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一種高功率發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作方法

文檔序號:6881335閱讀:204來源:國知局
專利名稱:一種高功率發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本實用新型屬于高功率發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu),尤其涉及一種能夠減少焊線 工藝的高功率發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)
目前,具有散熱座裝置的高功率發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu),其具有一殼體,在 殼體內(nèi)部設(shè)置有第 一支架及與第 一支架相對應(yīng)的第二支架,二支架分別連接至
外部; 一透鏡設(shè)置于該殼體上方的凹陷部; 一散熱座設(shè)置于該殼體內(nèi)部,該散 熱座底部外露于殼體,可將殼體內(nèi)部熱量導(dǎo)出; 一個或多個發(fā)光二極管芯片被 透鏡包覆設(shè)置于散熱座上方,通過多條晶線與第一、二支架電性連接,以提供 電壓源給發(fā)光二極管芯片使用。
上述習(xí)用的高功率發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)中,采用了多條晶線將發(fā)光二極管 芯片與支架連接的方式來達到電性連接的目的,其工藝步驟較復(fù)雜,物料成本 較高,從而使得制作成本高。

實用新型內(nèi)容
本實用新型所要解決的技術(shù)問題在于提供一種高功率發(fā)光二極管封裝結(jié) 構(gòu),旨在解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的高功率發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)工藝步驟復(fù)雜,制 作成本和物料成本高的問題。
本實用新型是這樣實現(xiàn)的, 一種高功率發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu),包括殼體、 透鏡及散熱座,在殼體兩側(cè)分別設(shè)置有第一支架及第二支架,二支架一端分別 設(shè)置于殼體內(nèi)部,而其另一端則分別延伸出殼體之外;所述透鏡置于所述殼體 上;所述散熱座設(shè)置于殼體內(nèi)部;所述散熱座包括第一表面及第二表面,發(fā)光
二極管芯片設(shè)置于所述第一表面上,在所述第二表面上設(shè)置有凸起,第一支架 與散熱座第二表面上的凸起電性導(dǎo)通,第一支架和第二支架分別與發(fā)光二極管 芯片的電極電性連接。
本實用新型利用散熱座組立于殼體內(nèi)部,該殼體的兩側(cè)分別設(shè)有第一、二 支架,該散熱座的第二表面上的凸起與第一支架形成電性導(dǎo)通,能減少部分焊 線工藝,從而節(jié)省了物料,也節(jié)省了制作成本。


圖1是本實用新型提供的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)一較佳實施例的分解示意圖。
圖2是圖1所示實施例中散熱座的立體示意圖。 圖3是圖1所示實施例的立體組合示意圖。
具體實施方式
為了使本實用新型所要解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案及有益效果更加清楚明 白,
以下結(jié)合附圖及實施例,對本實用新型進行進一步詳細說明。應(yīng)當(dāng)理解, 此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本實用新型,并不用于限定本實用新型。
請參閱圖1至圖3,本實施例的高功率發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)包括透鏡10、 殼體12及散熱座14。殼體12上表面具有一凹陷部24,透鏡10通過硅膠粘貼 或者通過鉚接方式安裝在殼體12的凹陷部24上,散熱座14則安裝在殼體12 內(nèi),并且其底部棵露于殼體12外。
所述散熱座14可由導(dǎo)熱系數(shù)較高的金屬,如銅、鐵、鋁、不銹鋼、合金等 制成,其上表面中央向上凸伸形成一環(huán)狀的凸緣144,凸緣144內(nèi)部區(qū)域的底 面為第一表面141, 一個或多個具有上、下電極的發(fā)光二極管芯片16設(shè)置于第 一表面141上,所述凸緣144外部區(qū)域的散熱座14的上表面為第二表面142, 于第二表面142上設(shè)有一個或多個凸起143。上述凸緣144的外型可為圓柱狀、
長方體狀、多邊立方體狀等設(shè)計,使得能夠針對不同的殼體12的凹陷部24設(shè) 計,以便于進行相互裝配連接之用。
所述殼體12由可塑高溫塑料制成,其兩側(cè)分別設(shè)有第一支架20及第二支 架22, 二支架相互絕緣,其一端分別設(shè)置于殼體12內(nèi)部,而其另一端則分別 延伸出殼體12之外。其中,第一支架20與散熱座14第二表面142上的凸起 143電性導(dǎo)通,第一支架20及第二支架22分別與發(fā)光二極管芯片16的電極電 性導(dǎo)通,具體實施時,第一支架20可與發(fā)光二極管芯片16的下電極形成電性 連接,而第二支架22則可與發(fā)光二極管芯片16的上電極電性連接。
上述實施例中,由于散熱座14安裝于殼體12內(nèi)部,并且其凸起143與第 一支架20接觸以形成電性導(dǎo)通,因此,本實施例中的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)在制 作過程中無需焊線,其工藝較筒單,并且可有效降低制作成本和物料成本。
此外,殼體12中的部分熱量可通過與散熱座14相連的第一支架20導(dǎo)出至 殼體12外部;而散熱座14底部棵露于殼體12的下方,據(jù)此可以充分地接觸外 界散熱結(jié)構(gòu),有利于散熱降溫。所述殼體12與散熱座14裝配后,發(fā)光二極管 芯片16發(fā)光所產(chǎn)生的高溫必須排出于殼體12之外,為進一步提高散熱效能, 于殼體12側(cè)壁開i殳有若干氣流孔26,以增加散熱效果。
綜上所述,上述實施例利用散熱座14組立于殼體12內(nèi)部,第一支架20 與散熱座14的凸起143形成電性導(dǎo)通,因此與習(xí)用高功率發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu) 中需要用多條晶線將發(fā)光二極管芯片與第一、第二支架連接相較,本實施例能 減少部分焊線工藝,從而節(jié)省了物料,也節(jié)省了制作成本。此外,該散熱座14 的第二表面142上的凸起143與第一支架20直接接觸,使得殼體12中的部分 熱量可通過該第一支架20導(dǎo)出至殼體12外,從而比習(xí)用的散熱座結(jié)構(gòu)進一步 提高了散熱效能,而在殼體12上開設(shè)氣流孔23更有助于提高散熱效能。另夕卜, 散熱座14上的凸起143使得殼體12與散熱座14的接觸面積增大,從而使散熱 座14與殼體12的結(jié)合更加穩(wěn)固。
以上所述僅為本實用新型的較佳實施例而已,并不用以限制本實用新型,
凡在本實用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進等,均應(yīng) 包含在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1、一種高功率發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu),包括殼體、透鏡及散熱座,在殼體兩側(cè)分別設(shè)置有第一支架及第二支架,二支架一端分別設(shè)置于殼體內(nèi)部,而其另一端則分別延伸出殼體之外;所述透鏡置于所述殼體上;所述散熱座設(shè)置于殼體內(nèi)部;其特征在于,所述散熱座包括第一表面及第二表面,發(fā)光二極管芯片設(shè)置于所述第一表面上,在所述第二表面上設(shè)置有凸起,第一支架與散熱座第二表面上的凸起電性導(dǎo)通,第一支架和第二支架分別與發(fā)光二極管芯片的電極電性連接。
2、 如權(quán)利要求l所述的高功率發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述散 熱座的底部棵露于殼體下方。
3、 如權(quán)利要求1或2所述的高功率發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所 述殼體的側(cè)壁上開設(shè)有氣流孔。
4、 如權(quán)利要求l所述的高功率發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述散 熱座上表面中央向上凸伸形成一環(huán)狀凸緣,所述凸緣內(nèi)部區(qū)域的底面為所述第 一表面。
5、 如權(quán)利要求4所述的高功率發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述凸 緣為圓柱狀、長方體狀或者多邊立方體狀。
6、 如權(quán)利要求l所述的高功率發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第 一支架與第二支架相互絕緣。
7、 如權(quán)利要求1或6所述的高功率發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所 述第一支架與發(fā)光二極管芯片的下電極電性連接,所述第二支架則與發(fā)光二極 管芯片的上電極電性連接。
8、 如權(quán)利要求l所述的高功率發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述透鏡與殼體之間通過硅膠組合或者通過鉚接方式組合。
專利摘要本實用新型適用于發(fā)光二極管,提供了一種高功率發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu),包括殼體、透鏡及散熱座,在殼體兩側(cè)分別設(shè)置有第一支架及第二支架,二支架一端分別設(shè)置于殼體內(nèi)部,而其另一端則分別延伸出殼體之外;所述透鏡置于所述殼體上;所述散熱座設(shè)置于殼體內(nèi)部;所述散熱座包括第一表面及第二表面,發(fā)光二極管芯片設(shè)置于所述第一表面上,在所述第二表面上設(shè)置有凸起,第一支架與散熱座第二表面上的凸起電性導(dǎo)通,第一支架和第二支架分別與發(fā)光二極管芯片的電極電性連接。本實用新型能夠減少焊線工藝,從而節(jié)省了物料,也節(jié)省了制作成本。
文檔編號H01L33/00GK201066694SQ20072012128
公開日2008年5月28日 申請日期2007年7月3日 優(yōu)先權(quán)日2007年7月3日
發(fā)明者宋文洲 申請人:深圳市龍崗區(qū)橫崗光臺電子廠;今臺電子股份有限公司
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