技術編號：6885574
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本實施方式涉及一種基座和包括所U座的半導體制造裝置。 背景技術通常，半導體制造裝置包括晶體生長設備，諸如有機金屬化學汽相沉積(MOCVD)裝置、分子束外延(MBE)裝置、以及化學汽相沉積(CVD) 裝置。這種晶體生長設備被用于在晶片表面上生長諸如半導體發(fā)光設備、 高電遷移率晶體管(HEMT)、場效應晶體管(FET)、以及激光二極管之 類的元件。真空型基座通常被用作在晶體生長設備中裝載晶片的裝置。圖1示意性地示出了現(xiàn)有技術的半導體制造裝置。參考圖1和圖2,半...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。