專利名稱：發(fā)送接收裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明主要涉及在微波頻帶以及毫米波頻帶中所使用的發(fā)送接收裝置。
背景技術(shù)：
在裝有工作在微波頻帶、毫米波頻帶等高頻頻帶的高頻半導(dǎo)體器件的髙頻 組件中，根據(jù)其耐環(huán)境性、工作穩(wěn)定性、及腐蝕等情況，大多利用金屬框等安 裝在氣密且電屏蔽的空腔內(nèi)。
在專利文獻(xiàn)l中揭示了在介質(zhì)多層基板內(nèi)對控制信號線進(jìn)行布線，在該 介質(zhì)多層基板上設(shè)置金屬框，并在金屬框內(nèi)部安裝微波集成電路，通過這樣能 夠提高集成電路輸入輸出的隔離性，還利用焊接加工進(jìn)行氣密封接。
專利文獻(xiàn)l:特開2001 —2032卯號公報(bào)
但是，在上述過去技術(shù)中，為了確保電隔離，而在空間獨(dú)立的狀態(tài)下構(gòu)成 發(fā)送和接收的空腔。因此，在過去技術(shù)中，因?yàn)樵谌莘e小的空腔一側(cè)中，水蒸 氣的飽和時(shí)間變短，所以不可能安裝耐濕性低的微波集成電路等。
本發(fā)明是鑒于上述問題而設(shè)計(jì)的，目的在于得到在確保電隔離的情況下、 能夠安裝耐濕性低的微波集成電路的發(fā)送接收裝置。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決上述問題并達(dá)到目的，本發(fā)明的特征在于發(fā)送接收裝置利用介 質(zhì)基板、呈現(xiàn)具有多個(gè)空間的框體形狀并接合在上述介質(zhì)基板上的環(huán)狀構(gòu)件、 以及接合在該環(huán)狀構(gòu)件上的覆蓋構(gòu)件形成多個(gè)空腔，在這些多個(gè)空腔中分別安 裝發(fā)送用或者接收用的半導(dǎo)體器件，在該發(fā)送接收裝置中，如果形成連接上述 多個(gè)空腔之間的通氣孔，同時(shí)將Xg設(shè)定為取決于空腔尺寸的諧振波長，則在從 空腔中心開始偏離大概人g/4的位置、或者偏離大概nXXg/2+人g/4(n:自然數(shù))的 位置、或者從偏離大概Xg/4的位置開始每隔Xg/2間隔的多個(gè)位置上形成該通氣 孔。根據(jù)本發(fā)明，如果形成連接多個(gè)空腔之間的通氣孔，同時(shí)設(shè)定Xg為取決于
空腔尺寸的諧振波長，則因?yàn)樵趶目涨恢行拈_始偏離大概Xg/4的位置、或者偏 離大概nXXg/2+Xg/4(n:自然數(shù))的位置、或者從偏離大概Xg/4的位置開始每隔 Xg/2間隔的多個(gè)位置上形成該通氣孔，所以在確保各空腔間的電隔離的情況下， 能夠安裝耐濕性低的微波集成電路。


圖l是表示本發(fā)明的發(fā)送接收裝置的實(shí)施形態(tài)l的結(jié)構(gòu)的俯視圖。 圖2是表示本發(fā)明的發(fā)送接收裝置的實(shí)施形態(tài)1的結(jié)構(gòu)的立體圖。 圖3是表示通氣孔的寬度與漏入量的關(guān)系圖。
圖4是表示用通氣孔使發(fā)送空腔和接收空腔之間連通的情況下的諧振波形圖。
圖5是表示通氣孔的髙度H-0.1mm、寬度8= lmm時(shí)的通氣孔的位置與發(fā)
送接收隔離特性的關(guān)系圖。
圖6是表示通氣孔的高度H二0.01mm、寬度8= 1.8mm時(shí)的通氣孔的位置與 發(fā)送接收隔離特性的關(guān)系圖。
圖7是表示以發(fā)送空腔內(nèi)的諧振波為例的圖。
圖8是表示發(fā)送空腔的計(jì)算模型的圖。
圖9是表示適當(dāng)設(shè)定各邊方向的模次數(shù)的情況下的諧振頻率的圖。
圖10是表示本發(fā)明的發(fā)送接收裝置的實(shí)施形態(tài)2的結(jié)構(gòu)的俯視圖。
圖11是表示本發(fā)明的發(fā)送接收裝置的實(shí)施形態(tài)3的結(jié)構(gòu)的俯視圖。
圖12是表示本發(fā)明的發(fā)送接收裝置的實(shí)施形態(tài)4的結(jié)構(gòu)的俯視圖。
標(biāo)號說明
1多層介質(zhì)基板
2環(huán)狀構(gòu)件
3覆蓋件
4發(fā)送空腔
5接收空腔
5a、 5b接收空腔
8焊接用焊料(焊接位置)
9非焊接位置(非焊接部)10、 10a、 10b通氣孔 12空腔中心 13焊料
具體實(shí)施例方式
下面，根據(jù)附圖詳細(xì)地說明與本發(fā)明相關(guān)的發(fā)送接收裝置的實(shí)施形態(tài)。另 外，本發(fā)明不限定于該實(shí)施形態(tài)。 實(shí)施形態(tài)l
圖l是表示本發(fā)明的發(fā)送接收裝置的實(shí)施形態(tài)l的結(jié)構(gòu)的俯視圖，圖2是其 分解立體圖。如圖l、 2所示，該實(shí)施形態(tài)l中的發(fā)送接收裝置由多層介質(zhì)基板(下 面稱為基板)l、金屬制的環(huán)狀構(gòu)件(屏蔽環(huán))2、以及作為蓋體的金屬制的覆蓋構(gòu) 件(下面稱為覆蓋件)3構(gòu)成。在基板l的表面形成接地導(dǎo)體層，另外使環(huán)狀構(gòu)件2 及覆蓋件3接地。環(huán)狀構(gòu)件2呈現(xiàn)為日字形的框體形狀，通過這樣形成發(fā)送空腔 4和接收空腔5的2個(gè)腔室。在發(fā)送空腔4內(nèi)的基板1上安裝發(fā)送用高頻半導(dǎo)體器 件(MMIC)等，在接收空腔5內(nèi)的基板1上安裝接收用MMIC等。這時(shí)，發(fā)送空腔 4設(shè)定為比接收空腔5的一半大小還要小。
基板1與環(huán)狀構(gòu)件2的下部拐角部是用焊錫及銀焊料等的焊料(接合材)13固 定的，環(huán)狀構(gòu)件2的上面與覆蓋件3是用焊接用焊料(接合材)8通過焊接固定的。 通過環(huán)狀構(gòu)件2及覆蓋件3的接合，使設(shè)置在基板1上的多個(gè)MMIC6、7氣密封接。 另外，環(huán)狀構(gòu)件2及覆蓋件3將從設(shè)置在基板1上的多個(gè)MMIC6、 7向外部的無用 輻射進(jìn)行屏蔽。即，利用環(huán)狀構(gòu)件2及覆蓋件3構(gòu)成覆蓋基板1的表層的一部分 及多個(gè)MMIC6、 7的電磁屏蔽構(gòu)件。
這里，在該實(shí)施形態(tài)l中，通過不焊接環(huán)狀構(gòu)件2和覆蓋件3的焊接位置8之 中的、形成發(fā)送空腔4和接收空腔5之間的位置的一部分，即不焊接環(huán)狀構(gòu)件之 中的用于形成發(fā)送空腔4和接收空腔5之間的框體的上面的一部分位置、與對應(yīng) 于該位置的覆蓋件3的一部分，從而設(shè)置非焊接位置9，通過這樣設(shè)置連接發(fā)送 空腔4和接收空腔5的通氣孔10。
這時(shí)，如上所述，因?yàn)樵O(shè)定發(fā)送空腔4的容積為比接收空腔5的一半大小還 要小，所以當(dāng)不設(shè)置通氣孔10時(shí)，發(fā)送空腔4的水蒸氣的飽和時(shí)間變短，不可 能在發(fā)送空腔4中安裝耐濕性低的MMIC等，但是在本實(shí)施形態(tài)l中，通過設(shè)置 通氣孔IO，發(fā)送空腔4和接收空腔5兩者都已經(jīng)和另一方的空腔合起來，而能夠認(rèn)為是l個(gè)大容積的空腔了。即，通過通氣孔10使發(fā)送空腔4和接收空腔5通氣， 對發(fā)送空腔4的體積(容積)空間增加了接收空腔5的體積空間，相當(dāng)于增大了發(fā) 送空腔4的體積空間。因此，能夠增大發(fā)送空腔的水蒸氣飽和量，且即使在容 積小的發(fā)送空腔4中也能夠安裝耐濕性低的MMIC等。
但是，通過設(shè)置該通氣孔IO，發(fā)送空腔4側(cè)的電波泄漏到接收空腔5中，或 者接收空腔5側(cè)的電波泄漏到發(fā)送空腔4中，從而存在使電隔離性劣化的問題。 因此，在該實(shí)施形態(tài)l中，通過將通氣孔10的位置設(shè)定在從空腔中心12開始偏 離大概Xg/4的位置，即使將發(fā)送空腔4和接收空腔5連接起來，也能夠確保發(fā)送 空腔4和接收空腔5之間的電隔離。這里，Xg表示取決于空腔尺寸的諧振頻率。 通氣孔10的尺寸、配置位置等如后所述。
另外，在上述中，雖然是在兩空腔之間具有容積差的情況下采用本發(fā)明的， 但是在發(fā)送空腔4與接收空腔5體積相同的情況下也可以采用本發(fā)明。即，即使 在發(fā)送空腔4與接收空腔5體積相同時(shí)，如果將通氣孔10設(shè)置在從空腔中心開始 偏離大概Xg/4的位置上，則具有在確保電隔離的狀態(tài)下、能夠盡量使兩空腔4、 5之間的水蒸氣飽和特性均勻地接近(即，不會(huì)使單方面的條件變差)的效果。
接著，研究通氣孔(間隙)10的孔寬度L、孔高度H的問題。通氣孔10的寬度 L比Xg/2ag是在MMIC的使用頻率50GHz 100GHz的毫米波頻帶中使用的組件 中的、由空腔尺寸決定的諧振頻率的波長，諧振頻率是70 80GHz頻帶)小，例 如在3Xg/8以下比較好(例如，當(dāng)諧振頻率人g是76 77GHz頻帶時(shí)，因?yàn)榛?2 = 2mm，所以在3Xg/8-1.5mm以下比較好)。如果考慮抑制干擾涉(隔離)效果和制 造偏差及加工性等，則作為通氣孔10的寬度L最好是Xg/4左右的寬度(例如，當(dāng) 諧振頻率Xg是77GHz時(shí)，因?yàn)閄g/2二2mm，所以最好是^/4= lmm左右)。作為 能夠提供波導(dǎo)管的截止頻率的通氣孔的寬度L，必需要在Xg/2以下。但是，為了 抑制發(fā)送空腔4與接收空腔5的干擾，最好大大抑制通過損耗量，還考慮到進(jìn)行 了電磁分析的結(jié)果，實(shí)際上最好在3、g/8以下。
另外，當(dāng)通氣孔10的孔髙度H(間隙的高度)為0.001 0.1mm時(shí)，能夠充分 地抑制通過損耗量。如果高度H大于O.lmm，則僅僅設(shè)置非焊接部9是不夠的， 還必須在環(huán)狀構(gòu)件2的上面另外特別設(shè)置通氣孔用的槽。這時(shí)，具有生產(chǎn)率低 的缺點(diǎn)。但是，雖然如果不在乎生產(chǎn)率的下降，也可以在環(huán)狀構(gòu)件2的上面另 外特別設(shè)置通氣孔用的槽，但即使這樣通氣孔10的高度H也必須要小于Xg/2。 即使通氣孔10的寬度L是Xg/4左右，但因?yàn)榘l(fā)送空腔4與接收空腔5的空間互相連通，所以與將發(fā)送空腔4與接收空腔5分別隔開的情況相比，也能夠確保水蒸氣 的飽和時(shí)間是足夠長的時(shí)間。但是，隨著通氣孔10的寬度L及髙度H變得小于 Xg/4,因?yàn)橥饪椎耐庑砸仓饾u地惡化，所以只要設(shè)定通氣孔的寬度和髙度， 使得水蒸氣飽和量的緩和效果不會(huì)減弱的程度即可，。因此，由于水的分子直 徑在0.09572nmX2以下，所以必須設(shè)定比這個(gè)大的寬度和髙度。在將覆蓋件 (罩)3焊接在環(huán)狀構(gòu)件2上之后，測量通氣孔10的截面，確認(rèn)其髙度H在ljmi以上。 這時(shí)，確認(rèn)在溫度80r以上、濕度80%以上的環(huán)境中，耐濕性低的MMIC能夠 毫無問題地進(jìn)行工作。
圖3表示發(fā)送空腔4與接收空腔5的隔離特性。在圖3中，縱軸表示漏入量 (dB)，橫軸表示通氣孔10的寬度L。作為通氣孔10的高度，采用0.01mm、 0.05mm、 O.lmm;作為通氣孔10的設(shè)置位置，釆用從空腔中心12開始只偏離Xg/4的位置。 如圖3所示，如果通氣孔10的寬度L小于2mm，則漏入量急劇地減少，當(dāng)寬度L 為lmm時(shí)，與為2mm的情況相比，能夠大大減少漏入量。
然后，研究通氣孔(間隙)10的配置位置。在發(fā)送空腔4與接收空腔5的邊界 部上，如果將通氣孔10從空腔中央12開始的偏離位置設(shè)定為kg/4左右(例如，當(dāng) 諧振頻率為77GHz時(shí)，因?yàn)閄g/2-2mm,所以為lmm)，則在電磁分析結(jié)果中， 確認(rèn)發(fā)送接收隔離變得最低(=通過損耗量能夠最低)。圖4表示在用通氣孔10使 發(fā)送空腔4與接收空腔5之間連通的情況下的諧振波形。在圖4中，模的次數(shù)11= 7(m+l+n=8)，能夠看見諧振波為7個(gè)的諧振波形。這時(shí)，電場最大點(diǎn)(波腹)為7 個(gè)。在同一個(gè)諧振波形中，我們知道在發(fā)送空腔4的中央位置發(fā)生漏入。這表 示，在對諧振頻率的波長人g影響大的頻率(例如，對于諧振頻率77GHz是76GHz) 中，對應(yīng)于發(fā)送空腔的TE10n模(n次模)的振幅突出。即可知，當(dāng)通氣孔10在中 央位置時(shí)，頻帶漏入較大。
接著，圖5(通氣孔10的髙度H二0.1mm、寬度B-lmm的例子)、圖6(通氣孔 10的髙度H-0.01mm、寬度B-1.8mm的例子)表示當(dāng)離開中央位置的通氣孔10 的偏移位置D在0 2.5mm之間，隔離特性有怎樣的變化。在圖5、圖6中，縱軸 表示漏入量，橫軸表示偏移位置D。從圖5、圖6可知，在中央位置漏入量最大， 從中央位置到附近lmm之間漏入量的變化小，在離開中央位置lmm的附近位置 上漏入量減少，特別在lmm附近(相當(dāng)于d-1.18^-Xg/4)的位置上，發(fā)送接收 隔離變得最低(能夠比中央位置降低10 20dB)。另外，當(dāng)寬度B為2mm時(shí)表明， 雖然偏移位置D在0 2mm之間產(chǎn)生奇點(diǎn)，漏入量暫時(shí)地變大，但是如果看整個(gè)70 80GHz頻帶的話，從中央偏移Xg/4的位置是漏入量最小的區(qū)域。這是由于， 對于空腔長度，產(chǎn)生n次的諧振模，且空腔中央位于諧振波形的波腹，所以在 空腔中央位置漏入量變得最大，在從對應(yīng)于波腹的中央偏移人g/4的位置上漏入 量變得最小。即，如果在從由于空腔諧振而產(chǎn)生的諧振波的電場最大點(diǎn)(波腹) 偏移人g/4的位置(換句話說，電場最小點(diǎn)(波節(jié))的位置)上設(shè)置通氣孔IO,則漏入 量變得最小，漏入特性(隔離特性)變好。圖7表示發(fā)送空腔內(nèi)的諧振波形的例子。
圖8表示發(fā)送空腔4的計(jì)算模型。設(shè)定發(fā)送空腔4的短邊方向的長度為A,高 度為B，長邊方向的長度(信號傳輸方向的長度)為C。如果設(shè)定Q):光速(=2.98 X108m/s), Er:相對介電常數(shù)(-l.OO)， F:信號頻率(Hz)，則根據(jù)
X0=C0X1000/F
Xl=C0X 1000/{F'(Er)1/2}
Xg=Xl/{l — (Xl/2'C)2}1/2
在10 20mm之間適當(dāng)?shù)卦O(shè)定長邊方向的長度C，如果F二77GHz，則諧振 波長Xg/2-2mm。如果采用該結(jié)果，則在從空腔中央(波腹)到波節(jié)的位置中偏 移的大小Xg/4-lmm。
另外，如果如后述那樣來求解實(shí)際空間內(nèi)的波長，則能夠更正確地求得諧 振波長Xg，并能夠更正確地設(shè)定波腹與波節(jié)的位置。下式(1)是用于求解圖8所 示的長方體模型的諧振頻率的式子，這里如果適當(dāng)?shù)卦O(shè)定短邊方向的長度A、 高度B為l 5mm，長邊方向的長度C在10 20mm之間，則也可以使用下式(l)， 根據(jù)圖9，在76 77GHz附近的頻率處發(fā)生諧振的是l-l、 m=0、 n=7。圖9是 表示適當(dāng)?shù)卦O(shè)定各邊方向的模次數(shù)l、 m、 n的情況下的固有諧振頻率TE(l、 m、 n)的情況。 _
Order: l+m+n
另外，l是發(fā)送空腔4的短邊方向的模次數(shù)，m是發(fā)送空腔4的髙度方向的模 次數(shù)，n是發(fā)送空腔4的長邊方向的模次數(shù)。
因此，如果根據(jù)在空腔的長邊方向(C方向)上有7個(gè)諧振波，用模次數(shù)7來除 空腔的長邊方向的長度C，則求得諧振波長Xg。如果采用該結(jié)果，則可知只要 將從空腔中央(波腹)到波節(jié)的位置偏移的長度Xg/4設(shè)定為大約lmm(例如，、g/4=1.18111111)即可。
這樣如果采用該實(shí)施形態(tài)l，則因?yàn)樵诎l(fā)送空腔4與接收空腔5之間、在距 離空腔中央12的Xg/4的位置上設(shè)置通氣孔10，所以在確保發(fā)送空腔4與接收空腔 5之間的電隔離的情況下，能夠使容積小的發(fā)送空腔4的容積相當(dāng)于增大，通過 這樣能夠增大發(fā)送空腔4的水蒸氣飽和量，即使在容積小的發(fā)送空腔4中也能過 安裝耐濕性低的高頻半導(dǎo)體器件等。
另外，在上述中，雖然用焊錫等的焊料13來固定基板1和環(huán)狀構(gòu)件2，但是 也可以改掉焊料13而采用導(dǎo)電性粘接劑，用導(dǎo)電性粘接劑固定基板l和環(huán)狀構(gòu) 件2。另外，在上述中，雖然用焊接用焊料8來固定環(huán)狀構(gòu)件2和覆蓋件3，但是 也可以改掉焊接用焊料8而采用導(dǎo)電性粘接劑，用導(dǎo)電性粘接劑來固定環(huán)狀構(gòu) 件2和覆蓋件3。在采用該導(dǎo)電性粘接劑的情況下，也在發(fā)送空腔4與接收空腔5 之間的邊界部上的、離開空腔中心12大約人g/4的位置上，通過設(shè)置導(dǎo)電性粘接 劑的非附著位置來形成通氣孔IO。另外，根據(jù)空腔尺寸，空腔中央也可以位于 諧振波形的波節(jié)上。這時(shí)，通氣孔10也可以設(shè)置在中央(離開中央的偏移量為0)。
實(shí)施形態(tài)2
圖10是表示與本發(fā)明相關(guān)的發(fā)送接收裝置的實(shí)施形態(tài)2的結(jié)構(gòu)的俯視圖。 在實(shí)施形態(tài)l中，是在從空腔的中心12只偏移Xg/4的位置上配置通氣孔10,但是 在該實(shí)施形態(tài)2中，如圖10所示，在只偏移(nXXg/2)+kg/4(n:自然數(shù))的位置上 設(shè)置通氣孔IO。即如上所述，因?yàn)橹C振波形在每隔Xg/2間隔產(chǎn)生電場最大點(diǎn)(波 腹)，所以在該實(shí)施形態(tài)2中，在從空腔中央12偏移(nXXg/2)+人g/4的位置上設(shè) 置通氣孔IO。
這樣在實(shí)施形態(tài)2中，因?yàn)樵诎l(fā)送空腔4與接收空腔5之間、在從空腔中央 12偏移(nX人g/2)+Xg/4的位置上設(shè)置通氣孔10，所以在確保發(fā)送空腔4與接收空 腔5之間的電隔離的情況下，能夠使容積小的發(fā)送空腔4的容積相當(dāng)于增大，通 過這樣能夠增大發(fā)送空腔4的水蒸氣飽和量，即使在容積小的發(fā)送空腔4中也能 夠安裝耐濕性低的高頻半導(dǎo)體器件等。
實(shí)施形態(tài)3
圖11是表示與本發(fā)明相關(guān)的發(fā)送接收裝置的實(shí)施形態(tài)3的結(jié)構(gòu)的俯視圖。 在實(shí)施形態(tài)l中，是僅在從空腔的中心12只偏移Xg/4的位置上配置l個(gè)通氣孔10， 在該實(shí)施形態(tài)2中，如圖11所示，是僅在從空腔的中心12只偏移Xg/4的位置上配 置I個(gè)通氣孔IO，但是在本實(shí)施形態(tài)中，在從空腔的中心只偏移Xg/4的位置開始每隔Xg/2設(shè)置多個(gè)通氣孔。
這樣在實(shí)施形態(tài)3中，因?yàn)樵诎l(fā)送空腔4與接收空腔5之間、在從空腔的中 心12只偏移Xg/4的位置開始每隔kg/2設(shè)置多個(gè)通氣孔10，所以在確保發(fā)送空腔4 與接收空腔5之間的電隔離的情況下，能夠使容積小的發(fā)送空腔4的容積相當(dāng)于 增大，通過這樣能夠增大發(fā)送空腔4的水蒸氣飽和量，即使在容積小的發(fā)送空 腔4中也能夠安裝耐濕性低的高頻半導(dǎo)體器件等。
實(shí)施形態(tài)4
圖12是表示與本發(fā)明相關(guān)的發(fā)送接收裝置的實(shí)施形態(tài)4的結(jié)構(gòu)的俯視圖。 在實(shí)施形態(tài)1 3中，假設(shè)的是具有發(fā)送空腔4與接收空腔5的2個(gè)空腔的情況， 但是在實(shí)施形態(tài)4中，假設(shè)的是具有3個(gè)以上的空腔的情況。這時(shí)假定在中央配 置1個(gè)發(fā)送空腔4，在其兩側(cè)各配置l個(gè)、共2個(gè)接收空腔5a、 5b。在發(fā)送空腔4 與接受空腔5a之間形成與上述一樣的通氣孔10a，在發(fā)送空腔4與接受空腔5b之 間形成與上述一樣的通氣孔10b。這些通氣孔10a、 10b與實(shí)施形態(tài)l一樣，配置 在從空腔中心12只偏移人g/4的位置上。
這樣在實(shí)施形態(tài)4中，因?yàn)樵?個(gè)以上的空腔之間、在從空腔中心12只偏移 人g/4的位置上分別設(shè)置通氣孔10，所以在確保各空腔之間的電隔離的情況下， 能夠使容積小的發(fā)送空腔4的容積相當(dāng)于增大，通過這樣能夠增大容積小的空 腔的水蒸氣飽和量，即使在容積小的空腔中也能夠安裝耐濕性低的高頻半導(dǎo)體 器件等。
工業(yè)上的實(shí)用性
如上所述，與本發(fā)明相關(guān)的發(fā)送接收裝置對于在微波頻帶以及毫米波頻帶 中所使用的發(fā)送接收裝置是有用的。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)送接收裝置，其特征在于，發(fā)送接收裝置利用介質(zhì)基板、呈現(xiàn)具有多個(gè)空間的框體形狀并接合在所述介質(zhì)基板上的環(huán)狀構(gòu)件、以及接合在該環(huán)狀構(gòu)件上的覆蓋構(gòu)件形成多個(gè)空腔，在這些多個(gè)空腔中分別安裝發(fā)送用或者接收用的半導(dǎo)體器件，在所述發(fā)送接收裝置中，如果形成連接所述多個(gè)空腔之間的通氣孔，同時(shí)將λg設(shè)定為取決于空腔尺寸的諧振波長，則在從空腔中心開始偏離大概λg/4的位置、或者偏離大概n×λg/2+λg/4(n自然數(shù))的位置、或者從偏離大概λg/4的位置開始每隔λg/2間隔的多個(gè)位置上形成該通氣孔。
2. 如權(quán)利要求l中所述的發(fā)送接收裝置，其特征在于，通過在連接所述空腔之間的地方上設(shè)置不存在將所述環(huán)狀構(gòu)件和覆蓋構(gòu)件接 合的接合材料的地方，從而形成所述通氣孔。
3. 如權(quán)利要求1或2中所述的發(fā)送接收裝置，其特征在于， 所述接合材料是焊接用材料或者導(dǎo)電性粘接劑。
全文摘要
在基板(1)上具有金屬制環(huán)(2)和金屬制覆蓋件(3)，用焊錫在基板(1)上固定金屬制環(huán)(2)，并沿著金屬制環(huán)(2)焊接金屬制覆蓋件(3)，在發(fā)送空腔(4)與接收空腔(5)之間，對于除去成為通氣孔(10)的一部分以外的部分進(jìn)行焊接，如果設(shè)定取決于空腔尺寸的諧振波長為λg，則在只離開空腔中心的λg/4的位置上構(gòu)成通氣孔。通過這樣，在確保電隔離的情況下，能夠安裝耐濕性低的微波集成電路。
文檔編號H01L23/02GK101317335SQ20078000037
公開日2008年12月3日 申請日期2007年2月15日 優(yōu)先權(quán)日2006年3月22日
發(fā)明者八十岡興祐 申請人:三菱電機(jī)株式會(huì)社