發(fā)光二極管封裝體及其制造方法
【專(zhuān)利摘要】一種發(fā)光二極管封裝體，包括基板、設(shè)置在基板上表面的第一電極、第二電極及位于第一電極及第二電極之間的發(fā)光二極管，還包括由疏水性材料制成的擋圈，所述擋圈固定于所述基板上且圍設(shè)所述發(fā)光二極管于其內(nèi)，封裝層形成在所述擋圈內(nèi)并包覆所述發(fā)光二極管，所述封裝層包括一底面及自底面延伸的弧形側(cè)面，所述封裝層的弧形側(cè)面貼設(shè)所述擋圈的內(nèi)表面。
【專(zhuān)利說(shuō)明】
發(fā)光二極管封裝體及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明涉及一種發(fā)光裝置，特別涉及一種發(fā)光二極管封裝體及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002] LED作為一種高效光源，具有環(huán)保、省電、壽命長(zhǎng)等諸多特點(diǎn)已經(jīng)被廣泛應(yīng)用到各 種領(lǐng)域。
[0003] 傳統(tǒng)的LED封裝體將LED芯片固定在封裝基板上，通過(guò)在LED芯片外圍涂覆封裝 材料層而保護(hù)LED芯片。所述的大部分封裝材料層由膠體與熒光粉混合而成，自L(fǎng)ED芯片 出射的光線(xiàn)進(jìn)入封裝材料層并激發(fā)熒光粉后出射至外界。然而普通封裝材料層中，因膠體 固有的強(qiáng)粘滯性使得形成在LED各周緣部的封裝材料層形狀不一，導(dǎo)致自L(fǎng)ED芯片出射的 光線(xiàn)對(duì)熒光粉的激發(fā)程度不一而使LED封裝體出光不均勻。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 有鑒于此，有必要提供一種出光均勻的發(fā)光二極管封裝體及其制造方法。
[0005] -種發(fā)光二極管封裝體，包括基板、設(shè)置在基板上表面的第一電極、第二電極及位 于第一電極及第二電極之間的發(fā)光二極管，還包括由疏水性材料制成的擋圈，所述擋圈固 定于所述基板上且圍設(shè)所述發(fā)光二極管于其內(nèi)，封裝層形成在所述擋圈內(nèi)并包覆所述發(fā)光 二極管，所述封裝層包括一底面及自底面延伸的弧形側(cè)面，所述封裝層的弧形側(cè)面貼設(shè)所 述擋圈的內(nèi)表面。
[0006] 本發(fā)明中，所述擋圈使得所述封裝層相互聚集后關(guān)于發(fā)光二極管對(duì)稱(chēng)，所述發(fā)光 二極管產(chǎn)生的光線(xiàn)可均勻激發(fā)所述封裝層中的熒光粉而均勻出光，從而提高了當(dāng)所述發(fā)光 二極管封裝體出光均勻性。
【附圖說(shuō)明】
[0007] 圖1是本發(fā)明所述發(fā)光二極管封裝體的立體圖。
[0008] 圖2為圖1所示發(fā)光二極管封裝體的沿II-II剖面的剖視圖。
[0009] 圖3為圖1所示發(fā)光二極管封裝體的俯視圖。
[0010] 圖4-7為本發(fā)明所述的發(fā)光二極管封裝體制造方法流程圖。
[0011] 主要元件符號(hào)說(shuō)明

如下【具體實(shí)施方式】將結(jié)合上述附圖進(jìn)一步說(shuō)明本發(fā)明。
【具體實(shí)施方式】
[0012] 如圖1-2所示，本發(fā)明所述的發(fā)光二極管封裝體包括一基板10,設(shè)置在基板10 - 側(cè)表面的多個(gè)發(fā)光二極管（LED)20、一第一電極11和一第二電極12、設(shè)置在基板10上且分 別圍設(shè)在發(fā)光二極管20周?chē)亩鄠€(gè)擋圈30、以及設(shè)置于擋圈30內(nèi)用以包覆所述發(fā)光二極 管20的封裝層40。
[0013] 所述基板10呈長(zhǎng)方體狀，其由可透光的透明材料，如玻璃，藍(lán)寶石等制成。在本實(shí) 施例中所述基板10具有如下尺寸：長(zhǎng)度L :30毫米；寬度W為：0. 8毫米；高度Η為：0. 4毫 米。
[0014] 所述基板10包括一上表面101、一與上表面101相對(duì)的下表面102。
[0015] 所述第一電極11和第二電極12分別固定在基板10的上表面101的兩端且與發(fā) 光二極管20間隔設(shè)置。
[0016] 所述多個(gè)發(fā)光二極管20固定在基板10的上表面101上且位于第一電極21與第 二電極22之間。在本實(shí)施例中，所述發(fā)光二極管20的數(shù)量為兩個(gè)的時(shí)候，所述發(fā)光二極管 20之間通過(guò)串行連接后其引出的兩端分別與第一電極21和第二電極22電連接。
[0017] 可以理解的，在其他實(shí)施例中，所述發(fā)光二極管20為單個(gè)時(shí)，所述多個(gè)發(fā)光二極 管20的Ν電極和Ρ電極直接與基板10的第一電極11和第二電極12電連接。
[0018] 請(qǐng)同時(shí)參考圖3，所述擋圈30為疏水性材料制成的一環(huán)形結(jié)構(gòu)，所述擋圈30的材 料可為光致抗蝕劑。所述擋圈30設(shè)置在所述基板10的上表面101將所述發(fā)光二極管20 圍設(shè)其中。在本實(shí)施例中，所述擋圈30的橫截面呈圓形，其高度為HI :100-300微米，最佳 高度H1為200微米；厚度W1為：0. 05-0. 1微米，最佳厚度W1為0. 07微米。
[0019] 所述擋圈30具體包括連接基板10的上表面101的內(nèi)側(cè)壁31、外側(cè)壁32和連接內(nèi) 側(cè)壁31與外側(cè)壁32的頂壁33。在本實(shí)施例中，所述內(nèi)側(cè)壁31和外側(cè)壁32為為自上表面 101垂直向上延伸的圓弧面，頂壁33為與上表面101平行的圓弧面。
[0020] 所述封裝層40由膠體與熒光粉混合而成。所述封裝層40設(shè)置在基板10的上表 面101位于所述擋圈30內(nèi)側(cè)處且包覆所述發(fā)光二極管20。所述封裝層40包括一底面41 和自底面41邊緣朝向內(nèi)側(cè)壁31處延伸的弧形側(cè)面42。所述底面41呈水平面。在本實(shí)施 例中，所述弧形側(cè)面42與所述擋圈30的內(nèi)側(cè)壁31之間夾角為A :30-60度，最佳角度A為 45度，所述封裝層40的高度為H2 :1-3毫米，最佳高度H2為2毫米。所述封裝層40關(guān)于 所述發(fā)光二極管20的光軸對(duì)稱(chēng)。
[0021] 本發(fā)明還提供上述發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，具體步驟如下： 步驟一：如圖4所示，提供一基板10 ; 所述基板10呈長(zhǎng)方體，其由可透光的透明材料制成。基板10包括一上表面101和與 上表面101相對(duì)的下表面102。所述上表面101兩端設(shè)置有第一電極11和第二電極12。
[0022] 步驟二：如圖5所示，在基板10的上表面101上設(shè)置發(fā)光二極管20,并在發(fā)光二 極管20周?chē)x出一涂設(shè)區(qū)域； 步驟三：如圖6所示，使用點(diǎn)膠機(jī)在所述發(fā)光二極管20外圍的涂設(shè)區(qū)域內(nèi)涂設(shè)形成擋 圈30 ; 所述擋圈30為疏水性材料制成的一環(huán)形結(jié)構(gòu)。在本實(shí)施例中，所述擋圈30的橫截面 呈圓形，其高度為100-300微米，最佳高度為200微米；厚度為0. 05-0. 1微米，最佳厚度為 0.07微米。
[0023] 步驟四：如圖7所示，在基板10于擋圈30內(nèi)側(cè)部涂覆封裝層40以包覆所述發(fā)光 二極管20 ; 在本發(fā)明中，通過(guò)在所述發(fā)光二極管20外圍環(huán)設(shè)擋圈30后，設(shè)置封裝層40于擋圈30 內(nèi)側(cè)并包覆發(fā)光二極管20。所述封裝層40成型時(shí)，擋圈30的疏水性對(duì)封裝層40產(chǎn)生斥力 而使得封裝層40相互聚集后關(guān)于發(fā)光二極管20的光軸對(duì)稱(chēng)，所述發(fā)光二極管20產(chǎn)生的光 線(xiàn)可均勻激發(fā)所述封裝層40中熒光粉而產(chǎn)生均勻白光，從而提高發(fā)光二極管封裝體的出 光均勻性。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種發(fā)光二極管封裝體，包括基板、設(shè)置在基板上表面的第一電極、第二電極及位于 第一電極及第二電極之間的發(fā)光二極管，其特征在于：還包括由疏水性材料制成的擋圈，所 述擋圈固定于所述基板上且圍設(shè)所述發(fā)光二極管于其內(nèi)，封裝層形成在所述擋圈內(nèi)并包覆 所述發(fā)光二極管，所述封裝層包括一底面及自底面延伸的弧形側(cè)面，所述封裝層的弧形側(cè) 面貼設(shè)所述擋圈的內(nèi)表面。2. 如權(quán)利要求1所述發(fā)光二極管封裝體，其特征在于：所述擋圈包括與基板上表面連 接的內(nèi)側(cè)壁、外?壁和連接內(nèi)側(cè)壁和外側(cè)壁的頂壁。3. 如權(quán)利要求2所述發(fā)光二極管封裝體，其特征在于：所述內(nèi)側(cè)壁、外側(cè)壁和頂壁均為 自基板上表面垂直向上延伸的圓弧面，所述頂壁與所述基板上表面平行。4. 如權(quán)利要求2所述發(fā)光二極管封裝體，其特征在于：所述弧形側(cè)面與擋圈的內(nèi)側(cè)壁 之間呈30-60度的夾角。5. 如權(quán)利要求1所述發(fā)光二極管封裝體，其特征在于：所述擋圈由疏水性材料制成。6. 如權(quán)利要求1所述發(fā)光二極管封裝體，其特征在于：所述擋圈的高度為100-300微 米，所述擋圈的厚度為〇. 05-0. 1微米。7. 如權(quán)利要求1所述發(fā)光二極管封裝體，其特征在于：所述基板呈長(zhǎng)方體，其由可透光 的透明材料制成。8. 如權(quán)利要求1所述發(fā)光二極管封裝體，其特征在于：所述封裝層由膠體與熒光粉混 合而成。9. 如權(quán)利要求1所述發(fā)光二極管封裝體，其特征在于：所述封裝層關(guān)于所述發(fā)光二極 管的光軸對(duì)稱(chēng)。10. -種發(fā)光二極管封裝體的制造方法，具體步驟如下： 步驟一：提供一基板，所述基板包括一上表面，所述上表面設(shè)置第一電極和第二電極； 步驟二：在基板上表面設(shè)置發(fā)光二極管，并定義出一涂設(shè)區(qū)域； 步驟三：在發(fā)光二極管外圍的涂設(shè)區(qū)域內(nèi)涂設(shè)形成擋圈，所述擋圈將所述發(fā)光二極管 圍設(shè)于其中部； 步驟四：在基板于擋圈內(nèi)側(cè)部涂覆封裝層以包覆所述發(fā)光二極管。
【文檔編號(hào)】H01L33/48GK105990492SQ201510074191
【公開(kāi)日】2016年10月5日
【申請(qǐng)日】2015年2月12日
【發(fā)明人】邱鏡學(xué), 林雅雯, 凃博閔, 黃世晟
【申請(qǐng)人】展晶科技(深圳)有限公司, 榮創(chuàng)能源科技股份有限公司