從外周提高電流注入的發(fā)光二極管的制作方法
【專(zhuān)利摘要】公開(kāi)從LED外周提高電流注入的發(fā)光二極管組件。在一個(gè)實(shí)施方案中，LED組件包括：包含在具有第一導(dǎo)電性類(lèi)型的第一層和具有第二導(dǎo)電性類(lèi)型的第二層之間設(shè)置的發(fā)光層的LED。LED組件進(jìn)一步包括第一電極和第二電極。第一電極形成于第一層的與發(fā)光層相反的表面上，并且電連接至第一層。第一電極基本覆蓋第一層的表面。第二電極在第一電極外周外部沿部分LED外周形成。第二電極延伸穿過(guò)第一層和發(fā)光層到第二層，并且電連接至第二層。在一個(gè)實(shí)施方案中，LED組件沿LED外周包括一個(gè)以上第二電極。在一個(gè)實(shí)施方案中，一個(gè)以上第二電極部分包圍第一電極。在另一實(shí)施方案中，一個(gè)以上第二電極完全包圍第一電極。在又一實(shí)施方案中，一個(gè)以上第二電極在LED的側(cè)壁向內(nèi)延伸。
【專(zhuān)利說(shuō)明】
從外周提高電流注入的發(fā)光二極管
技術(shù)領(lǐng)域
[0001 ]本發(fā)明一般涉及發(fā)光二極管(LED)組件，更具體地，涉及從LED的外周提高電流注入的LED組件。
【背景技術(shù)】
[0002]一般，發(fā)光二極管(LED)由半導(dǎo)體生長(zhǎng)基板開(kāi)始，通常為II1-V族化合物如氮化鎵(GaN)、砷化鎵(GaAs)、磷化鎵(GaP)、磷化銦(InP)和磷化砷鎵(GaAsP)。半導(dǎo)體生長(zhǎng)基板也可以為用于II1-族氮化物類(lèi)LED如氮化鎵(GaN)的藍(lán)寶石(Al2O3)、硅(Si)和碳化硅(510。外延半導(dǎo)體層生長(zhǎng)在半導(dǎo)體生長(zhǎng)基板上從而形成LED的N-型和P-型半導(dǎo)體層。外延半導(dǎo)體層可以通過(guò)許多研制出的方法來(lái)形成，包括例如，液相外延(LPE)、分子束外延(MBE)和金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(M0CVD)。在形成外延半導(dǎo)體層之后，電接觸使用已知的光刻法、蝕刻、蒸發(fā)和研磨方法偶聯(lián)至N-型和P-型半導(dǎo)體層。將各個(gè)LED切成小塊并且用引線(xiàn)接合安裝至封裝體。密封劑沉積在LED上并且LED用也有助于光提取的保護(hù)鏡片密封。
[0003]有許多不同類(lèi)型的發(fā)光二極管組件，包括橫向LED、垂直LED、倒裝芯片型LED和混合LED(垂直和倒裝芯片型LED結(jié)構(gòu)的組合)。典型地，倒裝芯片型LED和混合LED組件利用LED和底層基板或基臺(tái)之間的反射接觸從而反射朝向基板或基臺(tái)向下產(chǎn)生的光子。通過(guò)使用反射接觸，使更多的光子逃脫LED而不是被基板或基臺(tái)吸收，改善LED組件的總體光輸出功率和光輸出效率。
[0004]常規(guī)的倒裝芯片型或混合LED組件顯示在圖1A和IB中。圖1A為現(xiàn)有技術(shù)中的LED組件100的平面圖，圖1B為沿軸AA截取的圖1A的LED組件100的截面圖。圖1A中，多個(gè)N-電極110、或者通孔，在發(fā)光二極管組件100的LEDlOl中以圖案化柵格形成。如圖1B中所示，多個(gè)N-電極110電連接至LED 101的N-型半導(dǎo)體層102。多個(gè)N-電極110延伸穿過(guò)P-型半導(dǎo)體層104和發(fā)光層106到達(dá)N-型半導(dǎo)體層102，以致多個(gè)N-電極110接觸N-型半導(dǎo)體層102。
[0005]在LED 101的N-型半導(dǎo)體層102的下方是發(fā)光層106和P-型半導(dǎo)體層10LP-電極114形成在LED 101下并且電連接至P-型半導(dǎo)體層10LP-電極114覆蓋幾乎P-型半導(dǎo)體層104的整個(gè)表面、在基板120和P-型半導(dǎo)體層104之間，并且包圍多個(gè)N-電極110的每一個(gè)。絕緣層108將多個(gè)N-電極110和互連器112與P-型半導(dǎo)體層104和P-電極114電絕緣。多個(gè)N-電極110的每一個(gè)通過(guò)互連器112電連接在一起，反過(guò)來(lái)互連器112電連接至N-接合墊122(未示出)C3P-接合墊124電連接至P-電極114。當(dāng)封裝時(shí)，N-接合墊122和P-接合墊124提供用于引線(xiàn)接合至完整的LED組件100的電源終端的接觸位點(diǎn)。
[0006]圖1C示出在圖1A的LED組件100的裝置操作期間的電流擴(kuò)散效應(yīng)。像圖1A—樣，圖1C為L(zhǎng)ED組件100、特別關(guān)注于LED 101的平面圖。在LED組件100的裝置操作期間，當(dāng)電力施加至LED組件100的終端時(shí)，電流將在多個(gè)N-電極110和P-電極114之間流動(dòng)。自然，在正在注入電流的多個(gè)N-電極110周?chē)嬖谳^高濃度的電流。在多個(gè)N-電極110周?chē)妮^高濃度的電流將導(dǎo)致電流聚集，降低LED組件100的光輸出效率。隨著LED組件100的操作電壓增加，電流聚集效應(yīng)將惡化，使LED組件100不適用于高功率應(yīng)用。
[0007]如圖1C中所示，LED組件100的電流分布122不均一，并且不延伸至LEDlOl的外側(cè)壁118。不均一的電流分布12 2也將不利地影響LED 1I的發(fā)光均勻性，同時(shí)由在LED 1I的外周的發(fā)光層106(圖1B中示出的)發(fā)出較少的光子，結(jié)果那里電流濃度較低。
[0008]因此，對(duì)于具有改善的光輸出功率、光輸出效率和發(fā)光均勻性的、特別是用于高功率應(yīng)用的LED組件有未滿(mǎn)足的要求。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]在一個(gè)實(shí)施方案中，發(fā)光二極管(LED)組件包括LED，所述LED包括設(shè)置在具有第一導(dǎo)電性類(lèi)型的第一層和具有第二導(dǎo)電性類(lèi)型的第二層之間的發(fā)光層。在一個(gè)實(shí)施方案中，第一層是P-型半導(dǎo)體材料和第二層是N-型半導(dǎo)體材料。在另一個(gè)實(shí)施方案中，第一層是N-型半導(dǎo)體材料和第二層是P-型半導(dǎo)體材料。
[00?0] LED組件進(jìn)一步包括第一電極和第二電極。第一電極形成于第一層的與發(fā)光層相反的表面上，并且電連接至第一層。第一電極基本上覆蓋第一層的表面。第二電極在第一電極的外周的外部沿LED的外周的一部分形成。第二電極延伸穿過(guò)第一層和發(fā)光層到第二層，并且電連接至第二層。在一個(gè)實(shí)施方案中，第二電極在LED的側(cè)壁內(nèi)側(cè)形成，位于第一電極和側(cè)壁之間。在一個(gè)實(shí)施方案中，形成第二電極的邊緣以與LED的側(cè)壁鄰接。在一個(gè)實(shí)施方案中，第二電極的寬度在5μπι和IΟμπι之間。絕緣層包圍第二電極從而將第二電極與第一電極和LED的第一層電絕緣。絕緣層可以包括任何適合的介電材料。在一個(gè)實(shí)施方案中，絕緣層是透明材料。
[0011 ]在另一個(gè)實(shí)施方案中，LED組件包括在第一電極的外周的外部沿LED的外周的一個(gè)或多個(gè)第二電極。在一個(gè)實(shí)施方案中，一個(gè)或多個(gè)第二電極形成在LED的各側(cè)壁的內(nèi)側(cè)、在第一電極和側(cè)壁之間。在一個(gè)實(shí)施方案中，形成一個(gè)或多個(gè)第二電極的每一個(gè)的邊緣以與LED的各側(cè)壁鄰接。在一個(gè)實(shí)施方案中，一個(gè)或多個(gè)第二電極部分地包圍第一電極。在另一個(gè)實(shí)施方案中，一個(gè)或多個(gè)第二電極完全包圍第一電極。在又一個(gè)實(shí)施方案中，一個(gè)或多個(gè)第二電極在LED的側(cè)壁向內(nèi)延伸。
[0012]在一個(gè)實(shí)施方案中，LED組件進(jìn)一步包括形成穿過(guò)第一層和發(fā)光層并且電連接至第二層的一個(gè)或多個(gè)第三電極。第一電極基本上包圍一個(gè)或多個(gè)第三電極。一個(gè)或多個(gè)第三電極中的各個(gè)也被在第三電極和第一電極之間的絕緣層包圍，從而將第三電極和第一電極電絕緣。在一個(gè)實(shí)施方案中，第一電極、一個(gè)或多個(gè)第二電極、和一個(gè)或多個(gè)第三電極包括在可見(jiàn)光波長(zhǎng)范圍中具有大于90%的光學(xué)反射率的材料。在一個(gè)實(shí)施方案中，第一電極、一個(gè)或多個(gè)第二電極、和一個(gè)或多個(gè)第三電極包括銀(Ag)。
[0013]在一個(gè)實(shí)施方案中，LED組件進(jìn)一步包括具有第一接觸和第二接觸的基板。第一電極電連接至第一接觸，一個(gè)或多個(gè)第二電極和一個(gè)或多個(gè)第三電極電連接至第二接觸。在裝置操作期間，將電壓施加至LED組件的第一和第二接觸，并且一個(gè)或多個(gè)第二電極提供沿LED的外周提高的電流注入。
【附圖說(shuō)明】
[0014]圖1A示出現(xiàn)有技術(shù)中的LED組件的平面圖。
[0015]圖1B示出圖1A的LED組件的截面圖。
[0016]圖1C示出在圖1A的LED組件的裝置操作期間的電流分布。
[0017]圖2A示出根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方案的沿LED的外周的一部分提高電流注入的LED組件的平面圖。
[0018]圖2B示出圖2A的LED組件的截面圖。
[0019]圖2C示出根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施方案的圖2A的LED組件的另一截面圖。
[0020]圖2D示出圖2A的LED組件的另一截面圖。
[0021]圖2E示出在圖2A的LED組件的裝置操作期間的電流分布。
[0022 ]圖3A示出根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方案的沿LED的外周提高電流注入的LED組件的平面圖。
[0023]圖3B示出圖3A的LED組件的截面圖。
[0024]圖4示出根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施方案的沿LED的外周提高電流注入的LED組件的平面圖。
【具體實(shí)施方式】
[0025]圖2A示出根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方案的沿LED的外周的一部分提高電流注入的LED組件200的平面圖。圖2B示出沿軸BB截取的圖2A的LED組件200的截面圖，圖2C示出根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施方案的LED組件200的相同截面圖。圖2D示出沿軸CC截取的圖2A的LED組件200的截面圖。如圖2A-D中所示，LED 201包括設(shè)置在第一半導(dǎo)體層204和第二半導(dǎo)體層202之間的發(fā)光層206。第一半導(dǎo)體層204和第二半導(dǎo)體層202可以包括任何適合的半導(dǎo)體材料，例如II1-V族化合物如氮化鎵(GaN)、砷化鎵(GaAs)、磷化鎵(GaP)、磷化銦(InP)或磷化砷鎵(GaAsP)。在一個(gè)實(shí)施方案中，第一半導(dǎo)體層204包括P-型半導(dǎo)體材料，第二半導(dǎo)體層202包括N-型半導(dǎo)體材料。在另一個(gè)實(shí)施方案中，第一半導(dǎo)體層204包括N-型半導(dǎo)體材料，第二半導(dǎo)體層202包括P-型半導(dǎo)體材料。
[0026]第一電極214形成在基板220和LED201之間、并在第一半導(dǎo)體層204的與發(fā)光層206相反的表面上。第一電極214基本上覆蓋第一半導(dǎo)體層204的表面，并且電連接至第一半導(dǎo)體層204。優(yōu)選地，第一電極214包括高反射性材料從而將從發(fā)光層206向下發(fā)出的光子反射朝向基板220，以致光子可以逃脫LED201，改善LED組件200的光輸出功率和光輸出效率。在一個(gè)實(shí)施方案中，反射性材料具有在可見(jiàn)光波長(zhǎng)范圍中大于90%的光學(xué)反射率。在一個(gè)實(shí)施方案中，第一電極214包括銀(Ag)。
[0027]第二電極216在第一電極214的外周的外部沿LED 201的外周的一部分形成。在一個(gè)實(shí)施方案中，如圖2B和2D中所示，第二電極216形成在LED 201的側(cè)壁218的內(nèi)側(cè)，并且位于側(cè)壁218和第一電極214之間。在另一個(gè)實(shí)施方案中，如圖2C中所示，可以形成第二電極216以與LED 201的側(cè)壁218鄰接，其中第二電極216的外邊緣與側(cè)壁218齊平。
[0028]多個(gè)第三電極210在LED201的內(nèi)部以圖案化柵格形成，并且被第一電極214包圍。第二電極216和多個(gè)第三電極210都電連接至LED 201的第二半導(dǎo)體層202。第二電極216、以及多個(gè)第三電極210延伸穿過(guò)第一半導(dǎo)體層204和發(fā)光層206以便到達(dá)第二半導(dǎo)體層202。像第一電極214—樣，第二電極216和多個(gè)第三電極210也可以包括高反射性材料，如銀(Ag)，從而進(jìn)一步反射從發(fā)光層206發(fā)出的光子。
[0029]互連器212將多個(gè)第三電極210的每一個(gè)和第二電極216電連接。絕緣層208形成在第二電極216、多個(gè)第三電極210和互連器212的周?chē)瑥亩鴮⑦@些元件電絕緣以防止與第一電極214或第一半導(dǎo)體層204的短路。絕緣層208優(yōu)選是透明的從而防止從發(fā)光層206發(fā)出的光子的吸收，降低LED組件200的總體光輸出功率和光輸出效率。在一個(gè)實(shí)施方案中，絕緣層208包括二氧化硅(S12)。在其他實(shí)施方案中，絕緣層208可以為氮化硅(Si3N4)、氧化鋁(Al2O3)、二氧化鈦(T12)，或任何其他適合的透明介電材料。
[0030]第一接合墊224電連接至第一電極214，第二接合墊222電連接至第二電極216、多個(gè)第三電極210、和互連器212。當(dāng)封裝時(shí)，第一接合墊224和第二接合墊222提供用于引線(xiàn)接合至LED組件200的電源終端的接觸位點(diǎn)。通過(guò)沿LED 201的外周的一部分形成第二電極216，在當(dāng)電力施加至第一和第二接合墊224和222時(shí)發(fā)光二極管組件200的裝置操作期間，第二電極216在LED 201的該區(qū)域提供額外的電流注入。如圖2E中所示由第二電極216提供的額外的電流注入在LED 201的外周產(chǎn)生改善的電流擴(kuò)散和均勻性。
[0031]圖2E示出在圖2A的LED組件的裝置操作期間的電流分布222。圖2E中，作為源自第二電極216的電流注入提高的結(jié)果，沿LED 201的左側(cè)外周的電流分布222延伸到LED 201的側(cè)壁。在左側(cè)外周的增加的電流注入將改善在LED201的該區(qū)域中的發(fā)光均勻性，因?yàn)樵趨^(qū)域中的電流分布222更加均勻，導(dǎo)致由發(fā)光層206產(chǎn)生的均勻的光子延伸到LED 201的左側(cè)外周。
[0032]與LED201的其他外周區(qū)域(在那些區(qū)域中沒(méi)有增加的電流注入)相比，左側(cè)外周將顯示出增加的光輸出功率和光輸出效率，特別是在較高的操作電壓下，其中在第一電極214、和第二電極216、和多個(gè)第三電極210之間增加的電流流動(dòng)將導(dǎo)致在第二電極216和多個(gè)第三電極210周?chē)碾娏骶奂?yīng)。即使必須犧牲一部分發(fā)光層206以便形成第二電極216(回想起與圖2A-D相關(guān)討論的，第二電極216必須延伸穿過(guò)第一半導(dǎo)體層204和發(fā)光層206到達(dá)第二半導(dǎo)體層202)，這也是真的。在一個(gè)實(shí)施方案中，為了最小化必須除去以形成第二電極216的發(fā)光層206的量，第二電極216的寬度在5μπι和ΙΟμπι之間。
[0033]第二電極216維持在LED201的左光子發(fā)射側(cè)外周的電流分布222的均勻性，以致甚至在高電流下，在LED 201的左側(cè)外周的發(fā)光層206的光子發(fā)射與在由多個(gè)第三電極210包圍的LED 201的中央的光子發(fā)射相當(dāng)。換言之，即使由于第二電極216而在LED 201的左側(cè)外周存在較少的用于出現(xiàn)光產(chǎn)生的面積，更多的光子也將由于該區(qū)域中提高的電流注入而產(chǎn)生，導(dǎo)致光輸出功率的凈增加。相對(duì)地，LED 201的上、下和右側(cè)外周區(qū)域與LED201的中央相比具有降低的光子發(fā)射，這是盡管具有更多的發(fā)光面積但在那些外周區(qū)域中的電流密度較低的結(jié)果。隨著LED組件200的操作電壓增加，LED 201的源自第二電極216的電流注入提高的左側(cè)外周和其他外周區(qū)域的光輸出功率、光輸出效率和發(fā)光效率之間的差異也將相應(yīng)地增加，因?yàn)椴淮嬖谔岣叩碾娏髯⑷氲耐庵軈^(qū)域中的相對(duì)電流密度將由于在較高的電流下電流聚集效應(yīng)增加而降低。
[0034]圖3Α示出根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方案的沿LED的外周提高電流注入的LED組件300的平面圖。圖3Β示出沿軸CC截取的圖3Α的LED組件300的截面圖。如圖3Α和3Β中所示，LED 301包括設(shè)置在第一半導(dǎo)體層304和第二半導(dǎo)體層302之間的發(fā)光層306。類(lèi)似于上述圖2A-C中示出和記載的LED組件200，第一半導(dǎo)體層304和第二半導(dǎo)體層302可以包括任何適合的半導(dǎo)體材料如氮化鎵(GaN)或任何其他II1-V族化合物。在一個(gè)實(shí)施方案中，第一半導(dǎo)體層304包括P-型半導(dǎo)體材料，第二半導(dǎo)體層302包括N-型半導(dǎo)體材料。在另一個(gè)實(shí)施方案中，第一半導(dǎo)體層304包括N-型半導(dǎo)體材料，第二半導(dǎo)體層302包括P-型半導(dǎo)體材料。
[0035]第一電極314形成在LED 301和基板320之間并在第一半導(dǎo)體層304的與發(fā)光層306相反的表面上。第一電極314基本上覆蓋第一半導(dǎo)體層304的表面，并且電連接至第一半導(dǎo)體層304。第二電極316沿LED 301的外周形成。第二電極316位于第一電極314的外周的外部。第二電極316形成在LED 301的側(cè)壁318的內(nèi)側(cè)，位于側(cè)壁318和第一電極314之間。在一個(gè)實(shí)施方案中，形成第二電極316以與LED 301的側(cè)壁318鄰接。第二電極316部分地包圍第一電極314。在一個(gè)實(shí)施方案中，第二電極316包括沿LED 301的外周延伸的一個(gè)連續(xù)的電極。在另一個(gè)實(shí)施方案中，第二電極316包括沿完全包圍第一電極314的LED 301的外周的一個(gè)連續(xù)的電極。在又一個(gè)實(shí)施方案中，第二電極316包括在圍繞LED 301的各外周區(qū)域的多個(gè)電極。
[0036]多個(gè)第三電極310在LED301的內(nèi)部以圖案化柵格形成，并且被第一電極314包圍。第二電極316和多個(gè)第三電極310都電連接至LED 301的第二半導(dǎo)體層302。反過(guò)來(lái)互連器312將多個(gè)第三電極310的每一個(gè)和第二電極316電連接。絕緣層308包圍第二電極316和第三電極310，并且將這些元件與第一電極314和第一半導(dǎo)體層304電絕緣。再次，類(lèi)似于上述討論的圖2A-D的LED組件200，在各種實(shí)施方案中，第一電極314、第二電極316和第三電極310可以各自包括高反射性材料，能夠反射大于90%的可見(jiàn)光，絕緣層308可以包括透明絕緣材料，如二氧化硅(S12)或任何其他適合的介電材料。在一個(gè)實(shí)施方案中，第二電極316的寬度在5μπι和ΙΟμπι之間。第一接合墊324電連接至第一電極314，第二接合墊322電連接至第二電極316、多個(gè)第三電極310、和互連器312。當(dāng)封裝時(shí)，第一接合墊324和第二接合墊322提供用于引線(xiàn)接合至完整的LED組件300的電源終端的接觸位點(diǎn)。
[0037]通過(guò)沿LED 301的外周、在側(cè)壁318和第一電極314之間形成第二電極316，第二電極316將在LED組件300的裝置操作期間在LED 301的外周提供提高的電流注入。如前面討論的，源自第二電極316的提高的電流注入將創(chuàng)建擴(kuò)散到LED 301的外周的相對(duì)均勻的電流分布，作為第二電極316形成的結(jié)果，盡管發(fā)光面積損失，也由于在LED 301的外周的光子發(fā)射增加而產(chǎn)生總體光輸出功率的增加。反過(guò)來(lái)貫穿LED 301的均勻的電流分布將導(dǎo)致改善的來(lái)自發(fā)光層306的發(fā)光均勻性。
[0038]LED組件300特別良好地適用于高電壓操作，因?yàn)榈诙姌O316沿LED301的外周提供提高的電流注入從而抵消在較高的操作電流下的電流聚集效應(yīng)。在實(shí)際應(yīng)用中，與沿LED301的外周沒(méi)有提高的電流注入的類(lèi)似尺寸的常規(guī)LED組件相比，LED組件300將實(shí)現(xiàn)電光轉(zhuǎn)換效率(wal 1-plug efficiency)的5-6%增加。LED組件的電光轉(zhuǎn)換效率表示LED組件將電能轉(zhuǎn)換為光能即光的能量轉(zhuǎn)換效率。
[0039]圖4示出根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施方案的沿LED的外周提高電流注入的LED組件的平面圖。圖4中，第一電極414再次形成在LED 401和基板420之間。然而，如圖4中所示，第二電極416沿LED 401的外周設(shè)置，并且延伸到LED 401，部分地包圍第一電極414。在一個(gè)實(shí)施方案中，第二電極416包括沿LED 401的外周并且延伸到LED 401的一個(gè)連續(xù)的電極，完全包圍第一電極414。在又一個(gè)實(shí)施方案中，第二電極416包括在圍繞LED 401的各外周區(qū)域中并且延伸到LED 401的多個(gè)電極。
[0040]作為圍繞LED401的外周、源自第二電極416的電流注入提高的結(jié)果，LED組件400如上述圖3A和3B中討論并且示出的LED組件300將類(lèi)似地顯示出改善的光輸出功率、光輸出效率和發(fā)光均勻性。
[0041]本發(fā)明的各方面的其他目標(biāo)、優(yōu)點(diǎn)和實(shí)施方案對(duì)于本領(lǐng)域熟練技術(shù)人員來(lái)說(shuō)是顯然的，并且在說(shuō)明書(shū)和附圖的范圍內(nèi)。例如，但沒(méi)有限定，結(jié)構(gòu)或功能要素可以與本發(fā)明一致地重排。類(lèi)似地，根據(jù)本發(fā)明的原理可以應(yīng)用至其他實(shí)例，即使這里沒(méi)有詳細(xì)地具體描述，但仍將在本發(fā)明的范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種發(fā)光二極管LED組件，其包括: 包括設(shè)置在具有第一導(dǎo)電性類(lèi)型的第一層和具有第二導(dǎo)電性類(lèi)型的第二層之間的發(fā)光層的LED; 形成于所述第一層的與所述發(fā)光層相反的表面上的第一電極，所述第一電極基本上覆蓋所述第一層的所述表面并且電連接至所述第一層； 在所述第一電極的外周的外部沿所述LED的外周的一部分形成的第二電極，所述第二電極延伸穿過(guò)所述第一層和所述發(fā)光層并且電連接至所述第二層。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED組件，其中所述第二電極形成在所述LED的側(cè)壁的內(nèi)側(cè)，位于所述第一電極和所述側(cè)壁之間。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED組件，其中形成所述第二電極的邊緣以與所述LED的側(cè)壁鄰接。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED組件，其中所述第二電極的寬度在5μπι和ΙΟμπι之間。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED組件，其進(jìn)一步包括形成穿過(guò)所述第一層和所述發(fā)光層并且電連接至所述第二層的一個(gè)或多個(gè)第三電極， 其中所述第一電極基本上包圍所述一個(gè)或多個(gè)第三電極。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED組件，其中所述第一電極完全包圍一個(gè)或多個(gè)第三電極。7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的LED組件，其進(jìn)一步包括形成在所述第二電極和所述一個(gè)或多個(gè)第三電極與所述第一電極之間的絕緣層， 其中所述絕緣層將所述第一電極與所述第二電極和所述一個(gè)或多個(gè)第三電極電絕緣。8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的LED組件，其進(jìn)一步包括具有第一接觸和第二接觸的基板， 其中所述第一電極電連接至所述第一接觸，和 所述第二電極和所述一個(gè)或多個(gè)第三電極電連接至所述第二接觸。9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的LED組件，其中所述第一電極、所述第二電極、和所述一個(gè)或多個(gè)第三電極包括具有高反射率程度的材料。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的LED組件，其中所述材料為Ag。11.一種發(fā)光二極管LED組件，其包括: 包括設(shè)置在具有第一導(dǎo)電性類(lèi)型的第一層和具有第二導(dǎo)電性類(lèi)型的第二層之間的發(fā)光層的LED; 形成于所述第一層的與所述發(fā)光層相反的表面上的第一電極，所述第一電極基本上覆蓋所述第一層的所述表面并且電連接至所述第一層； 在所述第一電極的外周的外部沿所述LED的外周形成并且部分地包圍所述第一電極的一個(gè)或多個(gè)第二電極，所述第二電極延伸穿過(guò)所述第一層和所述發(fā)光層并且電連接至所述第二層。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的LED組件，其中所述一個(gè)或多個(gè)第二電極完全包圍所述第一電極。13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的LED組件，其中所述一個(gè)或多個(gè)第二電極形成在所述LED的各側(cè)壁的內(nèi)側(cè)，位于所述第一電極和所述側(cè)壁之間。14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的LED組件，其中形成所述一個(gè)或多個(gè)第二電極各自的邊緣以與所述LED的各側(cè)壁鄰接。15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的LED組件，其中所述一個(gè)或多個(gè)第二電極各自的厚度在5μπι和ΙΟμπι之間。16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的LED組件，其進(jìn)一步包括形成穿過(guò)所述第一層和所述發(fā)光層并且電連接至所述第二層的一個(gè)或多個(gè)第三電極， 其中所述第一電極基本上包圍所述一個(gè)或多個(gè)第三電極。17.根據(jù)權(quán)利要求11所述的LED組件，其中所述第一電極完全包圍一個(gè)或多個(gè)第三電極。18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的LED組件，其進(jìn)一步包括形成在所述一個(gè)或多個(gè)第二電極和所述一個(gè)或多個(gè)第三電極與所述第一電極之間的絕緣層， 其中所述絕緣層將所述第一電極與所述一個(gè)或多個(gè)第二電極和所述一個(gè)或多個(gè)第三電極電絕緣。19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的LED組件，其進(jìn)一步包括具有第一接觸和第二接觸的基板， 其中所述第一電極電連接至所述第一接觸，和 所述一個(gè)或多個(gè)第二電極和所述一個(gè)或多個(gè)第三電極電連接至所述第二接觸。20.根據(jù)權(quán)利要求16所述的LED組件，其中所述第一電極、所述一個(gè)或多個(gè)第二電極、和所述一個(gè)或多個(gè)第三電極包括具有高反射率程度的材料。21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的LED組件，其中所述材料為Ag。
【文檔編號(hào)】H01L33/38GK105990485SQ201610022307
【公開(kāi)日】2016年10月5日
【申請(qǐng)日】2016年1月13日
【發(fā)明人】嚴(yán)莉
【申請(qǐng)人】株式會(huì)社東芝