專利名稱：基座和包括所述基座的半導(dǎo)體制造裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)施方式涉及一種基座和包括所U座的半導(dǎo)體制造裝置。
背景技術(shù)：
通常，半導(dǎo)體制造裝置包括晶體生長設(shè)備，諸如有機(jī)金屬化學(xué)汽相沉
積(MOCVD)裝置、分子束外延(MBE)裝置、以及化學(xué)汽相沉積(CVD) 裝置。這種晶體生長設(shè)備被用于在晶片表面上生長諸如半導(dǎo)體發(fā)光設(shè)備、 高電遷移率晶體管(HEMT)、場效應(yīng)晶體管(FET)、以及激光二極管之 類的元件。
真空型基座通常被用作在晶體生長設(shè)備中裝載晶片的裝置。
圖1示意性地示出了現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體制造裝置。
參考圖1和圖2,半導(dǎo)體制造裝置10包括反應(yīng)室20、基座30、旋轉(zhuǎn) 軸50、加熱器60、以及護(hù)罩70。
在及JL室20中的基座30的頂表面中形成多個(gè)凹穴34，并且晶片40 裝載在各凹穴34上。在此，如圖2B所示，凹穴34的底表面38為水平的 結(jié)構(gòu)。
旋轉(zhuǎn)軸50與基座30的下部耦聯(lián)，并且加熱器60設(shè)置在基座30之下 以對(duì)基座30的下部加熱。反應(yīng)室20上的護(hù)罩70將原料供給至反應(yīng)室20。
使用半導(dǎo)體制造裝置制造半導(dǎo)體的過程如下。
晶片40被裝載在基座30的凹穴34上。原料經(jīng)過護(hù)罩70供給至反應(yīng) 室20?；?0通過旋轉(zhuǎn)軸50旋轉(zhuǎn)?；?0和反應(yīng)室20的內(nèi)部由加熱器 60加熱。此時(shí)，半導(dǎo)體薄膜或絕緣層通過流動(dòng)的原料的化學(xué)反應(yīng)而形成在晶片40的表面上。
此時(shí)，氮化鋁層、氮化鎵層、和氮化銦層或氮化鋁鎵層、氮化鋁銦層、
30上的晶片40的表面上。
加熱器60產(chǎn)生的熱量以均勻的溫度對(duì)基于基座30的旋轉(zhuǎn)軸50的相同 半徑的區(qū)域進(jìn)行加熱，但不能以均勻的溫度對(duì)不同半徑的區(qū)域進(jìn)行加熱。 因此，由于設(shè)置在基座30中心的旋轉(zhuǎn)軸50在基座30的中心傳送熱量，因 此在基座30的中心區(qū)域和外部區(qū)域之間產(chǎn)生溫差。溫度從凹穴的中心點(diǎn)向 凹穴的內(nèi)部點(diǎn)降低，如圖9中修改之前的基座的圖表所示。
從而，在裝栽于基座30上的晶片的表面上產(chǎn)生了溫差。因此，沉積在 晶片上的外延層的外部區(qū)域和內(nèi)部區(qū)域具有不同的生長速度。因而，在一 個(gè)晶片上生產(chǎn)的半導(dǎo)體發(fā)光設(shè)備中產(chǎn)生了發(fā)射波長的偏差，并且在一個(gè)晶 片中生長的材料層的厚度隨著區(qū)域而變化較大。
如上所述，在一個(gè)基座或一個(gè)晶片上生產(chǎn)出的半導(dǎo)體設(shè)備的發(fā)射波長 的范圍并不相同，而是變化的。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實(shí)施方式提供了 一種基座和包括所述基座的半導(dǎo)體制造裝 置，通過所U座，可以在晶片上形成均勻厚度的薄膜。
本發(fā)明的實(shí)施方式提供了 一種基座和包括所述基座的半導(dǎo)體制造裝 置，通過所U座，可以改善半導(dǎo)體發(fā)光設(shè)備的光強(qiáng)度。
本發(fā)明的實(shí)施方式提供了 一種具有傾斜凹穴的基座和包括所U座的 半導(dǎo)體制造裝置。
技術(shù)方案
設(shè)置在及JI室中的基座包括底表面傾斜的至少一個(gè)凹穴。 在其上裝載有晶片的基座中，在所述基座中形成有多個(gè)凹穴，并且至少其中一個(gè)所述凹穴形成為其所述凹穴的底表面傾斜。
一種半導(dǎo)體制造裝置包括反應(yīng)室；加熱單元，其在反應(yīng)室中產(chǎn)生熱
量；基座，其上裝載有晶片，并且所述基座包括底表面傾斜的至少一個(gè)凹 穴；以及旋轉(zhuǎn)軸，其與所述基座耦聯(lián)。
根據(jù)所述實(shí)施方式，在基座中設(shè)置有傾斜的凹穴，這樣可以去除通過 基座的旋轉(zhuǎn)軸產(chǎn)生的晶片表面溫度的偏差，以使晶片的溫度均勻，從而使 沉積在晶片表面上的材料層的厚度均勻。
有益效果
在根據(jù)本實(shí)施方式的基座和包括所述基座的半導(dǎo)體制造裝置中，由于 熱量被均勻地傳送至晶片，因此可以在晶片的表面上形成均勻的薄膜。
而且，可以減小由裝載在基座上的晶片產(chǎn)生的半導(dǎo)體發(fā)光設(shè)備的電/ 光學(xué)特性的偏差，并可以提高各晶片的半導(dǎo)體設(shè)備的產(chǎn)量。
而且，由于晶片表面的溫度偏差增大，因此可以增大半導(dǎo)體發(fā)光設(shè)備 的光強(qiáng)度。


圖l是現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體制造裝置的剖視圖。
圖2A和圖2B是常M座的平面圖以及沿常g座的線A-A的剖視圖。
圖3是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的半導(dǎo)體制造裝置的剖視圖。
圖4A和圖4B是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的基座的平面圖以及沿基座的線 B-B的剖視圖。
圖5A和圖5B示出了才艮據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的凹穴。
圖6至圖8示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的基座的凹穴的示例。圖9是對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的基座和根據(jù)本發(fā)明的基座的不同區(qū)域的溫度測量 結(jié)^目互對(duì)比的圖表。
圖10和圖11是示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式在一個(gè)晶片上生產(chǎn)的元件
以;M目應(yīng)于凹穴底表面的傾角的所述元件的發(fā)射波長特性的圖表。
圖12是示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的相應(yīng)于凹穴底表面的傾角的晶 片不同區(qū)域的發(fā)射波長特性的圖表。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明的實(shí)施方式將參考附圖進(jìn)行描述。
圖3濕_根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的半導(dǎo)體制造裝置的剖視圖。圖4A和圖 4B是圖3的基座的平面圖和沿所述基座的線B-B的剖視圖。圖5詳細(xì)示 出了凹穴。
參考圖3，半導(dǎo)體制造裝置100包括反應(yīng)室120、基座(或晶片載體) 130、旋轉(zhuǎn)軸150、諸如加熱器的加熱單元160、以及護(hù)罩170。
基座130設(shè)置在>^應(yīng)室120中，并且在基座130的頂表面中形成有至 少一個(gè)凹穴140。在此，至少其中一個(gè)凹穴140的底表面是傾斜的。
晶片(未示出)裝載在凹穴140上，并且旋轉(zhuǎn)軸150與基座130的下 部耦聯(lián)以旋轉(zhuǎn)基座130。加熱單元160以預(yù)定的溫度加熱基座130的下部 和反應(yīng)室120的內(nèi)部。護(hù)罩170將原料供給至^^應(yīng)室120。
原料經(jīng)由護(hù)罩170供給至反應(yīng)室120。反應(yīng)室120中的基座130通過 旋轉(zhuǎn)軸150旋轉(zhuǎn)。反應(yīng)室120的內(nèi)部和基座130由加熱單元160加熱。此 時(shí)，半導(dǎo)體薄膜或絕緣層通過流動(dòng)的原料的化學(xué)反應(yīng)形成在晶片(未示出) 的表面上。
因?yàn)榛?30的凹穴140的表面傾斜，所以基座130的厚度與凹穴140 的深度或其底表面的傾角成反比。因而，通it^座130傳送至晶片的熱量 隨凹穴140的底表面加j笨而增加，隨凹穴140的底表面變淺而減小。
在此，半導(dǎo)體制造裝置100包括諸如有機(jī)金屬化學(xué)汽相沉積(MOCVD )裝置、分子束外延(MBE )裝置、以及化學(xué)汽相沉積(CVD ) 裝置之類的裝置。諸如氮化鎵基半導(dǎo)體發(fā)光設(shè)備、高電遷移率晶體管
(HEMT)、場效應(yīng)晶體管(FET)、以及激光二極管之類的元件使用這種 裝置生長在晶片(未示出)的表面上。
基座130由碳或氮化鋁(A1N)形成。與基座130的表面上和凹穴140 中的晶片接觸的表面涂布有碳化硅(SiC)層、碳層或氮化鋁(A1N)層。
在此，基座130的表面涂布有碳化硅(SiC)層或氮化鋁(A1N)層， 從而可以防止由碳制成的基座被使用氟化氫(HF)的化學(xué)清洗或熱清洗損 壞，并且防止基座的特性變劣。在此，碳化硅層或氮化鋁層的沉積厚度優(yōu)
選為ioA至iooooA。
如圖4A和圖4B所示，至少一個(gè)凹穴140形成在基座130的頂表面 132上。在附圖中，形成有六個(gè)凹穴140P1-P6，然而本發(fā)明并不僅限于上 述情況。
根據(jù)晶片的尺寸或反應(yīng)室的容量，可以在基座130中形成1至50個(gè)或 更多的凹穴。而且，可以在基座130中形成一排或多排凹穴。
在凹穴140中，存在有平直部和圓形部。所述平直部形成在凹穴的外 側(cè)，以防止晶片旋轉(zhuǎn)。凹穴的平直部可從凹穴中去除。
在下文中，為了方便起見，根據(jù)基座的中心X，凹穴140的最外端指 的是外部點(diǎn)141，而凹穴140的最內(nèi)端指的是內(nèi)部點(diǎn)142。在凹穴中，內(nèi)部 點(diǎn)142和外部點(diǎn)141之間的距離d是最大的。在凹穴140中，平直部可形 成在外部點(diǎn)141或內(nèi)部點(diǎn)處，或形成在其它點(diǎn)處。
凹穴Pl和凹穴P4的底表面144是傾斜的。第一凹穴Pl的底表面144 是形成為內(nèi)部點(diǎn)142比外部點(diǎn)141深的傾斜表面。第四凹穴P4的底表面 144是形成為外部點(diǎn)141比內(nèi)部點(diǎn)142深的傾斜表面。
如在第四凹穴P4中那樣，外部點(diǎn)141形成為比內(nèi)部點(diǎn)142深。因而， 由基座產(chǎn)生的晶片表面溫度的偏差較大，并且由晶片生產(chǎn)的半導(dǎo)體發(fā)光i殳 備的光強(qiáng)度得以改善。
凹穴Pl和凹穴P4的傾斜底表面144影響基座130的頂表面132和基座130的底表面134之間的厚度，即，基座130的厚度相應(yīng)于凹穴Pl和 凹穴P4的傾斜底表面144而改變。在此，在基座130下部的中心處形成 有軸耦聯(lián)槽135。而且，在基座130中，凹穴P1、 P2、和P3的底表面可朝向內(nèi)部點(diǎn)142 傾斜，而凹穴P4、 P5、和P6的底表面可朝向外部點(diǎn)141傾斜。凹穴P1-P6 的底表面傾斜的方向根據(jù)裝載在基座130中的晶片的溫度分布而變化。參考圖5A和圖5B，凹穴P4的最小深度hl不小于晶片的厚度，而凹 穴P4的最大深度h2根據(jù)傾角變化。凹穴P4的內(nèi)部點(diǎn)142是凹穴中的最小深度hl，而凹穴P4的外部點(diǎn) 141是凹穴中的最大'深度h2。在凹穴Pl中，底表面144沿與底表面144 在凹穴P4中的傾斜方向相反的方向傾斜。在此，凹穴Pl和凹穴P4的底表面144相對(duì)于基座的頂表面132的傾 角61設(shè)定在0<61< -10。的范圍內(nèi)。此時(shí)，凹穴P1和P4中的最大深度 h2不大于10mm，而最小深度hl不小于晶片的厚度。在此，凹穴P1和凹 穴P4的底表面144的深度或傾角根據(jù)晶片的尺寸而改變。例如，在2英 寸晶片的情況下，凹穴Pl和凹穴P4的底表面44的深度形成為約3mm至 約5mm的最大深度。凹穴P4的底表面144的傾斜方向與凹穴Pl的底表面144的傾斜方向 相反，而凹穴P4和凹穴P1的底表面144的傾角ei相同。圖6至圖8是示出根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施方式的基座的剖視圖。如圖6所示，凹穴Pll的底表面144以從內(nèi)部點(diǎn)142至外部點(diǎn)141的 角度02相對(duì)于基座130的頂表面132傾斜。凹穴P14以從外部點(diǎn)141至 內(nèi)部點(diǎn)142的角度03相對(duì)于基座130的頂表面132傾斜。底表面的傾角92 和93互不相同。如圖7所示，凹穴P21和凹穴P24具有這樣一種結(jié)構(gòu)，即底表面的深 度朝向基座的中心X或內(nèi)部點(diǎn)142增加。此時(shí)，凹穴P21和凹穴P24的底 表面144可以相同角度或不同角度傾斜。在此，兩個(gè)凹穴P21和P24可以 "沒置為彼此相互對(duì)應(yīng)。如圖8所示，凹穴P31和凹穴P34具有這樣一種結(jié)構(gòu)，其中底表面的 深度朝向基座的外側(cè)Y或外部點(diǎn)142增加。此時(shí)，兩個(gè)凹穴P31和P34 的底表面的傾角94和05可以彼此相同或不同。在此，兩個(gè)凹穴P31和 P34可以i殳置為彼此相互對(duì)應(yīng)。根據(jù)這種實(shí)施方式，彼此對(duì)應(yīng)的凹穴的底表面朝向基座中的內(nèi)部點(diǎn)或 外部點(diǎn)傾斜。形成在基座中的凹穴的底表面的傾斜角度和傾斜方向可以選 擇性地改變。而且，可以在一個(gè)基座中同時(shí)使用水平的凹穴和傾斜的凹穴。另一方面，如下將參考圖3至圖5描述包括上述基座的半導(dǎo)體制造裝 置的操作。根據(jù)本發(fā)明，為了方便起見，可以使用MOCVD裝置。晶片裝載在形成于基座130頂表面中的至少一個(gè)凹穴140的傾斜的底 表面上。加熱單元160加熱反應(yīng)室120的內(nèi)部和基座130的下部，并且旋 轉(zhuǎn)軸150以預(yù)定的速度旋轉(zhuǎn)基座130。在此，如圖4B所示，旋轉(zhuǎn)軸150與形成在基座130下部的軸耦聯(lián)槽 135耦聯(lián)。凹穴140的底表面相對(duì)于基座130的頂表面132的傾角在0° <9< -10°的范圍內(nèi)。原料氣體或載體氣體通過包括至反應(yīng)室120的護(hù)罩170流至反應(yīng)室 120。載體氣體可以包括例如三甲基鋁氣(trilmethyl aluminum gas )、氨 氣、氫或氮。通過護(hù)罩170流入的三甲基鋁氣和氨氣被引導(dǎo)至反應(yīng)室120以不能相 互反應(yīng)。反應(yīng)室的內(nèi)壁溫度、特別U座上部的溫度由加熱單元160升高， 從而裝載在基座頂表面上的晶片以大約1000。C的溫度加熱。三甲基鋁氣和氨氣之間的氣相>^應(yīng)在反應(yīng)室120中發(fā)生，從而例如在 晶片上有效地沉積了氮化鋁。在此，沉積在晶片表面上的材料層的厚度的 變化可改善至大約1.8%。如上所述，由于晶片M載為由各凹穴140的傾斜底表面而傾斜，因 此可以減小晶片不同區(qū)域的溫差。從而整個(gè)晶片被均勻地加熱。而且，裝 載在基座130上的晶片的溫度可被均勻的維持，以例如具有相對(duì)于參照溫度士2。C的偏差。因此，當(dāng)將由裝載在一個(gè)基座130的各凹穴140上的晶片生產(chǎn)的半導(dǎo) 體發(fā)光i殳^^目互對(duì)比時(shí)，可以產(chǎn)生在晶片的整個(gè)區(qū)域中具有相同發(fā)射波長 范圍的半導(dǎo)體發(fā)光^1備。例如，在裝載于一個(gè)凹穴上的晶片的中心區(qū)域、 內(nèi)部區(qū)域、外部區(qū)域中產(chǎn)生的半導(dǎo)體發(fā)光設(shè)備的發(fā)射波長范圍為約 455nm 圖9至圖12為示出了通過上述方法由一個(gè)晶片制造的發(fā)光二極管的檢 驗(yàn)發(fā)射波長范圍的結(jié)果的示例的圖表。圖9示出了對(duì)凹穴的底表面修改之前(根據(jù)現(xiàn)有技術(shù))和修改之后(根 據(jù)本發(fā)明)的基座不同區(qū)域的溫度分布。在此，晶片在凹穴中生長，凹穴 的底表面的傾角在修改之前為O。，而在修改之后在內(nèi)部點(diǎn)處為-0.1。。圖 中的實(shí)線示出了修改之前的基座(根據(jù)現(xiàn)有技術(shù))，圖中的虛線示出了修 改之后的基座(根據(jù)本發(fā)明)。因?yàn)樾纬稍诨械陌佳ǖ膬?nèi)部點(diǎn)具有最大深度而^^座的厚度從外 周向中心減小，因此>^座的凹穴的中心點(diǎn)朝向基座的凹穴的內(nèi)部點(diǎn)的溫 度分布與修改之前的溫度分布相比增加了 AT。從而，根據(jù)本實(shí)施方式的 基座的不同區(qū)域之間的溫差與現(xiàn)有技術(shù)的基座的不同區(qū)域之間的溫差相 比降低大約3'C。圖10和圖ll示出了當(dāng)面積為2英寸的晶片裝載在根據(jù)本實(shí)施方式的 基座上、材料層形成在晶片上、并對(duì)由晶片產(chǎn)生的半導(dǎo)體發(fā)光設(shè)備進(jìn)行檢 查時(shí)獲得的波長分布。圖IO示出了凹穴底表面的傾角在內(nèi)部點(diǎn)處為-I。的 情況。圖11示出了凹穴底表面的傾角在外部點(diǎn)處為-2°的情況。圖10和 圖11的縱坐標(biāo)軸的計(jì)lt^示測量的半導(dǎo)體發(fā)光設(shè)備的數(shù)目，圖10和圖11 的橫坐標(biāo)軸表示半導(dǎo)體發(fā)光設(shè)備的峰值A(chǔ) (nm )。如圖10和圖11所示，由一個(gè)晶片產(chǎn)生的半導(dǎo)體發(fā)光i殳備的輸出波長 通?；趶?52nm至458nm的單個(gè)波長分布。圖12是示出了通過以均勻的距離分割由基座產(chǎn)生的晶片而測量的半 導(dǎo)體發(fā)光設(shè)備的波長特性的圖表。在此，在橫坐標(biāo)軸中，從內(nèi)部點(diǎn)至外部 點(diǎn)由2、 4、 6和8以均勻的距離標(biāo)號(hào)。在圖12中，凹穴B的底表面朝向內(nèi)部點(diǎn)傾斜-0.5。的角度，凹穴C的 底表面朝向內(nèi)部點(diǎn)傾斜-1。的角度，凹穴D的底表面朝向內(nèi)部點(diǎn)傾斜-2° 的角度，而凹穴E的底表面朝向外部點(diǎn)傾斜-0.5。的角度。參考圖12的圖表，盡管在凹穴B、 C、 D、 E之間存在波長特性的差 異，然而所產(chǎn)生的發(fā)光二極管的發(fā)射特性從晶片的外部區(qū)域向晶片的內(nèi)部 區(qū)域幾乎相同。不仗良光二極管的發(fā)射波長范圍而且發(fā)光二極管的操作電 壓一一大約為3.0V——在晶片的整個(gè)區(qū)域中幾乎相同。從而，與現(xiàn)有技術(shù)基座的不同區(qū)域之間的溫差相比，可以減小根據(jù)本 實(shí)施方式的基座的不同區(qū)域之間的溫差。即，減小了晶片整個(gè)表面上的溫 度的偏差。由于裝載在基座上的晶片以均勻的溫度加熱，因此材料層均勻 地沉積在晶片的整個(gè)區(qū)域中，從而可以防止產(chǎn)生具有不同發(fā)射波長范圍的 發(fā)光二極管。雖然已經(jīng)參考本發(fā)明的某些優(yōu)選實(shí)施方式示出并描述了本發(fā)明，然而 本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解不脫離本發(fā)明所附權(quán)利要求限定的精神和范 圍的情況下可以ii行多種形式和細(xì)節(jié)的改變。工業(yè)實(shí)用性一種基座和包括所述基座的半導(dǎo)體制造裝置，由于熱量被均勻地傳送 至晶片，因此可以在晶片的表面上形成均勻的薄膜。而且，可以減小由裝載在基座上的晶片生產(chǎn)的半導(dǎo)體發(fā)光設(shè)備的電/ 光學(xué)特性的偏差，并可以提高各晶片的半導(dǎo)體設(shè)備的產(chǎn)量。而且，由于晶片表面的溫度偏差增大，因此可以增大半導(dǎo)體發(fā)光設(shè)備 的光強(qiáng)度。
權(quán)利要求
1.一種設(shè)置在反應(yīng)室中的基座，其中所述基座包括至少一個(gè)凹穴，所述凹穴的底表面是傾斜的。
2. 如權(quán)利要求l所述的基座，其中所述凹穴的數(shù)量為1至50。
3. 如權(quán)利要求1所述的基座，其中在從所述基座的中心至所4 座外側(cè)的至少一排中形成有多個(gè)凹穴。
4. 如權(quán)利要求1所述的基座，其中所述凹穴的底表面相對(duì)于所述 基座的頂表面以0。<6$ - 10°范圍內(nèi)的角度傾斜。
5. 如權(quán)利要求1所述的基座，其中所述凹穴的底表面的傾角根據(jù) 凹穴的情況而彼此相等或彼此不同。
6. 如權(quán)利要求1所述的基座，其中至少一個(gè)凹穴的底表面從所述 基座的外側(cè)向所述基座的中心傾斜，或者從所述基座的中心向所述基座 的外側(cè)傾斜。
7. 如權(quán)利要求1所述的基座，其中至少一個(gè)凹穴的底表面從所述 凹穴的內(nèi)部點(diǎn)向所述凹穴的外部點(diǎn)傾斜，或者從所述凹穴的外部點(diǎn)向所 述凹穴的內(nèi)部點(diǎn)傾斜。
8. 如權(quán)利要求1所述的基座，其中所M座包括至少一個(gè)第一 凹穴，其外部點(diǎn)具有最大深度；和/或至少一個(gè)第二凹穴，其內(nèi)部點(diǎn)具有 最大深度。
9.如權(quán)利要求1所述的基座，其中所述凹穴的底表面相對(duì)于所述 基座頂表面的深度不小于晶片的厚度并且不大于10mm。
10. 如權(quán)利要求l所述的基座，其中所述基座或所述凹穴由碳或氮化鋁形成，或者由碳或氮化鋁涂布。
11. 如權(quán)利要求10所述的基座，其中所述碳或氮化鋁的沉積厚度介于ioA至io，oooA之間。
12. —種其上裝載有晶片的基座，其中在所U座中形成有多個(gè)凹 穴，并且至少其中一個(gè)所述凹穴具有傾斜的底表面。
13. 如權(quán)利要求12所述的基座，其中所述基座包括具有水平底表 面的凹穴和/或具有從內(nèi)部點(diǎn)向外部點(diǎn)傾斜的底表面的凹穴。
14. 如權(quán)利要求l所述的基座，其中所述凹穴的底表面相對(duì)于所述 基座的頂表面以0°<e$ - 10°的范圍內(nèi)的角度傾斜。
15. —種半導(dǎo)體制造裝置，包括 反應(yīng)室；加熱單元，其在所述>^應(yīng)室中產(chǎn)生熱量；基座，其上裝載有晶片，并且所述基座包括底表面傾斜的至少一個(gè) 凹穴；以及旋轉(zhuǎn)軸，其與所U座耦聯(lián)。
16. 如權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體制造裝置，其中所述傾斜的凹穴 具有從所述基座的中心向所述基座的外側(cè)傾斜的表面，或者從所述基座 的外側(cè)向所述基座的中心傾斜的表面。
17. 如權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體制造裝置，其中所述凹穴的底表 面相對(duì)于所述基座的頂表面的傾角在0°<0￡ - 10°的范圍內(nèi)。
18.如權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體制造裝置，其中所述傾斜的凹穴 的底表面自所述基座的頂表面的深度不小于晶片的厚度并且不大于 10mm。
19. 如權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體制造裝置，其中所述傾斜的凹穴 的底表面的傾角根據(jù)凹穴的情況而彼此相等或彼此不同。
20. 如權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體制造裝置，其中所述反應(yīng)室包括 有機(jī)金屬化學(xué)汽相沉積(MOCVD)裝置、分子束外延(MBE)裝置、 以及化學(xué)汽相沉積(CVD)裝置之一。
全文摘要
在此提供了一種基座和包括所述基座的半導(dǎo)體制造裝置。在基座上裝載有晶片，并且所述基座包括至少一個(gè)底表面傾斜的凹穴。半導(dǎo)體制造裝置包括反應(yīng)室；加熱單元，其在反應(yīng)室中產(chǎn)生熱量；基座，其上裝載有晶片，并且所述基座包括底表面傾斜的至少一個(gè)凹穴；以及旋轉(zhuǎn)軸，其與所述基座耦聯(lián)。
文檔編號(hào)H01L21/683GK101317256SQ200780000383
公開日2008年12月3日 申請(qǐng)日期2007年3月9日 優(yōu)先權(quán)日2006年3月14日
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