕緣樹脂膜A的至少一個(gè)表面上而成的樹脂膜金屬膜疊層基板上的上述金屬膜的不需要部分而形成導(dǎo)體配線的，其特征在于，構(gòu)成上述導(dǎo)體配線的金屬膜包括在上述絕緣樹脂膜A的表面上疊層的金屬層B，該金屬層B由鎳或者含70質(zhì)量％以上的鎳和低于15質(zhì)量％鉻的鎳-鉻合金構(gòu)成；在上述金屬層B的表面疊層的金屬層C，該金屬層C包含含鎳、含鉻15質(zhì)量％以上的合金；以及，在上述金屬層C的表面疊層的膜厚10nm～35μm的銅被膜層D，僅使用蝕刻上述銅被膜層D的化學(xué)蝕刻液來蝕刻所述金屬膜的不需要部分。2.按照權(quán)利要求l中所述的印刷配線基板，其特征在于，對包含依次疊層有上述金屬層B、金屬層C及銅被膜層D的上述金屬膜的導(dǎo)體配線，采用氯化鐵水溶液或鹽酸酸性氯化銅水溶液進(jìn)行化學(xué)蝕刻處理后在上述絕緣樹脂膜A上殘留的金屬的殘?jiān)?，相對上述絕緣樹脂膜A的每單位面積為0.13jug/cni2以下。3.按照權(quán)利要求1中所迷的印刷配線基板，其特征在于，上述金屬層B包含含釩13質(zhì)量°/。以下、鈦8質(zhì)量％以下、鉬20質(zhì)量％以下，余量由鎳和1質(zhì)量％以下的不可避免的雜質(zhì)構(gòu)成，或者由含70質(zhì)量％以上的鎳和低于15質(zhì)量％鉻的鎳-鉻合金和1質(zhì)量°/以下的不可避免的雜質(zhì)構(gòu)成，膜厚為3~20nm。4.按照權(quán)利要求2中所述的印刷配線基板，其特征在于，上述金屬層B包含含釩13質(zhì)量^以下、鈦8質(zhì)量％以下、鉬20質(zhì)量％以下，余量由鎳和1質(zhì)量°/。以下的不可避免的雜質(zhì)構(gòu)成，或者由含70質(zhì)量％以上的鎳和低于15質(zhì)量％鉻的鎳-鉻合金和1質(zhì)量°/。以下的不可避免的雜質(zhì)構(gòu)成，膜厚為3~20nm。5.按照權(quán)利要求1~4中任何一項(xiàng)所述的印刷配線基板，其特征在于，上述金屬層C是含鉻15質(zhì)量。/。以上、鎳O.01~85質(zhì)量％，l質(zhì)量%以下的不可避免的雜質(zhì)的合金，或者是含鉻15質(zhì)量％以上、鎳O.01~85質(zhì)量％、鉬0.01~40質(zhì)量％和1質(zhì)量％以下的不可避免的雜質(zhì)的合金，膜厚5~37nra，或膜厚5nm以上且與金屬層B合計(jì)在40mn以下。6.按照權(quán)利要求1~4中任何一項(xiàng)所述的印刷配線基板，其特征在于，上述化學(xué)蝕刻液不含錳及氰化物。7.按照權(quán)利要求1~4中任何一項(xiàng)所述的印刷配線基板，其特征在于，上述化學(xué)蝕刻液為氯化鐵水溶液或鹽酸酸性氯化銅水溶液。8.按照權(quán)利要求1或2中所述的印刷配線基板，其特征在于，上述絕緣樹脂膜A是選自聚酰亞胺類膜、聚酰胺類膜、聚酯類膜、聚四氟乙烯類膜、聚苯硫醚類膜、聚萘二甲酸乙二醇酯類膜、液晶聚合物類膜的至少1種以上的樹脂膜。9.印刷配線基板的制造方法，其是通過化學(xué)蝕刻處理選擇性地除去不通過粘結(jié)劑而將金屬膜疊層在絕緣樹脂膜A的至少一個(gè)表面上而成的樹脂膜金屬膜疊層基板上的上述金屬膜的不需要部分而形成導(dǎo)體配線的，其特征在于，如下形成上述樹脂膜金屬膜疊層基板在上述絕緣樹脂膜A的表面上，釆用干式電鍍法形成鎳或以鎳作為主成分的金屬層B，然后，在上述金屬層B的表面，采用干式電鍍法形成以含15質(zhì)量％以上的鉻及鎳的合金、或含15質(zhì)量。/。以上的鉻、鎳及鉬的合金構(gòu)成的金屬層C后，在上述金屬層C的表面形成由膜厚10nm~35um的銅被膜層D疊層成的金屬膜，上述金屬膜采用l種蝕刻液進(jìn)行選擇性地除去，形成導(dǎo)體配線。10.按照權(quán)利要求9中所述的印刷配線基板的制造方法，其特征在于，上述化學(xué)蝕刻液不含錳及氰化物。11.按照權(quán)利要求9中所述的印刷配線基板的制造方法，其特征在于，上述化學(xué)蝕刻液為氯化鐵水溶液或鹽酸酸性氯化銅水溶液。12.按照權(quán)利要求9中所述的印刷配線基板的制造方法，其特征在于，上述銅被膜層D是在采用干式電鍍法形成的銅層表面上釆用電鍍法形成銅層而得到的。13.按照權(quán)利要求9或12中所述的印刷配線基板的制造方法，其特征在于，上述千式電鍍法為真空蒸鍍法、賊射法或離子鍍法的任何一種。全文摘要本發(fā)明提供在導(dǎo)體配線形成時(shí)具有高蝕刻性，具體的是采用氯化鐵水溶液或鹽酸酸性氯化銅溶液進(jìn)行蝕刻時(shí)，在導(dǎo)體配線間殘留的基底金屬層成分的蝕刻殘?jiān)伲瑢?dǎo)體配線間施加高電壓時(shí)，具有高的絕緣可靠性及耐蝕性的印刷配線基板及其制造方法。其是在絕緣樹脂膜A的至少1個(gè)表面上，不通過粘接劑而依次疊層了由鎳、或含鎳70質(zhì)量％以上、鉻低于15質(zhì)量％的鎳-鉻合金的金屬層B；含鎳、含鉻15質(zhì)量％以上的合金構(gòu)成的金屬層C、膜厚10nm～35μm的銅被膜層D構(gòu)成的金屬膜的不要部分，采用化學(xué)蝕刻處理進(jìn)行選擇性地除去，形成導(dǎo)體配線的印刷配線基板。文檔編號H05K1/09GK101594737SQ200910202848公開日2009年12月2日申請日期2009年5月26日優(yōu)先權(quán)日2008年5月26日發(fā)明者永尾晴美,渡邊寬人申請人:住友金屬礦山株式會(huì)社