專利名稱：改良的發(fā)光型熱電效應(yīng)芯片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種發(fā)光型熱電效應(yīng)芯片，尤其是一種以藍(lán)寶石(A1203) 基板作為冷區(qū)的改良的發(fā)光型熱電效應(yīng)芯片。
背景技術(shù)：
發(fā)光熱電效應(yīng)芯片工作時(shí)總是伴隨著熱量的產(chǎn)生，發(fā)光區(qū)的溫度過(guò)高時(shí)， 不僅會(huì)影響其工作，還會(huì)降低發(fā)光二極管(LED)的壽命，進(jìn)而影響到整個(gè)芯片。 為此，現(xiàn)有致冷技術(shù)如圖1中普遍采用將單個(gè)LED串接在一起，再在其下設(shè)置 一片致冷晶片，使LED及陶瓷基板A作為冷區(qū)，陶瓷基板B作為熱區(qū)的技術(shù)方 案。這種技術(shù)方案的缺點(diǎn)是致冷晶片需額外電源提供，因此較無(wú)致冷晶片之使 用耗電.

實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種結(jié)構(gòu)相對(duì)簡(jiǎn)單、不需要外加配有 額外電源的致冷晶片、可實(shí)現(xiàn)模塊化生產(chǎn)的改良的發(fā)光型熱電效應(yīng)芯片。
為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型采用如下技術(shù)方案 一種改良的發(fā)光型
熱電效應(yīng)芯片，包括陶瓷基底和由藍(lán)寶石(A1A)基板、N型接觸層、P型接觸 層、發(fā)光層以及P型電極和N型電極組成的標(biāo)準(zhǔn)LED芯片單元，其特征在于 所述的改良的發(fā)光型熱電效應(yīng)芯片包含若干個(gè)標(biāo)準(zhǔn)LED芯片單元，該熱電效應(yīng) 芯片以陶瓷基底作為熱區(qū)，AU)3基板作為冷區(qū)，Al203基板將各LED芯片單元的 N型接觸層連接在一起，陶瓷基底連接導(dǎo)電金屬板，導(dǎo)電金屬板將前一LED芯片 單元的N型電極和后一 LED芯片單元的P型電極連接在一起，從而將各LED芯 片單元串接在一起，并由P型焊墊和N型焊墊封閉構(gòu)成整個(gè)所述的改良的發(fā)光型熱電效應(yīng)芯片。所述的P型焊墊從Al203基板延伸至導(dǎo)電金屬板，N型焊墊從 八1203基板延伸至N型接觸層。
本實(shí)用新型去掉了現(xiàn)有技術(shù)中的作為冷區(qū)的陶瓷基底，代之直接以A1A基 板作為冷區(qū)，從而節(jié)省了材料，降低了成本，并且不需要外加配有額外電源的 致冷晶片來(lái)致冷;本實(shí)用新型的LED芯片單元采用共同的A1A基板，即通過(guò)A1A 基板將各LED芯片單元的N型接觸層連接在一起，相連的LED芯片單元的N電 極和P電極則由導(dǎo)電金屬板連接，從而將各LED芯片單元串接在一起，而傳統(tǒng) 發(fā)光熱電效應(yīng)芯片的內(nèi)部采用單個(gè)的獨(dú)立LED芯片，因此本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)相 對(duì)簡(jiǎn)單，可以實(shí)現(xiàn)模塊化生產(chǎn)。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)熱電效應(yīng)芯片的結(jié)構(gòu)示意圖 圖2為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。 圖3為標(biāo)準(zhǔn)LED的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖中，l為陶瓷基底，2為A1A基板，3為P型焊墊，4為N型焊墊，5為N 型接觸層，6為發(fā)光層，7為P型接觸層，8為P型電極，9為導(dǎo)電金屬板，10 為N型接觸層。
具體實(shí)施方式
本實(shí)施例中，參照?qǐng)D2和圖3，所述的改良的發(fā)光型熱電效應(yīng)芯片，包括陶 瓷基底1和由藍(lán)寶石(A1203)基板2、 N型接觸層5、 P型接觸層7、發(fā)光層6以 及P型電極8和N型電極10組成的標(biāo)準(zhǔn)LED芯片單元。所述的改良的發(fā)光型熱 電效應(yīng)芯片包含若干個(gè)標(biāo)準(zhǔn)LED芯片單元，該熱電效應(yīng)芯片以陶瓷基底1作為 熱區(qū)，八1203基板2作為冷區(qū)，AU)3基板2將各LED芯片單元的N型接觸層5連 接在一起，陶瓷基底1連接導(dǎo)電金屬板9，導(dǎo)電金屬板9將前一LED芯片單元的
N型電極10和后一 LED芯片單元的P型電極8連接在一起，從而將各LED芯片 單元串接在一起，并由P型焊墊3和N型焊墊4封閉構(gòu)成整個(gè)所述的改良的發(fā) 光型熱電效應(yīng)芯片。其中，P型焊墊3從Al203基板2延伸至導(dǎo)電金屬板9， N型 焊墊4從Ah03基板2延伸至N型接觸層10。陶瓷基底熱區(qū)在芯片封裝時(shí)連接到 散熱片，LED發(fā)光所產(chǎn)生的熱量傳遞到陶瓷基底和散熱片發(fā)散。
權(quán)利要求1.一種改良的發(fā)光型熱電效應(yīng)芯片，包括陶瓷基底和由藍(lán)寶石(Al2O3)基板、N型接觸層、P型接觸層、發(fā)光層以及P型電極和N型電極組成的標(biāo)準(zhǔn)LED芯片單元，其特征在于所述的改良的發(fā)光型熱電效應(yīng)芯片包含若干個(gè)標(biāo)準(zhǔn)LED芯片單元，該熱電效應(yīng)芯片以陶瓷基底作為熱區(qū)，Al2O3基板作為冷區(qū)，Al2O3基板將各LED芯片單元的N型接觸層連接在一起，陶瓷基底連接導(dǎo)電金屬板，導(dǎo)電金屬板將前一LED芯片單元的N型電極和后一LED芯片單元的P型電極連接在一起，從而將各LED芯片單元串接在一起，并由P型焊墊和N型焊墊封閉構(gòu)成整個(gè)所述的改良的發(fā)光型熱電效應(yīng)芯片。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的改良的發(fā)光型熱電效應(yīng)芯片，其特征在于所述 的P型焊墊從Al203基板延伸至導(dǎo)電金屬板，N型焊墊從A1A基板延伸至N型接 觸層。
專利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種改良的發(fā)光型熱電效應(yīng)芯片，包括陶瓷基底和由藍(lán)寶石(Al₂O₃)基板、N型接觸層、P型接觸層、發(fā)光層以及P型電極和N型電極組成的標(biāo)準(zhǔn)LED芯片單元。本實(shí)用新型去掉了現(xiàn)有技術(shù)中的作為冷區(qū)的陶瓷基底，代之直接以Al₂O₃基板作為冷區(qū)，從而節(jié)省了材料，并降低了成本，并且不需要外加配有額外電源的致冷晶片來(lái)致冷；本實(shí)用新型的LED芯片單元采用共同的Al₂O₃基板，即通過(guò)Al₂O₃基板將各LED芯片單元的N型接觸層連接在一起，相連的LED芯片單元的N電極和P電極則由導(dǎo)電金屬板連接，從而將各LED芯片單元串接在一起，而傳統(tǒng)發(fā)光熱電效應(yīng)芯片的內(nèi)部采用單個(gè)的獨(dú)立LED芯片，因此本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)相對(duì)簡(jiǎn)單，可以實(shí)現(xiàn)模塊化生產(chǎn)。
文檔編號(hào)H01L25/00GK201066689SQ200720121549
公開(kāi)日2008年5月28日 申請(qǐng)日期2007年7月19日 優(yōu)先權(quán)日2007年7月19日
發(fā)明者余其俊, 張孝嚴(yán), 許耀宗 申請(qǐng)人:東莞高埗佰鴻電子廠