專利名稱：磁疇數(shù)據(jù)存儲裝置及其制造方法
;茲疇數(shù)據(jù)存儲裝置及其制造方法 技術(shù)領(lǐng)域示例性實施例可涉及數(shù)據(jù)存儲裝置，例如，涉及這樣的數(shù)據(jù)存儲裝置， 所述數(shù)據(jù)存儲裝置可通過移動磁性材料中的》茲疇壁來記錄、存儲和/或擦除數(shù) 據(jù)。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有技術(shù)的具有高速和/或緊湊尺寸的數(shù)據(jù)存儲裝置已經(jīng)被開發(fā)出來。通常，可用作數(shù)據(jù)存儲裝置的硬盤驅(qū)動器(HDD)可包括讀/寫頭和/或一個或 多個可記錄數(shù)據(jù)的盤片?，F(xiàn)有技術(shù)的HDD可存儲大量數(shù)據(jù)(100千兆字節(jié) (GB)或更多)。由于磨損，現(xiàn)有技術(shù)的HDD的性能可被降低，并可能因此 發(fā)生故障。因此，現(xiàn)有技術(shù)的HDD的可靠性可被降低?，F(xiàn)有技術(shù)的數(shù)據(jù)存儲裝置可利用磁性材料中的磁疇壁的移動來增加可靠性。圖1A和圖1B是示出現(xiàn)有技術(shù)的裝置中的磁疇壁的移動原理的示意圖。 如圖1A所示，磁線可包括第一磁疇11、第二磁疇12和/或作為第一磁疇 11與第二磁疇12之間的邊界的磁疇壁13。通常，磁體內(nèi)的微磁區(qū)域被稱為磁疇。在磁疇中，電子的運動(即磁矩 的方向)可大體一致?？赏ㄟ^^f茲性材料的形狀和/或大小和/或施加到磁性材料 上的外部能量來控制磁疇的大小和磁化方向。磁疇壁可以是具有不同磁化方 向的磁疇的邊界?？赏ㄟ^施加到磁性材料的磁場和/或電流來移動磁疇壁。如圖1A所示，在具有可確定的寬度和厚度的第一磁層中形成具有磁矩 的多個石茲疇之后，可通過從外部施加適當(dāng)?shù)腲茲場和/或電流來移動磁疇壁。如圖1B所示，如果外部電流沿從第一》茲疇11到第二^茲疇12的方向被 施加到第一磁層，則磁疇壁13可向第一磁疇11移動。如果施加相反的電流， 則電子可沿相反方向流動，石茲疇壁13可沿與電子相同的方向移動。這就是說， /磁疇壁13可沿與施加外部電流的方向相反的方向移動。如果施加從第二磁疇 12到第一;茲疇11的電流，則》茲疇壁13可從第一-茲疇11向第二^茲疇12移動。因此，通過施加外部;茲場或電流，》茲疇壁B可移動，從而移動;茲疇11和》茲 疇12。^磁疇壁的移動原理可應(yīng)用于數(shù)據(jù)存儲裝置，例如HDD或非易失性RAM。 可以利用這樣的原理，即在具有沿特定方向磁化的磁疇和位于磁疇之間的磁 疇壁的材料中，線性磁性材料的電壓可根據(jù)磁疇壁的移動而變化，來創(chuàng)建可 寫入和/或讀取數(shù)據(jù)(如"0"或"1")的非易失性存儲裝置?？赏ㄟ^將電流 施加到線性;茲性材料來改變f茲疇壁的位置以寫入和/或讀取數(shù)據(jù)，從而可制造 具有較簡單結(jié)構(gòu)的較高集成的裝置。通過使用磁疇壁的移動原理，可以制造 具有比現(xiàn)有技術(shù)的FRAM、 MRAM和/或PRAM的存儲容量更大的存儲容量 的存儲裝置。發(fā)明內(nèi)容示例性實施例可提供數(shù)據(jù)存儲裝置及制造數(shù)據(jù)存儲裝置的方法，其中， 所述數(shù)據(jù)存儲裝置使用磁疇壁的移動，且/或具有可減少或防止由用作數(shù)據(jù)存 儲磁道的第一磁層的邊緣區(qū)導(dǎo)致的釘扎效應(yīng)(pinning effect)的結(jié)構(gòu)。示例性實施例可提供一種數(shù)據(jù)存儲裝置，該數(shù)據(jù)存儲裝置包括具有至少 兩個磁疇的第一磁層和第一磁層下表面上的第二軟磁層，其中，所述至少兩 個磁疇具有；茲化方向。第二軟》茲層也可位于第 一磁層的側(cè)面上。第二軟磁層也可位于第 一磁層的上表面上。第一磁層可由具有105 J/r^至107 J/mS的磁各向異性常數(shù)的材料形成。 第一磁層可由例如CoPt、 CoCrPt、 FePt、 SmCo、 TbCoFe和/或這些材料任何一種的合金形成。第二磁層可由具有10J/mS至103 J/m3的磁各向異性常數(shù)的材料形成。 第二軟磁層可由例如MFe、 CoFe、 CoFeNi、 CoZrNb、 CoTaZr和/或這些材料任何一種的合金形成。第一磁層可具有1 nm至100 nm的厚度。 第二軟-茲層可具有1 nm至50 nm的厚度。制造使用磁疇壁的移動的數(shù)據(jù)存儲裝置的示例性方法可包括將第一聚 合物涂在基底上；使用圖案化的主模壓制所述第一聚合物；和/或硬化第一聚 合物。然后可從第一聚合物分離主模；可將第二軟磁層和第一磁層涂在所述所述主模壓縮所述第二聚合物；可在所述第一磁層和所述第二聚合物上形成覆蓋層。然后可通過蝕刻去除所述覆蓋層和第一磁層 的上部。所述第一聚合物和第二聚合物可由例如2-羥基-2-曱基-l-苯基-l-丙酮、 丙烯酸四氪糠酯、丙烯酸2-羥乙酯、聚醚丙烯酸酯預(yù)聚物和/或丙烯酸酯化的 環(huán)氧預(yù)聚物形成。


通過參照附圖對示例性實施例進行詳細描述，示例性實施例的上述和其 他特征和/或優(yōu)點將會更清楚，其中圖1A和圖1B是示出現(xiàn)有技術(shù)的裝置中的磁疇壁的移動原理的示意圖； 圖1C是示出在現(xiàn)有技術(shù)的數(shù)據(jù)存儲裝置中移動的磁疇壁的示意圖； 圖2A是示出使用磁疇移動的示例性實施例的數(shù)據(jù)存儲裝置的剖面圖； 圖2B是示出使用磁疇移動的示例性實施例的數(shù)據(jù)存儲裝置的平面圖； 圖3是使用磁疇壁移動的示例性實施例的數(shù)據(jù)存儲裝置的等距視圖； 圖4A至圖4I示出用于制造使用磁疇壁移動的數(shù)據(jù)存儲裝置的示例性方法；圖5是對兩種數(shù)據(jù)存儲裝置的磁疇壁的移動速度進行比較的曲線圖，其 一是具有FePt單層結(jié)構(gòu)的現(xiàn)有技術(shù)的數(shù)據(jù)存儲裝置，其二是具有包括FePt 第一磁層和/或CoZrNb第二軟磁層的多層結(jié)構(gòu)的示例性實施例的數(shù)據(jù)存儲裝 置，其中，兩種數(shù)據(jù)存儲裝置均具有約400nm的長度。
具體實施方式
現(xiàn)在將參照附圖更全面地描述示例性實施例。然而，示例性實施例可以 以多種不同的形式來實施，而不應(yīng)理解為限于這里闡述的示例性實施例。相 反，提供這些示例性實施例以使本公開是徹底的和完全的，并將示例性實施 例的范圍充分地傳達給本領(lǐng)域技術(shù)人員。在附圖中，為了清晰起見，放大了 層和區(qū)域的厚度。應(yīng)該理解的是，當(dāng)元件被稱作在另一組件"上"、"連接到"、"電連接到" 或"結(jié)合到"另一組件時，該元件可以直接在另一組件上，直接連接、電連接 或結(jié)合到另一組件，或者可以存在中間組件。相反，當(dāng)元件被稱作"直接"在另一組件"上"、"直接連接到"、"直接電連接到"或"直接結(jié)合到"另一組件時， 不存在中間組件。如在這里^f吏用的，術(shù)語"和/或"包括一個或多個相關(guān)所列項 的任意組合和所有組合。應(yīng)該理解的是，盡管在這里可使用術(shù)語第一、第二、第三等來描述不同 的元件、組件、區(qū)域、層和/或部分，但是這些元件、組件、區(qū)域、層和/或部 分不應(yīng)該受這些術(shù)語的限制。這些術(shù)語僅是用來將一個元件、組件、區(qū)域、 層和/或部分與另一個元件、組件、區(qū)域、層和/或部分區(qū)分開來。例如，在不 脫離示例性實施例的教導(dǎo)的情況下，第一元件、組件、區(qū)域、層和/或部分可 被稱作第二元件、組件、區(qū)域、層和/或部分。為了便于描述，在這里可使用空間相對術(shù)語，如"在...之下"、"在…下方"、 "下面的"、"在...上方"、"上面的"等，用來描述如在圖中所示的一個組件和/ 或特征與其它組件和/或特征的關(guān)系。應(yīng)該理解的是，g間相對術(shù)語意在包含 除了在附圖中描述的方位之外的裝置在使用或操作中的不同方位。這里所使用的術(shù)語僅為了描述特定的示例性實施例，并不意圖限制示例 性實施例。如這里所使用的，除非上下文另外明確指出，否則單數(shù)形式也意 圖包括復(fù)數(shù)形式。還應(yīng)理解的是，當(dāng)在本說明書中使用術(shù)語"包含"和/或"包括" 時，說明存在所述特征、整體、步驟、操作、元件和/或組件，但不排除存在 或附加一個或多個其它特征、整體、步驟、操作、元件和/或組件。除非另有定義，否則這里使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)術(shù)語和科學(xué)術(shù)語) 具有與示例性實施例所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員所通常理解的意思相同的意 思。還應(yīng)理解的是，除非這里明確定義，否則術(shù)語(諸如在通用字典中定義 的術(shù)語)應(yīng)該被解釋為具有與相關(guān)領(lǐng)域的語境中它們的意思一致的意思，而 不應(yīng)該以理想的或者過于正式的含義來解釋它們。在使用磁疇壁的移動原理的現(xiàn)有技術(shù)的數(shù)據(jù)存儲裝置中，具有較高磁各向異性(Ku較高)的材料可以以線的形式被用作第一^t層，且/或可被用作 數(shù)據(jù)存儲磁道。如圖1C所示，可通過使用現(xiàn)有技術(shù)的沉積工藝形成的第一磁 層可在其表面上有彎曲。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，如果彎曲密集，則可形成邊緣區(qū)E。因 此，在邊緣區(qū)E中可產(chǎn)生可造成磁疇壁的移動速度顯著下降的釘扎效應(yīng)。已 經(jīng)發(fā)現(xiàn)，如果磁疇壁的移動速度下降，則數(shù)據(jù)的記錄和/或擦除的速度可被降 低?，F(xiàn)在將描述示例性實施例，所述示例性實施例在附圖中示出，其中，相同的標(biāo)號可始終表示相同的組件。圖2A是示出使用磁疇移動的示例性實施例的數(shù)據(jù)存儲裝置的剖面圖。 如圖2A所示，數(shù)據(jù)存儲裝置可包括具有至少兩個磁疇的用于記錄數(shù)據(jù)的第 一磁層21和/或位于第一磁層21的至少一個表面上的第二軟磁層22。圖2B是示出圖2A的示例性實施例的數(shù)據(jù)存儲裝置的平面圖。如圖2B 所示，第二軟磁層22可位于第一磁層21的側(cè)面上，磁疇壁DW可位于磁疇 Dl和D2之間。在圖2A和圖2B中，第二軟-茲層22可位于第一》茲層21的三 個側(cè)面上；然而，第二軟;茲層22也可形成于第一》茲層21的一個側(cè)面上。舉 例來說，第二磁層22可只位于第一磁層21的下表面上，或可位于第一磁層 21的下表面和上表面上，或可包圍第一-茲層21。第一磁層21可由具有較高磁各向異性常數(shù)(例如，在大約105 J/r^至大 約107 J/m3的范圍內(nèi))的材料形成，并由具有可提高磁記錄密度的垂直磁化 的材料制成。例如，第一磁層21可由CoPt、 CoCrPt、 FePt、 SmCo、 TbCoFe 和/或其他合適的材料形成。第一磁層21可具有大約1 nm至大約100 nm的 厚度。第二軟磁層22可由具有比第一磁層21的磁各向異性常數(shù)小的磁各向異 性常數(shù)的材料形成。第二軟石茲層22可由具有小于103 J/m3(例如，大約10 J/m3 至大約103 J/m3)的磁各向異性常數(shù)的材料形成。舉例來說，第二軟磁層22 可由NiFe、 CoFe、 CoFeNi、 CoZrNb、 CoTaZr和/或其他合適的材料形成。第 二軟磁層22可具有大約1 nm至大約50 nm的厚度。圖3是包括使用磁疇壁移動的數(shù)據(jù)存儲裝置的示例性實施例的數(shù)據(jù)存儲 裝置的示意圖。如圖3所示，示例性實施例的數(shù)據(jù)存儲裝置可包括寫磁道31、存儲和 緩沖^f茲道32和/或存儲一磁道33。第一連接層34a可位于寫;茲道31以及存儲和 緩沖磁道32之間，第二連接層34b可位于存儲和緩沖磁道32以及存儲磁道 33之間。寫磁道31可包括用于記錄數(shù)據(jù)的具有不同磁化方向的至少兩個磁疇?？?位于存儲和緩沖磁道32左側(cè)的緩沖磁道32a可存取和/或讀取記錄的數(shù)據(jù)。 為了讀取數(shù)據(jù)，磁疇的磁化方向可被確定，緩沖磁道32a中的磁電阻裝置35 可完成此任務(wù)。磁電阻裝置35可以是例如巨;茲電阻(GMR)裝置或隧道磁 電阻(TMR)裝置，所述GMR裝置和TMR裝置可具有鐵磁材料的釘扎層(pi皿ed layer )、非磁性材料(如Cu、八1203等)的非磁性層和/或鐵磁材料的 自由層?？晌挥诖鎯途彌_磁道32的右側(cè)的存儲磁道32b可存儲數(shù)據(jù)。整個 存儲磁道33可以是存儲》茲道(33a、 33b)。在圖3中，緩沖磁道32a可與第 一磁層(寫磁道)31分離；然而，如果寫磁道31具有大約與存儲和緩沖磁 道32的長度相同或比存儲和緩沖磁道32長的長度，則寫磁道31也可以是緩 沖磁道。為了提高記錄密度，可在存儲磁道33上形成另外的第一磁層。下面，將對在如圖3所示的示例性實施例的數(shù)據(jù)存儲裝置中記錄和/或讀 取數(shù)據(jù)的示例性方法進行描述。首先，將描述記錄數(shù)據(jù)的方法。如果具有向上^f茲化方向的^f茲疇中的數(shù)據(jù) 值對應(yīng)于"1"，則具有向下磁化方向的磁疇中的數(shù)據(jù)值對應(yīng)于"0"。具有不 同石茲化方向的多個;茲疇可在石茲層31 (寫》茲道)中形成，并且;茲疇壁可位于箱玄 疇之間。數(shù)據(jù)值"I"可以以下面的方式被存儲在存儲磁道32b中。如果施加 電流使得電子從寫磁道31的右端流向左端，則磁疇壁可沿電子流動的方向移 動，具有向上;茲化方向的》茲疇可向第一連4妄層34a移動。可施加電流使得電 子從寫磁道31的右端向存儲磁道32b移動。第一連接層34a下部的磁疇可通 過第一連接層34a移動到存儲磁道32b。其結(jié)果是，具有數(shù)據(jù)值'T，的磁疇 可被存儲在存儲磁道32b中。其次，將描述讀取數(shù)據(jù)的方法。為了讀取磁疇的磁化方向，磁疇可被移 動到可附著磁電阻裝置35的緩沖磁道32a?？赏ㄟ^緩沖磁道32a和存儲磁道 32b施加電流。為使電子從存儲磁道32b移動到緩沖磁道32a,可沿相反方向 (即，從緩沖磁道32a到存儲磁道32b)施加電流。隨著存儲磁道32b的磁疇 經(jīng)過緩沖;茲道32a中的-茲電阻裝置35，石茲電阻裝置35可讀取存儲磁道32b 的每個區(qū)域的磁疇的磁化方向。因此，可讀取存儲在存儲磁道32b中的數(shù)據(jù) 值。將參照圖4A至圖4I描述用于制造使用磁疇壁移動的數(shù)據(jù)存儲裝置的示 例性方法。使用磁疇壁的移動的示例性實施例的數(shù)據(jù)存儲裝置可通過利用納 米壓印(nano-imprinting)方法形成；然而，也可卩吏用其他方法。如圖4A所示，在基底41上涂聚合物42。基底41可以是在現(xiàn)有技術(shù)的 半導(dǎo)體裝置的制造工藝中使用的基底。聚合物42可以是例如2-羥172-曱基-1-苯基小丙酮、丙埽酸四氫糠酯、丙烯酸2-羥乙酯、聚醚丙烯酸酯預(yù)聚物、丙 烯酸酯化的環(huán)氧預(yù)聚物和/或其他合適的聚合物。主模43可安裝在聚合物42上。主模43可具有不平坦的表面圖案。如圖4B所示，主模43可接觸聚合物42，可對主模43施加壓力以將主 模43的圖案傳送到聚合物42。因此，聚合物42可具有按照與主模43的圖 案的反向形成的圖案。通過對聚合物42加熱和/或使用UV射線輻射聚合物 42,聚合物42可被硬化。如圖4C所示，在聚合物42^皮硬化之后，可從聚合 物42上分離主才莫43。如圖4D所示，利用'減射方法等，可將具有大約1 nm到大約50nm的厚 度的第二軟磁性材料(例如，NiFe、 CoFe、 CoFeNi、 CoZrNb和/或CoTaZr) 涂在基底41和聚合物42上，以形成第二軟^茲層44。如圖4E所示，可將具有大約1 nm到大約100 nm的厚度的具有較高磁 各向異性常數(shù)(Ku較高)的材料(例如，CoPt、 CoCrPt、 FePt、 SmCo、 TbCoFe 和/或其他合適的材料)涂在第二軟磁層44上，以形成第一^i層45。如圖4F所示，聚合物46(可以是例如，2-羥基-2-曱基-l-苯基-l-丙酮、 丙烯酸四氬糠酯、丙烯酸2-羥乙酯、聚醚丙烯酸酯預(yù)聚物、丙烯酸酯化的環(huán) 氧預(yù)聚物和/或其他合適的聚合物)可被涂在第一磁層45上，并且主模43可 放置成與聚合物46接觸，并可對聚合物46施加壓力。如圖4G所示，在去 除主模43之后，第一磁層45的上部區(qū)域A中的聚合物46可被保留，而可 通過任何合適的方法去除下部區(qū)域B中的聚合物46，以露出下部區(qū)域B的表 面。可使用例如納米壓印方法硬化聚合物46。如圖4H所示，非磁性材料(如Cu、 Ag、 Al和/或其他非磁性材料)可 形成在第一磁層45上，并可與聚合物46—起被電鍍以形成覆蓋層47。如圖 41所示，通過蝕刻處理，下部區(qū)域B的第一^茲層45可凈皮暴露。第一磁層45 的側(cè)面和/或下部可被第二軟磁層44包圍。在蝕刻處理期間，非磁性覆蓋層 47可保護下部區(qū)域B的第 一》茲層45 。圖5是對兩種數(shù)據(jù)存儲裝置的磁疇壁的移動速度進行比較的曲線圖，其 一是具有FePt單層結(jié)構(gòu)的現(xiàn)有技術(shù)的數(shù)據(jù)存儲裝置，其二是具有包括FePt 第 一磁層和CoZrNb第二軟磁層的多層結(jié)構(gòu)的示例性實施例的數(shù)據(jù)存儲裝置， 其中，兩種數(shù)據(jù)存儲裝置均具有約400nm的長度。如圖5所示，與由單一 FePt層(單層)形成的現(xiàn)有技術(shù)的數(shù)據(jù)存儲裝置 相比，示例性實施例的數(shù)據(jù)存儲裝置(雙層)中磁疇壁在單位時間(ns)移 動的距離可以更大。使用磁疇壁的移動的示例性實施例的數(shù)據(jù)存儲裝置可具有以下優(yōu)點。 示例性實施例可防止或減少現(xiàn)有技術(shù)的裝置中可存在的磁疇壁經(jīng)過彎曲 區(qū)域時移動速度的下降。與HDD不同，當(dāng)驅(qū)動具有第一磁層和第二磁層的示例性實施例的數(shù)據(jù)存儲裝置時，數(shù)據(jù)可被存儲和/或復(fù)制，而不需要機械地移動或接觸數(shù)據(jù)存儲裝置的任何元件。因此，可提供緊湊尺寸、高密度并且能夠以太比特范圍(Tbit /in2)存儲數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)存儲裝置。由于示例性實施例的數(shù)據(jù)存儲裝置可具有筒化的設(shè)計，因此它們可適合 大規(guī)模生產(chǎn)。盡管已經(jīng)參照附圖具體示出和描述了示例性實施例，但是應(yīng)當(dāng)僅以描述 性的含義，而不應(yīng)出于限制的目的考慮這些示例性實施例。例如，本領(lǐng)域技 術(shù)人員應(yīng)該理解，使用磁疇壁的移動的示例性實施例的數(shù)據(jù)存儲裝置可包括 形成于第 一磁層的一側(cè)或兩側(cè)上的第二軟磁層，或者第 一磁層的外側(cè)可被第 二軟^磁層包圍。因此，本公開的范圍將由權(quán)利要求限定，而不是由具體描述 來限定。
權(quán)利要求
1、一種磁疇數(shù)據(jù)存儲裝置，包括包括多個磁疇的第一磁層，每個所述磁疇具有磁化方向；位于所述第一磁層下表面上的第二磁層，所述第二磁層由軟磁材料形成。
2、 如權(quán)利要求1所述的數(shù)據(jù)存儲裝置，其中，所述第二磁層還位于所述 第 一磁層的至少 一個側(cè)面上。
3、 如權(quán)利要求1所述的數(shù)據(jù)存儲裝置，其中，所述第二磁層還位于所述 第一磁層的上表面上。
4、 如權(quán)利要求1所述的數(shù)據(jù)存儲裝置，其中，所述第一磁層由具有105 J/m3至107 J/m3的磁各向異性常數(shù)的材料形成。
5、 如權(quán)利要求1所述的數(shù)據(jù)存儲裝置，其中，所述第一磁層由CoPt、 CoCrPt、 FePt、 SmCo、 TbCoFe及這些材料的合金中的至少一種材料形成。
6、 如權(quán)利要求1所述的數(shù)據(jù)存儲裝置，其中，所述第二^f茲層由具有10 J/m3 至103 J/m3的磁各向異性常數(shù)的材料形成。
7、 如權(quán)利要求1所述的數(shù)據(jù)存儲裝置，其中，所述第二磁層由NiFe、 CoFe、 CoFeNi、 CoZrNb、 CoTaZr及這些材料的合金中的至少一種材料形成。
8、 如權(quán)利要求1所述的數(shù)據(jù)存儲裝置，其中，所述第一磁層具有1 nm 至100nm的厚度。
9、 如權(quán)利要求1所述的數(shù)據(jù)存儲裝置，其中，所述第二磁層具有1 nm 至50nm的厚度。
10、 一種制造磁疇數(shù)據(jù)存儲裝置的方法，所述方法包括 采用第一聚合物涂基底；使用圖案化的主模壓制所述第 一聚合物；硬化第一聚合物；從第一聚合物分離主模；采用第二磁層涂所述第一聚合物；釆用第一^F茲層涂所述第二^f茲層；采用第二聚合物涂所述第 一磁層；使用所述圖案化的主模壓制所述第二聚合物； -在所述第 一石茲層和所述第二聚合物上形成覆蓋層；通過蝕刻去除所述覆蓋層和第 一;茲層的上部。
11、 如權(quán)利要求IO所述的方法，其中，所述第一聚合物和第二聚合物包括2-羥基-2-曱基-l-苯基-l-丙酮、丙烯酸四氫糠酯、丙烯酸2-羥乙酯、聚醚丙 烯酸酯預(yù)聚物以及丙烯酸酯化的環(huán)氧預(yù)聚物中的至少 一種。
12、 如權(quán)利要求IO所述的方法，其中，所述第一磁層由具有105 J/r^至 107 J/m3的磁各向異性常數(shù)的材料形成。
13、 如權(quán)利要求IO所述的方法，其中，所述第一磁層由CoPt、 CoCrPt、 FePt、 SmCo、 TbCoFe及這些材料的合金中的至少一種材料形成。
14、 如權(quán)利要求IO所述的方法，其中，所述第二磁層由具有10 J/n^至 103 J/m3的磁各向異性常數(shù)的材料形成。
15、 如權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述第二;茲層由NiFe、 CoFe、 CoFeNi、 CoZrNb、 CoTaZr及這些材料的合金中的至少一種材料形成。
16、 如權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述第一石茲層具有1 nm至100 nm 的厚度。
17、 如權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述第二》茲層具有1 nm至50 nm 的厚度。
全文摘要
示例性實施例可提供使用磁疇壁移動的數(shù)據(jù)存儲裝置及其制造方法，所述數(shù)據(jù)存儲裝置包括具有磁化方向可確定的至少兩個磁疇的第一磁層和/或形成在第一磁層的下表面上的第二軟磁層。即使在第一磁層的彎曲區(qū)域中，磁疇壁也可被移動。
文檔編號H01L43/08GK101217181SQ20081000221
公開日2008年7月9日 申請日期2008年1月2日 優(yōu)先權(quán)日2007年1月2日
發(fā)明者林志慶 申請人:三星電子株式會社